DE60035966T2 - METHOD OF MANUFACTURING AN ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE - Google Patents

METHOD OF MANUFACTURING AN ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE Download PDF

Info

Publication number
DE60035966T2
DE60035966T2 DE60035966T DE60035966T DE60035966T2 DE 60035966 T2 DE60035966 T2 DE 60035966T2 DE 60035966 T DE60035966 T DE 60035966T DE 60035966 T DE60035966 T DE 60035966T DE 60035966 T2 DE60035966 T2 DE 60035966T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
electrodes
metal
film
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60035966T
Other languages
German (de)
Other versions
DE60035966D1 (en
Inventor
Masahiro Nakano
Michiyuki Nakazawa
Katsuo Sato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of DE60035966D1 publication Critical patent/DE60035966D1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE60035966T2 publication Critical patent/DE60035966T2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02937—Means for compensation or elimination of undesirable effects of chemical damage, e.g. corrosion

Description

GEBIET DER TECHNIKFIELD OF TECHNOLOGY

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Oberflächenwellenvorrichtung, die mit tragbaren Telefonen, Autotelefonen, Radioausrüstungen usw. benutzt wird, und ein Herstellungsverfahren dazu.The The present invention relates to a surface acoustic wave device which with portable phones, car phones, radio equipment etc., and a manufacturing method thereto.

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIKGENERAL PRIOR ART

Oberflächenwellenvorrichtungen, d.h. Oberflächenwellenfilter und Oberflächenwellenresonatoren werden nun vermehrt als Ersatzfilter für dielektrische Filter in Hochfrequenzteilen von tragbaren Telefonen usw. benutzt. Manche Gründe dafür bestehen darin, dass die Oberflächenwellenfilter eine kleinere Vorrichtungsgröße aufweisen als dielektrische Filter und bessere elektrische Eigenschaften auf derselben Vorrichtungsgrößenbasis.Surface acoustic wave devices, i.e. Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave resonators are now increasingly used as replacement filters for dielectric filters in high-frequency parts used by portable phones and so on. Some reasons for this are that the Surface acoustic wave filter have a smaller device size as dielectric filters and better electrical properties same device size base.

Die Oberflächenwellenvorrichtung umfasst ein piezoelektrisches Substrat, das aus Lithiumniobat, Lithiumtantalat oder dergleichen gebildet ist, und verschiedene Elektroden, wie etwa Interdigitalwandler (IDW) und Reflektoren, die auf der Oberfläche des Substrats gebildet sind. Für die Elektroden der Oberflächenwellenvorrichtung werden gewöhnlich Al oder Al-Legierungen (z.B. Al-Cu) benutzt. Al und Al-Legierungen sind jedoch in einer Umgebung mit einer hohen Luftfeuchtigkeit für Korrosion anfällig, was sonst Brüche in den Elektroden verursacht oder Korrosionsprodukte erbringt, wobei dies möglicherweise in einer Verschlechterung der Filterleistung resultiert. In einem Verfahren, das bisher benutzt wurde, um die Verschlechterung der Filterleistung aufgrund von Elektrodenkorrosion zu verhindern, werden die Elektroden in einem keramischen Gehäuse luftdicht verschlossen, um diese vor der Umwelt zu schützen.The Surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate made of lithium niobate, lithium tantalate or the like, and various electrodes, such as about interdigital transducers (IDW) and reflectors that are on the surface of the substrate are formed. For the electrodes of the surface acoustic wave device become ordinary Al or Al alloys (e.g., Al-Cu) are used. Al and Al alloys are however, in a high humidity environment for corrosion susceptible, what else breaks caused in the electrodes or provides corrosion products, wherein this may be resulting in a deterioration of the filter performance. In one Method that has been used to date for the deterioration of Filter performance due to prevent electrode corrosion, be the electrodes are hermetically sealed in a ceramic housing, to protect them from the environment.

Beim Verfahren zur Verhinderung von Elektrodenkorrosion durch das luftdichte Verschließen der Elektroden im keramischen Gehäuse kommen jedoch höchstwahrscheinlich sehr kleine hermetische Brüche vor. Aus diesem Grund muss ein zusätzlicher Schritt des Inspizierens des Grades an Luftdichte nach dem Verschließen des Gehäuses bereitgestellt werden. Dieser Inspizierungsschritt ist ein Faktor beim Anstieg der Herstellungskosten. Im Hinblick auf die Reduzierung der Herstellungskosten wird dem teuren keramischen Gehäuse ein Harzgehäuse vorgezogen. Das Harzgehäuse ist jedoch hinsichtlich der Nassbeständigkeit schlechter als das keramische Gehäuse.At the Method of preventing electrode corrosion by airtight Closing the Electrodes in the ceramic housing but most likely very small hermetic breaks in front. Because of this, there must be an extra step of inspecting the degree of air density after closing the housing are provided. This inspection step is a factor in increasing the manufacturing cost. In terms of reducing the manufacturing cost is the expensive ceramic housing a resin case preferred. The resin case however, is worse in wet resistance than this ceramic housing.

Aus dem Stand der Technik ist auch ein Verfahren zur Verhinderung der IDW-Korrosion durch das Abdecken der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats bekannt, wobei auf diesem unter Benutzung eines dünnen Films ein IDW gebildet wird.Out The prior art is also a method for preventing the IDW corrosion by covering the surface of the piezoelectric substrate known, wherein on this using a thin film an IDW is formed.

JP-B 3-190311 offenbart beispielsweise eine Oberflächenwellenvorrichtung, umfassend ein piezoelektrisches Substrat und einen wasserabweisenden und isolierenden Film mit einer Dicke von 100 Å oder weniger, welcher auf der Oberfläche des Substrats, auf dem Elektroden bereitgestellt sind, gebildet ist. In der Veröffentlichung wird auf Hexamethyl-Disilazan, Azidverbindungen und Isocyanatverbindungen als das Material Bezug genommen, das den vorhergenannten Film bildet, und in einem Beispiel wird durch Spritzüberzug ein Hexamethyl-Disilazanfilm mit einer Dicke von 50 Å oder weniger gebildet. Die Veröffentlichung enthüllt jedoch, dass infolge der Bildung dieses Films der Einfügungsverlust um 0,2 bis 0,3 dB ansteigt. JP-B 3-190311 discloses, for example, a surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate and a water-repellent and insulating film having a thickness of 100 Å or less formed on the surface of the substrate on which electrodes are provided. In the publication, reference is made to hexamethyldisilazane, azide compounds and isocyanate compounds as the material constituting the aforesaid film, and in one example, by spray coating, a hexamethyldisilazane film having a thickness of 50 Å or less is formed. However, the publication reveals that as a result of the formation of this film, the insertion loss increases by 0.2 to 0.3 dB.

JP-A 4-294625 offenbart eine Oberflächenwellenvorrichtung, wobei zur Verhinderung einer Freisetzung und Korrosion des Elektrodenmaterials ein Schutzfilm, der ein korrosionsbeständiges Metall, wie etwa Chrom, oder ein dielektrisches Material, wie etwa Siliziumdioxid, umfasst, durch Zerstäubung (Sputtering) oder Beschichtung mittels Verdampfung auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, gebildet wird. In einem Beispiel der Veröffentlichung wird ein Schutzfilm aus Chrom mit einer Dicke von 100 Å gebildet. JP-A 4-294625 discloses a surface acoustic wave device wherein, to prevent release and corrosion of the electrode material, a protective film comprising a corrosion-resistant metal such as chromium or a dielectric material such as silicon dioxide is sputtered or vapor-deposited on the surface of the piezoelectric layer Substrate, on which electrodes are provided is formed. In one example of the publication, a protective film of chromium is formed with a thickness of 100 Å.

Aus den nachfolgenden Veröffentlichungen sind auch gewisse Oberflächenwellenvorrichtungen bekannt, wobei ein dünner Film auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, gebildet ist, wenn auch nicht zwecks Verhinderung von Elektrodenkorrosion.Out the following publications are also certain surface acoustic wave devices are known, being a thinner Film on the surface of a piezoelectric substrate on which electrodes are provided is formed, although not to prevent electrode corrosion.

JP-B 2-47886 offenbart ein Verfahren zur Steuerung der Resonanzfrequenz durch Beschichtung mittels Verdampfung eines Metalls auf der gesamten oder einem Teil der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats. In der Veröffentlichung werden Ag, Au, Cr, Ni usw. als das Metall bezeichnet, mit dem mittels Verdampfung beschichtet werden soll. Die Veröffentlichung lehrt auch, dass zwischen den Elektrodenfingern kein Kurzschluss zustande kommen kann, da die Menge an Metall, mit dem mittels Verdampfung beschichtet werden soll, derart gering ist, dass mit ihm in Form von für sich allein stehenden, feinen Punkten beschichtet werden kann. JP-B 2-47886 discloses a method of controlling the resonant frequency by coating by evaporation of a metal on all or part of the surface of a piezoelectric substrate. In the publication, Ag, Au, Cr, Ni, etc. are referred to as the metal to be vapor-deposited. The publication also teaches that no short circuit can occur between the electrode fingers because the amount of metal to be vaporized is so small that it can be coated in the form of stand-alone fine dots.

Das US-Patent Nr. 3,965,444 offenbart, dass zwecks der Kompensierung der Temperatur ein SiO2-Film auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, gebildet ist.The U.S. Patent No. 3,965,444 discloses that for the purpose of compensating the temperature, an SiO 2 film is formed on the surface of a piezoelectric substrate on which electrodes are provided.

JP-A 4-150512 offenbart, dass auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, ein halbisolierender dünner Film vorgesehen ist. In der Veröffentlichung werden Siliziumdioxidfilme, die Siliziumdioxidnitridfilme, Siliziumnitridfilm und das Siliziumcarbid als das Material bezeichnet, das den halbisolierenden dünnen Film bildet. Durch die Bereitstellung dieses halbisolierenden dünnen Films wird die statische Elektrizität, die am piezoelektrischen Substrat erzeugt wird, derart zwischen den Elektroden entladen, dass jeglicher elektrostatische Ausfall der Vorrichtung verhindert werden kann. In einem Beispiel in der Veröffentlichung wird ein Siliziumnitridfilm mit einer Dicke von ungefähr 500 Å oder mehr mittels eines Plasma-CVD-Verfahrens als halbisolierender Film gebildet. JP-A 4-150512 discloses that a semi-insulating thin film is provided on the surface of a piezoelectric substrate on which electrodes are provided. In the publication For example, silicon dioxide films, silicon nitride films, silicon nitride film and silicon carbide are referred to as the material forming the semi-insulating thin film. By providing this semi-insulating thin film, the static electricity generated at the piezoelectric substrate is discharged between the electrodes so that any electrostatic failure of the device can be prevented. In an example in the publication, a silicon nitride film having a thickness of about 500 Å or more is formed by a plasma CVD method as a semi-insulating film.

JP-A 9-83288 offenbart, dass zur Verhinderung der Entladung zwischen Elektroden auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, ein dünner Halbleiterfilm gebildet wird, und in einem Beispiel, das darin gegeben ist, wird ein Si-Film mit einer Dicke von 50 nm als dünner Halbleiterfilm benutzt. JP-A 9-83288 discloses that to prevent the discharge between electrodes on the surface of a piezoelectric substrate on which electrodes are provided, a thin semiconductor film is formed, and in an example given therein, an Si film having a thickness of 50 nm is formed as thin semiconductor film used.

JP-A 9-199974 offenbart, dass zur Reduzierung der Geräuscherzeugung aufgrund des pyroelektrischen Effekts eines piezoelektrischen Substrats auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, ein dünner Widerstandsfilm gebildet wird. In der Veröffentlichung wird ein dünner Siliziumfilm, der durch Zerstäubung oder Beschichtung mittels Verdampfung gebildet wird, als dünner Widerstandsfilm bezeichnet. Die Veröffentlichung erwähnt jedoch nicht, wie dick der dünne Widerstandsfilm ist. JP-A 9-199974 discloses that a thin resistive film is formed to reduce noise generation due to the pyroelectric effect of a piezoelectric substrate on the surface of the piezoelectric substrate on which electrodes are provided. In the publication, a thin silicon film formed by sputtering or coating by evaporation is called a thin resistor film. However, the publication does not mention how thick the thin resistive film is.

JP-A 7-326942 offenbart eine Oberflächenwellenvorrichtung, die einen Isolierfilm auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, aufweist, und kh ≤ 0,15 entspricht, vorausgesetzt, dass k = 2π/λ, wobei h die Dicke des Isolierfilms und λ die Wellenlange einer Oberflächenwelle ist. Die Veröffentlichung zeigt, dass der Isolierfilm zur Steuerung der Mittenfrequenz bereitgestellt ist. Die Veröffentlichung zeigt auch, dass die untere Grenze von kh 0,002 ist und die Größe der Frequenzänderung zu der Zeit ungefähr 80 ppm beträgt. In den Beispielen in der Veröffentlichung werden ein MgO-Film und ein SiO2-Film, die durch Zerstäubung gebildet werden, als Isolierfilm benutzt. JP-A 7-326942 discloses a surface acoustic wave device having an insulating film on the surface of a piezoelectric substrate on which electrodes are provided, and kh ≤ 0.15, provided that k = 2π / λ, where h is the thickness of the insulating film and λ is the wavelength of one Surface wave is. The publication shows that the insulating film is provided for controlling the center frequency. The publication also shows that the lower limit of kh is 0.002 and the magnitude of the frequency change at that time is about 80 ppm. In the examples in the publication, an MgO film and an SiO are used 2 film formed by sputtering as an insulating film.

JP 10-107572 offenbart eine Oberflächenwellenvorrichtung, wobei zur Verhinderung von Korrosion ein Metallfilm (Chrom, Tantal, Niob usw.) mit einer Dicke, die zur anodischen Oxidation geeignet ist, jedoch unter 100 nm liegt, auf die Elektroden der Oberflächenwelle und das piezoelektrische Substrat geschichtet wird und anschließend oxidiert wird, um (außer auf dem Elektrodenglied) einen Metalloxid-Schutzfilm zu bilden. JP 10-107572 discloses a surface acoustic wave device wherein, to prevent corrosion, a metal film (chromium, tantalum, niobium, etc.) having a thickness suitable for anodic oxidation but less than 100 nm is layered on the electrodes of the surface acoustic wave and the piezoelectric substrate, and then is oxidized to form (except on the electrode member) a metal oxide protective film.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

Wie eingangs erläutert, ist bekannt, dass die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden gebildet sind, mit verschiedenen dünnen Filmen versehen wird. Jedoch bewirkt, wie in der vorhergehend erwähnten JP-B 3-190311 gezeigt, die Bereitstellung des organischen Films mit einer Dicke von ungefähr 100 Å, dass die Einfügungsverluste schlimmer werden. Wie in der vorhergehend erwähnten JP-A 4-294625 beschrieben wird, bewirkt die Bildung des Cr-Films mit einer Dicke von 100 Å Kurzschlüsse zwischen den Elektroden, was in einer Verringerung der elektrischen Eigenschaften resultiert.As explained above, it is known that the surface of the piezoelectric substrate on which electrodes are formed is provided with various thin films. However, as in the previously mentioned JP-B 3-190311 As shown, provision of the organic film having a thickness of about 100 Å makes insertion losses worse. As in the previous mentioned JP-A 4-294625 is described, the formation of the Cr film having a thickness of 100 .ANG. causes shorts between the electrodes, resulting in a reduction in electrical characteristics.

Wenn der dünne Film, der auf der Oberfläche des Substrats, auf dem Elektroden gebildet sind, vorgesehen ist, ein dielektrischer Film ist, geschieht aufgrund von Kurzschlüssen ebenfalls ein gewisser Grad an Leistungsabfall, wenn auch nicht so bedeutend wie im Falle eines Metallfilms. Wie aus dem vorhergehend erwähnten JP-A 7-326942 ersichtlich, hat beispielsweise selbst der Isolierfilm immer noch einen gewissen Grad an Einfluss auf die Leistung der Vorrichtung, wenn die Mittenfrequenz durch die Bereitstellung des dielektrischen Films gesteuert wird.If the thin film provided on the surface of the substrate on which electrodes are formed is a dielectric film, there will also be some degree of power loss due to short circuits, although not as significantly as in the case of a metal film. As from the previous one JP-A 7-326942 For example, even if the center frequency is controlled by the provision of the dielectric film, even the insulating film still has some influence on the performance of the device.

Angesichts derartiger Situationen, wie sie oben erwähnt wurden, besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung einer Oberflächenwellenvorrichtung, die Elektroden umfasst, welche aus Al oder einer Al- Legierung gebildet sind, wobei die Nassbeständigkeit davon verbessert wird, ohne dass ihre elektrischen Eigenschaften negativ beeinflusst werden.in view of Such situations, as mentioned above, have a purpose the present invention in the provision of a surface acoustic wave device, includes the electrodes formed of Al or an Al alloy are, with the wet resistance it is improved without losing its electrical properties be negatively influenced.

Die vorhergehend erwähnte Aufgabe ist durch die Erfindung, wie in den angehängten Ansprüchen definiert, erreichbar.The previously mentioned The object is achieved by the invention as defined in the appended claims, reachable.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Dicke einer Cr-Oxidschicht und dem Einfluss, welcher die Cr-Oxidschicht auf die elektrischen Eigenschaften hat, veranschaulicht. 1 FIG. 15 is a diagram illustrating the relationship between the thickness of a Cr oxide film and the influence that the Cr oxide film has on the electrical properties.

2 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Dicke einer Metall-Cr-Schicht und dem „Widerstand × Schichtdicke" in der Metall-Cr-Schicht veranschaulicht. 2 Fig. 15 is a graph illustrating the relationship between the thickness of a metal Cr layer and the "resistance × layer thickness" in the metal Cr layer.

3 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Zeitdauer, während der eine Oberflächenwellenvorrichtung, umfassend eine 0,4 nm dicke Cr-Oxidschicht, in einer Umgebung mit hoher Temperatur und Feuchtigkeit stehen gelassen wird, und der Betrag an ihren Mittenfrequenzänderungn veranschaulicht. 3 Fig. 15 is a diagram illustrating the relationship between the time period during which a surface acoustic wave device including a 0.4 nm-thick Cr oxide film is allowed to stand in a high temperature-humidity environment and the amount of its center frequency change.

4 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Zeitdauer, während der eine Oberflächenwellenvorrichtung, umfassend eine 0,7 nm dicke Cr-Oxidschicht, in einer Umgebung mit hoher Temperatur und Feuchtigkeit stehen gelassen wird, und der Betrag an ihren Mittenfrequenzänderungen veranschaulicht. 4 FIG. 12 is a graph illustrating the relationship between the time period during which a surface acoustic wave device including a 0.7 nm thick Cr oxide film is left standing in a high-temperature and humidity environment and the amount of its center frequency changes.

5 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Zeitdauer, während der eine Oberflächenwellenvorrichtung, umfassend eine 1,5 nm dicke Cr-Oxidschicht, in einer Umgebung mit hoher Temperatur und Feuchtigkeit stehen gelassen wird, und der Betrag an ihren Mittenfrequenzänderungen veranschaulicht. 5 FIG. 15 is a graph illustrating the relationship between the time period during which a surface acoustic wave device including a 1.5 nm-thick Cr oxide film is allowed to stand in a high temperature-humidity environment and the amount of its center frequency changes.

6 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Zeitdauer, während der eine Oberflächenwellenvorrichtung, die keine Cr-Oxidschicht enthält, in einer Umgebung mit hoher Temperatur und Feuchtigkeit stehen gelassen wird, und der Betrag an ihren Mittenfrequenzänderungen veranschaulicht. 6 Fig. 12 is a graph illustrating the relationship between the time period during which a surface acoustic wave device containing no Cr oxide film is allowed to stand in a high temperature and humidity environment and the amount of its center frequency changes.

7 ist ein Ersatz-Transmissions-Elektronenmikrobild für eine Zeichnung, die einen dünnen Film veranschaulicht, wobei das Mikrobild einen Teilbereich einer Metall-Cr-Schicht zeigt, welche zwischen eine Elektrode und eine Al-Schicht geschoben ist. 7 FIG. 12 is a substitute transmission electron micrograph for a drawing illustrating a thin film, the microimage showing a portion of a metal Cr layer sandwiched between an electrode and an Al layer. FIG.

8 ist ein Ersatz-Transmissions-Elektronenmikrobild für eine Zeichnung, die einen dünnen Film veranschaulicht, wobei das Mikrobild einen Teilbereich einer Cr-Oxidschicht zeigt, welche zwischen eine Elektrode und eine Al-Schicht geschoben ist. 8th FIG. 13 is a substitute transmission electron micrograph for a drawing illustrating a thin film, the microimage showing a portion of a Cr oxide layer sandwiched between an electrode and an Al layer. FIG.

BESTE ART ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNGBEST MODE TO PERFORM THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung stellt eine Oberflächenwellenvorrichtung dar, umfassend einen Interdigitalwandler (IDW), der sich aus Al oder einer Al-Legierung oder dem IDW und einer Reflektorelektrode zusammensetzt, wobei eine Metalloxidschicht derart bereitgestellt ist, dass sie mindestens die Elektroden abdeckt.The The present invention is a surface wave device. comprising an interdigital transducer (IDW) made of Al or an Al alloy or the IDW and a reflector electrode, wherein a Metal oxide layer is provided such that it at least covers the electrodes.

Wie oben erläutert, ist auf dem Stand der Technik eine Oberflächenwellenvorrichtung, umfassend eine Metalloxidschicht, die auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats gebildet ist, auf dem Elektroden vorgesehen sind, bekannt. Im Gegensatz zur Metalloxidschicht in einer herkömmlichen Oberflächenwellenvorrichtung ist jedoch die Metalloxidschicht nach der vorliegenden Erfindung ein dünner Film, der keinen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung hat. Die Metalloxidschicht, die bereitgestellt ist, um die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, abzudecken, hat, wenn sie dick ist, einen negativen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung. Zum Beispiel wird ein Metalloxid im Allgemeinen als Isoliermaterial gehandhabt. Eine Zunahme der Dicke der Metalloxidschicht bewirkt jedoch, dass ihr elektrischer Widerstand sinkt und verursacht somit einen Kurzschluss zwischen den Elektroden. Daher verschlechtert sich der Einfügungsverlust der Oberflächenwellenvorrichtung. Bei der Oberflächenwellenvorrichtung wird zum Beispiel eine ZnO-Schicht oftmals als piezoelektrischer Film zwischen dem piezoelektrischen Substrat und den Elektroden gebildet. Der elektrische Widerstand der ZnO-Schicht wird durch Li-Dotieren usw. verstärkt. Infolge der ersten bis vierten Experimente, die unmittelbar nachfolgend gegeben sind, und Studien darüber, haben die Erfinder nun festgestellt, dass es beim Abdecken der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden bereitgestellt sind, mit einer sehr dünnen Metalloxidschicht, möglich ist, eine deutliche Verbesserung der Nassbeständigkeit der Elektroden zu erreichen (der Widerstand der Elektroden gegenüber Korrosion durch Feuchtigkeit), ohne dabei einen negativen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung zu haben.As explained above In the prior art, a surface acoustic wave device comprising a metal oxide layer on the surface of a piezoelectric Substrate is formed, are provided on the electrodes, known. In contrast to the metal oxide layer in a conventional surface acoustic wave device however, the metal oxide layer of the present invention is one thinner Film that does not affect the electrical properties of the film Surface acoustic wave device Has. The metal oxide layer that is provided to the surface of the piezoelectric substrate on which electrodes are provided Cover, if thick, has a negative impact on the electrical characteristics of the surface acoustic wave device. To the For example, a metal oxide is generally used as an insulating material handled. An increase in the thickness of the metal oxide layer causes however, that their electrical resistance drops and thus causes a short circuit between the electrodes. Therefore, it deteriorates the insertion loss the surface wave device. In the surface wave device For example, a ZnO layer is often called piezoelectric Film between the piezoelectric substrate and the electrodes educated. The electrical resistance of the ZnO layer is through Li doping, etc. reinforced. As a result the first to fourth experiments, immediately following given, and studies about it, The inventors have now discovered that it is when covering the surface of the piezoelectric substrate on which electrodes are provided with a very thin one Metal oxide layer, possible is to significantly improve the wet resistance of the electrodes too reach (the resistance of the electrodes to corrosion by moisture), without doing a negative impact on the electrical properties the surface wave device to have.

Im folgenden Vorgang wurde eine Oberflächenwellenvorrichtungsprobe, die für das erste Experiment benutzt wurde, angefertigt.in the the following procedure became a surface acoustic wave device test, the for the first experiment was used.

Für das piezoelektrische Substrat wurde mit der Verbreitung von Oberflächenwellen, die in die x-Richtung vorgegeben waren, ein um 36° gedrehtes Y-Schnitt-Lithiumtantalat benutzt. Zur Elektrodenbildung wurde mittels Zerstäubung ein Al-0,5 Gew.-%-Cu-Legierungsfilm mit einer Dicke von 150 nm gebildet. Danach wurde der Legierungsfilm mittels Fotolithografie und Trockenätzen konfiguriert, um für einen Oberflächenwellenresonator, der auf beiden Außenseiten eines IDW Reflektorelektroden aufweist, ein Elektrodenmuster zu bilden. Dieser Oberflächenwellenresonator weist eine Resonatorfrequenz von ungefähr 1,6 GHz auf.For the piezoelectric Substrate was associated with the proliferation of surface waves in the x-direction were used, a 36 ° rotated Y-cut lithium tantalate used. For electrode formation, an Al-0.5 wt% Cu alloy film was sputtered formed with a thickness of 150 nm. After that, the alloy film became configured by photolithography and dry etching for a surface acoustic wave on both outer sides of IDW reflector electrodes, an electrode pattern form. This surface wave resonator has a resonator frequency of about 1.6 GHz.

Danach wurde durch Zerstäubung über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem die Elektroden vorgesehen waren, eine Metall-Cr-Schicht gebildet. Dann wurde die Anordnung bei 250°C 2 Stunden lang in einer Sauerstoffatmosphäre thermisch behandelt, um die Metall-Cr-Schicht in eine Cr-Oxidschicht zu oxidieren, wodurch eine Oberflächenwellenprobe erhalten wurde. Zum Vergleich wurde eine weitere Probe auf dieselbe Weise angefertigt, mit der Ausnahme, dass keine Cr-Oxidschicht bereitgestellt wurde.After that was through atomization over the entire surface of the piezoelectric substrate on which the electrodes are provided were formed, a metal Cr layer. Then the arrangement became at 250 ° C Thermally treated in an oxygen atmosphere for 2 hours to to oxidize the metal Cr layer into a Cr oxide layer a surface wave sample was obtained. For comparison, another sample was on the same Manner prepared, except that no Cr oxide layer provided has been.

Jede der Proben, die auf diese Weise angefertigt wurden, wurde auf Resonanzfrequenz fr und Antiresonanzfrequenz fa gemessen, um den Unterschied (fr-fa) zwischen ihnen herauszufinden. Dann wurde der Unterschied zwischen dem Unterschied (fr-fa) der Probe und dem Bezugsunterschied (fr-fa) der Probe mit keiner Cr-Oxidschicht gefunden. In 1 ist dieser Unterschied als (Änderungsbereich bei fr-fa) gezeigt. Die Dicke der Schicht auf der Abszisse in 1 ist die Schicht der Metall-Cr-Schicht, wie mittels eines Fluoreszenz-Röntgen-Dickenmessgerätes gemessen (System 3640, hergestellt von Rigaku Co., Ltd.). In 1 ist vermerkt, dass die Dicke der Metall-Cr-Schicht als die Dicke der Cr-Oxidschicht angegeben ist, wenn sie mit dem Fluoreszenz-Röntgen-Dickenmessgerät gemessen wird, weil die Dicke der Metall-Cr-Schicht keiner Veränderung durch Oxidierung unterzogen wird. Mit anderen Worten wird beim Messen mit dem Fluoreszenz-Röntgen-Dickenmessgerät kein Unterschied zwischen der Dicke einer Metallschicht und der Dicke einer Metalloxidschicht, die durch die Oxidierung dieses Metalls gebildet wird, gefunden, da das Messgerät derart konzipiert ist, dass es die Anzahl an Metallatomen für die Dickenmessung zählt. In der vorliegenden Offenbarung sind die Dicken einer Metallschicht und einer Metalloxidschicht jeweils als Werte gegeben, die mit dem Fluoreszenz-Röntgen-Dickenmessgerät gemessen wurden.Each of the samples made in this way was measured at resonant frequency fr and anti-resonant frequency fa to determine the sub schied (fr-fa) find out between them. Then, the difference between the difference (fr-fa) of the sample and the reference difference (fr-fa) of the sample with no Cr oxide film was found. In 1 this difference is shown as (change range at fr-fa). The thickness of the layer on the abscissa in 1 is the layer of the metal Cr layer as measured by a fluorescent X-ray thickness gauge (System 3640, manufactured by Rigaku Co., Ltd.). In 1 It is noted that the thickness of the metal Cr layer is indicated as the thickness of the Cr oxide layer when measured with the fluorescent X-ray thickness gauge because the thickness of the metal Cr layer is not subjected to change by oxidation. In other words, when measuring with the fluorescent X-ray thickness gauge, no difference is found between the thickness of a metal layer and the thickness of a metal oxide layer formed by the oxidation of this metal because the meter is designed to increase the number of metal atoms counts for the thickness measurement. In the present disclosure, the thicknesses of a metal layer and a metal oxide layer are respectively given as values measured by the fluorescent X-ray thickness gauge.

Unter Bezugnahme auf 1 ist, je näher sich der „Änderungsbereich von fr-fa" bei null befindet, desto geringer der Einfluss der Cr-Oxidschicht auf die elektrischen Eigenschaften. Aus 1 ist daher ersichtlich, dass, wenn die Dicke der Cr-Oxidschicht 2 nm oder weniger beträgt, die Cr-Oxidschicht keinen wesentlichen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung hat. Dieses Experiment lehrt auch, dass, wenn die Dicke der Cr-Oxidschicht 2 nm oder weniger beträgt, im Vergleich zum Fall mit einer Probe, die keine Cr-Oxidschicht enthält, keine Änderung des absoluten Impedanzwertes bei fr bzw. fa geschieht. Dies lehrt wiederum, dass, wenn die Dicke der Cr-Oxidschicht 2 nm oder weniger beträgt, dann kein wesentlicher Kurzschluss aufgrund der Bereitstellung der Cr-Oxidschicht und keine Verschlechterung der Einfügungsverluste geschieht.With reference to 1 is, the closer the "change range of fr-fa" is to zero, the less the influence of the Cr oxide layer on the electrical properties 1 Therefore, it can be seen that when the thickness of the Cr oxide film is 2 nm or less, the Cr oxide film has no substantial influence on the electrical characteristics of the surface acoustic wave device. This experiment also teaches that when the thickness of the Cr oxide film is 2 nm or less, as compared with the case with a sample containing no Cr oxide film, there is no change in the absolute impedance value at fr and fa, respectively. This in turn teaches that if the thickness of the Cr oxide film is 2 nm or less, then there is no substantial short circuit due to the provision of the Cr oxide film and no deterioration of the insertion loss.

Nun wird vom zweiten Experiment berichtet, das durchgeführt wurde, um die Struktur einer Metalloxidschicht, die dünn genug ist, um keinen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung zu haben, genau zu betrachten.Now is reported from the second experiment that was conducted around the structure of a metal oxide layer that is thin enough to have no effect on to have the electrical characteristics of the surface acoustic wave device, to look closely.

Im zweiten Experiment wurden die Metall-Cr-Schichten mit unterschiedlichen Dicken, wie im ersten Experiment, durch Zerstäubung auf um 36° gedrehten Y-Schnitt-Lithiumtantalatsubstraten gebildet. Es wurde der Widerstand jeder Metall-Cr-Schicht gemessen, um das Produkt des Widerstands und seiner Dicke zu erhalten. 2 ist ein Diagramm mit der Dicke der Metall-Cr-Schichten als Abszisse und dem Produkt der Schichtdicke und dem Widerstand als Ordinate.In the second experiment, the metal Cr layers of different thicknesses, as in the first experiment, were sputtered on 36 ° rotated Y-cut lithium tantalate substrates. The resistance of each metal Cr layer was measured to obtain the product of the resistance and its thickness. 2 Fig. 12 is a graph showing the thickness of the metal Cr layers as the abscissa and the product of the layer thickness and the resistance as the ordinate.

Wie aus 2 ersichtlich, steigt der Produktwert von „Widerstand × Schichtdicke" mit zunehmender Schichtdicke in einem Bereich, in dem die Dicke der Metall-Cr-Schicht 3,5 nm überschreitet, linear an. Dies zeigt auf, dass der Abschnitt der Metall-Cr-Schicht in diesem Schichtdickenbereich einen Widerstand beibehält, der demjenigen einer Metall-Cr-Menge entspricht. Mit anderen Worten muss ein im Wesentlichen einheitlicher kontinuierlicher Film in diesem Schichtdickenbereich gebildet werden. In einem anderen Bereich, in dem die Dicke der Metall-Cr-Schicht 3,5 nm oder weniger beträgt, steigt der Produktwert von „Widerstand × Schichtdicke" auf der Ordinate mit abnehmender Schichtdicke stark an. Das Ergebnis lehrt, dass der Widerstand der Metall-Cr-Schicht bereits weit von demjenigen der Metall-Cr-Menge entfernt ist und zeigt, dass die Metall-Cr-Schicht in diesem Dickenbereich in einer Form eines diskontinuierlichen Films vorliegt.How out 2 As can be seen, the product value of "resistance × layer thickness" increases linearly with increasing layer thickness in a region where the thickness of the metal Cr layer exceeds 3.5 nm, indicating that the portion of the metal Cr layer In other words, a substantially uniform continuous film must be formed in this layer thickness region, in another region where the thickness of the metal Cr layer 3, 5 nm or less, the product value of "resistance × layer thickness" on the ordinate greatly increases with decreasing layer thickness. The result teaches that the resistance of the metal Cr layer is already far removed from that of the metal Cr amount and shows that the metal Cr layer in this thickness range is in a form of a discontinuous film.

Aus den in 2 dargestellten Ergebnissen ist offensichtlich, dass die Cr-Oxidschicht, die eine Dicke aufweist, die klein genug ist, um keinen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung zu haben, wie in 1 gezeigt, durch die Oxidierung einer diskontinuierlichen Metall-Cr-Schicht erhalten werden kann.From the in 2 As is apparent from the results shown, the Cr oxide film having a thickness small enough to have no influence on the electrical characteristics of the surface acoustic wave device as in FIG 1 shown by the oxidation of a discontinuous metal Cr layer can be obtained.

Nun wird vom dritten Experiment berichtet, das durchgeführt wurde, um spezifisch die Beschaffenheit der Metall-Cr-Oxidschicht und der Cr-Oxidschicht, erhalten durch die Oxidierung der Metall-Cr-Schicht, zu betrachten.Now is reported from the third experiment that was conducted to specifically the nature of the metal Cr oxide layer and the Cr oxide layer obtained by the oxidation of the metal Cr layer, consider.

Im dritten Experiment wurde zunächst die Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden vorgesehen sind, mit einer Metall-Cr-Schicht abgedeckt, wie im ersten Experiment, mit der Ausnahme, dass die Dicke der Metall-Cr-Schicht 0,85 nm betrug. Dann wurde durch Zerstäubung eine Al-Schicht derart bereitgestellt, um die Metall-Cr-Schicht abzudecken, um eine Probe zur Beobachtung ihrer Struktur im Schnitt anzufertigen. Es sei hier bemerkt, dass die Al-Schicht bereitgestellt wurde, um die Oberfläche der Metall-Cr-Schicht in einem festen Zustand zu behalten, damit der Schnitt der Metall-Cr-Schicht leicht beobachtet werden konnte. Nachdem die Probe zugeschnitten war, wurde die Metall-Cr-Schicht, die zwischen die Elektroden und die Al-Schicht geschoben wurde, unter einem Transmissions-Elektronenmikroskop beobachtet. Daraus ergab sich, dass die Metall-Cr-Schicht in Form eines diskontinuierlichen Films vorlag, wie in 7 gezeigt. In 7 ist die Metall-Cr-Schicht in einer linearen, dunklen Form gezeigt, die durch einen beinahe zentralen Abschnitt des Mikrobildes verläuft.In the third experiment, first, the surface of a piezoelectric substrate provided with electrodes was covered with a metal Cr layer as in the first experiment, except that the thickness of the metal Cr layer was 0.85 nm. Then, by sputtering, an Al layer was provided so as to cover the metal Cr layer to cut a sample to observe its structure. It should be noted here that the Al layer was provided to keep the surface of the metal Cr layer in a solid state so that the section of the metal Cr layer could be easily observed. After the sample was cut, the metal Cr layer sandwiched between the electrodes and the Al layer was observed under a transmission electron microscope. As a result, the metal Cr layer was in the form of a discontinuous film as in 7 shown. In 7 For example, the metal Cr layer is shown in a linear, dark shape that passes through an almost central portion of the microimage.

Nach der Bildung der Metall-Cr-Schicht wurde eine weitere Probe, wie im Falle der vorhergehend erwähnten Probe, zur Beobachtung der Struktur im Schnitt erhalten, mit der Ausnahme, dass eine Cr-Oxidschicht durch die Oxidierung der Metall-Cr-Schicht in denselben Bedingungen wie im ersten Experiment gebildet wurde. Nachdem diese Probe zugeschnitten war, wurde die Cr-Oxidschicht, die zwischen die Elektroden und die Al-Schicht geschoben wurde, unter einem Transmissions-Elektronenmikroskop beobachtet. Daraus ergab sich, dass die Cr-Oxidschicht in Form eines kontinuierlichen Films vorlag, wie in 8 gezeigt. In 8 ist die Cr-Oxidschicht in einer linearen, dunklen Form gezeigt, die durch einen beinahe zentralen Abschnitt des Mikrobildes verläuft.After the formation of the metal Cr layer, another sample was obtained in section, as in the case of the aforementioned sample, to observe the structure, except that a Cr oxide layer was oxidized by the oxidation of the metal Cr layer therein Conditions were formed as in the first experiment. After this sample was cut, the Cr oxide film sandwiched between the electrodes and the Al layer was observed under a transmission electron microscope. As a result, the Cr oxide film was in the form of a continuous film as in 8th shown. In 8th For example, the Cr oxide layer is shown in a linear, dark shape that passes through an almost central portion of the microimage.

Aus den Ergebnissen des dritten Experiments ist offensichtlich, dass sich durch die Oxidierung der Metall-Cr-Schicht der Film von einer diskontinuierlichen zu einer kontinuierlichen Form auf den Elektroden ändert.Out It is obvious from the results of the third experiment that By the oxidation of the metal Cr layer of the film of a discontinuous to a continuous shape on the electrodes changes.

Natürlich ist dies ein mageblicher Grund dafür, wie in der vorliegenden Erfindung eine stark verbesserte Nassbeständigkeit erhalten werden kann.of course is this is a major reason for as in the present invention greatly improved wet resistance can be obtained.

Im dritten Experiment konnte nicht nachgeprüft werden, ob die Metall-Cr-Schicht auf dem piezoelektrischen Substrat durch Oxidierung zu einem kontinuierlichen Film geändert wurde oder nicht. Ausgehend von der Tatsache, dass im ersten Experiment keine wesentliche Änderung der elektrischen Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung mit einer Cr-Oxidschicht mit einer Dicke von 2 nm oder weniger geschah, und zwar der Tatsache, dass die Isolierung zwischen den positiven und negativen IDW-Elektroden beibehalten wurde, ist es jedoch sehr wahrscheinlich, dass die Metall-Cr-Schicht auf dem piezoelektrischen Substrat nach der Oxidierung immer noch in Form eines diskontinuierlichen Films vorliegt.in the third experiment could not be verified, whether the metal Cr layer on the piezoelectric substrate by oxidation to a continuous Movie changed was or not. Starting from the fact that in the first experiment no significant change the electrical properties of the surface acoustic wave device with a Cr oxide layer with a thickness of 2 nm or less, namely the fact that isolation between the positive and negative IDW electrodes However, it is very likely that the metal Cr layer on the piezoelectric substrate after oxidation still in the form of a discontinuous film.

Nun wird vom vierten Experiment berichtet, das durchgeführt wurde, um die Wirkung der Cr-Oxidschicht als Schutzschicht genau zu betrachten.Now is reported from the fourth experiment that was conducted to look closely at the effect of the Cr oxide layer as a protective layer.

Im vierten Experiment wurden die Elektroden wie im ersten Experiment auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet. Jedoch war das Elektrodenmuster, das benutzt wurde, ein Filtermuster mit einem kettenverbundenen Oberflächenwellenresonator. Dieses Filtermuster ist für das European Portable Telephone DCS1800 System konzipiert worden.in the fourth experiment, the electrodes were as in the first experiment formed on a piezoelectric substrate. However, the electrode pattern was that was used, a filter pattern with a chain-linked one SAW resonator. This filter pattern is for The European Portable Telephone DCS1800 System has been designed.

Danach wurde durch Zerstäubung über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, auf dem Elektroden gebildet waren, eine Metall-Cr-Schicht zu drei Dicken, etwa 0,4 nm, 0,7 nm und 1,5 nm, gebildet.After that was through atomization over the entire surface the piezoelectric substrate on which electrodes were formed a metal Cr layer of three thicknesses, about 0.4 nm, 0.7 nm and 1.5 nm, formed.

Schließlich wurde die Cr-Schicht wie im ersten Experiment oxidiert, um eine Oberflächenwellenprobe zu erhalten. Zum Vergleich wurde eine weitere Probe wie oben erwähnt angefertigt, mit der Ausnahme, dass keine Cr-Oxidschicht bereitgestellt wurde.Finally became the Cr layer oxidized as in the first experiment to form a surface wave sample to obtain. For comparison, another sample was prepared as mentioned above, with the exception that no Cr oxide layer was provided.

Jede Probe wurde in ein keramisches Gehäuse gegeben, an welches der IDW mittels Drahtbonden angeschlossen wurde. Zu diesem Zweck wurde das Prüfen auf Luftdichte vorher mittels einer Blasenverlustmethode (bubble leakage) durchgeführt, um lediglich jene Gehäuse auszusortieren, die einen Verlust aufweisen. Das keramische Gehäuse wurde in einem Thermohygrostat bei einer Temperatur von 60°C und einer relativen Feuchtigkeit von 90% stehen gelassen, um die Nutzungsdauer der Nassbeständigkeit zu schätzen. Der zu überprüfende Punkt war eine zeitliche Veränderung der Mittenfrequenz f0 des Oberflächenwellenfilters.each Sample was placed in a ceramic housing to which the IDW was connected by wire bonding. For this purpose was the testing to air density beforehand by means of a bubble loss method (bubble leakage), only those cases to sort out that have a loss. The ceramic housing was in a thermo-hygrostat at a temperature of 60 ° C and a Relative humidity of 90% allowed to stand for the useful life the wet resistance appreciate. The point to be checked was a change over time the center frequency f0 of the surface acoustic wave filter.

Die Beziehungen zwischen der Stehzeit und der Menge an Änderung der Mittenfrequenz, Δf0, der jeweiligen Proben sind in 3 bis 6 gezeigt. 3 stellt die Ergebnisse von Proben dar, die eine 0,4 nm dicke Cr-Oxidschicht aufweisen, 4 stellt die Ergebnisse von Proben dar, die eine 0,7 nm dicke Cr-Oxidschicht aufweisen, 5 stellt die Ergebnisse von Proben dar, die eine 1,5 nm dicke Cr-Oxidschicht aufweisen, und 6 stellt die Ergebnisse von Proben dar, die keine Cr-Oxidschicht aufweisen.The relationships between the withstand time and the amount of change of the center frequency, Δf0, of the respective samples are in 3 to 6 shown. 3 represents the results of samples having a 0.4 nm thick Cr oxide layer, 4 represents the results of samples having a 0.7 nm thick Cr oxide layer, 5 represents the results of samples having a 1.5 nm thick Cr oxide layer, and 6 represents the results of samples that do not have a Cr oxide layer.

In 3 bis 5 ist Δf0 auf 1 MHz oder weniger beschränkt, selbst nach der Stehzeit von 1000 Stunden, wohingegen Δf0 in 6 sehr groß wird, wie durch ungefähr 10 MHz nach der Stehzeit von 1000 Stunden dargestellt. Es sei hier bemerkt, dass in jeder Zeichnung die Ergebnisse mehrerer Proben gezeigt werden und dass unter diesen Proben Variationen vorkommen, da der Grad an Unvollkommenheit des luftdichten Verschlusses von Probe zu Probe variiert. Aus 3 bis 5 ist ersichtlich, dass durch die vorliegende Erfindung die Nassbeständigkeit, ungeachtet des Grades an Unvollkommenheit des luftdichten Verschlusses, stark verbessert wird.In 3 to 5 Δf0 is limited to 1 MHz or less, even after the standing time of 1000 hours, whereas Δf0 in 6 becomes very large, as shown by about 10 MHz after the standing time of 1000 hours. It should be noted here that in each drawing the results of several samples are shown and that there are variations among these samples since the degree of imperfection of the airtight closure varies from sample to sample. Out 3 to 5 It can be seen that the wet strength is greatly improved by the present invention, regardless of the degree of imperfection of the airtight seal.

Es sei bemerkt, dass Vorhergehendes das Ergebnis der Proben ist, die eine Cr-Oxidschicht aufweisen, die im Dickenbereich von 0,4 bis 1,5 nm liegen. Die Studien der Erfinder zeigen jedoch, dass wenn die Metalloxidschicht eine Dicke von vorzugsweise 0,1 nm oder mehr und noch bevorzugter 0,2 nm oder mehr aufweist, diese dann auch als Schutzschicht funktionieren kann. Wenn die Metalloxidschicht eine Dicke von 2 nm oder weniger aufweist, wie oben erwähnt, dann gibt es keinen wesentlichen negativen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften. Daher ist es vorzuziehen, dass die Metalloxidschicht eine Dicke von 0,1 bis 2 nm aufweist.It It should be noted that the previous is the result of the samples that have a Cr oxide layer in the thickness range of 0.4 to 1.5 nm. However, the studies of the inventors show that if the metal oxide layer has a thickness of preferably 0.1 nm or more and more preferably 0.2 nm or more, then these too can work as a protective layer. When the metal oxide layer has a thickness of 2 nm or less, as mentioned above, then There is no significant negative impact on the electrical Properties. Therefore, it is preferable that the metal oxide layer has a thickness of 0.1 to 2 nm.

Es versteht sich aus den vorhergehenden Experimentergebnissen, dass, wenn eine Oberflächenwellenvorrichtung mit einer Cr-Oxidschicht mit einer gegebenen Dicke in der Form einer Elektroden schützenden Schicht vorgesehen ist, es dann möglich ist, deutliche Verbesserungen an der Nassbeständigkeit der Oberflächenwellenvorrichtung vorzunehmen, ohne dass dabei Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften davon genommen wird.It is understood from the previous experiment results that when a surface wave device with a Cr oxide layer of a given thickness in the form of a Protective electrodes Layer is provided, then it is possible to make significant improvements at the wet resistance the surface wave device without affecting the electrical properties it is taken from.

Während in den vorhergehenden Experimenten die Cr-Oxidschicht als Schutzschicht benutzt wurde, versteht es sich, dass hier keine bestimmte Einschränkung auf das Metalloxid, das für die Schutzschicht benutzt wird, gemacht wird. Es ist allerdings vorzuziehen, Oxide von Übergangsmetallen zu benutzen, die nicht Al sind, insbesondere Cr, Fe oder Ni oder Legierungen, die mindestens eines dieser Metalle enthalten, und noch genauer ein Cr-Oxid.While in in previous experiments, the Cr oxide layer was used as a protective layer, It is understood that there is no specific limitation here the metal oxide used for the protective layer is used is made. It is, however preferable to oxides of transition metals too use non-Al, in particular Cr, Fe or Ni or alloys, containing at least one of these metals, and more specifically a Cr oxide.

Es besteht keine bestimmte Einschränkung bezüglich der Bildung der Metalloxidschicht; allerdings ist es vorzuziehen, eine Methode zu benutzen, wobei zuerst eine Metallschicht gebildet und dann oxidiert wird. Zur Metallschichtbildung können Dampfphasen-Wachstumsmethoden wie etwa Zerstäubung und Beschichtung mittels Verdampfung benutzt werden, wobei die Zerstäubungsmethode am meisten bevorzugt wird. Es besteht keine bestimmte Einschränkung bezüglich der Bildung der Metalloxidschicht; allerdings ist es vorzuziehen, eine Methode zu benutzen, wobei die Metallschicht in einer oxidierenden Atmosphäre thermisch behandelt wird. Vorzugsweise wird also zur oxidierenden Atmosphäre Luft oder eine Atmosphäre mit einem größeren Sauerstoff-Partialdruck als Luft (z.B. eine reine Sauerstoffatmosphäre) benutzt. Die Temperatur und Zeit zur thermischen Behandlung kann zweckmäßig bestimmt werden, je nach den verschiedenen Bedingungen, wie etwa dem Partialdruck von Sauerstoff in der Behandlungsatmosphäre und der Zusammensetzung der Metallschicht; es ist jedoch vorzuziehen, aus dem Behandlungstemperaturbereich von 200 bis 270°C und dem Behandlungszeitbereich von 1 bis 10 Stunden eine geeignete Wahl zu treffen. Eine zu niedrige Behandlungstemperatur oder eine zu kurze Behandlungszeit kann die Oxidierung der Metallschicht höchstwahrscheinlich unzulänglich werden lassen, was in einer Verringerung des elektrischen Widerstands zwischen den IDW ausmachenden Elektroden resultiert und daher in einem Anstieg der Verluste der Oberflächenwellenvorrichtung. Andererseits kann eine zu hohe Behandlungstemperatur oder eine zu lange Behandlungszeit möglicherweise zur Oxidierung des IDW führen. In diesem Fall erhöhen sich die Verluste der Oberflächenwellenvorrichtung ebenfalls.It There is no specific restriction regarding the Formation of the metal oxide layer; however, it is preferable to one Method to use, wherein first formed a metal layer and then it is oxidized. For metal layer formation, vapor phase growth methods can be used like atomization and coating by evaporation, using the sputtering method most preferred. There is no specific restriction regarding the Formation of the metal oxide layer; however, it is preferable to one Method to use, wherein the metal layer in an oxidizing the atmosphere is thermally treated. Preferably, therefore, the oxidizing Atmosphere air or an atmosphere with a higher oxygen partial pressure used as air (e.g., a pure oxygen atmosphere). The temperature and time for thermal treatment may be appropriately determined, depending on the various conditions, such as the partial pressure of oxygen in the treatment atmosphere and the composition of the metal layer; it is preferable, however the treatment temperature range of 200 to 270 ° C and the treatment time range from 1 to 10 hours to make a suitable choice. One too low Treatment temperature or too short treatment time, the Oxidation of the metal layer most likely inadequate which results in a reduction in electrical resistance between the IDW forming electrodes results and therefore in an increase in the losses of the surface acoustic wave device. on the other hand may be too high a treatment temperature or too long a treatment time possibly to Oxidizing the IDW lead. In this case increase the losses of the surface wave device also.

