DE4439012A1 - Zweirichtungsthyristor - Google Patents
ZweirichtungsthyristorInfo
- Publication number
- DE4439012A1 DE4439012A1 DE19944439012 DE4439012A DE4439012A1 DE 4439012 A1 DE4439012 A1 DE 4439012A1 DE 19944439012 DE19944439012 DE 19944439012 DE 4439012 A DE4439012 A DE 4439012A DE 4439012 A1 DE4439012 A1 DE 4439012A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thyristor
- anode
- doped
- cathode
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 title description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 20
- 241000863814 Thyris Species 0.000 claims description 5
- VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N NPNP Chemical group NPNP VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungs
halbleiterbauelemente. Sie geht aus von einem Zweirich
tungsthyristor nach dem Oberbegriff des ersten Anspruchs.
Ein solcher Zweirichtungsthyristor oder bidirektionaler
Thyristor wird schon im Europäischen Patent EP-B1-0 110
551 oder im Amerikanischen Patent US 4,982,261 beschrie
ben. Es handelt sich dabei um einen lichtzündbaren, bidi
rektional leitenden Thyristor bzw. um einen Triac.
Solche Elemente weisen in einem Halbleitersubstrat zwei
antiparallel geschaltete Thyristorstrukturen auf. Das
heißt die Anode der einen Struktur ist mit der Kathode
der anderen verbunden und vice versa. Den vorstehend ge
nannten Strukturen ist gemeinsam, daß nur ein Kontakt
für die Einspeisung des Steuerpulses (Licht oder Strom)
vorgesehen ist. Dies ergibt jedoch eine asymmetrische An
steuerung. Deshalb sind die bidirektionalen Thyristoren
oder Zweirichtungsthyristoren nach dem Stand der Technik
für höhere Blockierspannungen (größer als ca. 1000 V)
ungeeignet. Auch mit einer Erhöhung der Bauelementdicke
erreicht man keine höheren Blockierspannungen, denn die
Probleme der asymmetrischen Ansteuerung verstärken sich
nur.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Zwei
richtungsthyristor anzugeben, welcher auch für höchste
Blockierspannungen geeignet ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Zweirichtungsthyristor der
eingangs genannten Art durch die Merkmale des ersten An
spruchs gelöst.
Kern der Erfindung ist es also, daß für jede Thyri
storstruktur eine eigene Steuerelektrode vorgesehen ist
und die Thyristorstrukturen durch ein Trenngebiet elek
trisch voneinander entkoppelt sind. Die Steuerelektroden
und Trenngebiete sind dabei auf beiden Hauptflächen vor
gesehen.
Nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfassen die
Thyristorstrukturen eine NPNP-Struktur mit einem n+ do
tierten Kathodenemitter, einer p dotierten p-Basis, einer
n dotierten n-Basis und einem p dotierten Anodengebiet.
Im Anodengebiet ist zudem ein p+ dotierter Anodenemitter
vorgesehen. Das Trenngebiet wird nun auf der ersten
Hauptfläche durch die p-Basis der ersten Thyristorstruk
tur bzw. durch das Anodengebiet der zweiten Thyri
storstruktur gebildet und auf der zweiten Hauptfläche
durch die p-Basis der zweiten Thyristorstruktur bzw. das
Anodengebiet der ersten Thyristorstruktur. Das Trennge
biet entkoppelt jeweils die Anode der einen Thyri
storstruktur von der Steuerelektrode der jeweils anderen
Thyristorstruktur. Um eine gute Entkopplung zu erzielen,
sind die Trägerlebensdauern im Trenngebiet so gewählt,
daß die Diffusionslänge für Träger etwa einen Zehntel
der Breite des Trenngebietes beträgt.
Das Halbleitersubstrat weist vorzugsweise die Form einer
runden Scheibe auf. In diesem Fall sind die Steuerelek
troden der beiden Thyristorstrukturen auf den jeweiligen
Hauptflächen im wesentlichen im Mittelpunkt der Scheibe
angeordnet (Zentralgate). Außerdem kann eine verstär
kende Gatestruktur mit einem Hilfsthyristor vorgesehen
sein (Amplifying Gate). Dadurch wird der Zündstrom ver
stärkt und gleichmäßig über die Bauelementfläche ver
teilt.
Das Trenngebiet und die Anode, welche auf einer gemeinsa
men Hauptfläche angeordnet sind, nehmen ungefähr die
Hälfte der Bauelementoberfläche in Anspruch.
Ein Gehäuse, das für den Thyristor nach der Erfindung
speziell gut geeignet ist weist zwei Steueranschlüsse
auf, welche versetzt angeordnet sind.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich aus den ent
sprechenden abhängigen Ansprüchen.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Aufbaus besteht darin,
daß durch die Entkopplung der beiden Thyristorstrukturen
eine Reduktion der Zündempfindlichkeit durch einen all
fälligen parasitären Strompfad zwischen den Strukturen
minimal gehalten werden kann. Zudem verhindert die Ent
kopplung ein unkontrolliertes, wechselseitiges Zünden der
Strukturen. Da für jede Thyristorstruktur zudem eine ei
gene Steuerelektrode vorgesehen ist, erhält man nach der
Erfindung einen bidirektionalen Thyristor, der auch für
höchste Blockierspannungen sicher eingesetzt werden kann.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu
tert.
Es zeigen:
Fig. 1 Eine Aufsicht eines Zweirichtungsthyristors
nach der Erfindung;
Fig. 2 Eine Darstellung des Dotierungsprofils eines
Zweirichtungsthyristors nach der Erfindung;
Fig. 3 Einen Ausschnitt des Gatebereichs eines erfin
dungsgemäßen Zweirichtungsthyristors;
Fig. 4 Einen Ausschnitt eines Gehäuses, das für einen
erfindungsgemäßen Thyristor geeignet ist.
Die in den Zeichnungen verwendeten Bezugszeichen und de
ren Bedeutung sind in der Bezeichnungsliste zusammenge
faßt aufgelistet. Grundsätzlich sind in den Figuren
gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt eine Aufsicht auf einen erfindungsgemäßen
Zweirichtungsthyristor 1. Mit 6 ist die Anode einer er
sten Thyristorstruktur bezeichnet, 8 bezeichnet die
Steuer- oder Gateelektrode einer zweiten Thyristorstruk
tur, 5 die Kathode der zweiten Thyristorstruktur, 7 das
Trenngebiet zwischen den zwei Thyristorstrukturen und 20
eine verstärkende Gatestruktur (Amplifying Gate) mit fin
gerförmigen Fortsetzungen. Fig. 1 zeigt also deutlich,
daß bei einem erfindungsgemäßen Thyristor zwei Thyri
storstrukturen vorgesehen sind, welche durch ein Trennge
biet voneinander entkoppelt sind.
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt um den zentralen Gatebe
reich eines erfindungsgemäßen Thyristors im Schnitt. Me
tallisierungen sind mit von oben rechts nach unten links
verlaufenden Linien schraffiert, n-dotierte Gebiete mit
von oben links nach unten rechts verlaufenden Doppelli
nien und p-dotierte Gebiete mit von oben links nach unten
rechts verlaufenden einfachen Linien. Dichter schraf
fierte Gebiete weisen im allgemeinen eine höhere Dotie
rungsdichte auf als die weniger dicht schraffierten Ge
biete.
Zwischen einer ersten 2 und einer zweiten Hauptfläche 3
ist ein Halbleitersubstrat 4 vorgesehen, welches mehrere
unterschiedlich dotierte Schichten und Gebiete umfaßt.
Die Schichten und Gebiete bilden zwei Thyristorstruktu
ren. Die Funktionsweise dieser Thyristorstrukturen ist
seit langem bekannt und braucht deshalb an dieser Stelle
nicht weiter erläutert werden. Eine Thyristorstruktur um
faßt eine Kathode, eine Anode und eine Steuerelektrode.
Zwischen der Kathode und der Anode ist eine NPNP Vier
schichtstruktur vorgesehen. Im folgenden wird erläutert,
welche Funktion die dargestellten Schichten und Gebiete
aufweisen und wie zwei Thyristorstrukturen in ein Halb
leitersubstrat integriert werden können.
Die zwei Thyristorstrukturen sind antiparallel angeordnet
und werden durch ein Trenngebiet 7 voneinander entkop
pelt. Somit ist auf der ersten Hauptfläche 2 die Kathode
5 einer ersten, in Fig. 2 in der rechten Hälfte der
Figur dargestellten Thyristorstruktur sowie die Anode 6 ei
ner zweiten Thyristorstruktur vorgesehen. Auf der zweiten
Hauptfläche 3 ist es selbstverständlich genau umgekehrt.
Die Kathode 5 wird durch eine Metallisierung gebildet,
welche einen n+ dotierten Kathodenemitter 9 bedeckt. Der
Kathodenemitter 9 ist in eine p dotierte p-Basis 10 ein
gelassen. In Richtung der Anode 6 folgt auf die p-Basis
10 eine n-Basis 11 und ein p dotiertes Anodengebiet 12.
Im Anodengebiet 12 ist ein p+ dotierter Anodenemitter 13
vorgesehen, welcher von einer die Anode 6 bildende Metal
lisierung überdeckt wird. In der p-Basis 10 ist außerdem
ein p+ dotiertes Gategebiet 14 vorgesehen. Dieses wird
von einer zentral angeordneten Gate- oder Steuerelektrode
8 kontaktiert.
Die oben erläuterte Struktur ist für jede Thyristorstruk
tur vorhanden. Die beiden Thyristorstrukturen können in
ein gemeinsames Halbleitersubstrat 4 integriert werden,
indem die p-Basis 10 der einen Struktur als Anodengebiet
12 der anderen und umgekehrt dient. Es sind außerdem
zwei Steuerelektroden 8 und entsprechende Gategebiete 14
vorgesehen, wovon die eine auf der ersten Hauptfläche 2
und die zweite auf der zweiten Hauptfläche 3 angeordnet
ist.
Dadurch, daß zwei separate Steuerelektrode vorgesehen
sind, werden die Nachteile der asymmetrischen Ansteue
rung, wie sie z. B. bei Triacs auftreten, vermieden. Damit
zudem die gegenseitige Beeinflussung der Thyristorstruk
turen möglichst vermieden werden kann - andernfalls müß
te mit unkontrollierten, wechselseitigen Zündungen auf
grund von zu steilen Spannungsflanken (dV/dt) gerechnet
werden -, ist ein Trenngebiet 7 vorgesehen. Dieses ent
koppelt die beiden Thyristorstrukturen und vermeidet die
Bildung eines Kurzschlusses durch den am Gate 8 einge
prägten Strom zur danebenliegenden Anode 6. Um eine mög
lichst effektive Entkopplung zu erreichen, sollte die
Trägerlebensdauer im Trenngebiet 7 gegenüber den übrigen
Halbleiterschichten und Gebieten lokal reduziert werden.
Als Maß dafür kann die Regel, daß die Diffusionslänge
im Trenngebiet kleiner als 1/19 der Breite dieses Trenn
gebiets sein soll, angegeben werden:
Beim Zünden kann ein Abfluß des eingeprägten Gatestromes
zur danebenliegenden Anode 6 von ca. 50-100 mA toleriert
werden. Dies ergibt einen Schichtwiderstand der p-Basis
im Trenngebiet von ungefähr 5 kOhm/sqr. Dieser Wert ist
verträglich mit der Forderung, daß sich die Raumladungs
zone bei voller Belastung in der p-Basis nicht bis zur
Oberfläche ausbreiten kann. Gute Ergebnisse wurden mit
Trenngebietbreiten von ca. 3 mm erreicht.
Die Trägerlebensdauern und Dotierungen der übrigen Halb
leiterschichten und Gebiete entsprechen den für Thyristo
ren üblichen Werten. Fig. 2 zeigt schematisch ein axia
les Dotierungsprofil. Die Werte der einen Thyristorstruk
tur sind gestrichelt, diejenigen der anderen ausgezogen
dargestellt. Im folgenden wird der Verlauf anhand ausge
zogenen Kurve erläutert. Von links ist zunächst die Do
tierung des n+ Kathodenemitters 9 dargestellt (ca.
10¹⁹ cm³). Darauf folgt die p-Basis 10, die n-Basis 11,
das p dotierte Anodengebiet 10 und schließlich ganz
rechts der p+ dotierte Anodenemitter 13. Für den strich
lierten Verlauf sind die Verhältnisse natürlich genau um
gekehrt.
Mit Vorteil wird zwischen der Kathode 5 und der Steuer
elektrode 8 eine verstärkende Gatestruktur (Amplifying
Gate) 20 angeordnet. Das Amplifying Gate umfaßt ein
halbringförmiges n+ dotiertes erstes Gebiet 15, in wel
chem inselförmige, p+ dotierte zweite Gebiete 16 vorgese
hen sind. Diese bilden einen Hilfsthyristor 15, welcher
den am Zentralgate 8 angelegten Zündstrom verstärkt. Mit
16 sind die dazugehörigen Kurzschlußgebiete bezeichnet
(p+ dotiert). Die Funktion eines Amplifying Gate ist
ebenfalls aus dem Stand der Technik bekannt und braucht
nicht weiter erläutert zu werden. Zur besseren Verteilung
des am Gate angelegten Zündstromes können zudem finger
förmige, p-dotierte Gate-Fortführungen vorgesehen werden.
Das Amplifying Gate 20 mit den fingerförmigen Fortführun
gen werden von einer gemeinsamen Metallisierung über
deckt.
Außerdem ist es von Vorteil, wenn der Kathodenemitter 9
mit p+ dotierten, inselförmigen Kurzschlußgebieten 17
durchsetzt ist.
Als Gehäuse kann für den erfindungsgemäßen Thyristor ein
übliches Keramikgehäuse verwendet werden. Ein Ausschnitt
davon ist in einer Aufsicht in Fig. 4 dargestellt. Es
sind mehrere metallene Kontaktscheiben sowie Flansche
dargestellt. Außerdem sieht man, wie die Steueran
schlüsse versetzt angeordnet sind. Dies ist im Hinblick
auf eine einfache Kontaktierung von Vorteil.
Insgesamt steht also mit der Erfindung ein Zweirichtungs
thyristor zur Verfügung, der sicher auch bei höchsten
Blockierspannungen betrieben werden kann.
Bezugszeichenliste
1 Zweirichtungsthyristor
2 erste Hauptfläche
3 zweite Hauptfläche
4 Halbleitersubstrat
5 Kathode
6 Anode
7 Trenngebiet
8 Gate- oder Steuerelektrode
9 Kathodenemitter
10 p-Basis
11 n-Basis
12 Anodengebiet
13 Anodenemitter
14 Gategebiet
15 Hilfsthyristor des Amplifying Gate
16 Kurzschlußgebiete des Hilfsthyristors
17 Kurzschlußgebiete
18 Gehäuse
19 Steueranschluß
20 Amplifying Gate
2 erste Hauptfläche
3 zweite Hauptfläche
4 Halbleitersubstrat
5 Kathode
6 Anode
7 Trenngebiet
8 Gate- oder Steuerelektrode
9 Kathodenemitter
10 p-Basis
11 n-Basis
12 Anodengebiet
13 Anodenemitter
14 Gategebiet
15 Hilfsthyristor des Amplifying Gate
16 Kurzschlußgebiete des Hilfsthyristors
17 Kurzschlußgebiete
18 Gehäuse
19 Steueranschluß
20 Amplifying Gate
Claims (10)
1. Zweirichtungsthyristor (1) umfassend zwischen einer
ersten und einer zweiten Hauptfläche (2 und 3) ein
Halbleitersubstrat (4), welches zwei Thyristorstruk
turen mit je einer Kathode (5) und einer Anode (6)
aufweist, wobei die Kathode (5) der ersten Thyri
storstruktur der ersten Hauptfläche (2), die Anode
(6) der ersten Thyristorstruktur der zweiten Haupt
fläche (3), die Kathode (5) der zweiten Thyri
storstruktur der zweiten Hauptfläche (3) und die An
ode (6) der zweiten Thyristorstruktur der ersten
Hauptfläche (2) zugeordnet ist, dadurch gekennzeich
net, daß auf beiden Hauptflächen (2, 3) zwischen den
beiden Thyristorstrukturen ein Trenngebiet (7) vor
gesehen ist und daß auf beiden Hauptflächen (2, 3)
eine Steuerelektrode (8) vorgesehen ist, wobei die
jenige der ersten Hauptfläche (2) der ersten Thyri
storstruktur zugeordnet ist und diejenige auf der
zweiten Hauptfläche (3) der zweiten Thyristorstruk
tur.
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß
- a) die Thyristorstrukturen eine NPNP-Struktur um fassen mit je einem n+ dotierten Kathodenemit ter (9), einer p dotierten p-Basis (10), einer n dotierten n-Basis (11) und einem p dotierten Anodengebiet (12), wobei das Anodengebiet (12) der einen Thyristorstruktur der p-Basis (11) der anderen entspricht und in den Anodengebie ten (12) ein p+ dotierter Anodenemitter (13) ausgebildet ist,
- b) die Kathode (5), die Anode (6) durch Metalli sierungen gebildet werden, welche den Kathoden bzw. Anodenemitter (9 bzw. 13) kontaktieren, und
- c) die Steuerelektroden (8) Metallisierungen um fassen, welche ein p+ dotiertes, in der p-Basis (10) angeordnete Gategebiet (14) kontaktieren.
3. Thyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Trenngebiet (7) auf der ersten Hauptfläche
(2) durch die p-Basis (10) der ersten Thyri
storstruktur bzw. durch das Anodengebiet (12) der
zweiten Thyristorstruktur gebildet wird und auf der
zweiten Hauptfläche (3) durch die p-Basis (10) der
zweiten Thyristorstruktur bzw. das Anodengebiet (12)
der ersten Thyristorstruktur, wobei das Trenngebiet
(7) die Anode (6) der einen Thyristorstruktur und
von der Steuerelektrode (8) der jeweils anderen Thy
ristorstruktur entkoppelt.
4. Thyristor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Trenngebiet eine reduzierte Trägerlebens
dauer aufweist, welche insbesondere so eingestellt
ist, daß eine Diffusionslänge für Ladungsträger
etwa einem Zehntel des Abstandes zwischen der Anode
(6) der einen Thyristorstruktur und der Steuerelek
trode (8) der jeweils anderen Thyristorstruktur be
trägt.
5. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Halbleitersubstrat (4) die Form einer run
den Scheibe hat und die Steuerelektroden (8) der
beiden Thyristorstrukturen auf beiden Hauptflächen
(2, 3) im wesentlichen im Mittelpunkt der Scheibe an
geordnet sind.
6. Thyristor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Anode (6) der einen Thyristorstruktur zu
sammen mit dem Trenngebiet (7) und die Steuerelek
trode (8) zusammen mit der Kathode (5) der anderen
Thyristorstruktur je etwa eine Hälfte einer Haupt
fläche umfassen.
7. Thyristor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß für jede Thyristorstruktur eine verstärkende
Gatestruktur (20) vorgesehen ist, welche zwischen
der Steuerelektrode (8) und der Kathode (5) einer
Thyristorstruktur angeordnet ist und ein n+ dotier
tes halbringförmiges, in der p-Basis angeordnetes
erstes Gebiet umfaßt, welches einen Hilfsthyristor
(15) bildet und in welchem inselförmige, p+ dotierte
erste Kurzschlußgebiete (16) vorgesehen sind.
8. Thyristor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Kathodenemitter (9) mit p+ dotierten, in
selförmigen Kurzschlußgebieten (17) durchsetzt ist.
9. Thyristor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß der Kathodenemitter (9) mit zweiten, p+ dotier
ten, inselförmigen Kurzschlußgebieten (17) durch
setzt ist.
10. Thyristor nach einem der vorstehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß der Thyristor in ein Ge
häuse (18) mit zwei Steueranschlüssen (19) inte
griert ist, wobei die Steueranschlüsse (19) versetzt
angeordnet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944439012 DE4439012A1 (de) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | Zweirichtungsthyristor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944439012 DE4439012A1 (de) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | Zweirichtungsthyristor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4439012A1 true DE4439012A1 (de) | 1996-05-09 |
Family
ID=6532227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944439012 Ceased DE4439012A1 (de) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | Zweirichtungsthyristor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4439012A1 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0880182A2 (de) * | 1997-05-22 | 1998-11-25 | Asea Brown Boveri AG | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
WO1998057412A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A plant for transmitting electric power including bidirectionally controlled thyristors (bct) |
WO1998057409A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A plant for transmitting electric power including bidirectionallycontrolled thyristors (bct) |
WO1998057410A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A method for reconstruction of a plant for transmitting electric power as well as such a plant |
WO1998057411A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A plant for transmitting electric power and a method for changing the direction of power transmission in such a plant |
DE19739381A1 (de) * | 1997-09-09 | 1999-03-11 | Asea Brown Boveri | Bidirektionales Leistungshalbleiterbauelement |
CN108899360A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-27 | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 | 一种新型结构的双向晶闸管 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1564420B2 (de) * | 1965-07-23 | 1975-09-25 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Symmetrisch schaltendes Halbleiterbauelement |
DE2033566B2 (de) * | 1970-07-07 | 1976-01-02 | Associated Electrical Industries Ltd., London | Halbleitervorrichtung mit verbessertem Schutz gegen du/ tief dt Beanspruchung |
DE7246063U (de) * | 1972-12-16 | 1976-01-15 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg | Zweirichtungs-thyristor |
CH572667A5 (de) * | 1972-12-16 | 1976-02-13 | Semikron Gleichrichterbau | |
DE2636234A1 (de) * | 1976-08-12 | 1978-02-16 | Bbc Brown Boveri & Cie | Steuerbares halbleiterbauelement fuer zwei stromrichtungen |
DE2723951A1 (de) * | 1977-05-27 | 1978-11-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | In zwei quadranten der strom- spannungs-charakteristik schaltbares leistungs-halbleiterbauelement |
DE2448015C2 (de) * | 1973-10-11 | 1984-04-19 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum Herstellen von Zweiwegthyristortrioden |
-
1994
- 1994-11-02 DE DE19944439012 patent/DE4439012A1/de not_active Ceased
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1564420B2 (de) * | 1965-07-23 | 1975-09-25 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Symmetrisch schaltendes Halbleiterbauelement |
DE2033566B2 (de) * | 1970-07-07 | 1976-01-02 | Associated Electrical Industries Ltd., London | Halbleitervorrichtung mit verbessertem Schutz gegen du/ tief dt Beanspruchung |
DE7246063U (de) * | 1972-12-16 | 1976-01-15 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg | Zweirichtungs-thyristor |
CH572667A5 (de) * | 1972-12-16 | 1976-02-13 | Semikron Gleichrichterbau | |
DE2448015C2 (de) * | 1973-10-11 | 1984-04-19 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum Herstellen von Zweiwegthyristortrioden |
DE2636234A1 (de) * | 1976-08-12 | 1978-02-16 | Bbc Brown Boveri & Cie | Steuerbares halbleiterbauelement fuer zwei stromrichtungen |
DE2723951A1 (de) * | 1977-05-27 | 1978-11-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | In zwei quadranten der strom- spannungs-charakteristik schaltbares leistungs-halbleiterbauelement |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH118377A (ja) * | 1997-05-22 | 1999-01-12 | Asea Brown Boveri Ag | 双方向に制御可能なサイリスタ |
DE19721365A1 (de) * | 1997-05-22 | 1998-11-26 | Asea Brown Boveri | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
JP4585632B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2010-11-24 | アーベーベー シュヴァイツ アクチェンゲゼルシャフト | 双方向に制御可能なサイリスタ |
US6078065A (en) * | 1997-05-22 | 2000-06-20 | Asea Brown Boveri Ag | Bilaterally controllable thyristor |
EP0880182A2 (de) * | 1997-05-22 | 1998-11-25 | Asea Brown Boveri AG | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
EP0880182A3 (de) * | 1997-05-22 | 1999-10-27 | Asea Brown Boveri AG | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
WO1998057410A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A method for reconstruction of a plant for transmitting electric power as well as such a plant |
WO1998057411A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A plant for transmitting electric power and a method for changing the direction of power transmission in such a plant |
US6067238A (en) * | 1997-06-12 | 2000-05-23 | Abb Ab | Method for reconstruction of a plant for transmitting electric power as well as such a plant |
WO1998057409A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A plant for transmitting electric power including bidirectionallycontrolled thyristors (bct) |
US6473319B2 (en) | 1997-06-12 | 2002-10-29 | Abb Ab | Plant for transmitting electric power and a method for changing the direction of power transmission in such a plant |
WO1998057412A1 (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Abb Ab | A plant for transmitting electric power including bidirectionally controlled thyristors (bct) |
DE19739381A1 (de) * | 1997-09-09 | 1999-03-11 | Asea Brown Boveri | Bidirektionales Leistungshalbleiterbauelement |
EP0902480A2 (de) * | 1997-09-09 | 1999-03-17 | Asea Brown Boveri AG | Bidirektionales Leistungshalbleiterbauelement |
EP0902480A3 (de) * | 1997-09-09 | 1999-12-08 | Asea Brown Boveri AG | Bidirektionales Leistungshalbleiterbauelement |
CN108899360A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-27 | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 | 一种新型结构的双向晶闸管 |
CN108899360B (zh) * | 2018-07-03 | 2023-11-17 | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 | 一种新型结构的双向晶闸管 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2625917C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE69331312T2 (de) | Leistungshalbleiteranordnung mit Schutzmittel | |
EP0039943B1 (de) | Thyristor mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE2257846B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung | |
DE2716874C2 (de) | Thyristor | |
DE2712533A1 (de) | Mittels einer steuerelektrode gesteuertes halbleiterbauelement, insbesondere thyristor | |
EP0030274B1 (de) | Thyristor mit steuerbaren Emitter-Kurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE3401407C2 (de) | ||
EP0028798B1 (de) | Thyristor mit Hilfsemitterelektrode und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE3240564A1 (de) | Steuerbares halbleiterschaltelement | |
DE4439012A1 (de) | Zweirichtungsthyristor | |
EP0039941B1 (de) | Schaltung zum Betrieb eines Halbleiterbauelements | |
DE3120254C2 (de) | ||
DE2009431C2 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode und mit einer Schutzdiode sowie Schaltungsanordnung mit einem solchen Feldeffekttransistor | |
CH679962A5 (de) | ||
EP0222280A2 (de) | Thyristor mit steuerbaren Emitter-Basis-Kurzschlüssen | |
DE2722517C2 (de) | ||
EP0017980A1 (de) | Thyristor mit Steuerung durch Feldeffekttransistor | |
DE2722064C2 (de) | Lichtzündbarer Thyristor | |
EP0062102A2 (de) | Thyristor mit anschaltbarer innerer Stromverstärkung und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE2300754A1 (de) | Thyristor | |
EP0880182B1 (de) | Beidseitig steuerbarer Thyristor | |
EP0329993A2 (de) | Thyristor mit geringer Ansteuerleistung | |
DE3120124C2 (de) | ||
DE4126491A1 (de) | Abschaltbares leistungshalbleiter-bauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ASEA BROWN BOVERI AG, BADEN, CH |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: LUECK, G., DIPL.-ING. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 7976 |
|
8131 | Rejection |