Bildspeicherröhre, bei der-die durch den Abtaststrahl auf der Vorderseite
einer undurchlässigen einseitigen Mosaikelektrode ausgelösten Elektronen in einem
Sekundärelektronenverstärker vervielfacht werden Es ist bekannt, bei einer Bildspeicherröhre
die durch den Abtaststrahl auf dem Mosaik ausgelösten Elektronen, deren Zahl im
Rhythmus der Helligkeit der abgetasteten Bildpunkte schwankt, einem Sekundarelektronenverstärker
zuzuführen und auf diese Weise höhere, Ausgangsspannungen zu erzielen. Die bisher
vorgeschlagenen Anordnungen weisen aber verschiedene h,Tachteile auf. Um den LichtsiraMengang
nicht zu stören, muß der Sekundärverstärker normalerweise seitlich vor der Mosaikelektrode
angeordnet werden. Das bedeutet aber, daß er zu dieser unsymmztrisch liegt, es sei
denn, daß man einen ringförnug ausgebildeten, das.. ganze Lichtbündel umschließenden
oder aber mehrere zueinander symmetrisch liegende Verstärker einbaut. Beide Anordnungen
sind schwierig im Aufbau. Bei .der zweitgenannten stört besonders, daß man im allgemeinen
mehrere Ansatzrohre an den Hauptkolben anschmelzen muß, was die Herstellung der
Röhre erschwert und verteuert.Image storage tube in which-through the scanning beam on the front
An impermeable one-sided mosaic electrode released electrons in one
Secondary electron amplifiers are multiplied It is known in an image storage tube
the electrons released by the scanning beam on the mosaic, the number of which im
The rhythm of the brightness of the scanned image points fluctuates, a secondary electron amplifier
and in this way to achieve higher output voltages. The so far
However, the proposed arrangements have different h, pocket parts. Around the LichtsiraMengang
not to interfere, the secondary amplifier must normally on the side in front of the mosaic electrode
to be ordered. But that means that he is unsymmetrical to this, it is
because that one has a ring shape that encloses the whole bundle of light
or build in several amplifiers that are symmetrical to one another. Both arrangements
are difficult to build. In the case of the latter, it is particularly annoying that one generally
several neck tubes must melt on the main flask, which is the production of the
Tube made difficult and expensive.
Gemäß der Erfindung werden die beschriebenen Schwierigkeiten dadurch
beseitigt, daß der Sekundärelektronenverstärker hinter der Mosaikplatte angeordnet
wird. Es, lassen sich dann auch bei Verwendung einer ganz normalen einseitigen Mosaikplatte
einwandfreie Ergebnisiseerzielen. Der Sekundärverstärker -wird zweckmäßig in der
Achse der Röhre .angeordnet. Er liegt dann symmetrisch zur Mosaikplatte, kann klein
gehalten werden und .erfordert nur eine einzige einfache Einschmelzung.According to the invention, the described difficulties are thereby solved
eliminates that the secondary electron amplifier is arranged behind the mosaic plate
will. It can then also be used when using a normal one-sided mosaic plate
Achieve flawless results. The secondary amplifier is useful in the
Axis of the tube. It is then symmetrical to the mosaic plate and can be small
and .requires only a single simple meltdown.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der ein
Ausführungsbeispiel dargestellt ist. In. der Röhre r stellt
a die
undurchlässige einseitige Mosaikplatte dar, die von dem im System 3 erzeugten Abtaststrahl
überstrichen wird. Die auf dem Mosaik :erzeugten Sekundärelektronen werden durch
ein Netz 4., welches den Raum zwischen der Mosaikplatte und der Kolbenwand ausfüllt,
abgesaugt und gelangen durch dieses in den Sekundärverstärlker 5. Vor der Mosaikplatte
ist noch ein sehr weitmaschiges dünndrähtiges Netz 6 angeordnet, welches parallel
zur Mosaikplatte liegt, den Lichtstrahlengang praktisch überhaupt nicht stört und
an der Stelle, wo der Abtaststrahl die Netzebene durchsetzt, eine etwas größere
Öffnung 8 aufweist, die dem Durchtrittsquerschnitt .des Strahls in der Netzebene