Außerdem ist es auch möglich, jedoch nicht Teil der Erfindung, eine Form eines diskontinuierlichen Films Metalloxidschicht mittels einer Zerstäubungsmethode unter Benutzung, zum Beispiel, eines Metalloxidtargets zu bilden. Vorzugsweise sollte in diesem Fall die Metalloxidschicht eine Dicke aufweisen, die derjenigen der Metalloxidschicht entspricht, welche durch die Oxidierung der Metallschicht erhalten wurde. Es sei jedoch bemerkt, dass die Metalloxidschicht nicht in einer Form eines kontinuierlichen Films vorliegt, selbst nicht auf den Elektroden, und daher wird die Wirkung auf Verbesserungen der Nassbeständigkeit der Elektroden gering.Besides that is it also possible not part of the invention, a form of discontinuous Film metal oxide layer using a sputtering method using, for example, to form a metal oxide target. Preferably should in this case, the metal oxide layer has a thickness similar to that corresponding to the metal oxide layer formed by the oxidation of the Metal layer was obtained. It should be noted, however, that the metal oxide layer not in a form of continuous film, itself not on the electrodes, and therefore the effect will be on improvements the wet resistance the electrodes low.

Die Metalloxidschicht wird derart gebildet, dass sie mindestens die Elektroden abdeckt. Bei der vorliegenden Erfindung ist es jedoch nicht erforderlich, die Bildung der Metalloxidschicht lediglich auf die Nähe der Elektroden zu beschränken. Die vorliegende Erfindung ist besonders für den Fall wirksam, dass eine Metalloxidschicht über den positiven und negativen IDW-Elektroden gebildet wird, da es zwischen diesen zu keinem Kurzschluss kommt. Zur Herstellung von Oberflächenwellenvorrichtungen werden zunächst viele Vorrichtungsmuster gleichzeitig auf einem großflächigen piezoelektrischen Substrat gebildet. Danach wird das piezoelektrische Substrat für jede Vorrichtungseinheit ausgeschnitten, damit in einem einzigen Vorgang viele Vorrichtungen erhalten werden. Somit ist es also möglich, wenn die Metalloxidschicht über der Oberfläche des großflächigen Substrats, auf dem viele Vorrichtungsmuster bereitgestellt sind, gebildet wird und das Substrat anschließend für jede Vorrichtungseinheit ausgeschnitten wird, einen Anstieg der Anzahl Schritte aufgrund der Bereitstellung der Metalloxidschicht zu minimieren. Dies wird besonders bevorzugt.The Metal oxide layer is formed such that it at least the Covers electrodes. However, in the present invention it is not necessary, the formation of the metal oxide layer only on the proximity to restrict the electrodes. The present invention is particularly effective in the case where a Metal oxide layer over the positive and negative IDW electrodes is formed, since there is no short circuit between these. For the production of surface acoustic wave devices first many device patterns simultaneously on a large area piezoelectric Substrate formed. Thereafter, the piezoelectric substrate becomes each device unit Cut out so that in a single operation many devices to be obtained. Thus, it is possible if the metal oxide layer over the surface the large area substrate, on which many device patterns are provided is formed and the substrate subsequently for every Device unit is cut, an increase in the number Minimize steps due to the provision of the metal oxide layer. This is especially preferred.

Die vorliegende Erfindung kann auf jede beliebige Oberflächenwellenvorrichtung angewendet werden, bei der Al oder eine Al-Legierung als Elektrodenmaterial benutzt wird; das heißt, es wird ansonsten keine bestimmte Einschränkung gemacht. Beispielsweise können die Größe der Elektrode, die Muster der Elektrode, die piezoelektrischen, das Substrat ausmachenden Materialien usw. zweckmäßig bestimmt werden. Zum Beispiel kann für die Al-Legierung, die als Elektrodenmaterial benutzt wird, eine geeignete Wahl aus Al-Cu, Al-Ta, Al-Ti, Al-Sc-Cu und Al-W getroffen werden. Bei Elektroden, die Al-Legierungen umfassen, betragen die Inhalte der Zusatzstoffe, die in Al inkorporiert sind, im Allgemeinen 2 Gew.-% oder weniger.The The present invention may be applied to any surface acoustic wave device be applied, in which Al or an Al alloy as the electrode material is used; this means, otherwise no specific restriction is made. For example can the size of the electrode, the patterns of the electrode, the piezoelectric substrate constituting the substrate Materials, etc. appropriately determined become. For example, for the Al alloy used as the electrode material, a suitable choice of Al-Cu, Al-Ta, Al-Ti, Al-Sc-Cu and Al-W are taken. For electrodes, the Include Al alloys, the contents of the additives incorporated in Al are generally 2% by weight or less.

WIRKUNG DER ERFINDUNGEFFECT OF THE INVENTION

Nach der vorliegenden Erfindung ist es möglich, deutliche Verbesserungen an der Nassbeständigkeit einer Oberflächenwellenvorrichtung mit Elektroden, umfassend Al oder eine Al-Legierung, vorzunehmen. Demzufolge ist es möglich, den Schritt der Inspizierung der Luftdichte, nachdem die Vorrichtung in einem Gehäuse abgedichtet wurde, auszulassen und somit ein kostengünstiges Harzgehäuse zu nutzen, was in bedeutenden Einsparungen bei der Herstellung resultiert. Außerdem besteht selbst bei einer Verbesserung der Nassbeständigkeit der Oberflächenwellenvorrichtung durch die vorliegende Erfindung kein wesentlicher Einfluss auf die Eigenschaften der Oberflächenwellenvorrichtung.According to the present invention, it is possible to make significant improvements in the wet resistance of a surface acoustic wave device with electrodes comprising Al or an Al alloy. As a result, it is possible to carry out the step of inspecting the air density after the device was sealed in a housing to skip and thus use a low-cost resin housing, resulting in significant savings in manufacturing. In addition, even when the wet strength of the surface acoustic wave device is improved by the present invention, there is no significant influence on the characteristics of the surface acoustic wave device.

Claims (8)

Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenvorrichtung, umfassend die Schritte zum: – Bilden einer Metallschicht unter Benutzung einer Dampfphasenwachstumsmethode, wobei die Dampfphasenwachstumsmethode entweder Zerstäubung oder Beschichtung mittels Verdampfung ist, und wobei die Schicht eine Dicke aufweist, die gering genug ist, um keinen kontinuierlichen Film auf einer Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats bereitzustellen, auf dem Elektroden vorgesehen sind, wobei die Elektroden Al oder eine Al-Legierung umfassen, so dass mindestens die Elektroden abgedeckt sind, und – Oxidieren der Metallschicht, wodurch die Metallschicht in eine Metalloxidschicht umgewandelt wird, so dass sie einen kontinuierlichen Film auf den Elektroden und einen diskontinuierlichen Film auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats bereitstellt.Method for producing a surface acoustic wave device, comprising the steps to: - Forming a metal layer using a vapor phase growth method using the vapor phase growth method either atomization or Coating by evaporation is, and wherein the layer is a Thickness that is low enough to not continuous Film on a surface to provide a piezoelectric substrate on which electrodes are provided, wherein the electrodes comprise Al or an Al alloy, so that at least the electrodes are covered, and - Oxidize the metal layer, whereby the metal layer into a metal oxide layer is converted so that they have a continuous film on the Electrodes and a discontinuous film on the surface of the piezoelectric substrate provides. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallschicht eine Dicke von 0,1 bis 2 nm aufweist, wie mittels eines Röntgenfluoreszenz-Dickenmessgeräts gemessen.The method of claim 1, wherein the metal layer has a thickness of 0.1 to 2 nm as measured by an X-ray fluorescence thickness gauge. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Metallschicht durch thermische Behandlung in einer oxidierenden Atmosphäre oxidiert wird.A method according to claim 1 or claim 2, wherein the metal layer by thermal treatment in an oxidizing the atmosphere is oxidized. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die oxidierende Atmosphäre entweder Luft oder eine Atmosphäre mit einem höheren Partialsauerstoffdruck als Luft ist.The method of claim 3, wherein the oxidizing the atmosphere either air or an atmosphere with a higher one Partial oxygen pressure is as air. Verfahren nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei die thermische Behandlung 1 bis 10 Stunden lang bei 200 bis 270°C durchgeführt wird.A method according to claim 3 or claim 4, wherein the thermal treatment is carried out at 200 to 270 ° C for 1 to 10 hours. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Metalloxidschicht ein Oxid eines Übergangsmetalls enthält.Method according to one of the preceding claims, wherein the metal oxide layer contains a transition metal oxide. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Übergangsmetall Cr ist.The method of claim 6, wherein the transition metal Cr is. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Elektroden, die auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats vorgesehen sind, eine Al-Legierung umfassen und der Gesamtgehalt von Zusatzstoffen, die in dem Al enthalten sind, 2 Gew.-% oder weniger beträgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the electrodes on the surface of the piezoelectric substrate include an Al alloy and the total content of additives contained in the Al, 2 wt% or less is.
DE60035966T 1999-11-30 2000-03-31 METHOD OF MANUFACTURING AN ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE Expired - Fee Related DE60035966T2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34075799 1999-11-30
JP34075799 1999-11-30
PCT/JP2000/002104 WO2001041304A1 (en) 1999-11-30 2000-03-31 Surface acoustic wave device and its production_method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60035966D1 DE60035966D1 (en) 2007-09-27
DE60035966T2 true DE60035966T2 (en) 2008-03-20

Family

ID=18340027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60035966T Expired - Fee Related DE60035966T2 (en) 1999-11-30 2000-03-31 METHOD OF MANUFACTURING AN ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6580198B2 (en)
EP (1) EP1158668B1 (en)
JP (1) JP3411908B2 (en)
CN (1) CN1159843C (en)
DE (1) DE60035966T2 (en)
TW (1) TW465180B (en)
WO (1) WO2001041304A1 (en)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3766585B2 (en) * 2000-09-04 2006-04-12 アルプス電気株式会社 Manufacturing method of magnetic head device
TW513855B (en) * 2001-01-15 2002-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Saw device and method for manufacturing the device
DE10206480B4 (en) * 2001-02-16 2005-02-10 Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. Acoustic surface wave component
JP3926633B2 (en) * 2001-06-22 2007-06-06 沖電気工業株式会社 SAW device and manufacturing method thereof
JP3735550B2 (en) * 2001-09-21 2006-01-18 Ｔｄｋ株式会社 Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP3945363B2 (en) * 2001-10-12 2007-07-18 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave device
US7148610B2 (en) * 2002-02-01 2006-12-12 Oc Oerlikon Balzers Ag Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device
JP3841053B2 (en) * 2002-07-24 2006-11-01 株式会社村田製作所 Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP3646116B2 (en) * 2003-07-17 2005-05-11 Ｔｄｋ株式会社 Surface acoustic wave device, surface acoustic wave device, surface acoustic wave duplexer, and method of manufacturing surface acoustic wave device
JP4279271B2 (en) * 2005-06-01 2009-06-17 アルプス電気株式会社 Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
CN1921301B (en) * 2005-08-26 2010-09-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Surface acoustic wave element
JP3961012B1 (en) * 2006-03-22 2007-08-15 Ｔｄｋ株式会社 Surface acoustic wave device
US20100007444A1 (en) * 2006-04-20 2010-01-14 Anis Nurashikin Nordin GHz Surface Acoustic Resonators in RF-CMOS
US8143681B2 (en) * 2006-04-20 2012-03-27 The George Washington University Saw devices, processes for making them, and methods of use
EP2012428B1 (en) * 2006-04-24 2012-03-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic surface wave device
US20090124513A1 (en) * 2007-04-20 2009-05-14 Patricia Berg Multiplex Biosensor
US8018010B2 (en) * 2007-04-20 2011-09-13 The George Washington University Circular surface acoustic wave (SAW) devices, processes for making them, and methods of use
US8015872B2 (en) * 2008-09-09 2011-09-13 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave based humidity sensor apparatus with integrated signal conditioning
JP5526635B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of surface acoustic wave device
JP5526665B2 (en) * 2009-09-07 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of surface acoustic wave device
US8960004B2 (en) 2010-09-29 2015-02-24 The George Washington University Synchronous one-pole surface acoustic wave resonator
CN103138702A (en) * 2013-01-23 2013-06-05 天津理工大学 Surface acoustic wave device of multilayer film structure and preparation method thereof
KR20180016828A (en) 2016-08-08 2018-02-20 삼성전기주식회사 SAW filter device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3965444A (en) 1975-01-03 1976-06-22 Raytheon Company Temperature compensated surface acoustic wave devices
US4017890A (en) 1975-10-24 1977-04-12 International Business Machines Corporation Intermetallic compound layer in thin films for improved electromigration resistance
JPH0247866B2 (en) 1981-03-16 1990-10-23 Seiko Epson Corp HANDOTAISHUSEKIKAIRO
JPH02206215A (en) * 1989-02-06 1990-08-16 Oki Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave filter
JPH03190311A (en) 1989-12-20 1991-08-20 Hitachi Ltd Surface acoustic wave device
JPH0758876B2 (en) 1990-10-12 1995-06-21 日本無線株式会社 Surface acoustic wave device
JPH04294625A (en) * 1991-03-25 1992-10-19 Seiko Epson Corp Surface acoustic wave element
US5520751A (en) * 1993-09-24 1996-05-28 Exxon Research And Engineering Company Oxidation of low chromium steels
JPH0739118U (en) * 1993-12-20 1995-07-14 株式会社大真空 Electrode structure of piezoelectric vibrator
JPH07326942A (en) 1994-05-31 1995-12-12 Kyocera Corp Surface acoustic wave device
JPH0832399A (en) * 1994-07-19 1996-02-02 Meidensha Corp Surface acoustic wave element and piezoelectric vibrating element
KR100255906B1 (en) * 1994-10-19 2000-05-01 모리시타 요이찌 Electronic component and method for fabricating the same
US5766379A (en) * 1995-06-07 1998-06-16 The Research Foundation Of State University Of New York Passivated copper conductive layers for microelectronic applications and methods of manufacturing same
JPH0983288A (en) 1995-09-19 1997-03-28 Japan Radio Co Ltd Surface acoustic wave element
WO1997011526A1 (en) 1995-09-21 1997-03-27 Tdk Corporation Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
JPH09199974A (en) 1996-01-19 1997-07-31 Nec Corp Surface acoustic wave device
JPH09294044A (en) * 1996-04-26 1997-11-11 Rohm Co Ltd Surface acoustic wave device
JPH09312543A (en) * 1996-05-23 1997-12-02 Aisin Seiki Co Ltd Surface acoustic wave element
JPH10107569A (en) * 1996-09-27 1998-04-24 Toko Inc Manufacture of surface acoustic wave device
JPH10107572A (en) * 1996-09-30 1998-04-24 Kyocera Corp Surface acoustic wave device
EP0940914B1 (en) 1997-09-22 2003-10-15 TDK Corporation Surface acoustic wave apparatus and method of production thereof
US6365555B1 (en) * 1999-10-25 2002-04-02 Worcester Polytechnic Institute Method of preparing metal containing compounds using hydrodynamic cavitation

Also Published As

Publication number Publication date
EP1158668A1 (en) 2001-11-28
US6580198B2 (en) 2003-06-17
DE60035966D1 (en) 2007-09-27
TW465180B (en) 2001-11-21
CN1159843C (en) 2004-07-28
WO2001041304A1 (en) 2001-06-07
CN1338146A (en) 2002-02-27
JP3411908B2 (en) 2003-06-03
EP1158668A4 (en) 2005-03-02
US20020047495A1 (en) 2002-04-25
EP1158668B1 (en) 2007-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60035966T2 (en) METHOD OF MANUFACTURING AN ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE
DE3437498C2 (en) Acoustic wave resonator and method for its production
DE69629080T2 (en) Surface acoustic wave device and method for its manufacture
DE10330136B4 (en) Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) and method of making the same
DE10207330B4 (en) A method of making thin film bulk acoustic resonator (FBAR) resonators having different frequencies on the same substrate by a subtraction method and apparatus incorporating the method
DE19841681A1 (en) Electrode for a dielectric thin film component especially an ultrasonic wave oscillator
DE10302633B4 (en) SAW device with improved temperature response
DE69818972T2 (en) ACOUSTIC SURFACE WAVE ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
WO2003069775A1 (en) Electrode structure comprising an improved output compatibility and method for producing said structure
DE2653406A1 (en) PIEZOELECTRIC CERAMIC MATERIALS
DE10207328A1 (en) A method of providing different frequency settings on a thin film bulk resonator (FBAR) filter and device incorporating the method
DE10207341A1 (en) A method of producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) of different frequencies on a single substrate and device incorporating the method
DE3615785C2 (en)
DE112020001723T5 (en) HIGH ORDER ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICES
DE2607837C2 (en) Multi-layer interdigital transducer for surface acoustic waves
DE112007000373T5 (en) Limit shaft device and method for producing the same
DE3700789C2 (en) Acoustic surface wave component
DE19816138C2 (en) Dielectric ceramic composition
DE10248444A1 (en) Surface wave device and method for producing the same
DE10035423C1 (en) Semiconductor element used as a bulk acoustic wave resonator or as a filter has an auxiliary layer arranged between a lower electrode and a piezoelectric or pyroelectric layer
DE2932918A1 (en) METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC CERAMIC MATERIALS
DE102018109849A1 (en) An electroacoustic resonator and method of forming the same
DE2832714A1 (en) ZINC OXYDE PIEZOELECTRIC CRYSTALLINE FILMS
DE60206470T2 (en) SAW COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
WO2014020077A1 (en) Topographical structure and method for producing it

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee