DE750598C - Light-sensitive layer for photocells, image transmission tubes, image converters, etc. like - Google Patents
Light-sensitive layer for photocells, image transmission tubes, image converters, etc. likeInfo
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- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
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Description
Lichtempfindliche Schicht für Photozellen, Bild'senderöhren, Bildwandler u. dgl. Die Erfindung bezieht sich auf photoelektrische "Oberflächen, wie sie für Photozellen, in Fernsehsenderöhren und anderen . Anordnungen verwendet werden.Light-sensitive layer for photocells, image transmitter tubes, image converters and the like The invention relates to photoelectric "surfaces such as those used for Photocells, in television tubes and others. Arrangements are used.
Bei einer Form einer Fernsehsendeeinrichtung wird ,ein Bild des zu sendenden Gegenstandes auf einen Mosaikschirm ,projiziert, der ,aus einer Vielzahl gegenseitig isolierter, photoelektrisch ,aktiver Elemente zusammengesetzt ist, die sich gemäß der Intensität des auffallenden Lichtes aufladen. Diese Elemente werden periodisch durch einen abtastenden Kathodenstrahl auf ein Gleichgewichtspotential zurückgeführt.In one form of television broadcasting facility, an image of the projected onto a mosaic screen, the one from a multitude is composed of mutually isolated, photoelectric, active elements that charge according to the intensity of the incident light. These elements are periodically by a scanning cathode ray to an equilibrium potential returned.
Bei einer anderen Form einer Fernsehsendeeinrichtung wird das optische Bild auf eine photoelektrisch aktive Kathode projiziert; die austretenden Photoelektronen werden beschleunigt und auf einen im wesentlichen nicht lichtempfindlichen Mosaikschirm fokussiert. Die Photoelektronen laden die Elemente des Mosaikschirms auf, die periodisch durch einen abtastenden Kathodenstrahl auf :ein Gleichgewichtspotential entladen werden. Photoempfindliche Kathoden der letztbeschriebenen Art werden auch beispielsweisse in Elektronenmikroskopen, Fernsehröhren, Bildwandlern u. dgl. benutzt.In another form of television broadcasting equipment, the optical Projecting an image onto a photoelectrically active cathode; the escaping photoelectrons are accelerated and onto an essentially non-light-sensitive mosaic screen focused. The photoelectrons charge the elements of the mosaic screen, which periodically by a scanning cathode ray to: discharge an equilibrium potential will. Photosensitive cathodes of the type just described are also used, for example Used in electron microscopes, television tubes, image converters and the like.
Es ist bereits eine lichtempfindliche Schicht für Photozellen angegeben, bei welcher eine Schicht von Cäsium oder Rubidium auf einer Unterlageschicht von Antimon oder Wismut aufgedampft wird und die beiden Metalle eine Verbindung eingehen.A light-sensitive layer for photocells is already specified, in which a layer of cesium or rubidium on a backing layer of Antimony or bismuth is evaporated and the two metals form a bond.
Ein Nachteil solcher Antimon-Cäsium-Verbindungen für photoempfindliche Kathoden in durchsichtigen Photozellen besteht darin, äaß man nur schwer eine Kathode von geeigneter Leitfähigkeit ierhalten kann; denn bei Kathoden dieser Art erhält man nur eine geringe Sättigungscharakteristik und in manchen Fällen einen unerwünschten Photoleiteffekt. Außerdem verdampft wegen des niedrigen Schmelzpunktes der Antimon- bzw. Wismutschichtein Teil des Antimons (Wismuts), wenn man beim Backen der Röhre zur Entfernung der schädlichen Gase mit der Temperatur zu hoch geht. Auch neigt die Kathodenschicht aus- solchen Stoffen dazu, zu springen und abzublättern.A disadvantage of such antimony-cesium compounds for photosensitive Cathodes in transparent photocells consists in eating a cathode with difficulty of suitable conductivity; because with cathodes of this type one only has a low saturation characteristic and in some cases an undesirable one Photoconductive effect. In addition, due to the low melting point of the antimony or bismuth layer, a part of the antimony (bismuth) when you bake the tube for removal the harmful gases with the temperature too high goes. The cathode layer made of such materials also tends to crack and peel off.
bz w. Gegenstand der Erfindung vermindert bzw. vermeidet die genannten Nachteile. Nach der Erfindung besteht die lichtempfindliche Schicht für Photozellen, Bildsenderöhren, Bildwandler u. dgl. aus -einer Verbindung von Antimon oder Wismut mit Palladium oder einem äquivalenten Metall, wie z. B. Ruthenium, Platin, Iridium und Osmium, die mit Cäsium, Rubidium oder einem anderen AlkalimetaJl aktiviert ist. Eine derartige photoempfindliche Schicht ist genügend leitfähig und daher besonders für durchsichtige Photozellen geeignet. Außerdem ist die Schicht wesentlich panchromafisch und besitzt einen hohen Empfindlichkeitsgrad.or the subject matter of the invention reduces or avoids those mentioned Disadvantage. According to the invention, the photosensitive layer for photocells consists Image transmission tubes, image converters and the like made from a compound of antimony or bismuth with palladium or an equivalent metal, such as. B. ruthenium, platinum, iridium and osmium activated with cesium, rubidium or other alkali metal. Such a photosensitive layer is sufficiently conductive and therefore special suitable for transparent photocells. In addition, the layer is essentially panchromafic and has a high degree of sensitivity.
