DE69418142T2 - Lesemagnetkopf mit Mehrschichtmagnetowiderstandselement und Konzentrator und Herstellungsverfahren - Google Patents
Lesemagnetkopf mit Mehrschichtmagnetowiderstandselement und Konzentrator und HerstellungsverfahrenInfo
- Publication number
- DE69418142T2 DE69418142T2 DE69418142T DE69418142T DE69418142T2 DE 69418142 T2 DE69418142 T2 DE 69418142T2 DE 69418142 T DE69418142 T DE 69418142T DE 69418142 T DE69418142 T DE 69418142T DE 69418142 T2 DE69418142 T2 DE 69418142T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gap
- magnetoresistive element
- magnetic
- contact points
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000619542 Homo sapiens E3 ubiquitin-protein ligase parkin Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical group [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 102000045222 parkin Human genes 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
- Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung hat einen Lesemagnetkopf mit Mehrschichtmagnetowiderstandselement und Konzentrator und sein Herstellungsverfahren zum Gegenstand. Sie findet eine Anwendung bei der magnetischen Datenspeicherung.
- Die Lesemagnetköpfe mit Magnetowiderstandselement sind bekannt. Bei bestimmten ist das Magnetowiderstandselement unter dem Spalt angeordnet. Dies ist z. B. beschrieben in den Dokumenten FR-A-2 645 314 undd FR-A-2 657 189. Bei anderen ist das Magnetowiderstandselement an der Rückseite des Magnetkreises angeordnet und dient dazu, diesen zu schließen. Dies ist z. B. in den Dokumenten EP-A-0 472 187 und EP-A-0 475 397 beschrieben.
- EP-A-0 472 187 beschreibt einen Magnetkopf wie definiert in dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Die Köpfe, die ein Magnetowiderstandselement benutzen, das den Magnetkreis an der Rückseite des Kopfes schließt, funktionieren mit monolithischen magnetischen Materialien. Es handelt sich hauptsächlich um Verbindungen auf Eisen- und Nickelbasis oder Verbindungen auf Eisen-, Nickel- und Kobaltbasis. Wenn man nun aber bei solchen Materialien das Magnetowiderstandselement in Längsstellung benutzt, ist die Empfindlichkeit schwach, denn das Schreibmagnetfeld befindet sich parallel zu dem in dem Element fließenden Detektionsstrom. Man kann diese Empfindlichkeit verbessern, indem man das Element quergerichtet arbeiten läßt, d. h. es um 90º dreht, damit das Lesemagnetfeld das Element in der Richtung der Breite durchquert, wobei der Detektionsstrom noch immer in Längsrichtung fließt. Aber diese Anordnung führt zu Herstellungsschwierigkeiten.
- Die vorliegende Erfindung hat die Beseitigung genau dieser Nachteile zum Gegenstand.
- Zu diesem Zweck empfiehlt die Erfindung zur Bildung des Magnetowiderstandselements zunächst ein Material, das nicht mehr monolithisch sondern mehrschichtig ist.
- Die magnetischen Mehrschichtstrukturen umfassen Kobalt, Eisen, Kupfer, Chrom, Silber, Gold, Molydän, Ruthenium und Magnesium, wie beschrieben in dem Artikel von H. YAMAMOTO und T. SHINJO, veröffentlicht in der Zeitschrift "IEEE Translation Journal an Magnetics in Japan", Heft 7, Nr. 9, September 1992 unter dem Titel "Magnetoresistance of Multilayers",·S. 674-684.
