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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Wegwerfplatte bzw. Einwegplatte
bzw. Wegwerfschneidplatte zur Verwendung in einem Schneidprozess,
und zwar gemäß dem Oberbegriff
der Ansprüche
1 bzw. 10 (siehe z.B. US-A-4,885,530 oder DD-A-209 691).
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Beschreibung
des Standes der Technik
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Es
sind Wegwerfschneidplatten bekannt, die dazu ausgelegt sind, an
einem Halter oder dergleichen angebracht zu werden, um als ein Schneidwerkzeug
zu funktionieren. Eine derartige Wegwerfschneidplatte ist eine Einwegschneidplatte,
die dann, wenn ihre Schnittkante („cutting edge") abgenutzt ist,
nicht zur erneuten Verwendung poliert, sondern ausgewechselt wird.
Die Wegwerfschneidplatte weist Schneidkanten („cutting ridges") auf, die an jeweiligen
Ecken einer generell ebenen rechteckförmigen oder dreieckförmigen Basis
vorgesehen sind. Wenn eine der Eck-Schneidkanten abgenutzt ist, wird eine
andere der Eck-Schneidkanten verwendet. Wenn sämtliche Eck-Schneidkanten abgenutzt
sind, wird die Wegwerfschneidplatte ausgetauscht.
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Es
ist jedoch nicht leicht zu prüfen,
wie weit die Schneidkanten der Wegwerfschneidplatte abgenutzt worden
sind. Im Hinblick auf die Betriebsumgebung ist es insbesondere schwierig,
den Abriebgrad einer aktuell zum Schneiden verwendeten Schneidkante
zu erfassen, ohne den Schneidprozess zu unterbrechen.
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Herkömmliche
Verfahren zum Erfassen des Abriebgrades der Schneidkante sind folgende:
- (1) Der Schneidprozess wird unterbrochen, und
die Wegwerfschneidplatte wird von dem Halter entfernt, um die Schneidkante
mittels eines Werkzeugmikroskopes oder dergleichen zu untersuchen.
- (2) Der Abriebgrad der Schneidplatte wird abgeschätzt, und
zwar indem ein Phänomen
erfasst wird, das dem Abrieb der Schneidkante folgt bzw. auf diesen
schließen
lässt.
Beispielsweise werden eine Verringerung der Schneidfähigkeit,
eine Zunahme an Vibrationen, das Auftreten eines Geräusches oder
dergleichen mittels eines Sensors erfasst, der benachbart zu einer
Arbeitsposition an einer Werkzeugmaschine angeordnet ist, und die
Abschätzung
des Abriebgrades basiert auf einem Erfassungssignal von dem Sensor.
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Bei
dem Verfahren (1) wird der Schneidprozess jedoch unterbrochen, und
der Abriebgrad der Schneidkante kann nicht quantitativ bestimmt
werden, so dass die Abrieberfassung nicht genau durchgeführt werden kann.
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Das
Verfahren (2) erfordert einen komplizierten Detektor und ist weniger
verlässlich
bei schlechter Empfindlichkeit für
die Erfassung des Abriebgrades.
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Ein
Ansatz zur Lösung
dieser Probleme ist in der japanischen nicht geprüften Gebrauchsmusterveröffentlichung
mit der Nr. 3-120323 (1991) beschrieben. Diese Veröffentlichung
offenbart eine Wegwerfschneidplatte mit einer Sensorleitung aus
einem leitfähigen
Film, der entlang einer Schneidkante vorgesehen ist, und zwar an
einer Flanke hiervon. Es ist auch offenbart, dass die Sensorleitung
eine Breite aufweist, die mit einer zulässigen Abriebbreite übereinstimmt.
Gemäß der Wegwerfschneidplatte,
die in diesem Dokument offenbart ist, wird die Sensorleitung abgenutzt,
wenn die Schneidkante abgenutzt wird, so dass der Ablauf der Lebensdauer
der Schneidkante erfasst werden kann, wenn die Sensorleitung durchschnitten
wird.
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Das
Dokument US-A-4,885,530 schlägt
Kondensatoren zum Signalübergang
vor, wobei jedes Paar von Kondensatorplatten weitere Kondensatoren,
die gleichzeitig zum Betrieb notwendig sind, an separaten Stirnseiten
der Schneidplatte und der komplementären Tasche des Werkzeughalters
aufweist.
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Das
Dokument
DD 209 691 A stellt
eine Ausführungsform
dar, bei der ein Kontaktbereich eines jeden Paares von Kontaktbereichen
jeder individuellen Sensorleitung zwischen der Schnittkante der
Schneidplatte und dem Werkstück
vorgesehen ist, das entlang dieser Kante zur Bearbeitung verfährt, wobei
beide Kontaktregionen an einigen umfänglichen Flanken der Schneidplatte
angeordnet sind.
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Ferner
schlägt
die japanische nicht geprüfte
Patentveröffentlichung
mit der Nr. 9-38846 (1997) ein herkömmliches Schneidwerkzeug (keine
Wegwerfschneidplatte) vor, das eine Dünnfilmschaltung an einer Flanke hiervon
aufweist, wobei der Ablauf der Lebensdauer des Schneidwerkzeuges
automatisch erfasst wird, indem eine Veränderung eines elektrischen
Widerstandswertes automatisch erfasst wird, die aufgrund des Abriebs der
Dünnfilmschaltung
auftritt, wenn die Flanke sich abnützt.
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Das
Bereitstellen der Sensorleitung des leitfähigen Filmes entlang der Schneidkante
an der Flanke zur Erfassung der Änderung
des Leitungswiderstandes ist für
die Erfassung des Abriebs der Schneidkante bevorzugt.
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Wenn
dieser Ansatz jedoch auf eine Wegwerfschneidplatte angewendet wird,
ist es in der Praxis schwierig, die entlang der Schneidkante vorgesehene
Sensorleitung mit einer externen Erfassungsschaltung und dergleichen
zu verbinden.
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Genauer
gesagt ist die Wegwerfschneidplatte eine oben beschriebene Einwegschneidplatte,
und ist sehr klein, und zwar mit einer Größe von weniger als 1 cm3. Während
des Schneidprozesses ist die Schneidplatte im Betrieb einem Schneidfluid
(Wasser oder Öl)
und Spänen
ausgesetzt. Es ist jedoch keine problemlose Technik etabliert, die
dazu dient, die an der kleinen Wegwerfschneidplatte ausgebildete
Sensorleitung mit der externen Erfassungsschaltung und dergleichen
zu verbinden, und zwar trotz der Maschinen- bzw. Bearbeitungsumgebung.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung hat sich zum Ziel gesetzt, eine Wegwerfplatte
bzw. Wegwerfschneidplatte bzw. Wegwerfspitze mit einem Abriebsensor
bereitzustellen, der sich praktisch implementieren lässt, um
die zuvor genannten Probleme zu lösen.
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Es
ist eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Wegwerfschneidplatte
mit einem Abriebsensor bereitzustellen, die dann, wenn sie an einem
Halter oder dergleichen angebracht ist, eine elektrische Verbindung
zwischen einer Sensorleitung, die daran vorgesehen ist, und einer
externen Schaltung gewährleistet,
und zwar ohne jedes Problem bei einem Schneidprozess.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Wegwerfschneidplatte
anzugeben, die einen Schutz eines Verbindungsabschnittes zwischen
einer daran vorgesehenen Sensorleitung und einer externen Schaltung
ermöglicht.
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Die
obigen Aufgaben werden durch die Wegwerfschneidplatten der Ansprüche 1 und
10 gelöst.
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Bei
dieser Anordnung reduziert das Vorsehen der Rückführleitung, die sich parallel
zu der Sensorleitung erstreckt, die Fläche einer Region, die umgeben
ist von einem elektrischen Leitungspfad, der das Paar von Kontaktregionen,
das Paar von Verbindungsleitungen und die Sensorleitung beinhaltet.
Selbst wenn die Basis eine kleine Oberfläche besitzt, insbesondere mit
einer kleinen Seitenfläche
oder einer kleinen Flanke, kann daher der elektrische Leitungspfad
geeignet vorgesehen werden.
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Insbesondere,
wenn die Wegwerfschneidplatte eine Vielzahl von zum Schneiden dienenden
Eckabschnitten und Sensorleitungen aufweist, die für die jeweiligen
Eckabschnitte vorgesehen sind, können
Verbindungsleitungen zur Verbindung mit den Sensorleitungen auf
kleinem Raum angeordnet werden. Die Verbindungsleitungen können jeweils
eine größere Breite
besitzen als die Sensorleitung.
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Die
Verbindungsleitungen, die eine größere Breite als die Sensorleitung
besitzen, haben einen geringeren elektrischen Widerstand als die
Sensorleitung. Bei einer Erfassung einer Veränderung des Widerstandes der
Sensorleitung ist der Widerstand der Verbindungsleitung relativ
niedrig und beeinflusst daher die Veränderung des Widerstandes der
Sensorleitung kaum. Im Ergebnis kann die Veränderung des Widerstandes der
Sensorleitung genau erfasst werden.
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Es
ist bevorzugt, wenn die Basis eine Vielzahl von Seitenflächen aufweist,
die jeweils Flanken definieren, wobei ein schneidender Eckabschnitt
bzw. Schneideneckenabschnitt durch einen Schnitt zwischen der Spanfläche und
jeder des benachbarten Paares von Flanken definiert ist. Vorzugsweise
erstreckt sich die Sensorleitung entlang der Schneidkante, und zwar
um den Eckenabschnitt herum, und die Rückführleitung erstreckt sich parallel
zu der Sensorleitung, und zwar um den Eckenabschnitt herum.
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Die
Rückführleitung
verläuft
um den Eckenabschnitt herum bzw. umgibt den Eckenabschnitt, und
zwar in einer Beziehung parallel zu der Sensorleitung, die ebenfalls
um den Eckenabschnitt herum verläuft.
Demzufolge können
ein Ende der Sensorleitung und ein Ende der Rückführleitung, die sich von dem
anderen Ende der Sensorleitung in Richtung hin zu dem einen Ende
der Sensorleitung erstreckt, an einer Flanke des benachbarten Paares
von Flanken angeordnet sein. Demzufolge kann das Paar von Verbindungsleitungen,
die jeweils mit der Sensorleitung und der Rückführleitung verbunden sind, in
einer beabstandeten und parallelen Beziehung an der gleichen Flanke
vorgesehen sein. Ferner erfordert das Bereitstellen der Verbindungsleitungen
wenig Platz, so dass Verbindungsleitungen für die Vielzahl von Sensorleitungen
an der einzelnen Flanke vorgesehen werden können.
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Das
Paar von Verbindungsleitungen mit der Ausnahme der Rückführleitung
erstreckt sich vorzugsweise parallel zueinander, und zwar unter
einem vorbestimmten Neigungswinkel in Bezug auf die Sensorleitung an
der Flanke.
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Wenn
die Verbindungsleitungen parallel zueinander unter dem vorbestimmten
Neigungswinkel in Bezug auf die Sensorleitung vorgesehen sind, können die
Verbindungsleitungen für
die Vielzahl von Sensorleitungen auf einfache Weise an der Flanke
vorgesehen werden.
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Die
Wegwerfschneidplatte kann eine Vielzahl von Schneideneckenabschnitten,
eine Vielzahl von Sensorleitungen für die jeweiligen Schneideneckenabschnitte,
eine Vielzahl von Paaren von Verbindungsleitungen, die mit den jeweiligen
Sensorleitungen verbunden sind, und eine Vielzahl von Paaren von
Kontaktregionen aufweisen, wobei elektrische Leitungspfade einschließlich der
Sensorleitungen, des Paares von Verbindungsleitungen und des Paares
von Kontaktregionen mit dem gleichen Muster angeordnet sind.
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Durch
Anordnen der jeweiligen elektrischen Leitungspfade einschließlich der
Sensorleitungen, der Paare von Verbindungsleitungen und der Paare
von Kontakt regionen mit dem gleichen Muster kann der Prozess der
Musterbildung leicht durchgeführt
werden, wodurch sich die Produktionskosten in vorteilhafter Weise verringern.
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Gemäß der Erfindung
wird eine Wegwerfschneidplatte mit einem Abriebsensor bereitgestellt,
die aufweist: eine generell ebene Basis mit einer Spanfläche, die
durch eine von gegenüberliegenden
Oberflächen der
Basis definiert ist, einer Sitzfläche, die durch die andere Oberfläche hiervon
gegenüberliegend
der Spanfläche
definiert ist, und einer Flanke, die durch eine Seitenfläche hiervon
definiert ist, die die Spanfläche
und die Sitzfläche
schneidet; und eine Schneidkante, die durch einen Schnitt zwischen
der Spanfläche
und der Flanke definiert ist, wobei die Wegwerfschneidplatte aufweist:
eine Sensorleitung aus einem leitfähigen Film, die entlang der
Schneidkante an der Flanke vorgesehen ist, und zwar in einer elektrisch
isolierenden Beziehung in Bezug auf die Basis; ein Paar von Kontaktregionen,
die an der Sitzfläche
vorgesehen sind, und zwar in einer elektrisch isolierenden Beziehung
in Bezug auf die Basis, wobei die Kontaktregionen mit einer vorbestimmten
Schaltung elektrisch verbindbar sind; und ein Paar von Verbindungsleitungen,
die an der Basis vorgesehen sind, und zwar in einer elektrisch isolierenden
Beziehung in Bezug auf die Basis, wobei die Verbindungsleitungen
jeweils das Paar von Kontaktregionen mit gegenüberliegenden Enden der Sensorleitung
verbinden.
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Die
Sensorleitung, die an der Wegwerfschneidplatte vorgesehen ist, ist
dazu ausgelegt, mit Fühlern bzw.
Tastkontakten verbunden zu werden, die an einem Plattensitz eines
Halters vorgesehen sind, und zwar dann, wenn die Wegwerfschneidplatte
an dem Halter angebracht ist. Die Fühler erstrecken sich durch
das Innere des Halters und sind mit einer externen Erfassungsschaltung
und einer Beurteilungsschaltung verbunden.
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Der
Plattensitz des Halters ist dazu ausgelegt, die Sitzfläche der
Wegwerfschneidplatte aufzunehmen, die in Anlage oder engem Kontakt
hiermit gebracht wird. Die Sitzfläche der Wegwerfschneidplatte,
die gegen den Plattensitz anliegt, liegt gegenüber der Außenseite nicht frei, wodurch
sie weder einem Schneidfluid (Wasser oder Öl) noch Metallstücken direkt
ausgesetzt wird. Da die Kontaktregionen, die mit der externen Schaltung elektrisch
verbindbar sind, an der Sitzfläche
der Wegwerfschneidplatte vorgesehen sind, lässt sich der Kontakt zwischen
den Kontaktregionen und distalen Enden der Fühler, die an dem Plattensitz
vorgesehen sind, gegenüber
dem Schneidfluid und den Metallstücken schützen.
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Da
die Fühler,
die mit den jeweiligen Kontaktregionen der Wegwerfschneidplatte
elektrisch zu verbinden sind, an dem Plattensitz vorgesehen sind,
können
die Fühler
innerhalb des Halters angeordnet werden. Demzufolge liegen die an
dem Halter vorgesehenen elektrischen Verbindungsabschnitte nicht
gegenüber
dem Halter frei, so dass sie weder von dem Schneidfluid noch von
den Metallstücken
beeinflusst werden.
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Folglich
lässt sich
eine Struktur zum geeigneten Verbinden der Sensorleitung der Wegwerfschneidplatte
mit der externen Schaltung realisieren. Im Ergebnis kann der Ablauf
bzw. das Ende der Lebensdauer der Wegwerfschneidplatte unter Verwendung
der Sensorleitung genau erfasst werden.
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Eine
Seitenkante der Sensorleitung, die von der Schneidkante entfernt
liegt, erstreckt sich vorzugsweise parallel zu der Schneidkante
und ist gegenüber
der Schneidkante um eine Distanz beabstandet, die im Bezug auf einen
Abrieb der Flanke vorbestimmt ist.
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Bei
dieser Anordnung besteht eine Wechselwirkung zwischen dem Abrieb
der Schneidkante und dem Trennen bzw. Beenden der Leitfähigkeit
der Sensorleitung, so dass ein vorbestimmter Abriebzustand der Schneidkante
erfasst werden kann, wenn die Leitfähigkeit der Sensorleitung beendet
bzw. diese durchtrennt wird.
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Die
vorbestimmte Distanz stimmt vorzugsweise mit der Lebensdauer der
Schneidkante überein,
die durch Abrieb der Flanke abläuft.
Der Ablauf der Lebens dauer der Schneidkante kann erfasst werden,
wenn die Leitfähigkeit
der Sensorleitung beendet bzw. die Sensorleitung durchtrennt wird.
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Die
Basis weist ein isolierendes Material auf, wobei ihre Oberfläche dazu
vollständig
mit einem leitfähigen
Film bedeckt ist, wobei die Sensorleitung, die Verbindungsleitungen
und die Kontaktregionen gebildet sind, indem der leitfähige Film
an der Oberfläche
elektrisch unterbrochen wird. Alternativ hierzu weist die Basis ein
leitfähiges
Material auf, wobei ihre Oberfläche
nahezu vollständig
mit einem nichtleitfähigen
Film bedeckt ist, auf dem wiederum ein leitfähiger Film vorgesehen ist,
und die Sensorleitung, die Verbindungsleitungen und die Kontaktregionen
sind gebildet, indem der leitfähige
Film an der Oberfläche
elektrisch aufgetrennt wird.
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Die
elektrische Isolierung der Sensorleitung, der Kontaktregionen und
der Verbindungsleitungen lässt sich
durch das erstgenannte Verfahren realisieren, wobei die Basis aus
einem isolierenden Material besteht. Wenn die Basis aus einem leitfähigen Material
besteht, lässt
sich die elektrische Isolierung durch das letztgenannte Verfahren
realisieren, wobei die Oberfläche
der Basis mit dem nichtleitfähigen
Film abgedeckt wird, auf dem der leitfähige Film gebildet wird.
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Die
elektrische Trennung der Sensorleitung, der Verbindungsleitungen
und der Kontaktregionen gegenüber
dem leitfähigen
Film an der Oberfläche
der Basis kann durch Laserbearbeitung erzielt werden. Die Laserbearbeitung
gewährleistet
ein hohes Maß an
Bearbeitungsgenauigkeit und ein hohes Maß an Flexibilität hinsichtlich Änderungen
des Schaltungsdesigns.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Wegwerfschneidplatte mit
einem Abriebsensor bereitgestellt, die aufweist: eine generell ebene
Basis mit einer Spanfläche,
die durch eine Fläche
von gegenüberliegenden
Flächen
der Basis definiert ist, eine Sitzfläche, die durch die andere Oberfläche hiervon
gegenüberliegend
der Spanfläche
definiert ist, und eine Vielzahl von Flanken, die durch eine Vielzahl
von Seitenflächen
hiervon definiert sind, die die Spanfläche und die Sitz fläche schneiden;
eine Vielzahl von Schneidkanten, die durch jeweilige Schnitte zwischen
der Spanfläche
und den Flanken definiert sind; und N Schneideneckenabschnitten
(N: eine natürlich
Zahl nicht kleiner als zwei), die jeweils durch einen Schnitt zwischen
der Spanfläche
und einem benachbarten Paar von Flanken definiert sind, wobei die
Wegwerfschneidplatte aufweist: Sensorleitungen aus einem leitfähigen Film,
die jeweils entlang der Schneidkanten an den N Eckenabschnitten vorgesehen
sind, und zwar in einer elektrisch isolierenden Beziehung im Bezug
auf die Basis, wobei die Sensorleitungen um die Eckenabschnitte
herum verlaufen bzw. diese umgeben; N Paaren von Kontaktregionen, die
an der Sitzfläche
vorgesehen sind, und zwar in einer elektrisch isolierenden Beziehung
in Bezug auf die Basis, wobei die Kontaktregionen mit einer vorbestimmten
Schaltung elektrisch verbindbar sind; und N Paaren von Verbindungsleitungen,
die an der Basis vorgesehen sind, und zwar in einer elektrisch isolierenden
Beziehung in Bezug auf die Basis, wobei die N Paare von Verbindungsleitungen
jeweils die N Paare von Kontaktregionen mit gegenüberliegenden
Enden der Sensorleitungen an den N Eckenabschnitten verbinden.
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Die
Wegwerfschneidplatte weist N Schneideneckenabschnitte an wenigstens
einer Seite hiervon auf. Die Sensorleitungen zum Erfassen von Abrieb
der Schneidkanten sind jeweils an den N Eckenabschnitten vorgesehen.
Die N Paare von Kontaktregionen sind an der Sitzfläche vorgesehen,
und zwar für
die jeweiligen Sensorleitungen. Wenn irgendeiner der Eckenabschnitte
zum Schneiden verwendet wird, kann ein Paar von Kontaktregionen
für eine
Sensorleitung an dem aktuell verwendeten Eckenabschnitt elektrisch
mit Fühlern oder
dergleichen verbunden werden, die in einem Halter oder dergleichen
vorgesehen sind.
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Welcher
Eckenabschnitt auch immer verwendet wird, der Abrieb der Schneidkante
an dem aktuell verwendeten Eckenabschnitt kann genau erfasst werden.
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Die
Wegwerfschneidplatte kann eine doppelseitige Schneidplatte sein,
derart, dass dann, wenn eine der gegenüberliegenden Oberflächen der
Basis als die Spanfläche
dient, die andere Oberfläche
als die Sitzfläche
dient, und wobei dann, wenn die andere Oberfläche als die Spanfläche dient,
die eine Oberfläche
als die Sitzfläche dient.
Die N Eckenabschnitte sind an jeder der gegenüberliegenden Seiten der Basis
vorgesehen, und die N Paare von Kontaktregionen sind an jeder der
gegenüberliegenden
Oberflächen
vorgesehen.
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In
diesem Fall kann jede Seite der Wegwerfschneidplatte verwendet werden,
so dass die Anzahl der Schneideneckenabschnitte erhöht werden
kann. Welcher Eckenabschnitt auch immer verwendet wird, der Abrieb
der entsprechenden Schneidkante kann geeignet erfasst werden.
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Es
ist bevorzugt, wenn eine der Kontaktregionen von jedem der N Paare
elektrisch isoliert ist, wohingegen die anderen Kontaktregionen
der N jeweiligen Paare elektrisch miteinander verbunden sind.
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Die
eine Kontaktregion in jedem der N Paare ist eine Region, an die
aus einer Erfassungsschaltung oder dergleichen eine vorbestimmte
Spannung angelegt wird, wohingegen die andere Kontaktregion eine
Region ist, die mit einem Massepotential verbunden ist. Demzufolge
dienen die anderen Kontaktregionen der N jeweiligen Paare als gemeinsame
Erde- bzw. Masseregionen, die elektrisch miteinander verbunden sind.
Eine derartige Konfiguration der Kontaktregionen ist vorteilhaft
dahingehend, dass die Kontaktregionen mit einem vereinfachten Muster
angeordnet und durch einen einfacheren Arbeitsprozess gebildet werden
können.
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Die
N Paare von Kontaktregionen an der einen Oberfläche der Wegwerfschneidplatte
und die N Paare von Kontaktregionen an der anderen Oberfläche sind
vorzugsweise in der gleichen Konfiguration angeordnet.
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Es
ist bevorzugt, wenn die Verbindungsleitungen sich über die
Flanken und die Sitzfläche
erstrecken, und wenn Abschnitte der Verbindungsleitungen an den
Flanken unter einem vorbestimmten Neigungswinkel in Bezug auf die
Sensorleitungen geneigt bzw. abgewinkelt sind.
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Da
die N Paare von Kontaktregionen an der einen Oberfläche und
die N Paare von Kontaktregionen an der anderen Oberfläche in der
gleichen Konfiguration angeordnet sind, können unabhängig davon, welche Oberfläche als
die Spanfläche
dient, die Kontaktregionen an einer Oberfläche der Basis, die als die
Sitzfläche dient,
geeignet in Kontakt mit den Fühlern
der Erfassungsschaltung gebracht werden.
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Wenn
die Wegwerfschneidplatte für
die doppelseitige Verwendung ausgelegt ist, sind die N Paare von Kontaktregionen
an jeder der gegenüberliegenden
Oberflächen
hiervon vorgesehen. Die Verbindungsleitungen zur Verbindung zwischen
den Sensorleitungen und den Kontaktregionen sollten an den jeweiligen
Flanken vorgesehen sein, da die Flanken jeweils eine begrenzte Fläche besitzen.
Wenn daher die Verbindungsleitungen für die Verbindung mit den Kontaktregionen
an der einen Oberfläche
und die Verbindungsleitungen für
die Verbindung mit den Kontaktregionen an der anderen Oberfläche an den
Flanken vorzusehen sind, ist es im Hinblick auf die Anordnung der
Verbindungsleitungen bevorzugt, wenn die Verbindungsleitungen in
Bezug auf die Sensorleitungen geneigt bzw. abgewinkelt sind. Demzufolge
können
die Sensorleitungen und die Verbindungsleitungen an den Flanken
kompakt angeordnet werden.
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Die
Verbindungsleitungen sind vorzugsweise symmetrisch um die Mitte
von jeder der Flanken herum angeordnet. Die symmetrische Lagebeziehung
der Verbindungsleitungen um die Mitte der Flanke herum gewährleistet
eine noch kompaktere Leitungsanordnung.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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1A ist
eine perspektivische Ansicht einer Wegwerfschneidplatte gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung, und zwar betrachtet von einer oberen vorderen Seite hiervon,
und 1B ist eine perspektivische Ansicht der Wegwerfschneidplatte,
und zwar betrachtet von der unteren vorderen Seite hiervon;
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2 ist
eine Draufsicht einer Modifikation der Anordnung von vier Paaren
von Kontaktregionen, die an einer Sitzfläche der Wegwerfschneidplatte
vorgesehen sind;
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3 ist
eine perspektivische Ansicht einer Sensorleitung gemäß einer
weiteren Ausführungsform;
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4 ist
eine perspektivische Ansicht einer Sensorleitung gemäß einer
weiteren Ausführungsform;
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5 ist
eine schematische perspektivische Ansicht der Wegwerfschneidplatte
der einen Ausführungsform,
kurz davor, an einem Halter angebracht zu werden;
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6A bis 6E sind
Draufsichten und Vorderansichten verschiedener Konfigurationen von
Wegwerfschneidplatten, auf die die vorliegende Erfindung anwendbar
ist;
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7 ist
ein Diagramm, das die Ergebnisse eines Tests zeigt, der im Beispiel
1 durchgeführt
wurde;
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8 ist
ein Diagramm, das die Ergebnisse eines Tests zeigt, der im Beispiel
2 durchgeführt
wurde; und
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9 ist
ein Diagramm, das die Ergebnisse eines Tests zeigt, der im Beispiel
3 durchgeführt
wurde.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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1A ist
eine perspektivische Ansicht einer Wegwerfschneidplatte 1 gemäß einer
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung, und zwar betrachtet von einer oberen vorderen
Seite hiervon, und 1B ist eine perspektivische
Ansicht der Wegwerfschneidplatte 1, und zwar betrachtet
von der unteren vorderen Seite hiervon. Die Wegwerfschneidplatte 1 weist
eine generell ebene (rechteckig säulenförmige) Basis 2 auf.
Zum Zwecke einer einfacheren Erläuterung
wird eine von gegenüberliegenden
Oberflächen
der Basis 2 „obere
Oberfläche" und die andere Oberfläche „untere
Oberfläche" genannt, obgleich
die Basis 2 sich hinsichtlich der oberen und der unteren
Seite nicht unterscheidet.
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Die
obere Fläche
der Basis 2 definiert eine Spanfläche 5, und die untere
Oberfläche
der Basis 2 definiert eine Sitzfläche 6. Vier seitliche
Oberflächen
bzw. Seitenflächen
der Basis 2 definieren jeweils Flanken 8. Schneidkanten 9 sind
durch Schnitte zwischen der Spanfläche 5 und den jeweiligen
Flanken 8 definiert. Ferner ist ein Schneideneckenabschnitt 10 durch
einen Schnitt zwischen der Spanfläche 5 und jeder von
zwei benachbarten Flanken 8 definiert.
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In
der Mitte der Basis 2 ist ein Klemmloch 11 ausgebildet,
das sich von der oberen Oberfläche
zu der unteren Oberfläche
erstreckt. Die Wegwerfschneidplatte 1 wird in einer Schneidplattentasche
eines vorbestimmten Halters positioniert und an dem Halter angebracht,
indem das Klemmloch 11 in Gewindeeingriff mit einer Klemmschraube
gebracht wird. Mit der so angebrachten Wegwerfschneidplatte wird
beispielsweise ein oberer vorderer Eckenabschnitt 10 in 1A zum
Schneiden verwendet. Durch Lösen
der Klemmschraube und durch Drehen der Wegwerfschneidplatte 1 um
90 Grad um das Klemmloch 11 herum kann ein anderer Eckenabschnitt 10 zum
Schneiden verwendet werden. Indem somit die Wegwerfschneidplatte 1 jedes
Mal um 90 Grad gedreht wird, lassen sich aufeinander folgend die
vier Eckenabschnitte 10 an der oberen Seite zum Schneiden
verwenden.
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Ferner
können
durch Anbringen der Wegwerfschneidplatte 1 an dem Halter
in vertikal umgedrehter bzw. gewendeter Lage vier Eckenabschnitte
an der unteren Seite, wie sie in den 1A und 1B gezeigt ist,
aufeinander folgend bzw. nacheinander zum Schneiden verwendet werden.
Wenn irgendeiner der Eckenabschnitte an der unteren Seite verwendet
wird, dient die obere Oberfläche
als die Sitzfläche
und die untere Oberfläche
dient als die Spanfläche.
Demzufolge lassen sich acht Eckenab schnitte 10 der rechteckigen
säulenförmigen Basis 2 der
Wegwerfschneidplatte 1 jeweils zum Schneiden verwenden.
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Eine
Sensorleitung 12 aus einem leitfähigen Film ist an jedem der
acht Eckenabschnitte 10 vorgesehen, und zwar sich entlang
der Schneidkante 9 erstreckend.
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Die
Sensorleitungen 12 sind an den Flanken 8 vorgesehen.
Genauer gesagt ist eine Sensorleitung 12 an jedem benachbarten
Paar von Flanken 8 vorgesehen, die jeweils einen Eckenabschnitt 10 definieren,
und zwar so, dass sie sich entlang der Schneidkante 9 erstrecken,
wobei sie um den Eckenabschnitt 10 herumlaufen bzw. diesen
umgeben. Die Sensorleitung 12 ist eine Leitung aus leitfähigem Film
mit einer Breite W, wobei sich die Sensorleitung 12 entlang
der Schneidkante 9 so erstreckt, dass eine obere Kante
hiervon die Schneidkante 9 berührt bzw. kontaktiert. Die Sensorleitung 12 ist
gegenüber
der Basis 2 elektrisch isoliert.
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Die
Breite W der Sensorleitung 12 entspricht einer Referenzlebensdauer
bzw. vorgegebenen Lebensdauer der Eckenabschnitte 10 (einer
zulässigen
Abriebgrenze der Flanken 8). Die zulässige Abriebgrenze für die Referenzlebensdauer
der Eckenabschnitte 10 der Wegwerfschneidplatte 1 dieses
Typs liegt im Bereich von 0,05 bis 0,7 mm, so dass die Breite W
der Sensorleitung 12 auf einen Wert innerhalb dieses Bereiches
eingestellt wird.
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Wenn
die zulässige
Abriebgrenze der Flanken 8 der Wegwerfschneidplatte 1 also
0,2 mm bei Ablauf der Lebensdauer hiervon beträgt, besitzt die Sensorleitung 12 eine
Breite W von 0,2 mm. Wenn ein Schneidvorgang unter Verwendung des
Eckenabschnittes 10 im Gange ist, werden die Schneidkante 9 und
die Flanken 8 mit zunehmender Bearbeitungsdauer abgenutzt.
Der Abrieb bzw. die Abnutzung der Flanken 8 verursacht,
dass die Sensorleitung 12 entsprechend abgenutzt bzw. abgerieben
wird. Wenn die Abriebbreite der Flanken 8 die zulässige Abriebgrenze
für die
Referenzlebensdauer überschreitet,
wird die Sensorleitung 12, die die Breite W entsprechend
der Referenzlebensdauer besitzt, durch den Abrieb durchtrennt. Da
der Widerstand der Sensorleitung 12 an jedem gegenüberliegenden
Ende mittels einer externen Schaltung gemessen wird, wie nachstehend
beschrieben werden wird, kann der Ablauf der Lebensdauer der Schneidkante 9 des Eckenabschnittes 10 erfasst
werden, wenn der Widerstand der Sensorleitung 12 unendlich
groß wird.
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Wie
es in 1B gezeigt ist, sind an der
Sitzfläche 6 Paare
von Kontaktregionen 13, 14 vorgesehen. Die Paare
von Kontaktregionen 13, 14 bestehen aus einem
leitfähigen
Film und sind gegenüber
der Basis 2 isoliert. Die Kontaktregionen 13, 14 sind
mit einer externen Widerstandserfassungsschaltung elektrisch verbindbar,
die beispielsweise außerhalb
des Halters vorgesehen ist. Wie nachstehend beschrieben werden wird, sind
die Kontaktregionen 13, 14 jedes Paares elektrisch
mit Fühlern
der Erfassungsschaltung verbindbar, die an einem Plattensitz des
Halters vorgesehen sind, und zwar dann, wenn die Wegwerfschneidplatte 1 an
dem Halter angebracht ist. Die Kontaktregionen 13, 14 weisen
vorzugsweise so große
Flächen
wie möglich
auf, um sich leicht mit den Fühlern
der Erfassungsschaltung verbinden zu lassen.
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Paare
von Verbindungsleitungen 15, 16 aus einem leitfähigen Film
sind in einer elektrisch isolierenden Beziehung in Bezug auf die
Basis 2 vorgesehen, und zwar so, dass sie sich von den
Flanken 8 zu der Sitzfläche 6 der
Basis 2 erstrecken. Die Verbindungsleitung 15 in
jedem Paar verbindet elektrisch ein Ende 121 der Sensorleitung 12 mit
einer 13 der Kontaktregionen, wohingegen die Verbindungsleitung 16 jedes
Paars das andere Ende 122 der Sensorleitung 12 elektrisch
mit der anderen Kontaktregion 14 verbindet. Die Verbindungsleitungen 15, 16 besitzen
jeweils eine Breite, die hinreichend größer ist als die Breite W der
Sensorleitung 12, wodurch sie einen elektrischen Widerstand
aufweisen, der hinreichend niedriger ist als der elektrische Widerstand
der Sensorleitung 12. Daher beeinflussen die Verbindungsleitungen 15, 16 die
Erfassung einer Änderung
des elektrischen Widerstandes der Sensorleitung nicht. Die Verbindungsleitung 16,
die mit dem anderen Ende 122 der Sensorleitung 12 verbunden
ist, weist eine Rückführleitung 17 als
einen Teil hiervon auf. Die Rückführleitung 17 ist
mit dem anderen Ende 122 der Sensorleitung 12 an
einem Rückführabschnitt 18 hiervon verbunden.
Die Rückführleitung 17 ist
um eine vorbestimmte Distanz D von der Sensorleitung 12 beabstandet, und
zwar in einer Anord nung parallel zu der Sensorleitung 12.
Das Bereitstellen der Rückführleitung 17 als
einen Teil der Verbindungsleitung 16 ermöglicht es,
die Verbindungsleitungen 15, 16 parallel und in
einer Beziehung beabstandet voneinander an den Flanken 8 anzuordnen,
so dass die Verbindungsleitungen 15, 16 vorteilhaft
auf eine Art und Weise angeordnet werden können, die die Fläche hocheffizient
nutzt.
-
Die
Distanz D zwischen der Sensorleitung 12 und der Rückführleitung 17 ist
nicht kleiner als 0,05 mm, und ist vorzugsweise innerhalb eines
zulässigen
Bereiches so groß wie
möglich.
Bei dem Schneidprozess unter Verwendung des Eckenabschnittes 10 wird
ein Werkstück
mittels der Schneidkante 9 des Eckenabschnittes 10 geschnitten.
Metallstücke
bzw. Späne
des Werkstückes
werden in einer Richtung weg von der Spanfläche 5 in Richtung
hin zu der Flanke 8 erzeugt, wobei die Metallstücke beispielsweise
gekräuselt
werden. Wenn die entfernten Metallstücke zwischen der Sensorleitung 12 und
der Rückführleitung 17 anhaften,
können
diese Leitungen elektrisch kurzgeschlossen werden.
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Daher
wird die Distanz D zwischen der Sensorleitung 12 und der
Rückführleitung 17 so
groß wie
möglich
eingestellt, um elektrische Kurzschlüsse zwischen den Leitungen 15 und 16 aufgrund
des Anhaftens von Metallstücken
bzw. -spänen
zu verhindern.
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Das
Paar von Verbindungsleitungen 15, 16, die an den
Flanken 8 ausgebildet sind, ist unter einem vorbestimmten
Neigungswinkel in Bezug auf die Sensorleitung 12 (oder
die Schneidkante 9) geneigt bzw. abgewinkelt, statt sich
senkrecht zu der Sensorleitung zu erstrecken. Der Grund hierfür liegt
darin, dass die Kontaktregionen 13, 14, die an
der Sitzfläche 6 an
der unteren Oberfläche
vorgesehen sind, und die Kontaktregionen 13, 14,
die an der oberen Oberfläche
vorgesehen sind, vorzugsweise in dem gleichen Muster angeordnet werden.
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Genauer
gesagt werden die vier Eckenabschnitte 10 an der oberen
Seite, wie es in 1A zu sehen ist, um 90 Grad
gedreht, um aufeinander folgend zum Schneiden verwendet zu werden.
Das 90-Grad-Drehen der Wegwerfschneidplatte 1 dreht die
vier Paare von Kontaktregionen 13, 14 in 1B jeweils
um 90 Grad. Dabei werden die Kontaktregionen 13, 14,
die mit der Sensorleitung 12 des Eckenabschnittes 10 verbunden sind,
der zum Schneiden zu verwenden ist, mit den Fühlern der externen Schaltung
verbunden. Demzufolge sind die vier Paare der Kontaktregionen 13, 14 symmetrisch
um die Mitte der Sitzfläche 6 herum
angeordnet, und zwar jeweils um 90 Grad winkelmäßig gegeneinander versetzt.
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Da
die Wegwerfschneidplatte 1 auch umgekehrt bzw. gewendet
verwendet werden kann, sind die vier Paare von Kontaktregionen 13, 14,
die an der oberen Oberfläche
vorgesehen sind, wie sie in 1A zu
sehen ist, symmetrisch um die Mitte der oberen Oberfläche herum
angeordnet, und zwar winkelmäßig um 90
Grad gegeneinander versetzt. Um die Kontaktregionen 13, 14 an
der oberen Oberfläche
und die Kontaktregionen 13, 14 an der unteren
Seite mit dem gleichen Muster anordnen zu können, ist es notwendig, die
Verbindungsleitungen 15, 16 an den Flanken 8 schräg anzuordnen.
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Wenn
die Wegwerfschneidplatte eine sogenannte positive Schneidplatte
ist, bei der nur die Eckenabschnitte an einer Seite (z.B. der oberen
Seite) der Basis zum Schneiden verwendet werden, besteht keine Notwendigkeit,
die Verbindungsleitungen 15, 16 an den Flanken 8 schräg anzuordnen.
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2 ist
eine Draufsicht auf eine Modifikation der Anordnung der vier Paare
von Kontaktregionen 13, 14, die an der Sitzfläche 6 der
Wegwerfschneidplatte 1 vorgesehen sind. Die vier Paare
von Kontaktregionen 13, 14 sind an der Sitzfläche 6 vorgesehen,
und dann, wenn einer der Eckenabschnitte zum Schneiden verwendet
wird, wird ein entsprechendes Paar von Kontaktregionen in Kontakt
mit den Fühlern
der externen Schaltung gebracht.
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Wenn
der elektrische Widerstand der Sensorleitung 12 gemessen
wird, wobei die Kontaktregionen 13, 14 mit der
externen Schaltung verbunden sind, wird an die eine Kontaktregion 13 von
der externen Schaltung eine vorbestimmte Spannung angelegt, und
die andere Kontaktregion 14 wird mit Massepotential in
der externen Schaltung verbunden. Welches der Paare von Kontaktregionen 13, 14 auch
immer verwendet wird, die andere Kontaktregion 14 ist in
jedem Fall mit dem Massepotential verbunden. Demzufolge können die
Kontaktregionen 14 in den vier jeweiligen Paaren als eine
Massepotentialregion verwendet werden, wodurch sie elektrisch miteinander
verbunden werden. Diese Anordnung ist in 2 gezeigt.
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Diese
Anordnung der Kontaktregionen verringert in vorteilhafter Weise
die Laserbearbeitungszeit, die erforderlich ist, wenn ein elektrischer
Leitungsfilm, der an der gesamten Sitzoberfläche 6 ausgebildet
ist, zur Bildung der Kontaktregionen 13, 14 und
der Verbindungsleitungen 15, 16 Laser-bearbeitet
wird. Dies liegt daran, dass die durch die Laser-Bearbeitung zu
entfernende Fläche
des leitfähigen
Filmes klein ist.
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3 ist
eine perspektivische Ansicht einer Sensorleitung in einer weiteren
Ausführungsform.
Die in Bezug auf 1 beschriebene Sensorleitung 12 weist
eine Breite W auf und erstreckt sich parallel zur Schneidkante 9,
wobei sie um den Eckenabschnitt 10 herumläuft und
wobei ihre obere Kante die Schneidkante 9 wird. Im Gegensatz
hierzu besitzt die Sensorleitung 123, die in 3 gezeigt
ist, eine Breite X (W > X),
die kleiner ist als die Breite der Sensorleitung 12. Wie
die Sensorleitung 12 besteht die Sensorleitung 123 aus
einem leitfähigen
Film und ist gegenüber
der Basis 2 isoliert. Die Sensorleitung 123 erstreckt
sich parallel zu der Schneidkante 9, derart, dass eine
Distanz zwischen der Schneidkante 9 und einer unteren Kante
der Sensorleitung 123, d.h. einer Kante 124 hiervon
entfernt von der Schneidkante 9, gleich einer Distanz W
ist.
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Wie
die Breite W der Sensorleitung 12 in 1 entspricht
die Distanz W der Referenzlebensdauer der Flanken 8. Die
Flanken 8 werden bei Verwendung der Schneidkante 9 mit
der Zeit ausgehend von der Schneidkante 9 abgenutzt. Wenn
die Abnutzung bzw. der Abrieb die Sensorleitung 123 erreicht
und die untere Kante 124 hiervon überschreitet, sind die Sensorleitungen 123 aufgrund
des Abriebs durchtrennt.
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Die
Sensorleitung 123 kann folglich so konstruiert sein, dass
die Kante (untere Kante) 124 hiervon entfernt von der Schneidkante 9 um
die vorbestimmte Distanz W von der Schneidkante 9 beabstandet
ist.
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4 ist
eine perspektivische Ansicht einer Sensorleitung gemäß einer
weiteren Ausführungsform. Die
Sensorleitung 125, die in 4 gezeigt
ist, weist eine Vielzahl von Leitungen, z.B. drei Leitungen 126, 127, 128 auf,
die sich parallel zueinander erstrecken. Eine Distanz zwischen der
Schneidkante 9 und einer unteren Kante der Leitung 128,
die von der Schneidkante 9 am entferntesten ist, beträgt W, was
gleich der Breite W der Sensorleitung 12 in 1 ist.
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Da
die Sensorleitung 125 aus der Vielzahl von Leitungen 126, 127, 128 gebildet
ist, die sich parallel zueinander erstrecken, werden die Leitungen
in der Reihenfolge zunehmender Distanz ausgehend von der Schneidkante 9 aufgrund
des Abriebs durchtrennt, wenn der Abrieb der Flanken 8 fortschreitet.
Wie weit die Schneidkante 9 an den Eckenabschnitt 10,
der aktuell zum Schneiden verwendet wird, abgenutzt ist, kann daher
schrittweise erfasst werden.
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Die
vorstehende Erläuterung
unter Bezugnahme auf die 1, 3 und 4 richtet
sich auf die Fälle,
bei denen die Distanz W ausgehend von der Schneidkante 9 hin
zu der unteren Kante der Sensorleitung der Referenzlebensdauer des
Eckenabschnittes 10 (oder der zulässigen Abriebgrenze der Flanken 8)
entspricht.
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Die
Distanz W ist jedoch nicht notwendigerweise gleich der zulässigen Abriebgrenze
der Flanken 8, sondern kann ein Wert sein, der dem Abrieb
der Flanken 8 zugeordnet ist. Im Falle eines vorläufigen (groben) Schneidprozesses
oder eines Standardschneidprozesses beispielsweise ist die zulässige Abriebgrenze
der Flanken 8 relativ groß. Im Gegensatz hierzu muss
im Falle einer schneidenden Endbearbeitung die Wegwerfschneidplatte
ausgewechselt werden, wenn die Flanken 8 um ein gewisses
Maß abgenutzt
sind. Um Vorkehrungen für
diesen Fall zu treffen, kann die Distanz W so bestimmt werden, dass
ein Abriebgrad erfasst wird, bei dem die Weg werfschneidplatte noch
verwendbar ist, jedoch nicht für
die schneidende Endbearbeitung geeignet ist.
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5 ist
eine schematische perspektivische Ansicht, die darstellt, wie die
in den 1A und 1B gezeigte
Wegwerfschneidplatte 1 an einem Halter anzubringen ist.
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Eine
Schneidplattenanbringungstasche 21 ist an einem distalen
Endabschnitt des Halters 20 vorgesehen. Eine Bodenfläche der
Tasche 21 dient als ein Schneidplattensitz 22.
Seitenwände
der Tasche 21 sind dazu ausgelegt, gegen Seitenflächen der
Schneidplatte anzustoßen,
um als Begrenzungsflächen 23 zum
Begrenzen der Schneidplatte zu dienen. Die Wegwerfschneidplatte 1 ist
in der Tasche 21 aufgenommen, wobei ihre Sitzfläche 6 entgegen
dem Schneidplattensitz 22 anliegt und wobei deren Seitenflächen an
den Begrenzungsflächen 23 anliegen.
Eine Klemmschraube 24 wird in das Klemmloch 11 der
Wegwerfschneidplatte 1 eingeführt, und zwar von der oberen
Seite, und ein distaler Endabschnitt der Klemmschraube wird in Gewindeeingriff
mit einem Schraubloch 25 gebracht, das in der Mitte des
Schneidplattensitzes 22 ausgebildet ist. Demzufolge wird
die Wegwerfschneidplatte 1 an dem Halter 20 angebracht.
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Ein
Paar von Fühlern
bzw. Tastköpfen 26, 27 stehen
von dem Schneidplattensitz 22 vor, und zwar in Positionen
gegenüberliegend
den Kontaktregionen 13, 14, die mit der Sensorleitung 12 des
Eckenabschnittes 10 der angebrachten Wegwerfschneidplatte 1 verbunden
sind, der zum Schneiden verwendet wird. Die Fühler 26, 27 sind
elastisch nach oben vorgespannt, so dass sie beispielsweise um einige
Millimeter gegenüber
dem Schneidplattensitz 22 vorstehen. Wenn die Wegwerfschneidplatte 1 in
der Tasche 21 montiert wird, werden die Fühler 26, 27 mittels
der Sitzfläche 6 der
Wegwerfschneidplatte 1 nach unten gedrückt, so dass die oberen Enden
der Fühler
mit dem Schneidplattensitz 22 bündig abschließen. Demzufolge
werden die oberen Enden des Fühlers 26, 27 in
elektrischen Kontakt mit den Kontaktregionen 13 bzw. 14 an
der Sitzfläche 6 der
Wegwerfschneidplatte 1 gebracht.
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Die
Fühler 26, 27 sind
mit Anschlussdrähten 28 verbunden,
die in dem Halter vorgesehen sind, wie es durch Punkt-Strich-Linien
angedeutet ist, und die Anschlussdrähte 28 sind mit einer
Widerstandserfassungsschaltung 29 wie einem Ohm-Meter verbunden.
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Wenn
die Wegwerfschneidplatte 1 in der Tasche 21 montiert
ist, kann der Widerstand der Sensorleitung 12, die an dem
aktuell zum Schneiden verwendeten Eckenabschnitt vorgesehen ist,
mittels der Erfassungsschaltung 29 gemessen werden.
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Wenn
die Wegwerfschneidplatte 1 in der Tasche 21 montiert
ist, wird die Sitzfläche 6 der
Wegwerfschneidplatte 1 nahezu vollständig in engen Kontakt mit dem
Schneidplattensitz 22 gebracht. Selbst wenn daher das Schneidfluid
(Wasser oder Öl)
auf den distalen Endabschnitt des Halters 20 aufgebracht
wird oder Metallstücke
bzw. Späne,
die von der Wegwerfschneidplatte 1 abgeschnitten werden,
während
des Schneidprozesses um die Wegwerfschneidplatte 1 herumfliegen,
dringen das Schneidfluid und die Stücke bzw. Späne nicht zwischen den Schneidplattensitz 22 und
die Sitzfläche 6 ein,
die in engem Kontakt miteinander gehalten werden. Das heißt, die
Sitzfläche 6 der
Wegwerfschneidplatte 1 und der Schneidplattensitz 22 werden
gegenüber
dem Schneidfluid und den Stücken
bzw. Spänen
geschützt.
Demzufolge wird die elektrische Verbindung zwischen den Fühlern 26, 27,
die an dem Schneidplattensitz 22 vorgesehen sind, und den
Kontaktregionen 13, 14, die an der Sitzfläche 6 vorgesehen
sind, geeignet aufrecht erhalten.
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Ferner
sind die Fühler 26, 27 und
die Anschlussdrähte 28,
die damit verbunden sind, innerhalb des Halters 20 vorgesehen.
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Der
in 5 gezeigte Halter 20 ist lediglich beispielhaft
dargestellt, und ein Halter, wie er in einer früheren Anmeldung (japanische
Patentanmeldung mit der Nr. 11-277546 (1999)) offenbart ist, die
vom Anmelder der vorliegenden Erfindung eingereicht worden ist,
kann beispielsweise als der Halter verwendet werden, an dem die
Wegwerfschneidplatte 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform
montiert wird.
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Die 6A, 6B, 6C 6D und 6E sind
Draufsichten und Vorderansichten (vordere Seitenansichten) von verschiedenen
Konfigurationen von Wegwerfschneidplatten, auf die die vorliegende
Erfindung anwendbar ist.
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6A stellt
die Wegwerfschneidplatte dar, die die Basis mit einem generell quadratischen
Grundriss besitzt, wie es in Bezug auf 1 beschrieben
worden ist.
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6B stellt
eine Wegwerfschneidplatte mit einer Form eines gleichzeitigen Dreieckes
dar. Die Schneidplatte weist drei Eckenabschnitte auf, deren obere
als auch untere Seite zum Schneiden verwendet werden. Das heißt, es sind
insgesamt sechs Eckenabschnitte vorgesehen, an denen jeweils Sensorleitungen vorgesehen
sind. Paare von Kontaktregionen für die jeweiligen Sensorleitungen
sind an den Sitzflächen
vorgesehen.
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6C stellt
eine Wegwerfschneidplatte mit einer Basis mit einer rombusförmigen Rundform
dar. Bei der in 6C gezeigten Wegwerfschneidplatte
werden zwei Paare von diagonal einander gegenüberliegenden spitzwinkligen
Eckenabschnitten zum Schneiden verwendet.
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6D stellt
eine Wegwerfschneidplatte mit einer Basis dar, die die Form eines
gleichseitigen Dreieckes besitzt, wie in 6B. Die
Wegwerfschneidplatte der 6D weist
eine Sensorleitung mit einer Vielzahl von Sensorleitungen auf, wie
es in 4 gezeigt ist.
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6E stellt
eine Wegwerfschneidplatte vom sogenannten positiven Typ dar, bei
der lediglich eine Seite der Wegwerfschneidplatte zum Schneiden
verwendet wird. Eine obere und eine untere Oberfläche der Schneidplatte
dienen als eine Spanfläche
bzw. als eine Sitzfläche,
so dass die Schneidplatte zum Gebrauch nicht vertikal gewendet werden
kann. Zum Schneiden werden drei Eckenabschnitte an der oberen Seite
verwendet, und diese sind daher jeweils mit Sensorleitungen versehen.
Ferner sind an der Sitzfläche
an der unteren Seite Paare von Kontaktregionen vorgesehen, und Paare
von Verbindungsleitungen sind an Flanken der Seitenflächen vorgesehen.
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Die
vorliegende Erfindung ist beispielsweise auf Wegwerfschneidplatten
mit einer runden oder einer ovalen Grundform anwendbar, als auch
auf Wegwerfschneidplatten der zuvor genannten Konfigurationen.
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Im
Folgenden werden Materialien und Herstellungsverfahren für die Basis,
die Sensorleitungen, die Kontaktregionen, die Verbindungsleitungen
und dergleichen der Wegwerfschneidplatte gemäß der vorliegenden Erfindung
erläutert.
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(1) Materialien für die Basis
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Beispielhafte
Materialien für
die Basis der Wegwerfschneidplatte beinhalten gesinterte Aluminiumoxid-basierte
Materialien, gesinterte Siliziumnitrid-basierte Materialien, Cermet-Materialien,
gesinterte Karbid-Materialien, gesinterte kubische Bornitrid-(cBN)basierte
Materialien und gesinterte polykristalline Diamant-basierte Materialien
(PCD).
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(2) Zusammensetzungen
der Basis und Vorbereitungsverfahren hierfür
-
Nachstehend
werden bevorzugte Zusammensetzungen der Basis und Vorbereitungsverfahren
bzw. Herstellungsverfahren dafür
erläutert.
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➀ Gesintertes
Aluminiumoxid-basiertes Material
-
Ein
vorliegend zu verwendendes gesintertes Aluminium-basiertes Material
besteht im Wesentlichen aus zwei bis 30 Gew.-% ZrO2,
0,01 bis 5 Gew.-% von wenigstens einem ausgewählten Oxid von Oxiden von Fe,
Ni und Co, der Rest aus Al2O3 und
unvermeidbare Verunreinigungen. Wenigstens eines der Oxide von Fe, Ni
und Co wird als eine dritte Komponente in einem vorbestimmten Anteil
zu einem Al2O3-ZrO2-System
hinzugegeben, und die resultierende Mischung wird hoch verdichtet,
und zwar durch einen isostatischen Heißsinterprozess, wodurch die
Bruchfestigkeit des Materials merklich verbessert werden kann.
-
Das
gesinterte Aluminium-basierte Material wird auf die folgende Art
und Weise zubereitet. Eine Pulvermischung, die 10 bis 20 Gew.-%
ZrO2, 0,2 bis 2 Gew.-% von wenigstens einem
Oxid der Oxide von Fe, Ni und Co, der Rest Al2O3 und unvermeidbarer Verunreinigungen enthält, wird
in einen Rohling („compact") geformt, der wiederum
bei einer Temperatur von 1400 bis 1500°C gebacken bzw. erwärmt und
ferner bei einer Temperatur von 1300 bis 1500°C durch einen isostatischen
Heißsinterprozess
gebacken wird, wodurch ein gesintertes Material mit einer mechanischen
Festigkeit von nicht geringer als 110 kg/mm2 bereitgestellt
wird.
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Wie
oben beschrieben, ist wenigstens ein Oxid der Oxide von Co, Ni und
Fe als die dritte Komponente in einem Anteil von 0,2 bis 2 Gew.-%
in der Pulvermischung vorhanden. Wenn der Anteil niedriger ist als
0,2 Gew.-%, besitzt das resultierende Material keine verbesserte
Bruchfestigkeit bzw. Bruchzähigkeit.
Wenn der Anteil größer ist
als 2 Gew.-%, besitzt das resultierende Material eine verringerte
Biegewiderstandsfestigkeit bzw. Biegesteifigkeit.
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ZrO2 ist in dem gesinterten Material vorzugsweise
in einem Anteil von 10 bis 20 Gew.-%, insbesondere in einem Anteil
von 15 bis 20 Gew.-% vorhanden. Wenn der Anteil von ZrO2 kleiner
als 10 Gew.-%, wird weniger Energie an einer Bruchfront absorbiert,
was zu einer geringeren Verbesserung der Zähigkeit bzw. Festigkeit führt. Wenn
andererseits der Anteil von ZrO2 größer ist
als 20 Gew.-%, ist der Anteil von monoklinem ZrO2 (m-ZrO2) in der kristallinen ZrO2-Phase
des gesinterten Materials erhöht,
so dass der Anteil eines ZrO2-Abschnittes,
der an der Bruchfront („crack
front") zu der Energieabsorption
beiträgt,
entsprechend reduziert ist, was zu einer Verringerung der Bruchfestigkeit
bzw. -zähigkeit
führt.
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Der
Anteil des monoklinen ZrO2 in der kristallinen
ZrO2-Phase des gesinterten Materials ist
vorzugsweise nicht größer als
50%, vorzugsweise nicht größer als
30% bezogen auf das gesamte ZrO2. Wenn der
Anteil des monoklinen ZrO2 größer ist
als 50%, wird die Bruchfestigkeit merklich reduziert. Tetragonales
ZrO2 (t-ZrO2) oder
kubisches ZrO2 (c-ZrO2)
ist in der kristallinen Phase auch vorhanden. Wenn das tetragonale
oder kubische ZrO2 in einem Anteil von nicht
weniger als 50% vorhanden ist, tritt ein Phasenübergang von t-ZrO2 → m-ZrO2 → oder
c-ZrO2 → t-ZrO2 → m-ZrO2 auf,
wodurch eine Energie an der Bruchfront wirksam absorbiert wird.
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In
dem gesinterten Aluminiumoxid-basierten Material haben die Al2O3-Kristalle vorzugsweise
einen Korndurchmesser von nicht größer als 1 μm, und die ZrO2-Kristalle
haben vorzugsweise einen Korndurchmesser von nicht größer als
1 μm, vorzugsweise
von nicht größer als
0,5 μm.
Wenn die Korndurchmesser dieser Kristalle größer sind als jene Niveaus,
ist die Biegewiderstandsfestigkeit reduziert.
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Ein
Herstellungsverfahren bzw. Vorbereitungsverfahren für das gesinterte
Aluminiumoxid-basierte Material ist wie folgt. Zunächst werden
10 bis 20 Gew.-% von ZrO2 und 0,2 bis 2
Gew.-% eines Oxides von Co, Ni oder Fe oder eine Verbindung, die
während
des Sinterns auf einer Oxidbasis in das Oxid umwandelbar ist, abgewogen
und mit Al2O3 mit
einem mittleren Korndurchmesser von nicht größer als 1 μm gemischt, und dann wird die
resultierende Mischung in einem Medium dispergiert und gemahlen
bzw. gerührt
(„milled"), das ein Dispersionsmittel,
destilliertes Wasser und dergleichen beinhaltet. Nach dem Mahlen
bzw. Rühren
wird die resultierende Paste in einen Rohling („compact") geformt, und zwar durch an sich bekannte
Formmittel, und dann wird der Rohling gesintert.
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Für das Sintern
des Rohlings wird der Rohling bei einem normalen Druck in einer
Atmosphäre
gebacken, und dann bei einer Temperatur von 1400 bis 1500°C unter Verwendung
einer Heißpresse
gebacken, und ferner bei einer Temperatur von 1300 bis 1500°C durch einen
isostatischen Heißsinterprozess
gebacken.
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➁ Gesintertes
Siliziumnitrid-basiertes Material
-
Ein
gesintertes Siliziumnitrid-basiertes Material, das vorliegend zu
verwenden ist, besteht im Wesentlichen aus 85 bis 95 mol-% von Siliziumnitrid,
1 bis 5 mol-% eines Elementes der Gruppe IIIa des Periodensystems,
und zwar auf einer Oxidbasis, und 3 bis 10 mol-% Verunreinigungssauerstoff
auf einer SiO2-Basis, wobei eine Aluminiumverbindung
in einem Anteil von nicht größer als
1 Gew.-% auf einer Oxidbasis (Al2O3) vorhanden ist. Die Menge des Verunreinigungssauerstoffes
bedeutet hier eine Sauerstoffmenge, die bestimmt ist durch Subtrahieren
der Sauerstoffmenge, die in Oxiden von Elementen der Gruppe IIIa
des Periodensystems beinhaltet ist, von der gesamten Sauerstoffmenge
in dem gesinterten Material, und der Verunreinigungssauerstoff wird überwiegend
Verunreinigungssauerstoff in einem pulvrigen Siliziumnitridausgangsmaterial
und dem hinzugefügten
Siliziumoxid zugeschrieben.
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Wenn
der Anteil der Siliziumnitride kleiner ist als 85 mol-% oder wenn
der Anteil des Elementes der Gruppe IIIa im Periodensystem größer ist
als 5 mol-%, und zwar auf einer Oxidbasis, ist die Härte des
resultierenden gesinterten Materials reduziert. Wenn der Anteil
von Silizium-Nitrid größer ist
als 96 mol-% oder der Anteil des Elementes der Gruppe IIIa im Periodensystem
kleiner ist als 1 mol-%, und zwar auf einer Oxidbasis, kann ein
hochdichter Rohling nicht bereitgestellt werden, wodurch die Festigkeit
des resultierenden gesinterten Materials reduziert ist. Wenn andererseits
der Anteil des Verunreinigungssauerstoffes größer ist als 10 mol-%, und zwar
auf einer Siliziumoxidbasis (SiO2), sind
die Festigkeit bzw. Zähigkeit
(„toughness") und der Schneidwiderstand
(„chipping
resistance") des
resultierenden gesinterten Materials reduziert. Wenn der Anteil
des Verunreinigungssauerstoffes kleiner ist als 3 mol-%, kann ein
hochdichter Rohling nicht bereitgestellt werden, wodurch die Festigkeit
des resultierenden gesinterten Materials reduziert ist. Wenn der
Anteil der Aluminiumverbindung größer ist als 1 Gew.-%, ist der
Reaktionswiderstand gegenüber
Gusseisen reduziert, wodurch die Abriebfestigkeit der Wegwerfschneidplatte
während
eines Hochgeschwindigkeits-Schneidprozesses reduziert ist.
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Eine
bevorzugte Zusammensetzung des gesinterten Materials besteht darin,
dass Siliziumnitrid in einem Anteil von 88 bis 95 mol-% vorhanden
ist, das Element der Gruppe IIIa im Periodensystem in einem Anteil von
2 bis 5 mol-% vorhanden ist, und zwar auf einer Oxidbasis, und wobei
der Verunreinigungssauerstoff in einem Anteil von 2 bis 8 mol-%
vorhanden ist, und zwar auf einer Siliziumoxidbasis. Ferner ist
die Aluminiumverbindung vorzugsweise in dem gesinterten Material
in einem Anteil von nicht größer als
0,5 Gew.-% vorhanden, insbesondere nicht größer als 0,3 Gew.-%, und zwar
auf einer Oxidbasis.
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Beispiele
von Elementen der Gruppe IIIa des Periodensystems beinhalten Y,
Sc, Yb, Er, Dy, Ho und Lu, von denen Er, Yb und Lu bevorzugt sind.
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Das
gesinterte Siliziumnitrid-basierte Material ist gebildet durch eine
kristalline Siliziumnitridphase und eine Korngrenzenphase, die das
Element der Gruppe IIIa, Silizium, Stickstoff und Sauerstoff beinhaltet.
Es ist wichtig, dass die kristalline Siliziumnitridphase eine Gitterkonstante
von nicht größer als
7,606 Angström
aufweist, insbesondere von nicht größer als 7,602 Angström, und zwar
entlang einer a-Achse hiervon, sowie eine Gitterkonstante von nicht
größer als
2,910 Angström,
insbesondere nicht größer als
2,908 Angström,
und zwar entlang der c-Achse hiervon. Wenn die Gitterkonstante entlang
der a-Achse und die Gitterkonstante entlang der c-Achse größer sind
als 7,606 Angström
bzw. 2,910 Angström,
ist die Ionizität
des Siliziumnitrids erhöht, wodurch
die Verbindungsfestigkeit („bonding
strength") des Siliziumnitrids
reduziert ist. Daher reagiert das Siliziumnitrid leicht mit einem
Werkstück
während
des Schneidprozesses, so dass der sogenannte Diffusionsabrieb der
Wegwerfschneidplatte erhöht
ist, so dass die Abriebwiderstandsfestigkeit der Wegwerfschneidplatte reduziert
ist. Die kristalline Siliziumnitridphase ist in Form von Nadelkristallen
vom β-Typ
vorhanden, die kleine Durchmesser von 0,1 bis 3 μm besitzen und ein mittleres
Längenverhältnis („aspect
ratio")(Hauptdurchmesser/Nebendurchmesser)
von 2 bis 10.
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Die
Korngrenzenphase kann amorph sein, ist jedoch vorzugsweise kristallisiert.
Die kristalline Phase ist vorzugsweise gebildet durch Apatit, YAM,
Wallastenit, ein Disilikat oder ein Monosilikat.
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Ein
Element der Gruppe IVa, Va oder VIa im Periodensystem wie W, Mo,
Ti, Ta, Nb oder V, oder ein Karbid, ein Nitrid oder ein Silikat
hiervon, können
in einer geeigneten Menge in dem gesinterten Siliziumnitrid-basierten
Material vorhanden sein. Ferner kann SiC in der Form von dispergierbaren
Partikeln oder Wiskern in einer geeigneten Menge in dem gesinterten
Siliziumnitrid-basierten Material vorhanden sein, um ein Verbundmaterial
zur Verbesserung der Eigenschaften des gesinterten Siliziumnitrid-basierten
Materials zu bilden.
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Bei
der Herstellung des gesinterten Siliziumnitrid-basierten Materials
wird Siliziumnitridpulver als ein pulvriges Ausgangsmaterial als
eine Hauptkomponente verwendet. Das Siliziumnitridpulver kann entweder α-Si3N4 oder β-Si3N4 sein. Das Siliziumnitridpulver
weist vorzugsweise einen Partikeldurchmesser von 0,4 bis 1,2 μm auf.
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Ein
Oxid eines Elementes der Gruppe IIIa im Periodensystem und ein Siliziumoxidpulver
werden als ein additiver Bestandteil verwendet. Diese Bestandteile
werden geeignet abgewogen, miteinander vermischt und in einer Kugelmühle gemahlen
bzw. gerührt.
Die Anteile dieser Bestandteile bzw. Komponenten werden so gesteuert,
dass das Oxid des Elementes der Gruppe IIIa im Periodensystem und
Siliziumoxid in Anteilen von 1 bis 5 mol-% bzw. 3 bis 10 mol-% in
einem Rohling vor dem Sintern vorhanden sind, und dass der Aluminiumbestandteil
zu diesen Komponenten nicht hinzugegeben sondern als eine Verunreinigung
in dem Rohling in einem Anteil von nicht größer als 1 Gew.-% enthalten
ist, und zwar auf einer Oxidbasis. Siliziumoxid ist in dem Rohling
in einer Menge vorhanden, die äquivalent
ist zu der Menge des Verunreinigungssauerstoffes in dem Siliziumnitridpulver,
und zwar auf einer Siliziumoxidbasis. Demzufolge wird die Ausgangszusammensetzung
unter Berücksichtigung
von Verunreinigungen mit einer Aluminiumkomponente aus der Kugelmühle und dergleichen
während
des Mahlens bzw. Rührens
und eines Sauerstoffgehaltes aufgrund von Oxidation bestimmt.
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Für die Herstellung
einer Basis für
eine Wegwerfschneidplatte wird die Pulvermischung in einen Rohling
geformt, beispielsweise durch Druckformen, Gießformen, Extrusionsformen,
Spritzgussformen oder isostatisches Kaltformen. Der Rohling wird
gesintert, beispielsweise durch einen Heißpressenprozess, einen Sinterprozess
bei Normalprozess oder einem Stickstoffgasdruck-Sinterprozess, gefolgt
von einem isostatischen Heißsinterprozess
(HIP, „hot
isostatic sintering process"),
bei dem der resultierende Rohling unter hohem Druck, z.B. 2000 atm,
gebacken wird, oder durch Eintauchen des Rohlings in ein Frittenbad
oder Beschichten des Rohlings mit einer Glasversiegelung und indem
der resultierende Rohling dann dem HIP-Prozess unterzogen wird,
und zwar zur Verdichtung des Rohlings. Wenn die Sintertemperatur übermäßig hoch
ist, wird eine Diffusion von Aluminium in die kristalline Siliziumnitridphase
als der Hauptbestandteil unterstützt,
um eine feste Lösung
bzw. ein Mischkristall hiervon zu bilden („solid solution"), und die Festigkeit
des resultierenden gesinterten Materials ist aufgrund exzessiven
Wachstums von Körnern
reduziert. Ferner erfordert die übermäßig hohe
Sintertemperatur eine teure Produktionsvorrichtung. Daher wird das
Sintern vorzugsweise bei einer Temperatur von 1650 bis 2000°C durchgeführt, insbesondere
bei 1700 bis 1950°C,
und zwar in einer nicht oxidierenden Atmosphäre einschließlich von
Stickstoffgas.
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➂ Cermet
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Für die Herstellung
des Cermet-Materials wird ein Rohling, der 70 bis 90 Gew.-% einer
hartphasigen Komponente, die im Wesentlichen aus 50 bis 80 Gew.-%
von Ti auf einer Karbid-, Nitrid- oder Karbonnitridbasis und 10
bis 40 Gew.-% eines Elementes der Gruppe VIa im Periodensystem,
und zwar auf einer Karbidbasis und mit einem Atomverhältnis (Stickstoff/Kohlenstoff
+ Stickstoff) von 0,4 bis 0,6 besteht, und aus 10 bis 30 Gew.-%
einer Binderphasenkomponente, die im Wesentlichen aus einem Metall
der Eisengruppe besteht, in einen Vakuumofen gesetzt und auf eine
Temperatur höher
als eine Liquidus- bzw. Verflüssigungstemperatur des
Metalls der Eisengruppe erwärmt,
wobei Stickstoffgas darin unter einem Druck von 1 bis 30 Torr eingeführt wird.
Nachdem der Ofen eine maximale Sintertemperatur erreicht hat, wird
der Rohling bei einem reduzierten Stickstoffgasdruck gebacken. Somit
wird ein TiCN-Cermet-Material erhalten, das eine Oberflächenrauhigkeit im
maximalen Fall („maximum
case surface roughness")
von nicht größer als
3,5 μm und
eine Porosität
von nicht höher
als A-1 aufweist, und einen 1000 μm
dicken Oberflächenabschnitt
aufweist, der modifiziert worden ist, um eine höhere Rauhigkeit und Härte zu erlangen
als ein innerer Abschnitt hiervon.
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In
der hartphasigen Komponente bzw. Komponente aus einer harten Phase
des TiCN-Cermet-Materials ist Ti in einem Anteil von 50 bis 80 Gew.-%,
insbesondere 55 bis 65 Gew.-% vorhanden, und zwar auf einer Karbid-,
Nitrid- oder Karbonnitridbasis, und das Element der Gruppe VIa im
Periodensystem, wie W oder Mo, ist in einem Anteil von 10 bis 40
Gew.-%, insbesondere von 15 bis 30 Gew.-% vorhanden, und zwar auf
einer Karbidbasis.
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Wenn
der Anteil von Ti in der Hartphasenkomponente kleiner ist als 50
Gew.-%, ist die Abriebwiderstandsfestigkeit reduziert. Wenn der
Anteil von Ti größer ist
als 80 Gew.-%, verringert sich die Sinterbarkeit auf nachteilige
Weise. Das Element der Gruppe VIa ist generell wirksam, um das Wachstum
von Körnern
zu unterdrücken
und die Benetzbarkeit der Binderphase zu verbessern. Wenn der Anteil
des Elementes der Gruppe VIa kleiner ist als 10 Gew.-%, können die
zuvor genannten Wirkungen nicht bereitgestellt werden, so dass die harte
Phase aufgeraut wird und die Härte
und Festigkeit reduziert werden. Wenn der Anteil des Elementes der Gruppe
VIa größer ist
als 40 Gew.-%, wird das Sintern mit der Erzeugung einer ungeeigneten
Phase schwierig, wie einer η-Phase.
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In
der Hartphasenkomponente können
Ta und Nb zusätzlich
vorhanden sein, und zwar zum Verbessern der Kolkverschleißwiderstandsfestigkeit,
und Nitride, Karbide und Karbonnitride von Zr, V, Hf und dergleichen
können
zur Verbesserung der Widerstandsfestigkeit gegenüber plastischer Deformation
vorhanden sein, und zwar zusätzlich
zu den zuvor genannten Elementen in einer Gesamtmenge von 5 bis
40 Gew.-%. Wenn der Anteil größer ist
als 40 Gew.-%, werden eine Verschlechterung der Abriebwiderstandsfestigkeit
und die Ausbildung von Poren und Leerstellen auf nachteilige Weise
gesteigert.
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Die
Binderphase weist im Wesentlichen ein Metall der Eisengruppe, wie
Fe, Co oder Ni auf, und kann zusätzlich
ein Element aufweisen, das Bestandteil der Hartphasenkomponente
ist.
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In
dem gesinterten Material ist die Hartphasenkomponente in einem Anteil
von 70 bis 90 Gew.-% vorhanden, und die Binderphasenkomponente ist
in einem Anteil von 10 bis 30 Gew.-% vorhanden.
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Das
als ein Material für
die Basis der vorliegenden Erfindung zu verwendende Cermet-Material
ist typischerweise dadurch gekennzeichnet, dass das Atomverhältnis (Stickstoff/Kohlenstoff
+ Stickstoff) in der Hartphasenkomponente in dem Bereich von 0,4
bis 0,6, insbesondere im Bereich von 0,4 bis 0,5 liegt. Wenn das
Atomverhältnis
kleiner ist als 0,4, lassen sich eine Verbesserung hinsichtlich
Zähigkeit
und Abriebwiderstandsfestigkeit nicht erwarten. Wenn das Atomverhältnis größer ist
als 0,6, können
sich Poren und Leerstellen in dem gesinterten Material entwickeln,
wodurch die Verlässlichkeit
der Wegwerfschneidplatte verringert wird.
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Das
Cermet-Material ist ferner dadurch gekennzeichnet, dass trotz der
Tatsache, dass eine große Menge
an Stickstoff darin aufgenommen ist, die Oberfläche des gesinterten Rohlings
sehr glatt ist, wobei nahezu keine Pore oder Leerstelle vorhanden
ist und eine maximale Oberflächenrauhigkeit
von nicht größer als 3,5 μm realisiert
ist. Demzufolge behält
die Wegwerfschneidplatte, die aus dem Cermet-Material zusammengesetzt ist, eine verbesserte
Zähigkeit,
eine verbesserte Abriebwiderstandsfestigkeit und eine verbesserte Wärmewiderstandsfestigkeit
für eine
verlängerte
Zeitspanne bei, und hat demzufolge eine längere Lebensdauer und eine höhere Verlässlichkeit.
Zusätzlich
gibt es keine Notwendigkeit, das gesinterte Material einem Polierprozess
zu unterziehen, so dass das gesinterte Material als ein Produkt „so wie
es ist" dienen kann.
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Zur
Herstellung des TiCN-Cermet-Materials wird zunächst ein Rohling vorbereitet,
der 70 bis 90 Gew.-% der Hartphasenkomponente aufweist, die im Wesentlichen
aus 50 bis 80 Gew.-% von Ti auf einer Carbid-, Nitrid- oder Karbonnitridbasis
und 10 bis 40 Gew.-% des Elementes der Gruppe VIa des Periodensystems,
und zwar auf einer Carbidbasis, besteht und ein Atomverhältnis (Stickstoff/Kohlenstoff
+ Stickstoff) von 0,4 bis 0,6 besitzt, und der 10 bis 30 Gew.-%
der Binderphase aufweist.
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Genauer
gesagt wird Tic, TiN und/oder TiCN als ein Ti-basiertes pulvriges
Ausgangsmaterial verwendet, und als ein Material auf der Basis eines
Elementes der Gruppe VIa wird WC, Mo2C und/oder MoC oder ein Verbundkarbid
oder Verbundkarbonnitrid hiervon verwendet. Diese Materialien werden
vermischt, um die zuvor genannte Zusammensetzung bereitzustellen,
und dann in einen Rohling geformt, und zwar durch bekannte Formmittel,
z.B. Druckformen, Extrusionsformen, Gießformen, Spritzgussformen oder
isostatisches Kaltformen.
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Wie
oben beschrieben, können
Karbide, Nitride und Karbonnitride von Ta, Nb, Zr, V, Hf und dergleichen
in Kombination hinzugegeben werden. Wenn TiC alleine als das Ti-basierte
Material verwendet wird, ist dessen Sinterbarkeit hierdurch verringert,
so dass ein partielles Kornwachstum hervorgerufen wird. Daher wird Ti
(CN) vorzugsweise alleine oder in Kombination mit TiN verwendet.
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Der
resultierende Rohling wird in einen Vakuumofen gesetzt und gesintert.
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Genauer
gesagt wird der Rohling in einem Vakuumofen unter einem Druck von
nicht höher
als 0,5 Torr erwärmt,
und Stickstoffgas wird unter 1 bis 30 Torr in den Vakuumofen mit
einer vorbestimmten Zeitgabe eingeführt. Das Einführen des
Stickstoffgases unterdrückt
die Pyrolyse des in dem Rohling enthaltenen Stickstoffes, wie TiN,
wodurch die Ausbildung von Poren und Leerstellen verhindert wird.
Die Zeitgabe bzw. die zeitliche Steuerung, mit der das Stickstoffgas
in den Sinterprozess eingeführt
wird, ist besonders wichtig. Generell beginnt die Verdichtung des
Rohlings bei einer Temperatur um die Verflüssigungstemperatur des Metalls
der Eisengruppe im Verlauf des Temperaturanstiegs. Das Stickstoffgas
wird eingeführt,
wenn der Rohling durch ein theoretisches Verdichtungsverhältnis von
5% oder mehr in Bezug auf den Ausgangsrohling bei einer Temperatur
von nicht niedriger als der Verflüssigungstemperatur verdichtet
ist. Wenn der Rohling um 5% oder mehr verdichtet ist, wird ein Liquidus-
bzw. Verflüssigungsfilm
an der Oberfläche
des Rohlings gebildet. Die Einführung
des Stickstoffgases nach der Bildung des Verflüssigungsfilmes verursacht,
dass Stickstoffgas in Zwischenräumen
in dem Rohling verbleibt, und verhindert demgemäß die Bildung von Poren und
Leerstellen.
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Wenn
das Stickstoffgas jedoch eingeführt
wird, wenn das theoretische Dichteverhältnis 90% überschreitet, kann die Zersetzung
des Nitrids nicht wirksam unterdrückt werden, so dass eine Tendenz
besteht, dass das resultierende gesinterte Material eine aufgeraute
Oberfläche
besitzt. Demzufolge wird die Einführung des Stickstoffgases vorzugsweise
dann begonnen, wenn das Dichteverhältnis niedriger ist als 90%.
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Nachdem
die Temperatur in dem Ofen die maximale Sintertemperatur erreicht
hat, wird der Druck des Stickstoffgases auf weniger als das vorherige
Niveau oder auf Vakuum verringert, oder wird für das Sintern graduell reduziert.
Der Grund hierfür
liegt darin, dass dann, wenn der Druck nach dem Erreichen der maximalen
Sintertemperatur weiter erhöht
wird, eine raue und spröde
Nitridschicht mit wenig Metall an der Oberfläche des gesinterten Materials
gebildet wird, was zu einer Aufrauung der Falloberfläche bzw.
Gehäuseoberfläche („case surface") und zu einer merkbaren
Verringerung der Zähigkeit
des Oberflächenabschnittes
führt.
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Ein
Grund dafür,
warum der Stickstoffgasdruck auf 1 bis 30 Torr eingestellt wird,
besteht darin, dass ein Druck von kleiner 1 Torr die Zersetzung
des Nitrids nicht wirksam unterdrücken kann, und ein Druck von größer als
30 Torr die Sinterbarkeit reduziert und zu einer Ablagerung von
freiem Kohlenstoff und einer Verringerung der Zähigkeit des gesinderten Materials
führt.
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Ein
derartiges Herstellungsverfahren eliminiert praktisch die Entwicklung
von Poren und Leerstellen in dem gesinterten Material, um so die
Oberfläche
des gesinterten Materials zu glätten.
Ein weiteres charakteristisches Merkmal des Herstellungsverfahrens
der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass eine sehr harte und
zäh modifizierte
Oberflächenschicht
an der Oberfläche
des gesinterten Materials gebildet wird, wie oben beschrieben.
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Obgleich
aus dem Cermet-Material eine Basis für eine Wegwerfschneidplatte
mit jeder beliebigen Form gebildet werden kann, wird die Kontraktionsgeschwindigkeit
beim Sintern vorzugsweise gemäß der Komplexität der Form
der Basis gesteuert. Der Grund hierfür liegt darin, dass der Rohling
gemäß einer
Kontraktionskurve kontrahiert, die sich von Teil zu Teil hiervon
unterscheidet, und dann, wenn die Komplexität der Form des Rohlings zunimmt,
können
winzige Poren und Brüche
an der Oberfläche
des schließlich
erhaltenen gesinterten Materials auftreten.
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Um
ein derartiges Phänomen
zu verhindern, ist notwendig, die Kontraktionsgeschwindigkeit des
Rohlings beim Sintern zu reduzieren. In dieser Hinsicht wird beim
Einführen
des Stickstoffgases anfänglich
ein inertes Gas, wie He oder Ar, eingeführt, um die Zersetzung des
Nitrids zu unterdrücken
und um zuzulassen, dass die Kontraktion des Rohlings moderat fortschreitet,
ohne Verschlechterung der Sinterbarkeit. Das inerte Gas wird vorzugsweise
mit einer Temperatur eingeführt,
die um etwa 50 bis 20 Grad niedriger ist als die Einführungstemperatur
des Stickstoffgases, und mit einem Druck von nicht höher als
1 atm.
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➃ Sinterkarbid
(„cemented
carbide")
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Ein
hier zu verwendendes Sinterkarbid-Material weist eine harte Phase
bzw. Hartphase und eine Binderphase auf. Die Hartphase weist im
Wesentlichen Wolf ramkarbid auf, oder Wolframkarbid, bei dem 5 bis 15%
hiervon durch wenigstens eines der Karbide, Nitride und Karbonnitrid
von Metallen der Gruppen IVa, Va und VIa im Periodensystem ersetzt
ist. Wenn eine andere Komponente als Wolframkarbid eingemischt wird, weist
die Hartphase eine WC-Phase und eine Mischkristall- bzw. Festlösungsphase
(„solid
solution phase") aus
einem Verbundkarbid oder eine Festlösungsphase eines Verbundnitrids
auf. Die Binderphase besteht im Wesentlichen aus einem Metall der
Eisengruppe, wie Co, das in einem Anteil von 5 bis 15 Gew.-% vorhanden ist,
basierend auf der gesamten Binderphase.
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Ein
bevorzugtes Sinterkarbid weist eine Phase auf, die zusätzlich zu
der Hartphase und der Binderphase Kobaltwolframkarbid aufweist bzw.
daraus besteht. Beispiele bekannter Kobaltwolframkarbide beinhalten
Co3W3C, Co6W6C, Co2W4C und Co3W9C4. Die in Röntgendiffraktionsmustern
dieser Kobaltwolframkarbide höchsten
beobachteten Spitzenwerte sind ein (333)- und (511)-Verbundspitzenwert
für Co3W3C, ein (333)-
und (511)-Verbundspitzenwert für
Co6W6C, ein (333)-
und (511)-Verbundspitzenwert für
Co2W4C, und ein (301)-Spitzenwert
für Co3W9C4.
Es ist wichtig, dass ein Spitzenintensitätsverhältnis I1/I2 größer ist
als Null und nicht größer ist
als 0,15, vorzugsweise 0,01 bis 0,10, wobei I1 die Höhe des höchsten Intensitätsspitzenwertes in
den Spitzenwerten der Kobaltwolframkarbide ist und wobei I2 die
Höhe des
höchsten
Spitzenwertes ist, wie z.B. die Höhe eines (001)-Spitzenwertes von
Kobaltwolframkarbid WC. Ein Grund dafür, dass das Spitzenintensitätsverhältnis auf
den oben genannten Bereich eingestellt wird, ist folgender. Wenn
das Intensitätsverhältnis Null
ist, lagern sich die Kobaltwolframkarbide nicht in dem Sinterkarbid
ab, was zu einer Reduktion der Abriebwiderstandsfestigkeit der Basis
führt.
Wenn das Intensitätsverhältnis größer ist
als 0,15, lagern sich die Kobaltwolframkarbide übermäßig ab, was zu einer Reduktion
der Härte
des Sinterkarbids führt.
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Die
Kobaltwolframkarbidphase ist vorzugsweise als eine Phase mit einem
mittleren Korndurchmesser von nicht größer als 5 μm, insbesondere nicht größer als
3 μm, in
dem Sinterkarbid vorhanden. Wenn der mittlere Korndurchmesser größer ist
als 5 μm,
ist die Festigkeit des gesamten Sinterkarbid-Materials reduziert,
da die Kobaltwolframkarbide von Hause aus spröde sind. Besonders bevorzugt
ist es, wenn der mittlere Korndurchmesser nicht größer ist
als 2 μm.
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Wenn
die Kobaltwolframkarbidphase erzeugt wird, diffundiert W in die
Co-Binderphase,
um darin ein Mischkristall bzw. eine Festkörperlösung („solid solution") zu bilden, so dass
sich die Gitterkonstante von Co ändert.
Die Gitterkonstante von Co in dem Sinterkarbid liegt vorzugsweise
in dem Bereich von 3,55 bis 3,58.
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Für die Herstellung
des Sinterkarbid-Materials werden ein pulvriges WC-Ausgangsmaterial,
ein oder mehr pulvrige Materialien, die aus den Karbiden, Nitriden
und Karbonnitriden der Metalle der Gruppen IVa, Va und VIa im Periodensystem
ausgewählt
sind, und Co-Pulver in den zuvor genannten Mengen abgewogen, miteinander
vermischt und gemahlen bzw. gerührt.
Die resultierende Pulvermischung wird in einen Rohling geformt,
und zwar durch ein bekanntes Formverfahren, wie ein Pressformverfahren,
und der resultierende Rohling wird gesintert.
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Das
Sintern wird im Vakuum bei einem Druck von 10–1 bis
10–3 Torr
in einem Temperaturbereich zwischen 1623 und 1773 K für 10 Minuten
bis 2 Stunden durchgeführt.
Die Abscheidung der Kobaltwolframkarbide wird gesteuert durch geeignetes
Bestimmen der Gesamtmenge von Kohlenstoff einschließlich der
Menge von Kohlenstoff in dem Ausgangsmaterial und der Menge von
zusätzlichem
Kohlenstoffpulver, und die Menge der zusätzlichen Karbide, Nitride und
Karbonnitride der Metalle der Gruppen IVa, Va und VIa, die einen
gewissen Teil des Wolframkarbids ersetzen sollen. Wenn beispielsweise
die Menge des Kohlenstoffes in dem Ausgangsmaterial, das zu verwenden
ist, geringer ist als eine stöchiometrische
Menge, tritt die Abscheidung leicht auf.
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Die
Abscheidung einer sehr kleinen Menge der Kobaltwolframkarbide in
dem Sinterkarbid ermöglicht es,
der Wegwerfschneidplatte insbesondere zum Schneiden von rostfreiem
Stahl eine exzellente Schneidfähigkeit
zu verleihen. Die Kobaltwolframkarbide sind an sich sehr hart und
daher exzellent hinsichtlich der Abriebwider standsfestigkeit. Ferner
wird eine reduzierte Menge an Kohlenstoffen in die Binderphase diffundiert, um
ein Mischkristall bzw. eine feste Lösung zu bilden, und die Menge
des Wolframs wird entsprechend reduziert, wenn die Kobaltwolframkarbide
erzeugt werden, wodurch die Binderphase gefestigt wird. Zusätzlich hierzu
haben die erzeugten Kobaltwolframkarbide unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten
gegenüber
jenen der WC-Phase, die einen Hauptabschnitt des Sinterkarbides
einnimmt, so dass Restdruckspannungen darin auftreten, um die Zerspanwiderstandsfestigkeit
(„chipping
resistance") zu
verbessern.
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(3) Leitfähiger Film
für die
Sensorleitungen und dergleichen
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Die
Sensorleitungen, die an den Flanken der Basis der Wegwerfschneidplatte
zu bilden sind, besitzen einen vorbestimmten elektrischen Widerstand.
Eine Veränderung
des elektrischen Widerstandes wird gemessen mittels eines Ohmmeters,
um den Abrieb und das Zerspanen bzw. den Abtrag der Wegwerfschneidplatte zu
erfassen.
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Beispiele
eines Materials für
die Sensorleitungen beinhalten: metallische Materialien einschließlich Metallen
der Gruppen IVa, Va und VIa, wie Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo und W,
Metalle der Eisengruppe, wie Co, Ni und Fe, und Al; Karbide, Nitride
und Karbonnitride der Metalle der Gruppen IVa, Va und VIa, wie TiC,
VC, NbC, TaC, Cr3C2,
Mo2C, WC, W2C, TiN,
VN, NbN, TaN, CrN, TiCN, VCN, NbCN, TaCN und CrCN; und (Ti, Al)N.
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Aus
diesen Materialien ist TiN aus folgenden Gründen bevorzugt. TiN besitzt
eine gute Adhäsion
an der Basis der Wegwerfschneidplatte. TiN reagiert nicht mit dem
Werkstück,
und die Sensorleitungen aus TiN zeigen konstant einen vorbestimmten
elektrischen Widerstandswert, so dass der Abrieb und der Abtrag
der Wegwerfschneidplatte genau erfasst werden können. TiN verhindert auf wirksame
Weise, dass eine Werkstückoberfläche eines
Werkstückes
durch ein Reaktionsprodukt hiervon zerkratzt wird. TiN weist eine
hervorragende Widerstandsfestigkeit gegenüber Säure auf, so dass der elektrische
Widerstand der Sensorleitungen durch Erzeugung eines Oxids kaum
verändert
wird. Demzufolge kann der Abrieb und das Abtragen bzw. Abspanen
der Wegwerfschneidplatte genau erfasst werden.
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Die
Sensorleitungen werden auf die folgende Art und Weise gebildet.
Ein leitfähiger
Film einer vorbestimmten Dicke wird an den Flanken der Basis der
Wegwerfschneidplatte gebildet, und zwar durch ein CVD-Verfahren,
ein PVD-Verfahren, wie Ionenplattieren, Sputtern oder Verdampfen,
oder durch ein Plattierungsverfahren. Hier danach wird ein Muster
in dem leitfähigen
Film gebildet, und zwar in eine vorbestimmte Konfiguration durch
Laserbearbeitung oder Ätzen.
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Genauere
Verfahren zum Bilden der Sensorleitungen sind folgende.
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Wenn
die Sensorleitungen aus TiN, beispielsweise mittels des CVD-Verfahrens,
gebildet werden, wird die Basis der Wegwerfschneidplatte in ein
Reaktionsgefäß aus einer
wärmebeständigen Legierung
gesetzt, die sich in einem Zustand bei einer Temperatur von 900°C bis 1050°C und einem
Druck von 10 bis 100 kPa befindet. Anschließend werden TiCl4,
H2 und N2 in das
Reaktionsgefäß eingeführt, und
zwar mit Strömungsraten
von 1 bis 5 ml/min, 20 bis 30 l/min bzw. 10 bis 20 l/min, und zwar
für 20
Minuten, um ein Reaktionsprodukt aus TiN und HCl bereitzustellen,
wodurch die Basis der Wegwerfschneidplatte mit TiN beschichtet wird.
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Wenn
die Sensorleitungen aus (Ti, Al)N oder aus (Ti, Al)CN gebildet werden,
und zwar durch Ionenplattieren, bei dem es sich um eine Art des
PVD-Verfahrens handelt, um ein Beispiel zu nennen, werden die Basis
der Wegwerfschneidplatte und eine Kathodenelektrode (target) aus
einer Ti-Al-Legierung in einem Lichtbogen-Ionenplattierungsgerät angeordnet. Nachdem das Innere
des Gerätes
auf bis zu 500°C
bei Vakuum bei 1 × 10–5 Torr
erwärmt
ist, wird Ar-Gas in das Gerät
eingeführt,
um eine Ar-Atmosphäre
von 1 × 10–3 Torr
zu bilden. Anschließend
wird an die Basis in diesem Zustand eine Vorspannung von –800 V angelegt,
wodurch die Oberfläche
der Basis einer Reinigung durch Gasbombardierung („gas bombard
cleaning") ausgesetzt wird. Schließlich wird
Stickstoffgas oder Stickstoffgas + Methangas als ein Reaktionsgas
in das Gerät
eingeführt, um
eine Reaktionsatmosphäre
bei 5 × 10–3 Torr
zu erzeugen, und die an die Basis angelegte Vorspannung wird auf –200 V reduziert,
um eine Lichtbodenentladung zwischen der Kathodenelektrode und einer
Anodenelektrode hervorzurufen. Die aus der Kathodenelektrode freigesetzte
Ti-Al-Legierung kann in der Reaktionsatmosphäre reagieren, wodurch die Basis
mit (Ti, Al)N oder (Ti, Al)CN beschichtet wird.
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Der
leitfähige
Film aus TiN, (Ti, Al)N, (Ti, Al)CN oder dergleichen, der an der
Oberfläche
der Basis der Wegwerfschneidplatte gebildet ist, wird zur Bildung
der Sensorleitungen, der Kontaktregionen, der Verbindungsleitungen
und dergleichen durch Laserbearbeitung oder Ätzen in eine vorbestimmte Konfiguration
mit einem Muster versehen. Wenn für die Musterbildung die Laserverarbeitung
verwendet wird, wird beispielsweise ein YAG-Laserstrahl mit einer
Breite von 50 μm,
einer Wellenlänge
von 1,06 μm
und einem Ausgang von 35 kHz und 10 A über den TiN-Film oder dergleichen
gescannt, der an der Oberfläche
der Basis gebildet ist, und zwar mit einer Arbeitsgeschwindigkeit
von 100 bis 300 mm/s. Alternativ hierzu wird ein CO2-Laser
mit einem Beleuchtungspunktdurchmesser von 0,3 mm und einem Ausgang
von 20 W über
den TiN-Film gescannt, und zwar mit einer Arbeitsgeschwindigkeit
von 0,3 m/min.
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Wenn
der leitfähige
Film dünn
ist, mit einer Dicke von weniger als 0,05 μm, ist die Adhäsion des
leitfähigen
Films an der Oberfläche
der Basis generell schlecht, und der elektrische Widerstand der
Sensorleitung ist erhöht,
so dass es schwierig werden kann, den Abrieb und das Abtragen an
der Wegwerfschneidplatte genau zu erfassen. Wenn ein leitfähiger Film
mit einer Dicke von mehr als 20 μm
zu bilden ist, treten im Inneren des leitfähigen Films bei dessen Bildung
große
Innenspannungen auf, wodurch der leitfähige Film eine schlechte Adhäsion an
der Oberfläche
der Basis haben kann. Daher ist es bevorzugt, wenn die Dicke des
leitfähigen
Films in dem Bereich von 0,05 bis 20 μm liegt, am bevorzugtesten im
Bereich von 0,1 bis 5 μm.
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Wenn
die Basis der Wegwerfschneidplatte aus einem isolierenden Material
zusammengesetzt ist, wie ein Material auf der Basis von gesintertem
Aluminiumoxid, ein Material auf der Basis von gesintertem Siliziumnitrid
oder cBN, werden die Sensorleitungen und dergleichen direkt an der
Oberfläche
der Basis gebildet. Wenn die Basis aus einem leitfähigen Material
zusammengesetzt ist, wie Sinterkarbid oder ein Cermet-Material,
ist zwischen den Sensorleitungen und der Basis eine Zwischenschicht
aus einem isolierenden Material, wie Aluminiumoxid angeordnet.
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Die
Zwischenschicht aus einem isolierenden Material, wie Aluminiumoxid,
dient zur elektrischen Isolierung der Sensorleitungen und dergleichen.
Die Zwischenschicht, die eine vorbestimmte Dicke aufweist, wird zwischen
der Oberfläche
der Basis und den Sensorleitungen und dergleichen (leitfähiger Film)
durch ein CVD-Verfahren
oder dergleichen gebildet.
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Genauer
gesagt, wenn die Zwischenschicht aus Aluminiumoxid zusammengesetzt
ist, wird die Bildung der Zwischenschicht auf die folgende Art und
Weise erreicht. Die Basis der Wegwerfschneidplatte wird in einem
Reaktionsgefäß aus einer
wärmebeständigen Legierung
angeordnet, und zwar in einem Zustand bei einer Temperatur von etwa
1050°C und
bei einem Druck von 6,5 kPa. Anschließend werden H2,
Co2 und AlCl3 in
das Reaktionsgefäß eingeführt, und
zwar mit Strömungsraten
von 40 bis 50 l/min, 1 bis 3 l/min bzw. 0,5 bis 2 l/min, und zwar
für zwei
Stunden, um Al2O3 zu
bilden, wodurch die Basis mit Al2O3 beschichtet wird.
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Wenn
die Zwischenschicht eine Dicke von weniger als 1 μm aufweist,
kann ein elektrischer Kurzschluss zwischen der Basis und den Sensorleitungen
auftreten, so dass der Abrieb und das Abtragen der Wegwerfschneidplatte
nicht genau erfasst werden können.
Wenn eine Zwischenschicht mit einer Dicke von größer als 10 μm zu bilden ist, treten in der
Zwischenschicht bei deren Bildung große Innenspannungen auf, wodurch die
Zwischenschicht eine schlechte Adhäsion an der Oberfläche der
Basis haben kann. Selbst bei Anwendung einer kleinen externen Kraft
kann die Zwischenschicht dann leicht von der Oberfläche der
Basis getrennt bzw. gelöst werden.
Demzufolge liegt die Dicke der Zwischenschicht vorzugsweise in dem
Bereich von 1 μm
bis 10 μm.
-
Im
Folgenden werden Beispiele der Wegwerfschneidplatte mit dem Abriebsensor
gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben werden, die zur Erfassung eines Abriebs ausgelegt
sind.
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Beispiel 1
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Eine
Basis einer Wegwerfschneidplatte wurde aus einem gesinterten Aluminiumoxid-basierten
Material gebildet, und Sensorleitungen wurden aus einem leitfähigen Film
aus TiN in einer Konfiguration an der Basis gebildet, wie in
1 gezeigt ist. Die Sensorleitung hatte
eine Dicke von 0,3 μm
und eine Breite von 0,186 mm. Die Wegwerfschneidplatte mit dem Abriebsensor
wurde an dem in
5 gezeigten Halter angebracht. Anschließend wurde
ein Rundstab-Werkstück
aus SCM435 (Chrommolybdenstahl) sequentiell mit den folgenden Bearbeitungsbedingungen
an einer NC-Werkzeugmaschine spanend bearbeitet, wobei der Widerstand der
Sensorleitung gemessen wurde. Das Ergebnis ist in
7 gezeigt. Bearbeitungsbedingungen:
Schneidgeschwindigkeit | V
= 200 m/min |
Schneidtiefe | d
= 2 mm |
Vorschub | f
= 0,2 mm/Umdrehung |
Nassbearbeitung | |
Werkstück | Rundstab
aus SCM435 (Chrommolydenstahl) |
-
In 7 zeigt
eine gezackte Linienkurve Änderungen
des so gemessenen Widerstandes, wobei der Widerstand und die Zeit
als Ordinaten bzw. Abszisse aufgetragen sind. Das Diagramm zeigt,
dass der Widerstand nach dem Ablauf von 16,6 Minuten vom Beginn
der Bearbeitung stark anstieg. Zu Bezugszwecken wurden die Abriebzustände (Abriebbreiten)
der Schneidkante nach dem Ablauf von 11 Minuten und 18 Minuten vom
Beginn der Bearbeitung gemessen und zur Bildung eines Liniengrafen
aufgetragen, der eine Veränderung der
Abriebbreite an einer Schneidfront über der Zeit zeigt.
-
Die
Messung zeigt, dass dann, als der Widerstand nach dem Ablauf von
16,6 Minuten ausgehend vom Beginn der Verarbeitung stark anstieg,
der Abrieb die Sensorfilmbreite (0,186 mm) erreicht hatte. Demzufolge kann
ein Zeitpunkt, bei dem der Abrieb die zulässige Abriebgrenze erreicht,
definitiv erfasst werden.
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Beispiel 2
-
Eine
Wegwerfschneidplatte, wie sie in Beispiel 1 verwendet wurde, wurde
an dem in
5 gezeigten Halter angebracht.
Anschließend
wurde ein Rundstab-Werkstück aus SCM435
(Chrommolybdenstahl) mit vier Nuten sequentiell spanend bearbeitet,
und zwar an einer NC-Werkzeugmaschine mit den folgenden Bedingungen,
wobei der Widerstand einer Sensorleitung gemessen wurde. Das Ergebnis
ist in
8 gezeigt. Bearbeitungsbedingungen:
Schneidgeschwindigkeit | V
= 200 m/min |
Schneidtiefe | d
= 2 mm |
Vorschub | f
= 0,2 mm/Umdrehung |
Nassbearbeitung | |
Werkstück | Rundstab
aus SCM435 (Chrommolydenstahl) mit vier Nuten |
-
Nach
Ablauf von ca. 40 Sekunden stieg der Widerstand stark ins Unendliche
an. Die Bearbeitung wurde unterbrochen, um eine Schneidkante der
Wegwerfschneidplatte zu untersuchen, und es wurde herausgefunden,
dass die Schneidkante abgetragen bzw. spanend abgetragen wurde.
Dieses Experiment zeigt, dass dann, wenn die Schneidkante abgespant
wurde, so dass sie nicht mehr brauchbar ist, die Sensorleitung unterbrochen
wurde. Im Ergebnis kann das spanende Abtragen der Schneidkante der
Wegwerfschneidplatte definitiv auf der Grundlage der abnormalen Änderung
des so gemessenen Widerstandes erfasst werden.
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Beispiel 3
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Eine
Basis einer Wegwerfschneidplatte wurde aus einem gesinterten Siliziumnitrid-basierten
Material gebildet, und es wurden drei parallele Sensorleitungen
aus einem leitfähigen
Film aus TiN in einer Konfiguration an der Basis gebildet, wie sie
in
4 gezeigt ist. Die Sensorleitungen hatten jeweils
eine Dicke von 0,3 μm
und eine Breite von 0,146 mm. Jedes benachbarte Paar von Sensorleitungen
war 0,01 mm beabstandet. Die Wegwerfschneidplatte mit dem Abriebsensor
wurde an dem in
5 gezeigten Halter angebracht.
Anschließend
wurde ein Rundstab-Werkstück
aus FC250 (Graugusseisen) sequentiell spanend bearbeitet bzw. geschnitten,
und zwar an einer NC-Werkzeugmaschine mit folgenden Bearbeitungsbedingungen,
während
der Widerstand der Sensorleitungen gemessen wurde. Das Ergebnis
ist in
9 gezeigt. Bearbeitungsbedingungen:
Schneidgeschwindigkeit | V
= 200 m/min |
Schneidtiefe | d
= 2 mm |
Vorschub | f
= 0,2 mm/Umdrehung |
Nassbearbeitung | |
Werkstück | Rundstab
aus FC250 (Graugusseisen) |
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Der
gemessene Widerstand stieg schrittweise mit der Bearbeitungszeit
an und erreichte schließlich Unendlichkeit.
Mit dem fortschreitenden Abrieb der Schneidplatte wurden die jeweiligen
Sensorleitungen aufeinanderfolgend durchtrennt, wodurch der Widerstand
schrittweise anstieg. Als die dritter Sensorleitung durchtrennt
war (nach Ablauf von etwa 10 Minuten), stieg der Widerstand ins
Unendliche. Demzufolge kann ein Zeitpunkt, bei dem sämtliche
Sensorleitungen abgenutzt und die Schneidkante der Wegwerfschneidplatte
die zulässige
Abriebgrenze erreicht, erfasst werden.
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Obgleich
die vorliegende Erfindung im Detail anhand der speziellen Ausführungsformen
hiervon beschrieben worden ist, versteht sich, dass die Erfindung
nicht auf die Ausführungsformen
beschränkt
ist, sondern dass innerhalb des durch die nachstehenden Ansprüche definierten
Schutzbereiches der Erfindung verschiedene Modifikationen vorgenommen
werden können.