DE7008987U - Halbleitermontagevorrichtung. - Google Patents

Halbleitermontagevorrichtung.

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Description

PATENTANWALT
DIPL-ING. LEO FLEUCHAUS
11.März 1970
8 MÖNCHEN 71.
Melchiorstraße 42
MeinZeiCen: TOlG-346
Motorola, Inc.
9401 West Grand Avenue
Franklin Park, Illinois
V.St.A.
Halbleitermontagevorrichtung
Die Krfladung bojzioht sich auf eine Halbleitermontageanordnung \At -Aww auf einer Br-isisplatte vorgesehenen, ein Halbleiter-'ois fctchra trafTc-adei'i Honta^ef lache , durch die MetalIdurchfüh- ;-ur:>z;er, vsrl?;:fan. und die ihrerseits zumindest ein Zuführungs-χΓίϊΐυ"ΓιΓλ::.Γ;1-3·η5η.ο ?'·?-;gen.
■'.·,■" '.iuor Vi.ol7.;-:hl ο.:· Ic η η nt er Halbleitermontageaufbauten, ins- '■'-■: ^:'·■':'■: ■-.:~-~i :2v;T.s;;-. ~.tov"ic~ tRS'o^eaäusen, werden dünne Drähte ver-■· r./.·■>" t.. .·■;. -\-r-~. .•'^Ib:,--itep-olKct;chen mit den die Basisplatte ".υ;--ο;Ίΐ^\;Γ-- .j.ry-.r, "!·-t--ll-:lv.r-c^i'ühn.*.ngeri elektrisch zu verbinden. ' Ό.-.·":· iii. 3·-; II' r-;,": :■-:·.;,-.<^.V'führwrifcen vci.rd das Halbleiterplättchen ~i"': ^or OJ..3 .':;r.i :;c;":-^ ^cci^ltunr?; vex*bi;.r:den.
l'r. die ";r-.rif.-.r-.t.-i-.rr.i.or".;.^-;- zwischen deni 'inlbleiterplättcben ■;.ηά de:: T^■--Ό■;·. 11 ;\.rcJjf'.rT^n.^-irj. s-j. v^x-moiden, iurde bereits vor-.3-esciilf.~s:: , --y.iL don rlont =tkto3reichen des Halbleiterolättchens
aetallischs
ι 1J.
metallische kugelförmige Elektroden anzubringen und ein Zuführungslei tungselement zu verwenden, mit dem die elektrische Kontaktverbindung zu den Elektroden hergestellt wird. Das Eliminieren der dünnen Kontaktdrähte ist ganz besonders für bestimmte Leistungstransistoren und Leistungshalbleiterelemente wünschenswert, bei denen Ströme auftreten können, die über dem zulässigen, durch diese dünnen Drähte übertragbaren Strom liegen. Die Kontaktierung mit Hilfe derartiger dünner Drähte ist auch deshalb nicht wünschenswert, da sie einen verhältnismassig hohen Kostenfaktor bei der Produktion von Halbleiterbauelementen darstellt.
Die Verwendung von Metallkugeln als Elektroden für Leistungstransistoren, die über Zuführungsleitungselemente an Metalldurchführungen angeschlossen sind, ist in der US Patentanmeldung 695 015 beschrieben. In dieser Patentanmeldung wird auch vorgeschlagen, das Halbleiterplättchen in einer in der Basisplatte angebrachten Ausnehmung anzuordnen, wodurch die Lage des Halbleiterplättchens auf der Montagefläche der Basisplatte innerhalb eines verhältnismässig engen Toleranzbereic^es genau fixiert ist. Diese Ausnehmungen sind geringfügig grosser als das Halbleiterplättchen, das in sie eingesetzt werden soll, so da3S dieses bei der Montage verhältnismässig rasch, z.B. mit Hilfe einer Vakuumpinzette, eingelegt werden Kann. Durch die Verwendung derartiger Ausnehmungen kann ein verhaltnismässig enger Toleranzbereich eingehalten werden.