- Die Mehrschichtmaterialien weisen vorteilhafte Eigenschaften auf: breiter Magnetowiderstandseffekt, schwaches Sättigungsfeld, schwache Koerzitivkraft, gute Temperfestigkeit. Die besten bis heute erhaltenen Strukturen werden durch FeNi- Schichten, getrennt durch Kupferschichten, gebildet, wie beschrieben in dem Artikel von S. S. P. PARKIN mit dem Titel "Oscillations in Giant Magnetoresistance and Antiferromagnetic Coupling in [Ni&sub8;&sub1;Fe&sub1;&sub9;/Cu]N N Multilayers", veröffentlicht in der Zeitschrift "Appl. Phys. Lett." 60, Nr. 4, Januar 1992, S. 512- 514, und dem Artikel von R. NAKATANI et al., veröffentlicht in der Zeitschrift "IEEE Transactions on Magnetics", Heft 28, Nr. 5, September 1992, S. 2668-2670 und betitelt "Giant Magnetoresistance in Ni-Fe/Cu Multilayers Formed by Ion Beam Sputtering".
- Auch die aus FeNi-Dünnschichten gebildeten und durch Silberschichten getrennten Strukturen ergeben gute Resultate und werden beschrieben in dem Artikel von B. RODMACQ et al., veröffentlicht in "Journal of Magnetism and Magnetic Materials" 118, 1993, S. L11-L16 und betitelt "Magnetoresistive Properties and Thermal Stability of Ni-Fe/Ag Mulilayers".
- Diese neuen Materialien haben die Eigenschaft, sehr magnetoresisitv zu sein, d. h. ein relatives Resistivitätsveränderungsverhältnis zu haben, das von 10 bis 20% geht, und Magnetfelder mit schwacher Sättigung aufzuweisen, niedriger als 40 kA/m.
- Mit den Materialien des Mehrschichttyps erhält man eine große Empfindlichkeit für den Fluß, wenn das Magnetfeld in der Längsrichtung angelegt ist. Bei konstantem Magnetowiderstandskoeffizient ist die Empfindlichkeit maximal, wenn ein Sättigungsfeld genanntes Feld schwach ist. Das Sättigungsfeld entspricht dem Magnetfeld, das man anlegen muß, um die Magnetisierung jeder der verschiedenen magnetischen Schichten in derselben Richtung und mit gleichem Sinn bzw. gleicher Polariät auszurichten.
- Als zur Länge eines Stabs aus einem Mehrschichtmaterial paralleles Feld ist dieses Feld gleich dem Kopplungsfeld der einheitlichen Schichten. Als quergerichtetes Feld erhöht das Auftreten entmagnetisierender Felder das Sättigungsfeld, was die Empfindlichkeit reduziert.
- Mit anderen Worten ist es vorzuziehen, hinsichtlich der Empfindlichkeit das Magnetowiderstandselement in Längsrichtung anzuordnen, d. h. mit seiner großen Abmessung parallel zu dem zu lesenden Magnetfeld.
- Zusätzlich zu dieser ersten Charakteristik der Erfindung in Verbindung mit der Verwendung von Mehrschichtmaterial in Längsstellung empfiehlt die Erfindung eine zweite, darin bestehend, einen Magnetfeldkonzentrator zu verwenden, gebildet durch zwei magnetische Schichten, die einen zweiten Spalt definieren, zu dem das Magnetowiderstandselement quergerichtet ist. Auf diese Weise realisiert man eine Konzentration des Lesemagnetfelds in dem Magnetowiderstandselement, was das Meßsignal erhöht.
- Genaugenommen hat die vorliegende Erfindung also einen Lesemagnetkopf mit einem Magnetkreis mit zwei Polschuhen, getrennt durch einen ersten Spalt, und ein Magnetowiderstand-Längselement zum Gegenstand, der dadurch gekennzeichnet ist, daß er außerdem zwei magnetische Schichten umfaßt, in Kontakt mit den Polschuhen und voneinander beabstandet durch einen zweiten Spalt, angeordnet unter dem ersten, wobei die magnetischen Schichten eine Breite haben, die abnimmt, wenn man sich dem zweiten Spalt nähert, wodurch sie einen Magnetfeldkonzentrator bilden, und das Magnetowiderstands-Längselement quer zu diesem zweiten Spalt angeordnet ist und durch ein Mehrschichtenmaterial gebildet wird, bestehend aus einem Stapel magnetischer Schichten, getrennt durch unmagnetische metallische Schichten.
- Bei einer vorteilhaften Ausführungsart wird das Magnetowiderstandselement durch mehrere parallele Längsteilstücke gebildet, Seite an Seite angeordnet und quer zu dem zweiten Spalt, wobei diese Teilstücke an ihren Enden durch Querteilstücke elektrisch in Serie geschaltet werden.
- Der Lesekopf kann außerdem einen elektrischen Leiter umfassen, der das Magnetowiderstandselement in Längsrichtung polen kann.
- Der erfindungsgemäße Lesekopf kann leicht durch Einrichtungen vervollständigt werden, die ihn zum Schreiben befähigen. Diese Einrichtungen bestehen aus einem unteren Polschuh und einer leitenden Spule.
- Die vorliegende Erfindung hat auch ein Herstellungsverfahren des oben definierten Kopfs zum Gegenstand.
- - Die Fig. 1 zeigt einen Schreibeinrichtungen betreffenden Unteraufbau;
- - die Fig. 2 zeigt im Schnitt die Herstellung eines Konzentrators;
- - die Fig. 3 zeigt den Konzentrator in der Draufsicht;
- - die Fig. 4 zeigt einen Zwischenschritt zur Abscheidung einer Isolierschicht;
- - die Fig. 5 zeigt Anschlußkontakte in der Draufsicht;
- - die Fig. 6 zeigt ein Magnetowiderstandselement im Schnitt;
- - die Fig. 7 zeigt ein Magnetowiderstandselement in der Draufsicht;
- - die Fig. 8 zeigt einen Zwischenschritt zur Abscheidung einer neuen Isolierschicht;
- - die Fig. 9 zeigt die Bildung von Öffnungen in der Isolierschicht;
- - die Fig. 10 zeigt Leiterkontakte und ein leitendes Polungselement;
- - die Fig. 11 zeigt den fertigen Lese-Schreibkopf.
- Die Charakteristika des erfindungsgemäßen Lesekopfs gehen aus den aufeinanderfolgenden Schritten seines Herstellungsverfahrens hervor.
- Wenn man nur einen Lesekopf herstellen will, beginnt man mit einem einfachen Substrat, das z. B. durch eine Siliciumscheibe gebildet wird. Wenn man einen Lesekopf herstellen will, der auch als Schreibkopf arbeiten kann, beginnt man mit einem Unteraufbau, der in Fig. 1 dargestellt ist.
- Dieser Unteraufbau wird durch dem Fachmann bekannte Operationen hergestellt, beschrieben z. B. in dem Dokument FR-A- 2 645 314 (oder seiner amerikanischen Entsprechung US-A- 5,208,716). Sie werden also hier nicht detailliert. Es genügt die Angabe, daß man auf einem Halbleitersubstrat 10, z. B. aus Silicium, eine Wanne 12 realisiert, in der man eine untere Magnetschicht 14 und zwei magnetische Pfeiler 16&sub1;, 16&sub2; abscheidet.
- Man realisiert anschließend eine leitende Spule 18 um die Pfeiler 16&sub1;, 16&sub2; herum. Diese Spule kann aus Kupfer sein. In Fig. 1 sind nur einige Windungen dargestellt, aber man kann in der Praxis z. B. 16 Windungen in einer Ebene haben, verteilt auf zweimal 8 Windungen. Diese Spule wird in einer Isolierschicht 20 vergraben.
- Die die Herstellung des Leseteils betreffenden Operationen beginnen dann ab dem in der Fig. 1 dargestellten Unteraufbau, der als Substrat dient.
- Man beginnt mit dem Abscheiden einer Schicht aus magnetischem Material und ätzt diese Schicht, um zwei durch einen Spalt 32 voneinander beabstandete Teile 30&sub1;, 30&sub2; zu bilden (Fig. 2 und 3). Diese Schichten haben eine Breite, die zum Spalt 32 hin abnimmt.
- In der Fig. 3 sieht man also Schichten 30&sub1;, 30&sub2; mit einer Trapezform, aber jede andere Form ist möglich, wenn diese die Funktion der Konzentration des Magnetflusses erfüllt. Das zur Herstellung dieses Konzentrators verwendete Material kann Eisen- Nickel sein.
- Anschließend scheidet man auf dem Ganzen eine erste Isolierschicht 34 ab, z. B. aus Siliciumdioxid mit einer Dicke von 0,1 bis 0,5 um (Fig. 4).
- Anschließend scheidet man eine Schicht aus leitendem Material ab, vorzugsweise aus refraktärem Material wie z. B. Titan, Wolfram oder Molybdän. Die Dicke dieser Schicht kann von 0,05 bis 0,5 um gehen. In dieser Metallschicht führt man dann eine Photolithographie durch, um Außenkontakte 21, 23, 25, 27, Innenkontakte 41, 43, 45, 47 und Streifen 31, 33, 35, 37 herzustellen, die die Innenkontakte mit den Außenkontakten verbinden (Fig. 5).
- Anschließend realisiert man die Magnetowiderstandselemente. Dazu scheidet man eine mehrlagige Schicht aus Magnetowiderstandsmaterial ab und ätzt diese Schicht, um ein Magnetowiderstandselement 50 zu bilden (Fig. 6). Das mehrlagige bzw. mehrschichtige Magnetowiderstandsmaterial kann z. B. aus Ag/FeNi sein.
- Bei der in der Fig. 7 dargestellten Ausführungsart besitzt das Magnetowiderstandselement 50 parallele Längsteilstücke (a, b, c, d, e), Seite an Seite den Spalt 32 durchquerend, und Querteilstücke (A, B, C, D), die die Enden der Längsteilstücke verbinden. Das Magnetowiderstandselement ist mit den Kontaktstellen 41 und 47 verbunden.
- Die Längsteilstücke reichen über den Spalt 32 hinaus und überlappen die beiden Teile des Konzentrators um ungefähr 2 um. Wenn z. B. der Spalt 32 einen Länge von 4 um aufweist, beträgt die Länge der Längsstreifen ungefähr 8 um.
- Anschließend scheidet man auf dem Ganzen eine neue Isolierschicht 52 ab, z. B. aus Siliciumoxid (Fig. 8). Mittels Photolithographie stellt man zwei Öffnungen 63, 65 her, um Kontaktstellen 43, 45 freizulegen, die dazu dienen, den Polungsleiter anzuschließen.
- In dieser Operation kan man auch die Enden A, B, C und des Magnetowiderstandselements durch Öffnungen 54, 55, 56, 57 (Fig. 9) freilegen.
- Anschließend scheidet man eine neue Metallschicht ab, z. B. derselben Art wie die vorhergehende, mit einer ziemlich kleinen Dicke, z. B. 0,5 um, gefolgt von einer Leiterschicht, z. B. aus Kupfer. Durch Photolithographie läßt man in den Öffnungen 63, 65, die freigemacht worden waren, zwei Kontaktstellen 73, 75 stehen und realisiert zwischen diesen beiden Enden einen Streifen 80, der als Polungsleiter dienen wird. Gleichzeitig läßt man Kontaktstellen 81, 82, 83, 84 in den Öffnungen 54, 55, 56, 57 stehen, die an den Enden des Magnetowiderstandselements hergestellt worden waren. Diese Konaktstellen schließen die quergerichteten Arme A, B, C, D des Magnetowiderstandselements kurz. Auf diese Weise sind nur die Längsarme a, b, c, d, e aktiv.
- Die Herstellung des Kopfes wird beendet (Fig. 11) durch die Herstellung von zwei Polschuhen 901, 902, getrennt durch den Spalt 100, und das Ganze wird eingebettet in einen Isolator 102.
- Da die Kontaktstellen für den Anschluß des Magnetowiderstandselements und des Polungsleiters 21, 23, 25, 27 an den Rand der Vorrichtung verschoben worden sind, kann man problemlos Zwischenverbindungen durch die Isolierschicht 102 herstellen.
- In den oben beschriebenen Beispielen ist das Magnetowiderstandselement 50 über dem zweiten Spalt 32 angeordnet. Selbstverständlich verläßt man nicht den Rahmen der Erfindung, wenn man es darunter anordnet.
- Ebenso könnt der Polungsleiter 80 unter dem Magnetowiderstandselement angeordnet werden und nicht über diesem.
Claims (12)
1. Lesemagnetkopf, einen Magnetkreis mit zwei Polschuhen
(901, 902), getrennt durch einen Spalt bzw. Luftspalt (100), und
ein Magnetowiderstand-Längselement (50) umfassend,
dadurch gekennzeichnet,
daß er außerdem zwei magnetische Schichten (301, 302) umfaßt, in
Kontakt mit den Polschuhen (901, 902) und voneinander beabstandet
durch einen zweiten Spalt (32), angeordnet unter dem ersten (100),
wobei die magnetischen Schichten (301, 302) eine Breite haben, die
abnimmt, wenn man sich dem zweiten Spalt (32) nähert, wodurch sie
einen Magnetfeldkonzentrator bilden, und das Magnetowiderstand-
Längselement (50) quer zu diesem zweiten Spalt (32) angeordnet ist
und aus einem Mehrschichtenmaterial hergestellt wird, gebildet
durch einen Stapel aus magnetischen Schichten, getrennt durch
unmagnetische metallische Schichten.
2. Lesemagnetkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Magnetowiderstandselement (50) derart in sich selbst
gebogen ist, daß es mehrere parallele Längsteilstücke (a, b, c, d,
e) , Seite an Seite quer zum zweiten Spalt (32) angeordnet, und
Querteilstücke (A, B, C, D) bildet.
3. Lesemagnetkopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Querteilstücke (A, B, C, D) kurzgeschlossen werden durch
Leiter (81, 82, 83, 84).
4. Lesemagnetkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß er außerdem einen elektrischen Leiter (80) umfaßt, der
ermöglicht, das Magnetowiderstand-Längselement (50) in
Längsrichtung zu polen.
5. Lesemagnetkopf nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material des Polungsleiters (80) dasselbe ist wie das
Material der Leiter (81, 82, 83, 84), die die Längsteilstücke (a,
b, c, d, e) des Magnetowiderstandselements (50) kurzschließen.
6. Lesemagnetkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Magnetowiderstandselement (50) zwei Enden besitzt, die
durch zwei leitende Streifen (31, 37) mit zwei Außenkontaktstellen
(21, 27) verbunden sind.
7. Lesemagnetkopf nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der elektrische Polungsleiter (80) zwei Enden besitzt, die
durch zwei leitende Streifen (33, 35) mit zwei Außenkontaktstellen
(23, 25) verbunden sind.
8. Lesemagnetkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß er außerdem ein unteres magnetisches Teil (14,
16&sub1;, 16&sub2;) umfaßt, magnetisch gekoppelt mit den beiden Polschuhen
(90&sub1;, 90&sub2;), und eine leitende Spule (18), die einen Teil (16&sub1;,
16&sub2;) des Magnetkreises umgibt, womit der Kopf folglich sowohl
lesen als auch schreiben kann.
9. Herstellungsverfahren eines Lesekopfs nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß es die folgenden Operationen umfaßt:
- Abscheiden einer Schicht aus magnetischem Material auf einem
Substrat (20, 16&sub1;, 16&sub2;) und Ätzen dieser Schicht, um zwei durch
einen Spalt (32) voneinander beabstandete Schichten (30&sub1;, 30&sub2;)
zu bilden, wobei diese Schichten eine sich verringernde Breite
haben, wenn man sich dem Spalt (32) nähert,
- Abscheiden einer ersten Isolierschicht (34) auf dem Ganzen,
- Abscheiden einer Metallschicht, die man ätzt, um vier leitende
Innenkontaktstellen (41, 43, 45, 47) herzustellen, die durch
vier leitende Streifen (31, 33, 35, 37) mit vier
Außenkontaktstellen (21, 23, 25, 27) verbunden sind,
- Abscheiden einer Magnetowiderstandsmaterialschicht des
Mehrschichtentyps und Ätzen dieser Schicht, um ein
Magnetowiderstandselement zu bilden, wobei dieses Element durch
zwei Enden in Kontakt ist mit zwei ersten Innenkontaktstellen
(41, 47),
- Abscheiden einer zweiten Isolierschicht (52),
- Ätzen dieser zweiten Isolierschicht (52), um zwei weitere
Innenkontaktstellen (43, 45) freizulegen,
- Abscheiden einer leitenden Schicht, die man ätzt bis auf einen
Streifen (80) mit zwei Enden (73, 75) in Kontakt mit den beiden
genannten anderen Innenkontaktstellen (43, 45), wobei dieser
Streifen (80) sich quer zu dem Magnetowiderstandselement (50)
erstreckt,
- Bilden von zwei Polschuhen (901, 902) auf dem Ganzen, die sich
auf den beiden magnetischen Schichten (301, 302) abstützen,
wobei diese beiden Polschuhe durch einen Spalt bzw. Luftspalt
(100) getrennt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
man ein Magnetowiderstandselement in Form paralleler Teilstücke
(a, b, c, d, e) herstellt, Seite an Seite angeordnet und quer zu
dem die beiden magnetischen Schichten (30&sub1;, 30&sub2;) trennenden Spalt
(32), und Querteilstücke (A, B, C, D), die die Enden der
Längsteilstücke verbinden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
man bei der Ätzoperation der zweiten Isolierschicht (52) nicht nur
die beiden anderen Innenkontaktstellen (43, 45) freilegt, sondern
auch die Querteilstücke (A, B, C, D, E) des
Magnetowiderstandselements (50), so daß man bei der Abscheidungsoperation der
leitenden Schicht Querleiter (81, 82, 83, 84) auf den
Querteilstücken (A, B, C, D) des Magnetowiderstandselements (50)
bildet.
12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
man vorher eine Teileinheit bildet, ausgehend von einem Substrat
(10), auf dem man einen Polschuh (14) bildet, mit zwei Pfeilern
(16&sub1;, 16&sub2;) und einer leitenden Spule (18), eingebettet in ein
Isoliermaterial (20), wobei diese Teileinheit als Substrat für die
nachfolgenden Operationen dient und dieses Verfahren zu einem
Lese-Schreibkopf führt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9313249A FR2712420B1 (fr) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant multicouche et à concentrateur et son procédé de réalisation. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69418142D1 DE69418142D1 (de) | 1999-06-02 |
| DE69418142T2 true DE69418142T2 (de) | 1999-11-25 |
Family
ID=9452597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69418142T Expired - Fee Related DE69418142T2 (de) | 1993-11-08 | 1994-11-07 | Lesemagnetkopf mit Mehrschichtmagnetowiderstandselement und Konzentrator und Herstellungsverfahren |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5640754A (de) |
| EP (1) | EP0652550B1 (de) |
| JP (1) | JPH07182632A (de) |
| DE (1) | DE69418142T2 (de) |
| FR (1) | FR2712420B1 (de) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2724481B1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale |
| US5767673A (en) * | 1995-09-14 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a manganite magnetoresistive element and magnetically soft material |
| FR2742571B1 (fr) * | 1995-12-15 | 1998-01-16 | Commissariat Energie Atomique | Structure et capteur multicouches et procede de realisation |
| US6198607B1 (en) * | 1995-12-22 | 2001-03-06 | Censtor Corporation | Contact planar magnetoresistive head |
| FR2745941B1 (fr) * | 1996-03-06 | 1998-07-24 | Silmag Sa | Procede d'enregistrement magnetique |
| US5929636A (en) * | 1996-05-02 | 1999-07-27 | Integrated Magnetoelectronics | All-metal giant magnetoresistive solid-state component |
| FR2761477B1 (fr) * | 1997-04-01 | 1999-04-23 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique a magnetoresistance |
| CA2230523C (en) * | 1998-02-25 | 2006-05-09 | Cashcode Company Inc. | Induction sensor |
| US6057683A (en) * | 1998-02-25 | 2000-05-02 | Cashcode Company Inc. | Induction sensor having conductive concentrator with measuring gap |
| JPH11316919A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Hitachi Ltd | スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US6521335B1 (en) | 1998-05-07 | 2003-02-18 | Seagate Technology, Inc. | Method of fabricating a submicron narrow writer pole |
| US7130152B1 (en) | 1999-04-01 | 2006-10-31 | Storage Technology Corporation | High track density magnetic recording head |
| US6762910B1 (en) | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication |
| JP2001344716A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
| US6538437B2 (en) | 2000-07-11 | 2003-03-25 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Low power magnetic anomaly sensor |
| US6594175B2 (en) | 2000-07-11 | 2003-07-15 | Integrated Magnetoelectronics Corp | High density giant magnetoresistive memory cell |
| US6469927B2 (en) | 2000-07-11 | 2002-10-22 | Integrated Magnetoelectronics | Magnetoresistive trimming of GMR circuits |
| US6483740B2 (en) | 2000-07-11 | 2002-11-19 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | All metal giant magnetoresistive memory |
| US6801408B1 (en) | 2000-11-02 | 2004-10-05 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof |
| US6573713B2 (en) | 2001-03-23 | 2003-06-03 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Transpinnor-based switch and applications |
| US6738284B2 (en) | 2001-03-23 | 2004-05-18 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Transpinnor-based sample-and-hold circuit and applications |
| US6859063B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-02-22 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Transpinnor-based transmission line transceivers and applications |
| AU2003225048A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-11-03 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Interfaces between semiconductor circuitry and transpinnor-based circuitry |
| US6980404B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-12-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for improving soft magnetic properties of a spin valve while retaining high giant magnetoresistance |
| US6992919B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-01-31 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | All-metal three-dimensional circuits and memories |
| US7005852B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-02-28 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Displays with all-metal electronics |
| US7367110B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of fabricating a read head having shaped read sensor-biasing layer junctions using partial milling |
| US7911830B2 (en) * | 2007-05-17 | 2011-03-22 | Integrated Magnetoelectronics | Scalable nonvolatile memory |
| US8427780B2 (en) * | 2009-01-23 | 2013-04-23 | International Business Machines Corporation | Planar magnetic writer having offset portions |
| US9741923B2 (en) | 2015-09-25 | 2017-08-22 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | SpinRAM |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56143514A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-09 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| US4356523A (en) * | 1980-06-09 | 1982-10-26 | Ampex Corporation | Narrow track magnetoresistive transducer assembly |
| GB2143071B (en) * | 1983-07-09 | 1987-10-28 | Magnetic Components Limited | Magnetoresistive transducers |
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS62134814A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPH02128313A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| FR2648942B1 (fr) * | 1989-06-27 | 1995-08-11 | Thomson Csf | Capteur a effet magnetoresistif |
| US5235169A (en) * | 1990-01-31 | 1993-08-10 | Nec Corporation | Bar code label and bar code reader |
| US5274521A (en) * | 1990-08-23 | 1993-12-28 | Sony Corporation | Planar thin film magnetic head |
| JP3200060B2 (ja) * | 1990-09-12 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5193039A (en) * | 1991-04-17 | 1993-03-09 | Digital Equipment Corporation | Permanet magnet easy-axis biased magnetoresistive head |
| JPH0512626A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-01-22 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH05114119A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JP2812042B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1998-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗センサー |
| FR2709855B1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-10-20 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture et d'écriture à élément magnétorésistant compensé en écriture. |
-
1993
- 1993-11-08 FR FR9313249A patent/FR2712420B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-04 JP JP6295678A patent/JPH07182632A/ja active Pending
- 1994-11-07 DE DE69418142T patent/DE69418142T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-07 EP EP94402504A patent/EP0652550B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-06 US US08/417,910 patent/US5640754A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-03 US US08/810,378 patent/US5764448A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5764448A (en) | 1998-06-09 |
| US5640754A (en) | 1997-06-24 |
| FR2712420A1 (fr) | 1995-05-19 |
| JPH07182632A (ja) | 1995-07-21 |
| FR2712420B1 (fr) | 1995-12-15 |
| EP0652550A1 (de) | 1995-05-10 |
| EP0652550B1 (de) | 1999-04-28 |
| DE69418142D1 (de) | 1999-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69418142T2 (de) | Lesemagnetkopf mit Mehrschichtmagnetowiderstandselement und Konzentrator und Herstellungsverfahren | |
| DE69624323T2 (de) | Magnetoresistives Element, magnetoresistiver Kopf und magnetoresistiver Speicher | |
| EP1105878B1 (de) | Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE69106334T2 (de) | Mehrsicht Film mit magnetoresistiven Effekt und magnetoresitives Element. | |
| DE3650040T2 (de) | Den Magnetwiderstandseffekt verwendender Magnetwandlerkopf. | |
| DE69124850T2 (de) | Dünnfilmaufzeichnungskopf mit Magnetpolkonfiguration zur Aufzeichnung mit hoher Dichte | |
| DE69731177T2 (de) | Dünnfilm-Magnetkopf und magnetische Aufzeichnungs/Wiedergabevorrichtung | |
| EP0674769B1 (de) | Magnetowiderstands-sensor mit künstlichem antiferromagneten und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE19528245B4 (de) | Magneto-Widerstandskopf und dessen Verwendung in einer Magnetaufzeichnungsvorrichtung | |
| DE60208224T2 (de) | Magnetoresistive hochleistungs-spinventilanordnung | |
| DE69332530T2 (de) | Magneto-resistiver Sensor und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE69112940T2 (de) | Magnetische Wiedergabevorrichtung mit einem matrixartigen Netzwerk von Leseköpfen. | |
| DE69011603T2 (de) | Magnetkopf mit magnetowiderstand für longitudinale aufzeichnung und herstellungsverfahren eines derartigen kopfes. | |
| DE19848110B4 (de) | Magnetowiderstandselement | |
| DE2827429A1 (de) | Magnetische duennfilmstruktur mit ferro- und antiferromagnetischem austausch- vorspannungsfilm | |
| DE19936378B4 (de) | Magnetowiderstands-Dünnschichtelement vom Spin-Valve-Typ | |
| DE19934010A1 (de) | Drehventil-Magnetowiderstands-Dünnschichtelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE102009007479A1 (de) | Dünnfilm-Magnetsensor | |
| EP0905523A2 (de) | Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äusseren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes | |
| DE69112939T2 (de) | Magnetoresistiver Effekt verwendender Lesemagnetkopf. | |
| DE19804339C2 (de) | Spinventil-Magnetowiderstandskopf und Herstellungsverfahren dafür | |
| EP0150371A1 (de) | Dünnschicht-Magnetkopf für ein senkrecht zu magnetisierendes Aufzeichnungsmedium | |
| DE69426252T2 (de) | Flussleiter mit Zungen und magnetischer Sensor mit einem solchen Flussleiter | |
| DE19833275C2 (de) | Spin-Ventilkopf und Verfahren zur Herstellung desselben, und Magnetplattenlaufwerk, welches den Spin-Ventilkopf verwendet | |
| DE69418952T2 (de) | Magnetoresistive Anordnung und Fühler mit wiederholenden geometrischen Strukturen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |