DE69225115T2 - Verfahren zur Behandlung von porösem Silizium zur Zurückgewinnung von Lumineszenz - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von porösem Silizium zur Zurückgewinnung von Lumineszenz

Info

Publication number
DE69225115T2
DE69225115T2 DE69225115T DE69225115T DE69225115T2 DE 69225115 T2 DE69225115 T2 DE 69225115T2 DE 69225115 T DE69225115 T DE 69225115T DE 69225115 T DE69225115 T DE 69225115T DE 69225115 T2 DE69225115 T2 DE 69225115T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
porous silicon
porous
luminescence
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69225115T
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE69225115D1 (de
Inventor
Babar Khan
Ronald Pinker
Khalid Shahzad
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics NV filed Critical Philips Electronics NV
Publication of DE69225115D1 publication Critical patent/DE69225115D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69225115T2 publication Critical patent/DE69225115T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/826—Materials of the light-emitting regions comprising only Group IV materials
    • H10H20/8264—Materials of the light-emitting regions comprising only Group IV materials comprising polycrystalline, amorphous or porous Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/014—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group IV materials
    • H10P95/94—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE69225115T 1991-11-27 1992-11-20 Verfahren zur Behandlung von porösem Silizium zur Zurückgewinnung von Lumineszenz Expired - Fee Related DE69225115T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79959691A 1991-11-27 1991-11-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69225115D1 DE69225115D1 (de) 1998-05-20
DE69225115T2 true DE69225115T2 (de) 1998-10-29

Family

ID=25176306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69225115T Expired - Fee Related DE69225115T2 (de) 1991-11-27 1992-11-20 Verfahren zur Behandlung von porösem Silizium zur Zurückgewinnung von Lumineszenz

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0544369B1 (OSRAM)
JP (1) JPH05226696A (OSRAM)
DE (1) DE69225115T2 (OSRAM)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2165663C2 (ru) * 1999-07-13 2001-04-20 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Источник инфракрасного излучения
US20120032212A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of light emitting diode sidewall passivation
CN105087001A (zh) * 2014-05-13 2015-11-25 中国科学院大连化学物理研究所 一种多孔硅基复合发光材料

Also Published As

Publication number Publication date
DE69225115D1 (de) 1998-05-20
EP0544369A3 (OSRAM) 1994-02-23
JPH05226696A (ja) 1993-09-03
EP0544369B1 (en) 1998-04-15
EP0544369A2 (en) 1993-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0001550B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung für eine Bauelementstruktur mit kleinen Abmessungen und zugehöriges Herstellungsvefahren
DE69628704T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oxidfilms auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
DE2429705C3 (de) Schottky-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4126955C2 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrolumineszenten Siliziumstrukturen
DE102011050089B4 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kontakten an einer Solarzelle, Solarzelle und Verfahren zum Herstellen eines Rückseiten-Kontaktes einer Solarzelle
DE2513459B2 (de) Halbleiterbauelement mit einer polykristallinen Siliciumabdeckung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2056124B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102007036921A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE3700620A1 (de) Halbleiterkoerper und verfahren zum herstellen desselben
DE69215084T2 (de) Elektrolumineszente siliziumvorrichtung
AT398014B (de) Verfahren zur diffundierung von die lebensdauer der minoritätsträger verringernden platinatomen
DE102013219564A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle mit einem Heteroübergang
DE69230988T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anordnung, bei dem ein Stoff in einen Körper implantiert wird
DE102009018112B3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, mit einer lokal geöffneten Dielektrikumschicht sowie entsprechendes Halbleiterbauelement
DE69323884T2 (de) Elektrolumineszente Festkörpervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2718449A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
DE1489240B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE102014205350B4 (de) Photoaktives Halbleiterbauelement sowie Verfahren zum Herstellen eines photoaktiven Halbleiterbauelementes
DE2162445B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE69225115T2 (de) Verfahren zur Behandlung von porösem Silizium zur Zurückgewinnung von Lumineszenz
EP1284024A1 (de) Bauelement für die optoelektronik und verfahren zu dessen herstellung
DE2658304C2 (de) Halbleitervorrichtung
DE2649134A1 (de) Verfahren zur ionenimplantation in halbleitersubstrate
DE2734726A1 (de) Verfahren zum herstellen von siliciumphotodioden

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, N

8339 Ceased/non-payment of the annual fee