Obwohl diese Art der Anordnung des Halbleiterplättchens in einer Ausnehmung der Basisplatte in kommerzieller Hinsicht sehr zufriedenstellend ist, hat sich herausgestellt, dass bei bestimmten Halbleiteranordnungen derartige Ausnehmungen in der Basisplatte nachteilig sind. Es handelt sich dabei insbesondere um solche Halbleiteranordnungen, bei welchen ein PN-Übergang oder mehrere PN-Übergänge zu einer Seitenfläche der
- 2 - Halbleiteranordnung
70089 - 7 Ί 10.7Π
Haltlei^K.'anorliiurj und ar.ilir- zvx- Oberfl?>:r vij.:i afen„ Bei derart gestrJ.t-v;;«:". r:alV:.e-iSer;-l'.:stehen kr.nr. .-ic aino Berührung mit (?,eyv 5-:ν;:·.-;.;:Λ·.;·. ν. de,..1 Aiisnahiuu:.^ fei- jeb en, dii unter bestimmten üia^eb^OgcOeuii.^un ..in u:_d V?i bot tinnten 3>;hutzschichton über dern 1 --Li1.;-rfv;a:ip '-7-.· :. !.nera Mr^scf.uoS des Plv-Übergangs führen kann. Aus diesem Gv--jid irt es wünschenswert, dass derartige HaIbIeioex'plsttchen a'j: einer Basisplatte ohne Vertiefung angeordnet werasn K;>bei msn jedoch die sich durch das Einlegen in die Ve-rtio.Lung e:-;;ebonden. güristigen Toleranzverhältnisse beibehalten möchte, da sie erheblich :7.ur Verringerxuig der Produ.ktiüiiükoG'ien beitragsn können.
Der Erfindung liei'c dio Aufgebe zugrunde, eine Ralbleiterciontageanordnu:"i(;; zu S^i--\'?<-.n v bei der es möglich ist, das HalbleiterplätwChen auf einer ebenen nontagefläche so anzuordnen, dass auch nach dor Saite oi.fenliegende bzw. abgedeckte Gx^enzschichtan nicht durch beixachbcirte Metall flächen kurzgeschlossen werden kennen, und dass ferner für die Montage verhältnismässig grosse Toleranzbereiche zur Verfugung stehen. Ausserdem soll die Ealbleiternontageanordnung die ilöglichkeit bieten, das Halbleiterelement ir.it möglichst hohen Strömen ohne Schwierigkeiten beaufschlagen zu kennen.
Diese Aufgebe v;ird ausgehend von dsr eingangs erv;ähnten Hal"bleitermontageanordnun^ eriindungsgeinäss dadurch gelöst, dass das Halbleiterplätv-chen auf seiner Oberfläche zumindest einen nach oben sich erhebenden metallischen Kontakt aufweist, v;obei das Halb "Lei berplättcherx seinerseits auf der Kontagefläche angeordnet ist, dass das Zufü'ürungsleitur.gselement nit zumindest einem Zufü"nrungsaria versehen ist, der eine öf ?nung aufweist, die den nach oben sich erhebenden Kontakt aufnimmt und mit diesem in Berührung stsht, und dass c.ie öffnung eine Abmessung besitzt, die in zumindest einer Richtung kleiner ist als der nach oben sich erhebende Kontakt, so dass der auf dem
- 3 - nach
7GuSSc?.-2 1Q.70
r*.\ah -b^r ^ici erhebenden Iontakt abfliegende Zuführur. - ■■ λΓ3 r:v ■; Jie\:evTi sowohl ir.echsn:.3ch als auch elektrisch sicher verbünde: Ιεΐ.
'weitere herkmale der- ZIrfi:\iun3 sind Gegenstand von Unter"in~ sp:? iichen e
Die durch die Erfindung sich ergebenden '/orteile zeigen sich insbesondere bsi einer Hslbleiteruontageanordnung, bei der da? Zuführungslsitungselement für· die Kontaktgabe mit von dem HaIbleiterpllittchen nach oben sich erhebenden Kontakteleraenten sich besonders eignet= Bei einer Ausführungsform des Zuführungsleitung ei1, em antes reit zwei Zuführungsarsen sind an jedem Arm Langschi ".^-3 vorgesehen, die 30 geführt sind, dass sie über dem Ral':\: 1 berpiät/tchan zu liegen kommen und nit den kugelförmige^ , -^.Ch oben sich erhebenden Kontaktalesenten in Berührung .?. :-.eaen, Dabei ist die Längs aus dehnung der Langschlitze vorzugsweise wesentlich grosser als die entsprechende Abmessung der nach oben sich erbebenden Kont&kte, wogegen die ^uerabmessung der Langschiitae vorzugsweise geringfügig kleiner ist als die entsprechende Abnes-iung der nach oben sich erhebenden Kontakte. 'Durch das Vorsehen·, der Langschlitzi? ist es möglich, insbesondere wenn diese in einer Richtung verlaufen, das Halbleiterplättchsn unterhalb der Zuführungssrme innerhalb eines verhältnisTuässiy grosser. Tolerauzbereiches anzubringen, ohne dass dadurch a4e gute und sichere Kontaktgabe beeinträchtigt wird.
V/eitere rz^rktsaie un^ Verteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines AusfünrungsbeispieXs in Verbindung mit den Ansprüchen -and der Zeichnung hervor. Es zeigen:
Fig. 1 sine auseinGriö.ergas:. gene perspektivische Darstellung eines Halbleiöer^onta^egehäuses gsniäss der Erfindung;
Fig. 2
Fig» 2 eine vergrösserte Ansicht des Halbleiterplattchens und dcr/cn v;s glaubender Arme eines aufsetzbaren Zuführungs-
ig. 5A und 3^ Schnitte Längs der Linien A-A bzw. B-B der
?ig=· ''-'r eii:.-? perspektivische Ansicht einer teilweise montierten Halbleiteranordnung, bei d^r das Zuführung3-leitungselement zur Schaffung zweier getrennter Anschlüsse aufgeschnitten ist.
In Fig. 1 ist ein Montagegehäuse gemäss der Erfindung in auseinandergezogener Darstellung gezeigt, das aus einer Basisplatte 10 r&it einer Montagefläche 12 besteht, auf v/elcher ein Halbleiterplättchen 16 montierbar ist« Die Basisplatte 10 besitzt zwei öffnungen 15 und Ip, durch welche elektrische Anschlus3verbindungen, vorzugsweise in Form von Stiften, zur Kontagefläche verlaufen.
Zwei Eontaktelemente 18 und 20, die zuvor mit der Oberfläche des Halbleiterplattchens 16 durch Löten oder sonstwie fest verbunden sind, dienen der Kontaktverbindung mit den aktiven Bereichen des Halbleiterplattchens« Bei der in der Zeichnung dargestellten Ausfuhrungsform bestehen diese Kontaktelemente 16 und 18 aus metallischen Kugeln, mit welchen die Kontaktverbindung, z.B. zu Jen ßasis- und Emitterbereichen eines Leistungstransistors, hergestellt wird. Kit diesen metallischen Kugeln kann iedoch auch eine elektrische Kontaktverbindung zu anderen aktiven oder pnssivan Teilen einer Halbleiteranordnung, z.B. einer integr-Ui-rten 3cbp.V;ung, auf dem Halbleiterplättchen 16 hor^nsi °J 11 vrord^ru D:;.';je H nlbleitarscheibe 16 wird auf der Montage "I'-ch■» 17- d^- 1V-^i splits 10 mit Hilfe ei.ier Lottablette J. ' wri rix*'": γ' t '* o c * Cj π ο ~·. 1 ' ■*·? γ' »ΐ -^ ^i ·'. ο ϊι Wgtui^ Y) üY) n ncL lunr^ el θ s
Zv/ ö
'' 10.7°
Zwei Beilagscheiben 22 und 24- dienen dazu, zwei Metal ldurch-i führungen aufzunehmen, die durch die öffnungen 1$ und 15 zur Unterseite der Basisplatte verlaufen. Diese Metalldurchfülu ungen 26 und 28 sind elektrisch mit einem Zufübrungblaitungselement 50 verbunden und verlaufen mit ihres cbsrss. Ende diL^ch öffnungen 32 und 34 in dem Zuführungfileitungselement. Dadurch wird das Zufuhrungsleitungselement 30 in einer fixierten Position auf der Basisplatte 10 gehaltert.
Das Zuführungsleitungselement 30 besteht in der Darstellung gemäss Fig. 1 aus einem einzigen Element, das zwei Zuführungsarme 36 und 38 besitzt, die nach urten und gegen die Kitte der Basisplatte 10 verlaufen. Jeder Zuführungsarm besitzt einen Langscalitz 40 bzv;. 42, der für die Aufnahme des metallischen Kontaktelementes 18 bzw. 20 geeignet ist. Auf der Oberseite des Zuführungsleitungselementes 30 wird vorübergehend ein Gewicht 44 aufgelegt, das von. den oberen Enden der Metalldurchführungen 26 und 28 gehaltert wird, indem diese durch öffnungen 46 und 48 im Gewicht 44 verlaufen. Zum Verschliessen des Montageaufbaus gemäss Fig. 1 findet ein Deckel 50 Verwendung.
In der vergrösserten Darstellung gemäss Fig. 2 ist gezeigt, wie die beiden Zuführungsarme 36 und 38 des Zuführungsleitungselements 30 nach unten und innen verlaufen, um mittels der Langschlitze 40 und 42 mit den Kontaktelementen 18 und 20 in Berührung zu kommen. Für das dargestellte Halbleiterplättchen 16 ist das eine Kontaktelement 20 mit einem Transistorbereich im Mittelbereich dee Halbleiterplättchens 16 und das andere Kcntakir-eiement 18 mit einem Kantenbereich des Halbleiterplättchens 16 verlötet. Wie aus der Darstellung gemäss Fig.2 hervorgeht, ist also die Ausgangslage des Halbleiterplättchens 16 au" der Montage:fläche 12 der Basisplatte 10 nicht auf einen bestimmten Bereich beschränkt. So kanu das Halbleiterplättchen 16 7un;jchr.t nn verschiedenen Positionen längs der Hauptachse d'T L.-u)f(cohlit7,e 40 und 42 angeordnet werden und befindet sich
- 6 - trotzdem
70 08Bi)7 .'? ίθ.7η
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^om noch in einer Lage, in welcher die Langschlitz· 40 iind 42 mit den Kontaktelementen 20 und 18 in Berührung kons^c, wenn das Zuführungsleitungselement 30 auf den Metalldurch führungen 26 und 2S montiert wird. Biese Bewegungsfreiheit des Halbleiterplättchens bei der ersten Positionierung auf der Basisplatte 10 ermöglicht eine Hontage mit günstigeren Toleranzbedingungen, da das Halbleiterplättchen auf der Basisplpfcte nicht an einer ganz bestimmten Stelle angeordnet werden muss, um die gewünschte elektrische Kontaktverbindung mit dem Zuführungsleitungselement 30 sicherzustellen»
Der benötigte Toleranzbereich in Richtung der Hauptachse der Langschlitze 40 und 42 kann leicht variiert werden. Dies kann im Rahmen der Erfindung durch die spezielle Dimensionierung djr Kontaktelemente 18 und ?0,der Langschlitze 40 und 42 und des Abstandes zwischen den Zuführungsarmen 56 und 58 sowie des Abstandes zwischen den Kontakteleuenten 18 und 20 erfolgen. Die Breite der Langschlitze 40 und 42 sollte nicht grosser sein als die Maximal abmessung, d.h. der Durchmesser der* Kon-■caktelemente 18 und 20. Zweckmässigerweise kommen die Lang— schlitze 40 und 42 mit den kugelförmigen Kontaktelementen 18 und 20 an einem oberhalb der grössten Durchmesserebene liegenden Punkt in Berührung. Die Langsausdehnung der Langschlitze 40 und 42 ist selbstverständlicherweise grosser als der grosste Durchmesser der kugelförmigen Kontaktelemente. Diese Langsausdehnung kann entsprechend der gewünschten Toleranzen für den speziellen Montageaufbau eingestellt werden.
Aus den Schnittdarstellungen gemäss den Fig. 5A und 5B gehen die Abmessungsverhältnisse zwischen den kugelförmigen Kontaktelemsnten und den Langschlitzen hervor. Der dargestellte Kontaktarm 56 berührt die Kugel im Berührungspunkt 51 auf der Kugeloberfläche und besitzt eine Öffnungsbreite d^, die kleiner ist als der Durchmesser &2 der Kugel. Die Länge d, des Langschlitzes 42 ist grosser als der Durchmesser d2 der Kugel 18.
