DE745978C - Process for the production of a very thin secondary emissive layer from alkali halides - Google Patents

Process for the production of a very thin secondary emissive layer from alkali halides

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DE745978C
DE745978C DES133215D DES0133215D DE745978C DE 745978 C DE745978 C DE 745978C DE S133215 D DES133215 D DE S133215D DE S0133215 D DES0133215 D DE S0133215D DE 745978 C DE745978 C DE 745978C
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Germany
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alkali halides
production
emissive layer
thin
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Expired
Application number
DES133215D
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German (de)
Inventor
Otto Krenzien
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
    • H01J9/125Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes of secondary emission electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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    • H01J1/32Secondary-electron-emitting electrodes
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/32Secondary emission electrodes

Description

Verfahren zur Herstellung einer sehr dünnen -sekund'äremissionsfähigen Schicht aus Alkalihalogeniden Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer sehr dünnen sekundäremissionsfähigen Schicht aus Alkalihalogeniden auf Elektroden. Erfindungsgemäß wird zur Erzeugung der sehr dünnen, beispielsweise i o-4 mm starken Schicht die Oberfläche der Elektrode mit einer .wäßrigen oder alkoholhaltigen Lösung eines oder mehrerer Alkalihalogeniden benetzt und dann durch Erhitzen der Elektrode der emissionsfähige Stoff zum Schmelzen, gebracht.Process for the production of a very thin secondary emissive Layer of Alkali Halides The invention relates to a method of production a very thin secondary emissive layer of alkali halides on electrodes. According to the invention, to produce the very thin, for example 10-4 mm thick Coat the surface of the electrode with an aqueous or alcoholic solution one or more alkali halides and then wetted by heating the electrode the emissive substance melted.

Die Herstellung von Sekundäremissionsschichten aus Alkalihalogeniden ist zwar an sich bekannt. Es ist ferner bekannt, sekundäremissionsfähige Schichten durch Aufbringen eines Pulvers aus dem Schichtmaterial auf die Elektrode herzustellen. Die Dicke der fertigen Schicht ist in diesem Falle immer durch die Korngröße des sekundäremissionsfähiben Stoffes bedingt. Es gelingt nicht; Schichten von der Dicke von beispielsweise i o-4 mm herzustellen. Diese geringe Schichtdicke ist aber gerade von besonderer Bedeutung. Während bei der bekannten Herstellungsart von Sekundäremissionselektroden das Schichtmaterial gegebenenfalls bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur festgebacken, aber nicht geschmolzen -wird, wird bei dem Verfahren nach der Erfindung die Elektrodenplatte nach dem Aufbringen des Sekundäremisionsstoffes einer hohen Erhitzung unterworfen. Bei dieser Erhitzung werden die Alkalihalogenide an der Oberfläche der Elektrode zum Schmelzen gebracht und bilden eine gleichmäßige dünne Schicht. Diese Schicht ist im Gegensatz zur bisher vertretenen Anschauung zu hoher Sekundäremission befähigt, selbst dann, wenn die Stromdichte des Sekundäremissionsstromes verhältnismäßig groß ist. Man stand: bisher auf dem Standpunkt, daß Schichten aus Alkalihalogeniden praktisch für Sekundärelektronenemission nicht verwendbar sind, da bereits bei sehr geringer spezifischer Belastung eine Zerstörang der Schichten eintritt, zumindest aber die Sekundäremissionseigenschaften beträchtlich verschlechtern. Dies liegt offenbar daran, daß die bisher verwendeten Schichten nicht <1:e geringe Stärke hatten wie die Sekundäremissionsschichten nach der Erfindung. Von einer gewissen Bedeutung ist zweifellos dabei auch die Art der Aufbringung der Schichten auf die Elektrodenplatten. Schichten nach der Erfindung haben, wie Versuche zeigten, über tausende von Brennstunden ohne Einbuße ihrer Sekundäremissionsfähigkeit Belastungen bis ao mA/cm° vertragen. Von großer Wichtigkeit beim Betriebe der mit Schichten nach der Erfindung arbeitenden Röhren ist es, daß man die Belastungsverhältnisse so wählt, daß die Elektrode im Betriebe dem Schmelzpunkt der Halogenide nicht zu nahe kommt. Die Sekundäremiesionsplatten dürfen daher für Schichten, welche aus Alkalichloriden bestehen, nicht auf mehr als a50°, für Schichten aus Alkalifluoriden nicht über 6oo° erwärmt werden. Hält man diese Bedingungen ein, so kann man nach so langer Betriebsdauer mit einer stets gleichbleibenden guten Sekundäreleltronenemission rechnen.The production of secondary emission layers from alkali halides is known per se. It is also known, secondary emissive layers by applying a powder from the layer material to the electrode. In this case, the thickness of the finished layer is always determined by the grain size of the secondary emissive substance conditionally. It doesn't work; Layers of thickness of, for example, 10 -4 mm. However, this thin layer is straight really important. While in the known production method of secondary emission electrodes the layer material optionally at a relatively low temperature is baked, but not melted, in the method according to the invention the electrode plate after the application of the secondary emission material a high Subject to heating. With this heating, the alkali halides become on the surface the electrode melted and form an even thin layer. In contrast to the previously held view, this layer is too high in secondary emissions enabled, even if the current density of the secondary emission current is proportionate is great. So far the standpoint was that layers of alkali halides are practically unusable for secondary electron emission, since already at very low specific load a destruction the shift occurs, but at least the secondary emission properties deteriorate considerably. this is apparently due to the fact that the layers used so far are not less than 1: e The same strength as the secondary emission layers according to the invention. From a certain The way in which the layers are applied to the is undoubtedly also important Electrode plates. Experiments have shown that layers according to the invention are over thousands of burning hours without sacrificing their secondary emissions tolerated up to ao mA / cm °. Of great importance when operating those with shifts according to the invention working tubes, it is that one the load conditions is chosen so that the electrode does not reach the melting point of the halides during operation comes close. The secondary emission plates are therefore allowed for layers which are made of Alkali chlorides do not exist for more than a50 ° for layers of alkali fluorides not be heated above 600 °. If you keep these conditions, you can follow such a long operating time with a consistently good secondary electron emission calculate.

Von großem Vorteil ist es auch, das Glühen der Sekundäremissionselektroden (Schmelzen der Halogenide) in einer Schutzgas-, z. B. Argonatmosphäre vorzunehmen. Man hat dann um so größere Gewißheit, daß nicht Bestandteile der Schicht auf die übrigen Elektroden, beispielsweise Oxydkathoden, sublimieren und diese etwa entaktivieren. Außerdem werden durch das Glühen in einer Schutzgäsatmosphäre vielfach Ausbeuten erreicht, die noch etwas höher liegen als die beim Glühen im Vakuum erzielten.The glowing of the secondary emission electrodes is also of great advantage (Melting of the halides) in a protective gas, e.g. B. make argon atmosphere. One then has all the greater certainty that there are no constituents of the layer on the other electrodes, for example oxide cathodes, sublime and deactivate them for example. In addition, the annealing in a protective gas atmosphere leads to multiple yields achieved, which are slightly higher than those achieved when annealing in a vacuum.

Claims (1)

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung einer sehr dünnen sekundäremissionsfähigen Schicht aus Alkalihalogeniden auf Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der sehr dünnen, beispielsweise i o-'- mm starken Schicht die Oberfläche der Elektrode mit einer wäßrigen oder alkoholischen Lösung eines oder mehrerer Alkalihalogeniden benetzt wird und dafs dann durch. Erhitzen der Elektrode der emissionsfähige Stoff zum Schmelzen gebracht wird. z. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung in einer wieder zu beseitigenden Schutzgasatmosphäre vorgenommen wird. Zur Abgrenzung des Anmeldungsgegenstandes vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: deutsche Patentschrift ....... Nr. 617 353; britische - ....... - 460356. PATENT CLAIMS: i. Process for the production of a very thin secondary emissive layer from alkali halides on electrodes, characterized in that to produce the very thin, for example i o -'- mm thick layer, the surface of the electrode is wetted with an aqueous or alcoholic solution of one or more alkali halides and that then through. Heating the electrode melts the emissive substance. z. Method according to Claim i, characterized in that the heating is carried out in a protective gas atmosphere which is to be removed again. To distinguish the subject matter of the application from the state of the art, the following publications were taken into account in the granting procedure: German patent specification ....... No. 617 353; British - ....... - 460356.
DES133215D 1938-07-28 1938-07-29 Process for the production of a very thin secondary emissive layer from alkali halides Expired DE745978C (en)

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DE2204252X 1938-07-28
DES133215D DE745978C (en) 1938-07-28 1938-07-29 Process for the production of a very thin secondary emissive layer from alkali halides

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DE745978C true DE745978C (en) 1944-12-18

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE617353C (en) * 1924-08-23 1935-08-17 Lorenz Akt Ges C Grid for electron tubes
GB460356A (en) * 1935-06-25 1937-01-26 Marconi Wireless Telegraph Co Improvements in and relating to electron discharge devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB460356A (en) * 1935-06-25 1937-01-26 Marconi Wireless Telegraph Co Improvements in and relating to electron discharge devices

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