entspricht. Ein besonderer Vorteil dieser Anordnung ist, daß vor dem Mosaik ein
sehr gleichmäßiges Feld herrscht. Die Elektrode 4, die die Sekundärelektronen zunächst
durchsetzen, liegt symmetrisch zur Speicherelektrode, und der Einfluß dies schräg
liegenden Strahle rz:eugungssystems auf die Potentialverteilung vor diem Mosaik
wird durch das. weitmaschige Netz 6 ausgeschaltet.The invention is explained in more detail with reference to the drawing, in which a
Embodiment is shown. In. the tube r represents
a the
impermeable one-sided mosaic plate, which is generated by the scanning beam in system 3
is painted over. The secondary electrons generated on the mosaic: are through
a mesh 4., which fills the space between the mosaic plate and the bulb wall,
sucked off and get through this into the secondary amplifier 5. In front of the mosaic plate
a very wide-meshed thin-wire network 6 is also arranged, which is parallel
to the mosaic plate, practically does not interfere with the light beam path at all and
at the point where the scanning beam penetrates the network plane, a slightly larger one
Has opening 8, which the passage cross section .des beam in the network plane
is equivalent to. A particular advantage of this arrangement is that in front of the mosaic one
very even field prevails. The electrode 4, which the secondary electrons initially
enforce is symmetrical to the storage electrode, and the influence of this is oblique
lying beam on the potential distribution in front of the mosaic
is switched off by the wide-meshed network 6.
Beim Betrieb der Röhre werden das Netz 6 und .etwaige weitere vor
dem Mosaik befindliche Elektroden, z. B. Wandbeläge, negativ gegen das Netz .l gemacht,
so daß die Sekundärelektronenbahnen zurückgebogen werden. Die Elektronen durchsetzen
dann zum größten Teil das Netz q. und werden von der auf wesentlich höherem Potential
liegenden Eingangselektrode des Sekundärverstärkers 5 angezogen. Das Potential wird
hier so hoch gewählt, daß auch bei kleinen Abmessungen dies Sekundärverstärkers
alle durch q. fliegenden Elektronen in ihn gelangen. Zweckmäßig werden in bekannter
Weise das erste oder die ersten Elektroden des, Sekundärverstärkers in den erweiterten
@Raum der Röhre vorgewölbt. Bei der Herstellung der Röhre kann so vorgegangen werden,
daß ein fertiggehlasener Kolben an der Stelle 7 ringsum aufgesprengt wird. Alsdann
werden das Netz 6 und die Mosaikplatte, die mit dem Netz 4. eine bauliche Einheit
bildet, eingeführt und in der Röhre befestigt. Zweckmäßig wird das Netz 4. mit einem
elastischen Ring versehen, der sich der Röhreninnenwand anlegt und einen festen
Sitz der Mosaikplatte gewährleistet. Alsdann wird die Röhre an der Stelle 7 wieder
zugeschmolzen und danach der Sakundärverstärker 5 eingebaut.When the tube is in operation, the network 6 and
electrodes located in the mosaic, e.g. B. Wall coverings, made negative against the network .l,
so that the secondary electron paths are bent back. The electrons prevail
then for the most part the network q. and are of the at much higher potential
lying input electrode of the secondary amplifier 5 attracted. The potential will
chosen here so high that this secondary amplifier even with small dimensions
all through q. flying electrons get into it. Appropriate to be known in
Way, the first or the first electrodes of the, secondary amplifier in the extended
@Room of the tube bulging. The procedure for the manufacture of the tube is as follows:
that a finished gas-filled flask is blown open at point 7 all around. Then
the network 6 and the mosaic plate, which with the network 4, form a structural unit
forms, inserted and fixed in the tube. The network is expediently 4. with a
provided elastic ring, which rests against the inner wall of the tube and a solid
Seat of the mosaic plate guaranteed. Then the tube is at point 7 again
melted shut and then installed the secondary amplifier 5.