- 7 - I*L
70 t"j89δ V ;? io.7n
In Fig. 4 ist der Mo nt a ge auf bau ohne das Gewicht 4-4 und den Deckel 50 dargestellt. Das Zuführungsleitungselement JO gexäso Fig. I wurde ü:"^rtrennt. so dras die beiden ZufJhrur.rr.arir.e· 7-C> und 33 nunmehr als separate Leitungssuführunger. 7.;: de:: Kor.taKielementer. 18 und 20 ii fl/.sn. Vor den: Auftrennen. i^5 Zufüh^'or.r~- leiirungseiement.es JO wird c.es Halbleiterplättchen '.c auf der Hcntagefläche 12 αε" Basisplatte 10 durch Erhitzen der Lottablette 17 befestigt, die zv/ischen den Kalbleiterpiävtcher. 16 ir.d der· Montageplatte 10 angeordnet ist. Dieses Auflöten kanr. in herkömmlicher V/eise in einem Ofen geschehen, der für den vorliegend beschriebenen rail auf eine Temperatur veη etwa 4.10 C] erwärmt ist, wobei ein Lotmaterial Verwendung finden, kann, das z.B, aus 2,5- Silber, ungefähr 5% Indium und ungefähr 92,5% Blei besteht.
Die ebenfalls als Lotmaterial dienenden Beilagscheiben 22 und 24 können in derselben Weise zusammengesetzt sein, wogegen da3 Lot, welches zur Befestigung der kug^jL^ornipren Kontakt elemente 18 und 20 an der Metallisierung a«r H'ilbleiterplättchen 16 verwendet wird, vorzugsweise etwa 5'a> Silber enthalten kann, damit der Silberanteil reduziert· wird, der ns der Silbermetallisierung des Halbleitorplättchens 16 herausgelcat wird.
Mit Hilfe des Gewichtes A4, d^3 nach dem LotVorgang entfernt wird, lässt sich eine gute Lötverbindung zwischen dem HaIbleiterpiättchen 16 und der Basisplatte 10 sicherstellen,.
Die aus Lot ausgebildeten kugelförmigen Kontaktelemente 18 und 20 können mit dem Halbleiterplättchen 16 durch das Anbringen nicht dargestellter kleinerer kugelförmiger Teilchen zwischen den Kontaktelementen 18 und 20 und dem Ealbleiterplättchen 16 befestigt werden. Diese kleineren kugelförmigen Lottei.chen können durch schmale öffnungen in der nicht dargestellten Zuführungseinrichtung zugeführt werden, so dass sie auf dem HaIbleiterplättchen liegen bleiben, bevor die grosseren Kontakt-
- 8 - elemente
7008967.·? 10.7Π
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■-,'■ or.i-rat3 ;'.3 υχΐ;1 20 church dieselben Zuführeiixrichtungen auf-'-:·.: 1 ofvi; v.'erden. Eine derartige Zuführung ist in der US Patent-■·. '.:oldunr* 695 01 f; beschrieb üü-,
"■'■■■ -uv':---A-- ?ir "Lo'-^rVbelenBrite 13 rid 20 auf der Oberfläche des "-}..\'}-<\ . ?:\-,1ΐ\ ■ ;oi^23 16 auf-ρ,-οΛß;.':t sind, vrird dieses zusammen : ■ :; '".:··· ^\~ nt el:t e j. ^ p.g nt e η ruf eine selche Temperatur erhitzt, .■-.;■■ ι)!.:; '.rioiir. .ven, '!cugelförraigen Lotte j. Ie schmelzen und die .·,:-': ;,:·.Γ'.;ΐι '-rv.To'-? crmigon Kontaktelemsnte mit dei" Halbleiter-i)".'-: JvCh .·■ ' ^rbiriöea«. Bei einem ausgeführten Mont age aufbau der ·.■;·-. :■/■-■■?] :'..(.■.:: ^n ■■:;■'- ^üsi'jat das Halbleiterplättchen eine Grosse vo ■■ ο ;;.·.· ;-:: ττι^ ", '.■/oßfjßen dis kugelförmigen Kontakt elemente ■•ν.··' -- . ;.; V-.u-ehraesr-ivv von etwa 0,76 ίπτα aufweisen. Die klei- ::·ί.ν·-:.ι, -.!-Cr-L- do::"pestr;llten Loticügelchen haben einen Durch- :^-..=::.vj:· - ■ unsof'-inr 0,33 nia und bestehen aus einei% Blei-Silber- '.':::-Vi ·;:::-■■·: ;·7^άτ^« Dc)^ Zuf ühi'rmgsleitungselement 30 ist mit <· ■'. ;e !■ ';·!;:!■.: sht au? -'jiner Bloi-Silber-Indiiim-Verbindung mit e:.'~■:::■ Dloi'x- ~cn gtvra 0,05B vuiu überzogen, ,jedoch kann auch eine '.'/:.: ■ ·-- .ij !-;.~i?rb:-.näung als Üb eräug für das Zuführungsleitungse^:-,';.·; t 3'"1 Vorv/endun^· finden» Die Langschiitze 40 und 42 sind "or-,; ^Wt-) se ο tv; a 0,63 ßffl bis 0,71 miß breit und somit etwas ^'■; ■'-■■ ■--;:.· :Is dez- Dux-cair^süer der als Kontakt elemente 18 und o.!:. .r?·.:■;· :d.?i: Lotperl^n i;i:.t einem Durchmesser von 0,762 mm«
Γο.-; -'er.:.: egende Erfindunc; kann in vielfacher Weise Abwandlun- r:rr:. sr-f/uirsn. So ist 33 z,B, nicht notwendig, dass die metal-1:. seien Kcntaktelenonte eine reine KugeliOrni auf v/eisen. Es kö/ü-o:: auch and'n ^:.Ioi:-n^e Elemente V"erv;sndung finden, wobei ZoIi-. eine ''-ruischo aalbicun^^-iörisige oder eierförsige Formgebung s-.vocknässir? un:;. fur di^ Kontahtgabe mit den Zuführungsarmen und 38 ;:.n den Lar-Aichlitsrjn 40 und 42 des Zuführungsleitung=-· .5?.ejisntfts 30 bei kleinen Tolej/anzgrössen geeignet sein kannc
9 - Auch
70039S7 >?
M91G-34-6
Auch können die Langschlitzö 40 und 42 in ihrer geometrischen Ausführung verändert sein, ohne dass dadurch die Vorteile der günstigen Toleranzverhältnisse aufgegeben werden.
Ferner kann die Erfindung auch bei einem Zuführungsleitungselement mit nur einem Zuführungsarm Verwendung finden, der mit einem Langschiit}- z:o Kontaktgabe sit nur einem Kontakt el ement auf der Oberfläche >\ss Halbleiterplättchens versehen ist. Eine derartige Ausführung des Zuführungsleitungselementes kann insbesondere bei Dioden-Halbleiteranordnungen zweckmässig sein.
Voraussteh and ist ein Montagegehäuse für Halbleiteranordnungen beschrieben, bei dem ein leitfähiges Zufuhrungsleitungselement an der Montageplatte befestigt ist und eine elektrische Kontaktverbindurig über metallische Kugeln oder kugelförmige Elemente mit dem Halbleiterplättchen besitzt, das auf der Montagefläche der Basisplatte befestigt ist«, Das Zuführungsleitungselement besitzt einen oder mehrere Langschlitze, die mit entsprechend einem oder mehreren kugelförmigen Kontaktelementen auf der Halbleiterscheibe in Verbindung stehen, über die leitend mit dem Zuführungsleitungselement verbundenen Metalldurchführungen kann das Halbleiterelement an eine elektrische Schaltung angeschlossen werden.
- 10 - Schutzansprüche
70u8987?2.io.7n

Claims (2)

11.März 1970
M91G-346
Schutzansprüche
Halbleitermontagevorrichtung mit einer auf einer Basisplsfcte voigeseher±ea, ein Halbleiterplättchen tragenden Tioritage.Q&eho, durch die Ketalldurchführungen verlaufen, lind die ihrerseits zumindest ein Zufuhrungsieitungselginent kragen, dadurch g e k e π η ζ e i c h η e t, dass das Halbleiterplättchen auf seiner Oberfläche zumindest einer. nach oben sieb erhebenden metallischen Kontakt aufweist, v/obei das Rs.YDleit3rplattcb.ec seinerseits avif der Montageflache angeordnet ist, dass das Zuführungsleitungselement sit zumindest einem Zuführungsarm versehen ist, der eine öffnung aufweist, die den nach ob-r-i sich erhabenden Kontakt aufniEVüt und mit diesem in E---rührur.g steht, und dass die öffnung eine .Abmessung besite/b, die in sumindest einer Richtung IrIsir.λγ ist als der nach oben sich erhebende Kontakt, ;o dasi. der auf dem nach oben sich erhebenden Kontakt auf licn; ;iide Zuiul-rurip·,;. ariu rar: diesem sowohl nechaniscb. .=»ls nuch elektrisch sicher* verbunden ist,
2. Halbleitermontagevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch g ekennzeichne t, dass die öffnung in dem jeweiligen Zuführung arm als Lsrir-·::." blitz ausgebildet ist, dessen TjärifTs&usd^hnuni.·?, crrö^s^r : rz r,ls al? ontsprechencta Abmes-3-irig des aach oben eic'.": εκΗ.^ηοοα Ko^tcktes, so dass
innerhalb eines verhältnismässig gro3seii ches eine einwandfreie Kontaktgabe gewährleistet lat, wenn der nach oben sich ergebende Kontakt in irgendeinem Bereich des Langschlitses mit des Zuführungsarm in Berührung stent ο
3- Halbleitermcntagevorrichtung nach Ar-spruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der nach oben sich erhebende Kentakt aus einer nit dem HalOleiterplätt— eben verbundenen metallischen Kugel besteht, und dass der 3uführungs?.na von der netalldurchfüLrurg in einem bestimmten abstand über der Montagefläche bzv» der Oberfläche des Halbleiterplättchens gehalten ist,
^-. Halbleitermontagevorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche I bis 3-, dadurch gekenn zeichnet, dass das ZuführuTigsleitungselenent zwei Zuführungsarme aufweist, die 3e 2^-* einem Langs: olit'z versehen sind, und dass die Langschlitze in derselc.-n Richtung verlaufen, so dass für eine Verschiebung des Ealbleiterplättchens während der Montage in Richtung dei Langschlitze ein verhäl tnismässig cfcosser Toleranzbeiaich zxir Verfügung steht, in dem eine einwandfreie Kontaktgabe zwischen den nach oben sich erhebender Kontakten und den Zuführungsarmen gewährleistet ist.
- 12 -
70Ü8Sc7 ■' 10.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1961042C3 (de) * 1969-12-05 1981-01-15 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Halbleiterbauelement
US3784726A (en) * 1971-05-20 1974-01-08 Hewlett Packard Co Microcircuit package assembly
DE2259133C3 (de) * 1972-12-02 1982-03-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung und Anwendung des Verfahrens
US3790866A (en) * 1973-05-14 1974-02-05 Gen Motors Corp Semiconductor device enclosure and method of making same
JPS55160437A (en) * 1979-05-31 1980-12-13 Hitachi Ltd Semiconductor device
US5132772A (en) * 1991-05-31 1992-07-21 Motorola, Inc. Semiconductor device having tape automated bonding (TAB) leads which facilitate lead bonding
DE19631742C2 (de) * 1996-08-06 2000-07-20 Siemens Ag Elektronisches Sensor-Bauelement
DE19638090C2 (de) * 1996-09-18 2001-11-29 Infineon Technologies Ag Stromanschluß für Leistungshalbleiterbauelement

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3060553A (en) * 1955-12-07 1962-10-30 Motorola Inc Method for making semiconductor device
US3153275A (en) * 1961-01-19 1964-10-20 Motorola Inc Self-jigging method of making semiconductor devices
US3275904A (en) * 1961-06-26 1966-09-27 Motorola Inc Semiconductor device
US3373481A (en) * 1965-06-22 1968-03-19 Sperry Rand Corp Method of electrically interconnecting conductors
US3390450A (en) * 1966-06-09 1968-07-02 Rca Corp Method of fabricating semiconductor devices

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