DE602005000863D1 - Speicherzellenprogrammierverfahren mit Detektion von Transkonduktanzdegradierung - Google Patents

Speicherzellenprogrammierverfahren mit Detektion von Transkonduktanzdegradierung

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006120310A1 (fr) * 2005-05-09 2006-11-16 Stmicroelectronics Sa Dispositif de protection d'une memoire contre les attaques par injection d'erreur
US8060798B2 (en) * 2007-07-19 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Refresh of non-volatile memory cells based on fatigue conditions
US7545679B1 (en) 2007-12-28 2009-06-09 Freescale Semiconductor, Inc. Electrical erasable programmable memory transconductance testing
US8120966B2 (en) * 2009-02-05 2012-02-21 Aplus Flash Technology, Inc. Method and apparatus for management of over-erasure in NAND-based NOR-type flash memory
US9767894B2 (en) 2014-06-09 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Programming memories with stepped programming pulses
US9508397B1 (en) 2015-12-03 2016-11-29 Freescale Semiconductor, Inc. Non-volatile memory (NVM) with endurance control
KR102524916B1 (ko) * 2018-03-13 2023-04-26 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
US11056203B1 (en) * 2020-02-11 2021-07-06 Intel Corporation Boosted bitlines for storage cell programmed state verification in a memory array

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5532962A (en) * 1992-05-20 1996-07-02 Sandisk Corporation Soft errors handling in EEPROM devices
EP0782148B1 (de) * 1995-12-29 2003-02-26 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zum Verhindern von Störungen während des Programmierens und des Löschens eines nichtflüchtigen Speichers
KR100223868B1 (ko) * 1996-07-12 1999-10-15 구본준 비휘발성 메모리를 프로그램하는 방법
KR100316522B1 (ko) * 1999-03-04 2001-12-12 김영환 비휘발성 메모리를 자동 조회 프로그램하는 회로
US6205056B1 (en) * 2000-03-14 2001-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Automated reference cell trimming verify
US6363016B1 (en) * 2000-10-12 2002-03-26 Xilinx, Inc. Method for enhancement of non-volatile memory cell read current
FR2816751A1 (fr) * 2000-11-15 2002-05-17 St Microelectronics Sa Memoire flash effacable par page
EP1249842B1 (de) * 2001-04-10 2009-08-26 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Programmierung nichtflüchtiger Speicherzellen mit Programmier- und Prüfalgorithmus unter Verwendung treppenförmiger Spannungsimpulse mit variablem Stufenabstand
US6621741B2 (en) * 2002-01-30 2003-09-16 Fujitsu Limited System for programming verification
JP3906189B2 (ja) * 2002-07-15 2007-04-18 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
US7193898B2 (en) * 2005-06-20 2007-03-20 Sandisk Corporation Compensation currents in non-volatile memory read operations
US7236402B2 (en) * 2005-11-30 2007-06-26 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

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US7453732B2 (en) 2008-11-18
US7218553B2 (en) 2007-05-15
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