Fernsehbildzerlegerröhre Die Erfindung bezieht sich auf eine Bildzerlegerröhre
mit Speicherelektrode, in der die Bildströme einer von der Speicherelektrode getrennten
Sammelelektrode zugeführt werden.Television Image Disassembly Tube The invention relates to an image disassembly tube
with storage electrode in which the image currents are separated from the storage electrode
Collecting electrode are fed.
Es ist bekannt, @daß mit derartigen Röhren, eine Speicherung des während
der Belichtungszeit fließenden Photostroms möglich ist, so daß die Empfindlichkeit
gegenüber einem ohne Speicherung arbeitenden Abtastverfahren bei den. heute verwendeten
Bildpunktzaihlen theoretisch auf das etwa d.o ooofache gesteigert wird. Dennoch
sind zur Übertragung dieser Bildeindrücke sehr empfindliche Verstärker erforderlich.
Die Empfindlichkeit solcher Fernsehsender ist dabei durch den Störspiegel des Verstärkers
:begrenzt.It is known that with such tubes, a storage of the during
the exposure time flowing photocurrent is possible, so that the sensitivity
compared to a scanning method working without storage in the. used today
Theoretically, pixel counts are increased to about doo, oof times. Yet
Very sensitive amplifiers are required to transmit these image impressions.
The sensitivity of such television transmitters is due to the interference mirror of the amplifier
:limited.
Nach der Erfindung wird die Empfindlichkeit der Bildzerlegerröhre
:dafdurch gesteigert, daß die Bildströme einer Sammelelektr de zugeführt werden,
die zugleich Eingangselektrode eines Sekundärelektronenverstärkers ist. Es wurde
nämlich gefunden, daß .derartige an sich bereits bekannte Sekundärelcktronenverstärker
einen wesentlich niedrigeren Störpegel besitzen als die gebräuchlichen Röhrenverstärker.
Sie erforderten jedoch eine Fokussierung der Primärelektronen, wenn diese von einer
außerhalb des Verstärkers befindlichen Elektronenquelle
herrührten
und nicht erst innerhalb des Sekundärelektronenvenstärkers, z. B. durch Photoeffekt,
erzeugt werden.According to the invention, the sensitivity of the image decomposing tube
: increased by the fact that the image currents are fed to a collecting electrode,
which is also the input electrode of a secondary electron amplifier. It was
namely found that .such already known secondary leakage amplifier
have a significantly lower level of interference than conventional tube amplifiers.
However, they required the primary electrons to be focused if they were from a
electron source located outside the amplifier
originated
and not only within the secondary electron amplifier, e.g. B. by photo effect,
be generated.
In .der Regel wird :der Verstärker in den gleichen Vakuumraum wie
der Zerleger eingebaut werden. Die Sammelelektrode kanntdann z. B. als Netz ausgebildet
werden. Es sind auch andere Anordnungen denkbar, z. B. mit einer Folie als Sammelelektrode,
wobei dann in der Zerlegerrähne und im Sekundärelektronenverstärker verschiedene
Gasdrücke herrschen können. Der- Verstärker kann mit Netzelektroden aufgebaut werden.As a rule: the amplifier is in the same vacuum space as
the decomposer can be installed. The collecting electrode can then e.g. B. designed as a network
will. Other arrangements are also conceivable, e.g. B. with a foil as a collecting electrode,
then different ones in the dismantling rack and in the secondary electron amplifier
Gas pressures can prevail. The amplifier can be constructed with mesh electrodes.
Inden Zeichnungen zeigt Fig. i eine Zerlegerröhre mit einem in der
Nähe der Mosaikkathode angeordneten Sekundärelektronenverstärker, Fig. 2 die Ausgestaltung
der Speicherelektrode und Fig. 3 eine besondere Ausbildungsform des Sekundärelektronenverstärkers.
Nach der Fing. i befinden sich innerhalb der Vakuumröhre i ein Strahlerzeu:gungssystem,
Ablenkplatten und eine Mosaikelektrode 2. Diese besteht aus einem mit 9 bezeichneten
Netz und einer großen Anzahl von isolierten, nach beiden Seiten, eine Stirnfläche
aufweisenden Mosaikelementen. Letztere bilden die eine Belegung je eines Kondensators,
während die andere Belegung, nämlich das Netz, allen Kondensatoren gemeinsam ist.
Die Anordnung arbeitet so"daß von der einen (in der Zeichnung linken) Seite aus
die Belichtung erfolgt, während die Abtastung .durch den Kathoidernstrahl auf ,der
anderen Seite vorgenommen wird. Dementsprechend ist die linke Seite mit einer stark
photoelektrisch empfindlichen Schicht überzogen, während die rechte Seite lediglich
so vorbereitet zu werden braucht, daß sie beim Auftreffen des Kathodenstrahls Sekundärelektronen
emittiert. Die Röhre weist über den größeren Teil ihrer Länge einen Wandbelag 3,
4 auf, der an der Stelle 5 unterbrochen ist. Der der Kathode zugewandte Teil 3 befindet
sich auf Anodenpotential, während der Teil 4 auf ein etwas niedrigeres Potential
gebracht wird. Die bei der Belichtung auf der linken Seite der Mosaikelektrode :2
ausgelösten Photoelektronen werden auf eine z. B. auf Anödenpotential befindliche
Elektroide 6 gezogen. An einer Stelle, vohrzugsweise in (der Nähe der Mosaikelektrode,
besitzt der Röhrenkolben einen Ansatz 7, in -dem der Sekun:därelektronenverstärker
gemäß der Erfindung untergebracht ist. Mit 8 ist die Eingangselektrode bezeichnet,
auf dlie die bei oder Abtastung auf dem Mosaikschirm ausgelösten Sekundärelektronen
gezogen wenden,. Ihr Potential wird etwas höher als das .des Wandbelages 4 gewählt,
so daß mit Sicherheit alle Elektronen dem Sekundärelektronenverstärker zugeführt
werden.In the drawings, Fig. I shows a decomposer tube with one in the
Secondary electron amplifier arranged near the mosaic cathode, FIG. 2 shows the configuration
the storage electrode and FIG. 3 shows a special embodiment of the secondary electron amplifier.
After the fing. i there is a radiation generation system inside the vacuum tube i,
Deflection plates and a mosaic electrode 2. This consists of a designated 9
Mesh and a large number of insulated, on both sides, an end face
having mosaic elements. The latter form the one assignment of each capacitor,
while the other assignment, namely the network, is common to all capacitors.
The arrangement works from one side (on the left in the drawing)
the exposure takes place while the scanning .by the cathoid beam on the
other side is made. Accordingly, the left side is strong with one
photoelectrically sensitive layer coated while the right side merely
needs to be prepared in such a way that they are secondary electrons when the cathode ray hits them
emitted. The tube has a wall covering 3 over the greater part of its length,
4, which is interrupted at point 5. The part 3 facing the cathode is located
on anode potential, while part 4 on a slightly lower potential
is brought. The left side of the mosaic electrode during exposure: 2
triggered photoelectrons are on a z. B. located on anode potential
Electroids 6 pulled. At one point, preferably in (near the mosaic electrode,
the tubular flask has an approach 7 in which the secondary electron amplifier
is housed according to the invention. The input electrode is denoted by 8,
on dlie the secondary electrons released during or scanning on the mosaic screen
turn pulled ,. Your potential is chosen to be slightly higher than that of the wall covering 4,
so that with certainty all electrons are fed to the secondary electron amplifier
will.
In Fig. 2 ist ein Teil der in Fig. i gezeigten doppelseitigen Speicherelektrode
in vergrößertem Maßstab dargestellt. Die in -den isolierenden Träger eingebetteten
Mosaikelemente 13 besitzen auf -der dem Kathodenstrahl zugewandten Seite sekundäremissionsempfindliche
Flächen 15, während die Flächen 14 auf hohe Photoempfindlichkeit aktiviert sind.In Fig. 2 is part of the double-sided storage electrode shown in Fig. I
shown on an enlarged scale. The embedded in the insulating support
Mosaic elements 13 have secondary emission-sensitive on the side facing the cathode ray
Areas 15, while the areas 14 are activated for high photosensitivity.
Fig. 3. zeigt eine besondere Ausbilldungsform des den Vervielfacher
enthaltenden Gefäßteils 7. Hier ist .die Eintrittselektrode i9 des Vervielfachers
als Folie ausgebildet, die für Elektronen gut durchlässig ist, aber den Vervielfacherraum
gasdicht abschließt. Dadurch wird der Vorteil erreicht, daß die Formierung rder
Prallelektroden. 17 auf hohe Sekundüremi.ssion unabhängig von .den FormierbedingUngen
der photoempfindlichen Flächen der Speicherelektrode vorgenommen werden kann.Fig. 3 shows a particular embodiment of the multiplier
containing vessel part 7. Here is .the inlet electrode i9 of the multiplier
designed as a film that is well permeable to electrons, but the multiplier space
seals gas-tight. This has the advantage that the formation rder
Impact electrodes. 17 to a high secondary emission regardless of the formation conditions
the photosensitive surfaces of the storage electrode can be made.
Als Sekundärelektronenverstärker kann ein System verwendet werden,
welches mehrere an konstanten Potentialen liegende Elektroden enthält. Es kann aber
auch eine Anordnung benutzt werden, bei der zwischen nvei an einer Wechselspannung
liegenden sekundänemissionsfähigen Kathoden eine pendelnde Entladung aufrechterhalten
wird.A system can be used as a secondary electron amplifier
which contains several electrodes at constant potentials. But it can
an arrangement can also be used in which between nvei an alternating voltage
lying secondary emissive cathodes maintain an oscillating discharge
will.