Die vorzugsweise verwendeten Metalle sind Antimon, Palladium und Cäsium. Bei der Herstellung einer lichtempfindlichen Schicht nach der Erfindung wird zuerst eine Verbindung von Antimon und Palladium hergestellt und beispielsweise von geeigneten Heizfäden aus verdampft, so daß eine dünne, durchsichtige Schicht von im wesentlichen gleichmäßiger Stärke auf dem Kathodenträger entsteht. Dieser Träger kann die Abschlußwand einer Glasröhre, eine Glimmerplatte oder ein anderes geeignetes Material sein. Die Erfindung ist aber nicht auf die Verwendung durchsichtiger photoempfindlicher Kathoden beschränkt. Wenn die Antimon-Palladium-Schicht .hergestellt ist, läßt man Cäsium zu und backt die Fläche, so daß das Cäsium mit der Antimon-Palladium-Verbindung reagieren kann.The metals preferably used are antimony, palladium and cesium. In preparing a photosensitive layer according to the invention, first a compound made of antimony and palladium and, for example, of suitable Filaments evaporated off, leaving a thin, transparent layer of essentially uniform strength on the cathode support. This carrier can be the end wall a glass tube, mica sheet, or other suitable material. the However, the invention is not limited to the use of clear photosensitive cathodes limited. When the antimony-palladium layer has been produced, cesium is left and bake the surface so that the cesium with the antimony-palladium compound can react.
Antimon bildet mit Palladium vier Verbin dungen, die durch folgende Formeln ausgedrückt werden: Sb2Pd, PdSb, Pd5Sb3 und Pd3Sb. Jede dieser Verbindungen reagiert mit Cäsium in verschiedenem Maße, und man kann irgendeine oder mehrere dieser Verbindungen zusammen mit Cäsium oder einem anderen Alkalimetall zur Erzeugung einer photoempfindlichen Schicht nach der Erfindung benutzen. Die physikalischen Eigenschaften der Verbindung von Antimon und Palladium (Antimonide des Palladiums) sind wesentlich verschieden von denen des Antimons und besonders der Schmelzpunkt jeder dieser Verbindungen ist höher als der von Antimon, so daß dementsprechend die Röhre, in welcher die Oberfläche untergebracht werden soll, bei höheren Temperaturgraden gebacken werden kann, um schädliche Gase zu entfernen, gegenüber den Temperaturen, wie sie bisher für Röhren mit Schichten von Antimon und Cäsium verwendet werden konnten. Die Farbempfindlichkeit einer Photoschicht nach der Erfindung ist im wesentlichen panchromatisch, zeigt aber eine größere Empfindlichkeit am blauen Ende des Spektrums.Antimony forms four compounds with palladium, which are established by the following Formulas are expressed: Sb2Pd, PdSb, Pd5Sb3 and Pd3Sb. Any of these connections reacts with cesium to varying degrees, and one or more can be used these compounds together with cesium or another alkali metal to produce use a photosensitive layer according to the invention. The physical Properties of the compound of antimony and palladium (antimonides of palladium) are essentially different from those of antimony and especially the melting point each of these compounds is higher than that of antimony, so accordingly the tube in which the surface is to be housed at higher temperatures can be baked to remove harmful gases, against the temperatures as previously used for tubes with layers of antimony and cesium could. The color sensitivity of a photographic layer according to the invention is essential panchromatic, but shows greater sensitivity at the blue end of the spectrum.
Claims (2)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB750598X | 1938-03-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE750598C true DE750598C (en) | 1945-01-23 |
Family
ID=10496280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEE52300D Expired DE750598C (en) | 1938-03-07 | 1939-03-08 | Light-sensitive layer for photocells, image transmission tubes, image converters, etc. like |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE750598C (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB460012A (en) * | 1935-08-08 | 1937-01-19 | Zeiss Ikon Ag | Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells |
GB479733A (en) * | 1936-07-04 | 1938-02-10 | Zeiss Ikon Ag | Improvements in or relating to the manufacture of activated electrodes for photo-electric cells or secondary electron multipliers |
-
1939
- 1939-03-08 DE DEE52300D patent/DE750598C/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB460012A (en) * | 1935-08-08 | 1937-01-19 | Zeiss Ikon Ag | Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells |
GB479733A (en) * | 1936-07-04 | 1938-02-10 | Zeiss Ikon Ag | Improvements in or relating to the manufacture of activated electrodes for photo-electric cells or secondary electron multipliers |
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