DE69821939D1 - Vereinfachtes Verfahren zur Bestimmung des Tunnelgebiets in nichtflüchtigen, nicht selbstjustierten Halbleiterspeicherzellen - Google Patents

Vereinfachtes Verfahren zur Bestimmung des Tunnelgebiets in nichtflüchtigen, nicht selbstjustierten Halbleiterspeicherzellen

Info

Publication number
DE69821939D1
DE69821939D1 DE69821939T DE69821939T DE69821939D1 DE 69821939 D1 DE69821939 D1 DE 69821939D1 DE 69821939 T DE69821939 T DE 69821939T DE 69821939 T DE69821939 T DE 69821939T DE 69821939 D1 DE69821939 D1 DE 69821939D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
volatile
self
determining
memory cells
semiconductor memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69821939T
Other languages
English (en)
Inventor
Matteo Patelmo
Libera Giovanna Dalla
Nadia Galbiati
Bruno Vajana
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69821939D1 publication Critical patent/DE69821939D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
    • H10B41/35Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
DE69821939T 1998-10-15 1998-10-15 Vereinfachtes Verfahren zur Bestimmung des Tunnelgebiets in nichtflüchtigen, nicht selbstjustierten Halbleiterspeicherzellen Expired - Lifetime DE69821939D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98830614A EP0994513B1 (de) 1998-10-15 1998-10-15 Vereinfachtes Verfahren zur Bestimmung des Tunnelgebiets in nichtflüchtigen, nicht selbstjustierten Halbleiterspeicherzellen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69821939D1 true DE69821939D1 (de) 2004-04-01

Family

ID=8236835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69821939T Expired - Lifetime DE69821939D1 (de) 1998-10-15 1998-10-15 Vereinfachtes Verfahren zur Bestimmung des Tunnelgebiets in nichtflüchtigen, nicht selbstjustierten Halbleiterspeicherzellen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6444526B1 (de)
EP (1) EP0994513B1 (de)
DE (1) DE69821939D1 (de)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5066992A (en) * 1989-06-23 1991-11-19 Atmel Corporation Programmable and erasable MOS memory device
US5793081A (en) * 1994-03-25 1998-08-11 Nippon Steel Corporation Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing
US5471422A (en) * 1994-04-11 1995-11-28 Motorola, Inc. EEPROM cell with isolation transistor and methods for making and operating the same
EP0782196A1 (de) * 1995-12-28 1997-07-02 STMicroelectronics S.r.l. Herstellungsverfahren für EEPROM-Speicherbauelemente und dadurch hergestellte EEPROM-Speicherbauelemente

Also Published As

Publication number Publication date
US6444526B1 (en) 2002-09-03
EP0994513A1 (de) 2000-04-19
EP0994513B1 (de) 2004-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69936028D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE60125932D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicher
HK1046983A1 (en) Reference cell for high speed sensing in non-volatile memories.
DE69731810D1 (de) Halbleiter-Festwertspeicher
DE59915200D1 (de) Elektrisch programmierbare, nichtflüchtige Speicherzellenanordnung
DE69826955D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE69522412D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE69908340D1 (de) Seitenmoduslöschverfahren in flash-speichermatrize
DE69722133D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE69726698D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE69835635D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE59913423D1 (de) Speicherzellenanordnung
HK1059683A1 (en) Self-aligned non-volatile memory cell
DE69819961D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE69833348D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE69828669D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE59903684D1 (de) Dual-port speicherzelle
DE59712601D1 (de) Nichtflüchtige speicherzelle
DE69821939D1 (de) Vereinfachtes Verfahren zur Bestimmung des Tunnelgebiets in nichtflüchtigen, nicht selbstjustierten Halbleiterspeicherzellen
GB2338808B (en) Semiconductor memories
DE69826471D1 (de) Verfahren zum Herstellen von nicht selbstausgerichteten, FLOTOX-EEPROM-speicherzellen
DE69832083D1 (de) Selektives Silizidierungsverfahren in nichtflüchtigen Halbleiterspeichern
NO985933D0 (no) Lagerinnretning, spesielt ikke-flyktige lagre
DE69930999D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiter-Speicher
DE59904562D1 (de) Single-port speicherzelle

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de