DE592734C - Barrier photocell, especially vacuum barrier cell - Google Patents
Barrier photocell, especially vacuum barrier cellInfo
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Description
DEUTSCHES REICHGERMAN EMPIRE
AUSGEGEBEN AM
13. FEBRUAR 1934ISSUED ON
FEBRUARY 13, 1934
REICHSPATENTAMTREICH PATENT OFFICE
PATENTSCHRIFTPATENT LETTERING
KLASSE 21 g GRUPPECLASS 21 g GROUP
Max A. E. Pressler in LeipzigMax A. E. Pressler in Leipzig
Sperrschichtphotozelle, insbesondere VakuumsperrschichtzelleBarrier photocell, especially vacuum barrier cell
Patentiert im Deutschen Reiche vom 11. Juli 1931 abPatented in the German Empire on July 11, 1931
Sperrschichtphotozellen bestehen bekanntlich aus einer als die eine Zuleitung dienenden
leitenden Unterlage, einer diese bedeckenden und durch die eigentliche Sperrschicht von ihr getrennten
Halbleiterschicht und einer als andere Stromzuleitung dienenden, auf die genannte
Halbleiterschicht aufgebrachten leitenden Deckschicht«. Die Deckschicht pflegt man entweder
durch Auflegen eines Netzes, Aufstäuben eines Metalls (evtl. in Kombination) oder auch durch
zonenweise chemische Überführung der Außenhaut des Halbleiters in ein Metall zu erzeugen.
Mit dem zugehörigen Zuleitungsdraht pflegt man sie durch Aufpressen eines Metallrahmens, einer
Feder o. dgl. zu verbinden. Hierbei wird die Deckschicht leicht beschädigt, oder es treten
Kontaktfehler bzw. störende Kontaktpotentiale auf. Ferner erfordert diese Kontaktherstellung
ziemlich komplizierte Arbeitsgänge, die sich insbesondere dann schwer durchführen lassen,
wenn die Fertigstellung der Zelle in einem Vakuum erfolgt, in dem die Zelle dann anschließend
belassen werden soll.
Die Erfindung betrifft eine Zejlenforrn, bei der diese Nachteile in Fortfall kommen und die
sich auch im Vakuum außerordentlich leicht fertigstellen läßt. Ihr wichtigstes Kennzeichen
besteht darin, daß in der Nachbarschaft des Sperrschichtträgers, aber unter Belassung eines
Zwischenraumes, eine Leiterfläche auf einer isolierenden Unterlage angebracht ist, die mit der
einen Stromzuleitung in Verbindung steht und von der Deckschicht mit überdeckt wird. Sperrschichtträger
und zusätzliche Leiterfläche können dabei auf einem gemeinsamen Isolierkörper und
gegebenenfalls in einer Ebene liegen. Zweckmäßig ,umgibt die zusätzliche Leiterfläche den
Sperrschichttrager in Form eines Ringes oder eines Rahmens und besteht (wenigstens oberflächlich)
aus einem anderen Metall als der Sperrschichtträger. Der Sperrschichtträger* ist
mit der einen, die zusätzliche Leiterfläche mit der anderen Stromzuleitung verbunden. Als
isolierende Unterlage kann ein Glimmerplättchen oder wegen der größeren Starrheit
besser eine Glas- oder Quarzplatte dienen. Auch Hartgummi ist brauchbar. Keramische Massen
haben siph in verschiedenen Fällen als besonders vorteilhaft erwiesen, weil auf ihnen Metallüberzüge
überraschend festhaften.Barrier layer photocells are known to consist of a conductive base serving as one supply line, a semiconductor layer covering this and separated from it by the actual barrier layer, and a conductive cover layer applied to said semiconductor layer serving as another current supply line. The cover layer is usually created either by laying on a net, by sputtering a metal (possibly in combination) or by converting the outer skin of the semiconductor into a metal in zones. They are usually connected to the associated lead wire by pressing on a metal frame, a spring or the like. The cover layer is easily damaged here, or contact errors or disruptive contact potentials occur. Furthermore, this contact-making requires rather complicated operations, which are difficult to carry out, especially when the cell is completed in a vacuum, in which the cell is then to be left.
The invention relates to a cell shape in which these disadvantages are eliminated and which can also be produced extremely easily in a vacuum. Their most important characteristic is that in the vicinity of the barrier layer carrier, but leaving a gap, a conductor surface is attached to an insulating base, which is connected to the one power supply line and is also covered by the cover layer. Barrier layer carrier and additional conductor surface can lie on a common insulating body and optionally in one plane. Appropriately, the additional conductor surface surrounds the barrier layer carrier in the form of a ring or a frame and consists (at least on the surface) of a different metal than the barrier layer carrier. The barrier layer carrier * is connected to one power line, the additional conductor surface to the other. A mica plate or, because of its greater rigidity, a glass or quartz plate can serve as an insulating base. Hard rubber can also be used. Ceramic masses have proven to be particularly advantageous in various cases because metal coatings adhere surprisingly to them.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen erhält man schon vor der Erzeugung der Deckschicht eine absolut unveränderliche räumliche Fixierung der von der Deckschicht nachher miteinander in Verbindung zu bringenden Flächen. Die Deckschicht wird nicht wie bisher durch Aufpressen eines weiteren Metallstückes mit ihrer Zuleitung in Verbindung gebracht, sondern bedeckt auch diese (vorher fixierte) Metallfläche mit. Daß auf diese Weise sehr viel sichere Kontakte entstehen, liegt auf der Hand. Daß die Fertigstellung der Zelle erleichtert wird, ersieht man aus folgendem.As a result of the measures according to the invention, an absolutely unchangeable spatial layer is obtained even before the top layer is produced Fixing of the surfaces to be connected to one another by the cover layer afterwards. The top layer is not, as before, by pressing on another piece of metal their supply line connected, but also covers this (previously fixed) metal surface with. It is obvious that a great many secure contacts are created in this way. That the Completion of the cell is facilitated, can be seen from the following.
Abb. ι zeigt zunächst eine erflndungsgemäße Sperrschichtzelle schematisch im Querschnitt. Auf die Quarzplatte 1 ist der Sperrschichtträger 2 (z. B'. in Form einer Kupferschicht) aufgebracht. Dem Sperrschichtträger benachbart,Fig. 1 initially shows a barrier cell according to the invention schematically in cross section. The barrier layer carrier 2 (e.g. in the form of a copper layer) is applied to the quartz plate 1. Adjacent to the barrier substrate,
aber unter Belassung eines Zwischenraumes, ' sind rechts und links von ihm die Leiterflächen 3 angeordnet, die z. B. aus einer Versilberung bestehen können. Diese Leiterflächen 3 sind mit der einen Zuleitung 4 verbunden, während der Sperrschichtträger 2 in üblicher Weise mit der anderen Zuleitung 5 in Verbindung steht. · Ist die Zelle in dieser Weise vorbereitet, so wird auf den Sperrschichtträger erst nach irgendeinem der bekannten Verfahren die Halbleiterschicht 6 und schließlich auf das ganze Zellenelement die gestrichelt angedeutete durchgehende Deckschicht 7 aufgebracht. Die Zelle ist dann fertig. Die Belichtung kann sowohl durch die Deckschicht 7 hindurch in Richtung des Pfeiles 8 als auch durch die Quarzplatte 1 hindurch in Richtung des Pfeiles 9 erfolgen. Im letzteren Falle muß der Sperrschichtträger 2 durchsichtig dünn gehalten werden.but leaving a space in between, 'are the conductor surfaces 3 to the right and left of it arranged, the z. B. can consist of a silver plating. These conductor areas 3 are with connected to the one supply line 4, while the barrier layer carrier 2 in the usual manner with the other supply line 5 is in connection. · If the cell is prepared in this way, it will open the barrier layer carrier only after any of the known methods the semiconductor layer 6 and finally the continuous cover layer indicated by dashed lines on the entire cell element 7 applied. The cell is then ready. The exposure can both through the top layer 7 through in the direction of arrow 8 and through the quartz plate 1 in In the direction of arrow 9. In the latter case, the barrier layer support 2 must be transparent be kept thin.
Abb. 2 zeigt eine Vakuumsperrschichtzelle erfindungsgemäßer Art. Im Innern des Glasballons 10 ist an den Stützen 11 die Quarzplatte 12 befestigt. Sie wird in ihrem Mittelfeld von dem Sperrschichtträger 13 bedeckt, der unter Belassung eines Zwischenraumes von der zusätzlichen Leiterfläche 14 rahmenartig umgeben wird. Zu jeder dieser beiden Flächen (13, 14) führt eine Stromzuleitung 15 bzw. 16. Die isolierten und mit einer besonderen Zuleitung versehenen Streben 17 und 18 dienen lediglich als Hilfselektroden bei der Fertigstellung der Zelle.Fig. 2 shows a vacuum barrier cell of the type according to the invention. Inside the glass balloon 10, the quartz plate 12 is attached to the supports 11. She will be in her midfield covered by the barrier layer support 13 which, leaving a gap between the additional conductor surface 14 is surrounded like a frame. For each of these two surfaces (13, 14) leads to a power supply line 15 or 16. The struts 17 and 18, which are isolated and provided with a special feed line, are used only as auxiliary electrodes when completing the cell.
Es hat sich gezeigt, daß man die Herstellung der Halbleiterschicht im Vakuum dadurch besonders leicht erzielen kann, daß man den Sperrschichtträger (insbesondere in verdünntem Sauerstoff) zur Kathode einer Glimmentladung macht. Auf diese Weise gelingt es leicht, die Halbleiterbedeckung auf den Sperrschichtträger zu beschränken und hierdurch das Entstehen eines entgegengesetzt gerichteten Sperrschichteffektes auf der Oberfläche des zusätzlichen Leiters 14 zu verhüten. Bei der in Abb. 2 dargestellten Zelle dienen als Anode dieser Glimmentladung zweckmäßig die Streben 17 und 18. Ist die Sperrschicht anschließend formiert, so erzeugt man in dem Vakuumgefäß eine Glimmentladung (zweckmäßig in Edelgas), bei der die Streben 17 und 18 als Kathode dienen. Hierbei werden diese Streben zerstäubt, und ihr Zerstäubungsniederschlag bildet die mehrfach beschriebene Deckschicht.It has been shown that the production of the semiconductor layer in a vacuum is particularly advantageous can easily achieve that the barrier layer substrate (especially in dilute oxygen) to the cathode of a glow discharge. In this way it is easy to achieve the semiconductor coverage to the barrier layer carrier and thereby the emergence of an oppositely directed barrier layer effect to prevent on the surface of the additional conductor 14. In the case of the one shown in Fig. 2 The struts 17 and 18 serve as the anode of this glow discharge If the barrier layer is then formed, a glow discharge is generated in the vacuum vessel (expediently in noble gas), in which the struts 17 and 18 serve as cathode. Here will be these struts are atomized, and their atomized precipitate forms the one described several times Top layer.
Da die Zerstäubung der Streben 17 und 18Since the atomization of the struts 17 and 18
natürlich nach allen Seiten hin erfolgt, führt sie zu einer Beschlagbildung auf der Vorderwand des Vakuumgefäßes 1. Es empfiehlt sich daher, die Belichtung von der anderen Seite der Zelle aus vorzunehmen (Pfeil 9 in Abb. 1) und die Trägerschicht 13 für diesen Zweck durchsichtig dünn zu halten.occurs naturally on all sides, it leads to fogging on the front wall of the vacuum vessel 1. It is therefore advisable to take the exposure from the other side of the cell off (arrow 9 in Fig. 1) and the To keep the carrier layer 13 transparent for this purpose.
Ein besonders wichtiges Ausführungsbeispiel zeigt Abb. 3 im Schnitt. Die Glaswand des Vakuumgefäßes 19 ist in ihrer vollen nutzbaren Ausdehnung mit dem durch verdicktes Ausziehen angedeuteten Sperrschichtträger 20 bedeckt. Als zweite Zuleitung dient die im Hals des Vakuumgefäßes angeordnete ringförmige Leiterfläche 21. Nach erfolgter Erzeugung der Sperrschicht wird die Deckschicht durch Zerstäuben des Stiftes 22 aufgebracht. Für die Stromzuleitung zum Sperrschichtträger 20 dient die Klemme 23, für diejenige zur Leiterfläche der Stecker 24. Die Stromzuleitung zum Stift 22 wird nur bei der Fertigstellung der Zelle benötigt und bleibt späterhin innerhalb des Sockels 25 verborgen.A particularly important embodiment is shown in Fig. 3 in section. The glass wall of the Vacuum vessel 19 is in its full usable extent with the thickened pulling out indicated barrier layer carrier 20 covered. The second feed line is the one in the throat of the vacuum vessel arranged annular conductor surface 21. After the generation of the The barrier layer is applied to the cover layer by atomizing the stylus 22. For the The terminal 23 is used to supply power to the barrier layer carrier 20, for the one to the conductor surface the plug 24. The power supply line to the pin 22 is only required when the cell is completed and later remains hidden within the base 25.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP63472D DE592734C (en) | 1931-07-11 | 1931-07-11 | Barrier photocell, especially vacuum barrier cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DEP63472D DE592734C (en) | 1931-07-11 | 1931-07-11 | Barrier photocell, especially vacuum barrier cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE592734C true DE592734C (en) | 1934-02-13 |
Family
ID=7390183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP63472D Expired DE592734C (en) | 1931-07-11 | 1931-07-11 | Barrier photocell, especially vacuum barrier cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE592734C (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1075238B (en) * | 1960-02-11 | Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien | Selenium photo element |
-
1931
- 1931-07-11 DE DEP63472D patent/DE592734C/en not_active Expired
Cited By (1)
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| DE1075238B (en) * | 1960-02-11 | Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien | Selenium photo element |
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