DE69227628T2 - RF-Phasenschieber in Hybridmode mit einem einzigen Ringkern - Google Patents

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
• Die Erfindung bezieht sich allgemein auf steuerbare Hochfrequenz-Phasenschieber. Sie betrifft insbesondere Phasenschieber mit sehr hoher Leistung und dennoch äusserst kleiner Grösse, die besonders für gephaste Hochfrequenzstrahleranordnungen bei höheren Hochfrequenzen nützlich sind, wo der zur Verfügung stehende Raum zwischen den aufgereihten Strahlerelementen relativ begrenzt ist und insbesondere "planare" Mikrostreifenschaltkreise höchst wirksam verwendet werden. Die Erfindung dient speziell zur Verwirklichung kleiner Phasenlageeinstellern, Schaltern, Polarisationsnetzwerken und ähnlichem in der Mikrowellenindustrie.
ZUGEHÖRIGE ANMELDUNGEN
• Die Erfindung bezieht sich auf die folgenden Patentdokumente aus dem Stand der Technik: EP-A O 389 672 und EP-A-O 389 673. Das erste Dokument beschreibt einen nicht reziproken Hochfrequenz-Phasenschieber mit Dualtoroiden mit einer mittleren zwischen den Toroiden angeordneten, hoch dielektrischen Platte. Das zweite Dokument beschreibt einen reziproken Hybrid-Hochfrequenzkoppelungsschaltkreis, der sowohl Mikrostreifen- als auch Wellenführungsarten der Hochfrequenzsignalübertragung verwendet.
HINTERGRUND UND KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
• Weitere relevante Patentdokumente des Standes der Technik sind: US 3 277 401, welche Mikrowellenphasenschiebereinrichtungen beschreibt; US 4 881 052, welche einen Mikrostreifen-, nicht reziproken, einrastbaren Phasenschieber beschreibt, der zwischen den rampenförmigen dielektrischen Wellenführungsgliedern einen Ferritstab aufweist; und US 4 445 098, welche ein Verfahren und eine Vorrichtung für einen schnellschaltenden Dualtoroidmikrowellen-Ferritphasenschieber beschreibt.
• Ein steuerbarer Hochfrequenzphasenschieber sollte idealerweise eine minimale Grösse, minimale Schaltverluste, minimales Gewicht, minimale Kosten und Komplexität aufweisen, im wesentlichen gegen alle negativ beeinflussenden Umweltfaktoren (einschliesslich physikalischer und elektrischer) unempfindlich sein und eine Fähigkeit haben, irgendeine gewünschte Phasenverschiebung genau und unmittelbar auf Befehl zu erzeugen. Trotz grosser Anstrengungen der Fachwelt in vielen Jahren wurde der tatsächlich ideale Phasenschieber bisher nicht verwirklicht.
• Ein Zwillingsplattenferritphasenschieber der Wellenführungsart, (z. B. der Art, die allgemein in der US-PS-4 445 098 - Sharon et al. beschrieben wurde), ist einer der bis heute bekannten genauesten Phasenschieber. Bei früheren Verwirklichungen waren jedoch derartige Wellenführungsphasenschieber gross und teuer. Wenn eine ungeschaltete Reziprozität gewünscht wird, ist diese Wellenführungseinheit, die in Verbindung mit Zirkulatoren verwendet wird, für zweidimensional gephaste Anordnungen (wo Zischenstrahlerabmessungen in der Grössenordnung von 0,6 Wellenlängen gegeben sind) zu gross.
• Der Sharon et al-Typ des Dualtoroidferritphasenschiebers wurde in hohem Mass miniaturisiert und seriell mit einer Mikrostreifenübertragungsleitung verbunden, um einen neuen, ultra-miniaturisierten, im wesentlichen planaren Phasenschieber von überragender Struktur und Leistung zu schaffen. Ein miniaturisierter dualer Toroidphasenschieber wird in der obengenanten Anmeldung mit dem Titel "Hybrid Mode Phase Shifter" beschrieben.
• Es besteht ein Bedarf für einen miniaturisierten Einfach- Toroidphasenschieber. Entsprechend schafft die Erfindung einen Hochfrequenzphasenschieber, umfassend einen einrastbaren, reziproken Hochfrequenz-Phasenschieber mit einem To roid und einer längs einer longitudinalen Achse zwischen den gegenüberliegenden Enden eines Wellenleiters angeordneten, dielektrischen Platte, wobei der Phasenschieber über einen Impedanz-angepaßten Übergang, der benachbart zu mindestens einem der Enden des Wellenleiters, wo der Übergang bewirkt wird, angeordnet ist, mit einer Mikrostreifen-Hochfrequenz-Übertragungsleitung in Serie angeordnet ist, ohne sich in eine Toroidwand zu erstrecken, wobei der Phasenschieber dadurch gekennzeichnet ist, daß er nur einen ferromagnetischen Toroid aufweist und der Toroid und die Platte des Phasenschiebers in dem Wellenleiter asymmetrisch befestigt sind und der Übergang von der Toroidachse versetzt ist.
• Der miniaturisierte Dualtoroidphasenschieber wurde erfolgreich in einen Einfachtoroidphasenschieber umgewandelt. Einige Vorteile, die der Einfachtoroidphasenschieber gegenüber dem Dualtoroidphasenschieber hat, sind die geringere Komplextität, die wirtschaftlichere Herstellung und die kompaktere Bauweise.
• Die vorliegende Erfindung kann in gewisser Hinsicht als ein miniaturisierter Einfachtoroid-Seitenstreifen-Wellenführungsphasenschieber beschrieben werden, der seriell zwischen unterbrochenen Mikrostreifenübertragungsleitungen mit angepasster Impedanz eingesetzt ist. Einige Ausführungsformen können den Wellenführungsabschnitt in einer darunterliegenden Grundflächenstruktur anordnen, während andere mindestens einen Abschnitt der Wellenführung oberhalb des oberen Niveaus eines Mikrostreifensubstrats anordnen. In einer vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ist der Wellenführungsabschnitt zwischen den abschliessenden Enden des Mikrostreifensubstrats angefügt, so dass die maximale Dicke der gesamten Vorrichtung etwa der des mittleren Wellenführungsabschnitts entspricht.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
• Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen:
• Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung von unten ist, in der angepasste serielle Koppelungen mittels Koppelstiften erreicht werden, die direkt an den Mikrostreifenübertragungsleitungen angebracht sind, die zu den elektrischen Enden eines seriell angeordneten Wellenführungsphasenschiebers führen und diesen abschliessen,
• Fig. 2 eine perspektivische Ansicht der in Fig. 1 dargestellten metallischen Endkappe;
• Fig. 3 eine Aufsicht auf Fig. 1;
• Fig. 4 eine geschnittene Ansicht eines Endes der Vorrichtung längs der Linie 4-4 in Fig. 3 zur Darstellung der stiftartigen Mikrostreifenphasenschieberkoppelung;
• Fig. 5 ein ungefähr entsprechender Hochfrequenzschaltkreis der Mikrostreifen- und Wellenführungs- Übertragungsanordnung von Fig. 1;
• Fig. 6 eine perspektivische Ansicht eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei dem angepasste Koppelungen zwischen einem Wellenführungsphasenschieber und anstossenden Mikrostreifen-Übertragungsleitungsabschnitten an jedem Ende mittels einer Kapazitanz und einem Metallband erreicht werden;
• Fig. 7 eine Endansicht der Erfindung längs der Linie 6-6 in Fig. 6; und
• Fig. 8 eine Seitenansicht der in Fig. 6 dargestellten Erfindung darstellen.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUBFÜHRNGSBEISPIELEN DER ER- FINDUNG
• In der perspektivischen Ansicht von Fig. 1 weist ein paralles, längliches, rechteckiges ferromagnetisches Toroid 2 eine Platte 6 aus hoch-dielektrischem Material auf, die benachbart zu einer seiner Seiten befestigt ist und an den Aussenseiten der zusammengesetzten Toroid-Plattenstruktur metallisierte Oberflächen 8 aufweist, um eine Miniaturwellenführung im Inneren desselben zu bilden. Ein dielektrisches Substrat 18, das ebenfalls aus einem ferromagnetischen Material bestehen kann, weist an der in Fig. 1 gezeigten Seite eine ebene metallisierte Grundfläche 20 auf, die an die metallisierten Flächen 8 angelötet ist. Mikrostreifenleiter 22 und 24 an der gegenüberliegenden Seite des Substrats 18 sind in gestrichelten Linien dargestellt. Sie erstrecken sich zu oder ein wenig über die Enden des Toroids 2, um eine Verbindung mit einem Modus- Übertragungsstift oder Koppelstift 32, der an jedem Ende der Toroid/Platte angeordnet ist, zu ermöglichen.
• Obwohl in Fig. 1 nur ein Ende des Toroids 2 sichtbar ist, soll darauf hingewiesen werden, dass das andere Ende diesem Ende gleicht. Eine Öffnung 30 in der metallisierten, ebenen Grundfläche 20 erstreckt sich, wie man besser in Fig. 4 sieht, durch das Substrat 18 an einer Stelle benachbart zum Ende der dielektrischen Platte 6. Ein metallischer Koppelstift 32 ist an der Mikrostreifenleitung 22 befestigt und elektrisch damit verbunden. Er erstreckt sich durch die Öffnung 30, ohne die metallisierte Fläche 20 zu berühren. Der Koppelstift erstreckt sich senkrecht durch die Grundfläche, so dass seine Achse ungefähr mit der Verbindung zwischen dem Toroid und der Platte ausgerichtet ist. Etwa die Hälfte des Koppelstifts verläuft vor einer Wand des To roids und die andere Hälfte verläuft vor dem Streifen. Routineversuche sind notwendig, um den Stift vor der Toroid- /Plattenstruktur optimal auzurichten.
• Eine L-förmige Drahtführung 34 besteht aus dielektrischem Material und ist mit einem Arm 36 ausgebildet, der entsprechend in den mittleren Raum des Toroids 2 eingesetzt werden kann. Eine Nut 42 an den Aussenseiten des Arms 36 schafft einen Eintritts-/Austrittsdurchgang zum Verrasten eines Stromleiters 44. Wenn die Drahtführung 34 in ihrer Position befestigt ist, liegt ihre Basis oder Bucht 48 gegen den Koppelstift 32 an, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist.
• Wie in den Fig. 1 und 2 gezeigt, ist eine metallische Endkappe 50 so geformt, dass sie rings um die Drahtführung 34 passt und ist mit der metallisierten Oberfläche 20 als auch mit den metallisierten Flächen 8 längs der Oberseiten und äusseren Seiten des Toroids 2 verlötet, um ein Ende für die Wellenführungsartstruktur darzustellen. Eine Endkappe 50 am anderen Ende des Toroids ist in der beschriebenen Weise befestigt. Das sich ergebende Hohlraumgehäuse hilft beim Abstimmen des Koppelstiftübergangs auf einen angepassten Impedanzzustand.
• In der Aufsicht gemäss Fig. 3 sieht man die Mikrostreifenleitungen 22 und 24, die eine Mikrostreifenübergangsleitung schaffen, die seriell mittels der Verbindung des Wellenführungsphasenschiebers über Modus-Übertragungsstifte 32 unterbrochen ist. Die Böden der Lötverbindungen 35 sind ebenfalls in Fig. 3 sichtbar. Miniaturisierte koaxiale Übertragungsleitungsverbinder können leicht mit einer kurzen Länge des Mikrostreifens 22 oder 24 verbunden werden (wodurch eine höchst kompakte Koaxiale-Mikrostreifen-Wellenführungs-Mikrostreifen-Koaxiale-Hochfrequenzfolge geschaffen wird). Viele mögliche alternative Kombinationen und Abänderungen sind möglich, wenn man auf einige der Arten von einem oder beiden Enden verzichtet. Auf diese Weise kann ein gesamter koaxialer-zu-Mikrostreifen oder Mikrostreifen-zu-koaxialer Phasenschieber realisiert werden.
• Fig. 4 zeigt die Struktur am Ende des Toroids 2. Die metallische Endkappe 50 ist an die metallisierten Oberflächen 8 und die metallisierte ebene Grundfläche 20 angelötet. Die Basis 48 der L-förmigen Drahtführung ist im Schnitt sichtbar. Der Boden des Koppelstifts 32 ist bei 35 an die Mikrostreifenleitung 22 angelötet und Epoxyharz 52 ist längs der Berührungslinie zwischen dem Koppelstift 32 und dem Ende der Platten/Toroidverbindung angeordnet.
• Fig. 5 zeigt einen etwa equivalenten Schaltkreis für die angepasste Koppelung zwischen den Mikrostreifenübertragungsleitungen 22,24 und den Wellenleitungsphasenschieber (d. h. dem Toroid 2, der Platte 6 und den metallisierten Oberflächen 8). Der darüber hinausgehende Wellenführungshohlraum wird mittels der Shuntinduktanz 54 dargestellt und die mittels des Spalts G zwischen dem entfernten Ende eines Koppelstiftes 32 und der gegenüberliegenden Endkappe 50 geschaffene Kapazitanzkoppelung wird mittels der Shuntkapazitanz 56 dargestellt. Die Kapazitanzen 58 und 60 stellen Serienkapazitanzen dar, die dem Koppelstift zugeordnet sind.
• Somit umfasst die Einfachtoroidbauweise gemäss den Fig. 1 bis 5 ein benachbart zu einer Platte aus hoch dielektrische Material 6 (ε' - 80) angeordnetes Toroid 2. Die hoch dielektrische Platte 6 wirkt ähnlich einem dielektrischen Mittelkern in irgend einem anderen Einfachtoroid. Zusätzlich schafft die Platte einen thermischen Weg zur Abführung der Wärme von dem Toroid, die durch die Hochfrequenzenergie-Dissipation erzeugt wird. Das Toroid und die Platte sind aneinander befestigt (z. B. mit Epoxyharz) und metallisiert. Die Hochfrequenzfelder werden somit in Richtung der Plattenseite des Toroids konzentriert.
• Das Höchst-Hochfrequenz-aktive Ferrit ist an der Seite des Toroids benachbart zur dielektrischen Platte angeordnet. Die andere Seite des Toroids ist relativ inaktiv und dient lediglich zur Vervollständigung eines magnetischen Wegs und gestattet Verrastvorgänge (wie im einzelnen in Sharon et al beschrieben). Die andere Seite des Toroids vermindert die Wirksamkeit (Differentialphase pro Einheitslänge) des Phasenschiebers, da das dielektrische Material (das Ferrit) an den Wellenführungswänden in einer Richtung magnetisiert ist, in der es von der primären differentialen Phasenverschiebung, die mittels der Wand benachbart zur Platte erhalten wurde, abgezogen wird. Dieser Effekt wird mittels Verwendung einer hoch dielektrischen Platte minimiert.
• In den Fig. 1 bis 5 wird ein einzigartiges Übergangs-Impedanz-Anpassungsschema verwendet, um den Einfach-Toroid- Wellenführungsphasenschieberabschnitt an die Hochfrequenzeingangs-und Ausgangs-Mikrostreifenübertragungsleitungsstrukturen anzupassen. Diese Anpasstechnik kann möglicherweise erklärt werden, indem man die Grenzen zwischen der toroidbelasteten Wellenführungsstruktur und dem Wellenleiter-Hohlraumabschnitt (betrieben jenseits des abgeschnittenen Teils) betrachtet. Die Grenze an dem Toroid und dem Hohlraumabschnitt entspricht einer Shuntinduktanz. Der von der Mikrostreifenleitung vorstehende Kopplungsstift 32 erscheint als eine Shuntkapazitanz und eine kleine Serienkapazitanz (wie in dem equivalenten Schaltkreis gemäss Fig. 5 gezeigt). Der Abstand von der hinteren Ebene des Hohlraums zu dem Kopplungsstift (d. h. der mittels des Abschnitts 48 des L-förinigen dielektrischen Teils 34 eingenommenen Raum) und der Kopplungsstift-Spaltabstand G zur gegenüberliegenden Seite der Wellenführung verändert die Shuntkapazitanz. Eine variable, Anpassungs-Einstellungskapazitanz, wenn einmal die Kopplungsstifttiefe festgelegt ist, wird von der Einstellung der hinteren Ebene der Endkappen 50 erreicht. Diese Technik gestattet einen breiten Frequenzbetrieb, da die Anpassung für alle praktischen Zwecke in der gleichen Ebene wie der Impedanz-Diskontionität stattfindet.
• Die Rückflussdämpfung wurde über das Frequenzband von 9.575 bis 10.46 GHz. gemessen. Die Rückflussdämpfung war minimal ungefähr 15 dB über dem Frequenzband. Die Rückflussdämpfung war aufgrund des OSM der Mikrostreifen-Adapter an jedem Ende begrenzt. Aus den Messungen an einem geraden Abschnitt der Mikrostreifen 50 ohm Leitung mit den OSM zu Mikrostreifenverbindern, wurde berechnet, dass der Hybridmodus-Phasenschieber eine Rückflussdämpfung grösser als 23 dB über das gleiche Frequenzband hat.
• Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist in den Fig. 6-8 dargestellt.
• Eine Mikrostreifenleitung 68 ist gegen ein Toroidende 74 angeordnet. Die freien Seiten des Toroids als auch die Oberseite und die Unterseite der hoch dielektrischen Platte 74 sind metallisiert bei 75, um einen miniaturisierten rechteckigen Wellenleiter zu bilden.
• Die metallisierte ebene untere Grundfläche 66 der Mikrostreifenstruktur steht mit der unteren metallisierten Fläche 75 in elektrischer Berührung. Die mechanische Festigkeit als auch einen guten elektrischen Kontakt erhält man mittels Verlöten einer Metallplatte 76 (oder eines beschichteten dielektrischen Substrats) mit der metallischen ebenen Grundfläche 66 (an einem Ende) und mit einem anstossenden unteren Endabschnitt der metallisierten Fläche 75.
• Die Höhe des Mikrostreifendielektrikums 62, z.B etwa 1,4 mm (0,055 inch), ist geringer als die Höhe des Toroids 70, z. B. etwa 2,54 mm (4.100 inch), so dass der Mikrostreifen 68 gegen die Platte 74 an einem Punkt in der Nähe seiner vertikalen Mitte anstösst. Die Mikrostreifenleitung ist etwa 0,76 mm (0,030 inch) breit und 5 um (0,0002 inch) dick. Der Mikrostreifen ist in horizontaler Richtung so ausgerichtet, dass seine Achse ungefähr in der Mitte der Verbindung zwischen der Platte und der Toroidwand liegt. Die optimale Lage des Streifens in bezug auf die Platten- /Toroidverbindung wird als ein Abstimmmechanismus verwendet. Eine Seite der Kapazitanz 78 (z. B. ein Chip-Kondensator) ist in elektrischer Berührung mit der Mikrostreifenleitung 68 befestigt und ein Metallband 80, z. B. ein gol denes Klebeband von O, 64 mm (O, 025 inch) Breite und 25 um (0,001 inch) Dicke ist in elektrischer Berührung (z. B. mittels Löten) zwischen der anderen Seite der Kapazitanz 78 und einer Stelle auf der oberen metallisierten Oberfläche 75, die unmittelbar oberhalb der Platte 74 liegt, gelagert. Alternativ kann das Band 80 leitend an der Mikrostreifenleitung 68 angebracht und kapazitiv mit der metallisierten Oberfläche 75 benachbart zur Platte 24 verbunden sein. Wie man besser in der Ansicht von Fig. 8 sieht, kann das Band 80 eine ungefähr dreieckige Öffnung 82 bilden. Eine identische Übergangsformstruktur am anderen Ende des Toroids ist allgemein in Fig. 8 dargestellt.
• Die Spaltabmessung G zwischen dem Band 80 und der dielektrischen Platte 74 ist ein Abstimmmechanismus zur Impedanz- Anpassung zwischen der Mikrostreifenübertragungsleitung und dem Phasenschieber. Genaue Werte für eine bestimmte Konstruktion erhält man am besten durch Routineversuche. G ist kein kritischer Parameter, z. B. wird G Null, wenn das dielektrische Substrat koplanar mit der Oberseite des Phasenschiebers angeordnet ist.
• Bei einer Frequenz von etwa 6-11 GHz hat man gute Betriebsergebnisse mit einem Chip-Kondensator 78 erhalten (z. B. einfach ein Bandes 80 mit einer geeigneten Länge, das von der Mikrostreifenleitung 68 mittels eines dielektrischen Bandes getrennt ist, was zu einer Kapazitanz von etwa 0,3 pF führt), einem mittleren Spaltabstand G zwischen dem Band und dem Ende der Platte 74 von etwa 0,38 mm bis 10,2 mm (0,015 bis 0,40 inch) und einer Höhe der Platte 74 oberhalb des Mikrostreifes 68 von etwa 1,27 mm (0,050 inch).
• Bei der in den Fig. 6-8 dargestellten Technik zur Erreichung des Übergangs von dem Mikrostreifen zu dem Ferrit-Toroid ist, wie oben ausgeführt, ein Schlüsselelement der Anpasstechnik die Verwirklichung eines Serienkapazitätselements in der Verbindung der Mikrostreifenleitung zum Toroid.
• Der in den Fig. 6-8 dargestellte Übergang ist in der Lage einen geringen Schaltverlust und eine gute Impedanzanpassung zu erreichen. Das angenommene Betriebsprinzip kann in Form eines equivalenten Einstufen- LC-Leiterschaltkreises erläutert werden.
• Hier stellt eine Shunt-Leiterinduktanz die Shuntinduktanz der Basis Mikrochip zu Toroidverbindung dar. Die Kapazitanz wird gewählt, um der erforderlichen Impedanz zur Impedanzanpassung zwischen dem Mikrostreifen und den charakteristischen Toroidwellenführungs-Impedanzen zu entsprechen.

Claims (8)

1. Hochfrequenz-Phasenschieber mit

einem einrastbaren, reziproken Hochfrequenz-Phasenschieber mit einem Toroid (2,70) und einer längs einer longitudinalen Achse zwischen den gegenüberliegenden Enden eines Wellenleiters angeordneten dielektrischen Platte (6,74), wobei der Phasenschieber über einen Impedanz-angepaßten Übergang (32,78,80), der benachbart zu mindestens einem der Enden des Wellenleiters, wo der Übergang bewirkt wird, angeordnet ist, mit einer Mikrostreifen-Hochfrequenz- Übertragungsleitung (22,24,68) in Serie angeordnet ist, ohne sich in eine Toroidwand zu erstrecken, wobei der Phasenschieber dadurch gekennzeichnet ist, daß er nur einen ferromagnetischen Toroid (2,70) aufweist und der Toroid und die Platte (6,74) des Phasenschiebers in dem Wellenleiter asymmetrisch befestigt sind und der Übergang von der Toroidachse versetzt ist.

2. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 1, wobei der Wellenleiter mittels Metallisierung (8,75) der äußersten Oberflächen der zusammengesetzten Toroid/Platten-Struktur gebildet ist, und

ein leitender Verriegelungsdraht (44) durch eine offene Mitte des Toroids (2,70) zur Verwendung beim Einstellen des Restmagnetflusses innerhalb des Toroids auf vorbestimmte Werte geführt ist.

3. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 1 oder 2, wobei jeder der Impedanz-angepaßten Übergänge

ein kapazitiv zwischen der Mikrostreifenleitung und dem Wellenleiter an einem Punkt nahe der Verbindung zwischen der dielek trischen Platte (6,74) und dem Toroid (2,70) verbundenes, leitendes Verbindungsglied (32,78,80) umfaßt.

4. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 3, wobei das leitende Verbindungsglied ein Band (80) umfaßt, das kapazitiv (78) an einem Ende mit der Mikrostreifenleitung (68) und am anderen Ende leitend mit dem Wellenleiter (70,74, 75) verbunden ist.

5. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 3 oder 4, wobei der Wellenleiter (70,74) mit seinen Enden zwischen aneinander anstoßenden Enden der dielektrischen Substrate (62), die ebene erste leitende Bodenflächen (66) und ebene zweite Bodenflächen aufweisen, angeordnet ist, wobei die Mikrostreifenübertragungsleitung auf der zweiten Bodenfläche ausgebildet ist;

die ersten leitenden Bodenflächen der Substrate leitend miteinander und mit einer Seite der aneinanderanstoßenden Wellenleiterenden verbunden sind;

die Substrate (62) eine geringere Dicke als der Wellenleiter (70,74) aufweisen; und

das leitende Verbindungsglied einen vorbestimmeten Spalt G zwischen sich und dem entsprechenden freien Ende der dielektrischen Platte bildet.

6. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 5, wobei der Spalt eine ungefähr dreieckige Form aufweist.

7. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 6, umfassend einen an jede Mikrostreifenübertragungsleitung (68) in einem Abstand von der Verbindung zwischen der Platte und dem Toroid angebrachten Chip-Kondensator (78).

8. Hochfrequenz-Phasenschieber nach Anspruch 7, wobei jeder Kondensator (78) einen Kapazitätswert von ungefähr 0,3 pF aufweist.