DE69404067D1 - Verfahren zum Ablegen einer anderen Dünnschicht auf einer Oxyd-Dünnschicht mit perovskiter Kristallstruktur - Google Patents

Verfahren zum Ablegen einer anderen Dünnschicht auf einer Oxyd-Dünnschicht mit perovskiter Kristallstruktur

Info

Publication number
DE69404067D1
DE69404067D1 DE69404067T DE69404067T DE69404067D1 DE 69404067 D1 DE69404067 D1 DE 69404067D1 DE 69404067 T DE69404067 T DE 69404067T DE 69404067 T DE69404067 T DE 69404067T DE 69404067 D1 DE69404067 D1 DE 69404067D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thin film
crystal structure
perovskite crystal
depositing another
oxide thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69404067T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69404067T2 (de
Inventor
So Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69404067D1 publication Critical patent/DE69404067D1/de
Publication of DE69404067T2 publication Critical patent/DE69404067T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
    • H10N60/0716Passivating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0912Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
    • H10N60/0941Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/70High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
    • Y10S505/701Coated or thin film device, i.e. active or passive
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/70High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
    • Y10S505/701Coated or thin film device, i.e. active or passive
    • Y10S505/702Josephson junction present

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE69404067T 1993-04-14 1994-04-14 Verfahren zum Ablegen einer anderen Dünnschicht auf einer Oxyd-Dünnschicht mit perovskiter Kristallstruktur Expired - Fee Related DE69404067T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5111113A JPH06302872A (ja) 1993-04-14 1993-04-14 酸化物超電導薄膜上に上層の薄膜を積層する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69404067D1 true DE69404067D1 (de) 1997-08-14
DE69404067T2 DE69404067T2 (de) 1998-01-22

Family

ID=14552747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69404067T Expired - Fee Related DE69404067T2 (de) 1993-04-14 1994-04-14 Verfahren zum Ablegen einer anderen Dünnschicht auf einer Oxyd-Dünnschicht mit perovskiter Kristallstruktur

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5438037A (de)
EP (1) EP0620602B1 (de)
JP (1) JPH06302872A (de)
CA (1) CA2121315A1 (de)
DE (1) DE69404067T2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3363301B2 (ja) * 1995-03-08 2003-01-08 シャープ株式会社 強誘電体薄膜被覆基板及びその製造方法及び強誘電体薄膜被覆基板によって構成された不揮発性メモリ
US5973351A (en) * 1997-01-22 1999-10-26 International Business Machines Corporation Semiconductor device with high dielectric constant insulator material
US6517944B1 (en) 2000-08-03 2003-02-11 Teracomm Research Inc. Multi-layer passivation barrier for a superconducting element
US20060110670A1 (en) * 2004-11-23 2006-05-25 Jin Wu In situ method for passivating the surface of a photoreceptor substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1336149C (en) * 1987-07-06 1995-07-04 Saburo Tanaka Superconducting thin film and a method for preparing the same
DE3850084T2 (de) * 1987-12-25 1995-01-19 Sumitomo Electric Industries Ein Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm.
JP2524827B2 (ja) * 1988-11-29 1996-08-14 財団法人生産開発科学研究所 積層薄膜体及びその製造法
EP0459906B1 (de) * 1990-05-30 1997-09-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Überganges aus oxydischem Supraleiter

Also Published As

Publication number Publication date
EP0620602B1 (de) 1997-07-09
EP0620602A1 (de) 1994-10-19
DE69404067T2 (de) 1998-01-22
CA2121315A1 (en) 1994-10-15
JPH06302872A (ja) 1994-10-28
US5438037A (en) 1995-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69109199D1 (de) Verfahren zum Anbringen einer Orientierungsschicht in einer flüssigkristallinen Bildwiedergabezelle.
DE3688385D1 (de) System und verfahren zum absetzen mehrerer duenner filmschichten auf ein substrat.
DE68924836T2 (de) Verfahren zur Ansteuerung einer Anzeigeeinheit.
DE69421467T2 (de) Verfahren zum Ablegen einer Dünnschicht auf Basis von einem Titannitrid auf einem transparenten Substrat
DE69123802T2 (de) Verfahren zum Auftragen einer Dünnschicht auf ein Substrat durch Sputtern
DE69414742T2 (de) Verfahren zur Ansteuerung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix
DE69422964T2 (de) Mehrlagiger, wasserabweisender Film und Verfahren zu dessen Herstellung auf einem Glassubstrat
DE68928402T2 (de) Verfahren zur Entfernung einer Oxidschicht auf einem Substrat
DE69512186T2 (de) Ferroelektrische Dünnschicht, Substrat bedeckt mit einer ferroelektrischen Dünnschicht und Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Dünnschicht
DE3779253D1 (de) Verfahren zum reparieren von unterbrechungen in duennschichtlinien auf einem substrat.
DE59007150D1 (de) Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat.
DE69109641T2 (de) Verfahren zur Steuerung einer Matrix-Flüssigkristallanzeige.
DE69403748T2 (de) Verfahren zum Verbinden einer Tintenaufnahmeschicht auf einem vorgegebenen Substrat
DE3483233D1 (de) Einrichtung und verfahren zur steuerung einer anzeigeeinrichtung mit speichereigenschaft.
DE69404067D1 (de) Verfahren zum Ablegen einer anderen Dünnschicht auf einer Oxyd-Dünnschicht mit perovskiter Kristallstruktur
DE69212670D1 (de) Supraleitende oxydische Dünnschicht mit lokal unterschiedlichen Kristallorientierungen und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE3586509D1 (de) Verfahren zum laminieren eines films auf ein gewebe.
DE59501826D1 (de) Verfahren zum Aufbringen einer transparenten Metalloxidschicht auf einer Folie
DE68912638T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kristallschicht auf einem Substrat.
DE68920002D1 (de) Verfahren zur Steuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristallanzeigetafel.
DE68907295T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht vom Wismut-Typ.
DE69402619D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Y-Ba-Cu-O supraleitenden Dünnschicht
DE69224292T2 (de) Verfahren zum steuern einer flüssigkristallanseigematrix
DE69426322D1 (de) Photographisches Element versehen mit einer Ruckschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
DE68919251D1 (de) Verfahren zur Steuerung einer Einrichtung mit mim-Struktur.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee