DE4417603A1 - Verfahren zur Herstellung eines Mehrkern-Supraleiters mit Hoch-T¶c¶-Supraleitermaterial - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Mehrkern-Supraleiters mit mehreren in einer Matrix aus Ag-Material eingebetteten supraleitenden Leiterkernen aus einem metalloxidischen Hoch-T_c-Supraleiter­ material. Bei diesem Verfahren werden folgende Schritte durchgeführt:

• a) Zunächst werden mehrere Teilleiter erstellt, indem minde­ stens ein Ausgangskörper mit einem Kern aus einem Vorpro­ dukt des Hoch-T_c-Supraleitermaterials und einer Umhüllung aus dem Matrix-Material mindestens einem Verformungs­ schritt unterzogen und anschließend zu den Teilleitern un­ terteilt wird,
• b) danach werden mehrere derartige Teilleiter gebündelt in einem Hüllrohr aus dem Matrixmaterial zu einem Rohleiter angeordnet,
• c) darauf wird dieser Rohleiter mehreren Verformungsschritten ausgesetzt

und

• d) mindestens eine Wärmebehandlung wird zur Ausbildung des Hoch-T_c-Supraleitermaterials aus dem Vorprodukt in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre vorgenommen.

Ein entsprechendes Verfahren ist aus dem Beitrag von M. Wilhelm et al. mit dem Titel "Fabrication and Properties of Multifilamentary BipbSrCaCuO-2223 Tapes" des "International Symposium on Superconductivity" (ISS′93), Hiroshima (Jp), Oct. 26-29, 1993, zu entnehmen.

Es sind supraleitende Metalloxidverbindungen mit hohen Sprungtemperaturen T_c von über 77 K bekannt, die deshalb auch als Hoch-T_c-Supraleitermaterialien oder HTS-Materialien be­ zeichnet werden und eine LN₂-Kühltechnik erlauben. Unter sol­ che Metalloxidverbindungen fallen insbesondere Cuprate auf Basis der Stoffsystemklasse Y-Ba-Cu-O (Abkürzung: YBCO) oder Bi-Sr-Ca-Cu-O (Abkürzung: BSCCO) oder Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O (Abkürzung: B(P)SCCO). Innerhalb einzelner Stoffsysteme kön­ nen mehrere supraleitende Phasen auftreten, die sich durch die Anzahl der Kupfer-Sauerstoff-Netzebenen bzw. -Schichten innerhalb der kristallinen Einheitszelle unterscheiden und die verschiedene Sprungtemperaturen aufweisen.

Mit den bekannten Hoch-T_c-Supraleitermaterialien wird ver­ sucht, langgestreckte Supraleiter in Draht- oder Bandform herzustellen. Ein hierfür geeignetes Verfahren ist die soge­ nannte "Pulver-im-Rohr-Technik", die prinzipiell von der Her­ stellung von Supraleitern mit dem klassischen metallischen Supraleitermaterial Nb₃Sn her bekannt ist. Entsprechend die­ ser Technik wird in ein Rohr aus einem normal leitenden Mate­ rial, insbesondere aus Ag oder Ag-Legierung, Pulver aus einem Vorprodukt des Hoch-T_c-Supraleitermaterials eingebracht, das im allgemeinen noch nicht oder nur zu einem geringen Teil die gewünschte supraleitende Hoch-T_c-Phase enthält. Der so zu er­ haltende Aufbau wird anschließend mittels mindestens einer Verformungsbehandlung, die gegebenenfalls durch mindestens eine Wärmebehandlung unterbrochen sein kann, auf die ge­ wünschte Enddimension gebracht. Danach wird der so erhaltene draht- oder bandförmige Verbundkörper zur Einstellung oder Optimierung seiner supraleitenden Eigenschaften bzw. zur Aus­ bildung der gewünschten Hoch-T_c-Phase mindestens eine Wärme­ behandlung unterzogen, die wenigstens teilweise in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, z. B. an Luft, durchgeführt wird (vgl. EP-A-0 281 444). Bündelt man in an sich bekannter Weise mehrere entsprechende band- oder drahtförmige Hoch-T_c- Supraleiter oder deren Leiterzwischenprodukte, so kann man auch Mehrkernleiter erhalten, die für technische Anwendungen eine Reihe von Vorteilen bieten (vgl. den eingangs genannten Beitrag des ISS′93 oder die EP-A-0 496 281).

Gemäß einer sogenannten Rundbündelungstechnik wird eine der Anzahl der angestrebten Leiterkerne in dem supraleitenden Endprodukt entsprechende Anzahl an Teilleitern zusammenge­ faßt, in ein Hüllrohr aus Ag oder einer Ag-Legierung gesteckt und der so entstandene Rohleiter zu einem Draht oder Band verformt. Unter einem Teilleiter sei dabei ein draht- oder bandförmiges Element verstanden, das aus einem Kern aus einem Vorprodukt des gewünschten Hoch-T_c-Supraleitermaterials und einer metallischen Ag-Umhüllung besteht und das mindestens einem Kaltverformungsschritt unterzogen wurde. Durch die Kaltverformung wird eine Härtung des Materials der Umhüllung erreicht. Diese Härtung ist einerseits erwünscht, weil da­ durch eine gleichmäßigere Verformung eines zweikomponentigen Aufbaus eines aus einem Teilleiterbündel und einem Ag-Hüll­ rohr bestehenden Rohleiters erreicht wird. Andererseits be­ hindert aber diese Härtung das notwendige Kaltverschweißen der einzelnen Teilleiter des Rohleiters zu einem homogenen Verbund. Aufgrund dieser Schwierigkeit wird der Rohleiter nach jeweils einem oder mehreren Verformungsschritten vor­ sichtig getempert, um das Hüllmaterial der Teilleiter und das Hüllrohr des Rohleiters gerade so weit zu rekristallisieren, daß bei der gemeinsamen Verformung ein Kaltverschweißen der Teilleiter erfolgt. Dieser Temperschritt bewirkt aber eine Verschlechterung der Verformungseigenschaften des Metall-Ke­ ramikverbundes, da das gesamte Ag-Material der Umhüllungen der Teilleiter und des Hüllrohres des Rohleiters weich wird.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, das Ver­ fahren mit den eingangs genannten Merkmalen dahingehend aus­ zubilden, daß eine gute Kaltverschweißung der Teilleiter un­ tereinander und mit dem Hüllrohr sowie gute Verformungseigen­ schaften des Metall-Keramik-Verbundes gewährleistet sind.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei der Erstellung der Teilleiter gemäß Verfahrensschritt a) als der mindestens eine Verformungsschritt und zur Verformung des Rohleiters gemäß Verfahrensschritt c) zumindest als erster Verformungsschritt jeweils ausschließlich eine Kaltverformung vorgesehen wird und daß vor der Bündelung gemäß Verfahrens­ schritt b) zumindest großenteils die Oberfläche mindestens einzelner Umhüllungen in einer oberflächennahen Zone kurzzei­ tig aufgeschmolzen werden.

Dabei werden unter einer Kaltverformung übliche Verformungs­ verfahren, insbesondere mit einer Querschnittsverminderung, wie z. B. Walzen, Pressen, Ziehen oder Hämmern verstanden, bei denen jeweils ohne zusätzliche Wärmezufuhr von außen gearbei­ tet wird.

Unter einem Ag-Material wird ein Werkstoff verstanden, der zumindest zum größten Teil, d. h. zu mehr als 80 Atom-%, Ag enthält und insbesondere bis auf übliche Verunreinigungsan­ teile aus reinem Ag besteht.

Die mit den erfindungsgemäßen Maßnahmen verbundenen Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß einzelne oder alle Teilleiter an der Oberfläche ihrer Umhüllungen jeweils in einer oberflächennahen Zone oder Schicht rekristallisieren können. Unter einer oberflächennahen Zone wird dabei eine Schicht mit einer Dicke bzw. Tiefe verstanden, die vorzugsweise höchstens 40% der Dicke der Umhüllung ausmacht. Im allgemeinen liegt deshalb die Dicke der oberflächennahen Zone unter 200 µm. Diese Zone ermöglicht dann eine gute Verbindung der Teilleiter untereinander, wobei die Stabilität der kaltverformten Umhüllungen weitgehend erhalten bleibt und so eine weitgehend gleichmäßige Verformung von Keramik und normalleitendem Ag-Material zu gewährleisten ist. Wegen des nur kurzzeitigen Aufschmelzens der oberflächennahen Zone wird nämlich die hierfür erforderliche Energie so schnell eingebracht, daß ein Aufschmelzen nur lokal erfolgt und die eingebrachte Wärmeenergie praktisch nicht durch Wärmeleitung abgeführt wird, was zu einer unerwünschten homogenen Erwärmung der Ag-Umhüllung führen würde.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens gehen aus den Unteransprüchen hervor.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung noch weiter erläutert. Dabei zeigen jeweils schema­ tisch deren

Fig. 1 und 2 eine erste Ausführungsmöglichkeit eines Aufschmelzens einer Teilleiterumhüllung bei dem erfindungsgemäßen Verfahren in Querschnitts- bzw. Schrägansicht,

Fig. 3 eine weitere Aufschmelzmöglichkeit als Querschnitt und

Fig. 4 ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erstelltes Endprodukt eines Mehrkern-Supraleiters als Querschnitt.

Bei diesem Verfahren kann vorteilhaft eine an sich bekannte Pulver-im-Rohr-Technik zugrundelegt werden. Es lassen sich so langgestreckte Verbundkörper wie z. B. Drähte oder Bänder her­ stellen, die ein in ein Matrixmaterial eingebettetes Hoch-T_c- (HTS)-Material zumindest weitgehend phasenrein enthalten. Als HTS-Material sind praktisch alle bekannten Hoch-T_c-Supralei­ termaterialien, insbesondere selten-erd-freie Cuprate mit Phasen geeignet, deren Sprungtemperaturen T_c deutlich über der Verdampfungstemperatur des flüssigen Stickstoffs (LN₂) von 77 K liegen. Beispiele hierfür sind das (Bi,Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O_x (Kurzform: Bi(Pb)-2223-Cuprat), das Tl- 1223-Cuprat, das Tl-2223-Cuprat oder das Hg-1223-Cuprat. Für das nachfolgende Ausführungsbeispiel sei ein HTS-Material auf Basis des sechskomponentigen Stoffsystems (Bi-Pb)-Sr-Ca-Cu-O ausgewählt, wobei unvermeidbare Verunreinigungen der einzel­ nen Komponenten mit eingeschlossen sind (vgl. z. B. "Supercond. Sci. Technol.", Vol. 4, 1991, Seiten 165 bis 171 oder die EP-A-0 496 281).

Zur Herstellung eines entsprechenden Ausgangspulvers wird von einer bekannten Einwaage ausgegangen, die eine Ausbildung der 110 K-Phase (3-Schichter-Phase) ermöglicht. Um die Stöchiome­ trie dieser Hoch-T_c-Phase zu gewährleisten, werden Oxid- oder Carbonatpulver der einzelnen metallischen Komponenten des ausgewählten Stoffsystems, beispielsweise Pulver aus Bi₂O₃, PbO, SrCO₃, CaO und CuO, so zusammengestellt, daß die einzel­ nen elementaren Komponenten in dem Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-System in folgendem Verhältnis stehen: 1,8 : 0,4 : 2,0: (1,8 bis 2,2): 3,0). Diese Ausgangspulvermischung wird dann in bekannter Weise in zwei Stufen kalziniert, wobei während z. B. 3 bis 4 Stunden lang bei etwa 800°C und anschließend z. B. 16 Stunden lang bei etwa 820°C geglüht wird. Das so entstandene Kalzinat, das eine Vielzahl von ganz verschiedenen Verbindungen der Kompo­ nenten des HTS-Materials, so auch Anteile aus einer 2201- und einer 2202-Phase, aufweist, wird anschließend in einer Plane­ tenkugelmühle zu Pulver vermahlen. Das so gewonnene Aus­ gangspulver, das als ein Vorprodukt im Hinblick auf das auszubildende Hoch-T_c-Supraleitermaterial anzusehen ist und dem gegebenenfalls noch ein Zusatzmaterial wie z. B. Ag-Pulver oder Ag-Folien hinzugefügt werden kann, wird nun mit einer Umhüllung versehen, beispielsweise in ein entsprechendes Rohr eingebracht. Dieses Rohr soll aus dem Material bestehen, das als Matrixmaterial für das fertige Endprodukt des Hoch-T_c- Supraleiters dient. Als Matrixmaterial soll ein Ag-Material vorgesehen sein, das zumindest zum größten Teil, d. h. zu mehr als 80 Atom-%, vorzugsweise als 90 Atom-% Ag enthält. Vorzugsweise kommt reines Ag oder dispersionsgehärtetes Ag, letzteres insbesondere aufgrund seiner guten mechanischen Festigkeit, in Frage. Das Ag-Rohr kann beispielsweise einen Außendurchmesser von 8 mm und eine Wandstärke von 1 mm haben.

Der so erhaltene Ausgangskörper aus der rohrförmigen Umhül­ lung und dem Pulverkern wird anschließend mindestens einer insbesondere querschnittsvermindernden Verformungsbehandlung unterzogen, um so einen z. B. drahtförmigen Körper zu erhal­ ten. Im allgemeinen ist eine Abfolge von mehreren Verfor­ mungsbehandlungen zur Ausbildung dieses Körpers erforder­ lich. Für die mindestens eine Verformungsbehandlung kommen alle bekannten Verfahren wie z. B. Pressen, insbesondere Strangpressen, oder Rollen, Walzen, Hämmern oder Ziehen in Frage. Diese Behandlung kann bei Raumtemperatur, also kalt, d. h. ohne zusätzliche Wärmezufuhr von außen durchgeführt wer­ den. Gegebenenfalls kann aber auch die mindestens eine Ver­ formungsbehandlung bei leicht erhöhter Temperatur, die aber unter der Rekristallisationstemperatur des verwendeten Ag-Ma­ terials liegen soll, erfolgen. Der am Ende vorliegende draht­ förmige Körper mit hochdichtem Kern aus dem Vorprodukt des HTS-Materials stellt entweder bereits einen einzelnen Teil­ leiter dar oder wird als ein Zwischenprodukt in mehrere Teil­ leiter unterteilt. Ein derartiger Teilleiter ist in Fig. 1 als Querschnitt veranschaulicht und allgemein mit 2 bezeich­ net. Seinem Kern aus dem Vorprodukt des HTS-Materials ist das Bezugszeichen 3 und seiner Umhüllung aus dem Ag-Material das Bezugszeichen 4 zugeordnet.

Nach dem mindestens einen Kaltverformungsschritt weist das Ag-Hüllenmaterial 4 jedes Teilleiters 2 eine verhältnismäßig große Härte auf. Zur Reduktion dieser Härte ist erfindungsge­ mäß vorgesehen, das Hüllmaterial jedes Teilleiters oder eines Teils der Teilleitermenge in einer oberflächennahen Zone 5 von der Oberfläche 4a her kurzzeitig aufzuschmelzen. Die Dicke bzw. Tiefe t dieser Schmelzzone soll dabei höchstens 40%, vorzugsweise 30% der Wanddicke der verwendeten Umhül­ lung 4 betragen. Bei den üblicherweise vorzusehenden Rohr­ stärken liegt dann die Tiefe t unter 200 µm, insbesondere un­ ter 100 µm. Im allgemeinen reicht eine Tiefe t der entspre­ chenden Schmelzzone 5 zwischen 5 und 50 µm, um nach einer Re­ kristallisation dieser Zone ein Kaltverschweißen mehrerer entsprechender Teilleiter bei einem späteren Verformungspro­ zeß zu erleichtern. Die Stabilität der kaltverformten Umhül­ lungen 4 bleibt dabei weitgehend erhalten.

Das kurzzeitige Aufschmelzen der Umhüllung 4 wird mit Hilfe einer energiereichen Strahlung 7 bewirkt, die mit Hilfe einer Linse 6 auf die Oberfläche 4a der Umhüllung fokussiert wird. Vorzugsweise kann die Strahlung 7 je nach Wärmeleitfähigkeit und Schmelzpunkt des Hüllmaterials von einer Infrarotlicht­ quelle oder einem Laser, beispielsweise einem Excimerlaser, gepulst oder kontinuierlich erzeugt sein. In Fig. 2 ist eine entsprechende Vorrichtung angedeutet. Der einzelne Teilleiter 2 ist zwischen Einspannmitteln 10 und 11 einer nicht näher ausgeführten Drehvorrichtung drehbar eingespannt. Eine mögli­ che Drehrichtung ist durch gepfeilte Linien 12a und 12b an den Einspannmitteln 10 und 11 angedeutet. Außerdem können die Einspannmittel z. B. mit Wasser gekühlt sein, um so in den Teilleiter im Bereich des auftreffenden Laserstrahls 7 einge­ brachte Wärmeenergie schnell abzuführen und so ein zu starkes Aufheizen des Teilleiters zu vermeiden. Um zumindest den größten Teil der gesamten Oberfläche 4a des Hüllmaterials des Teilleiters schrittweise dem Strahl 7 auszusetzen, ist ferner eine nicht näher ausgeführte Verschiebevorrichtung vorgese­ hen, mit der der Teilleiter in der durch einen Doppelpfeil 13 angedeuteten axialen Richtung und Gegenrichtung des Teillei­ ters verschoben werden kann.

Gemäß einem konkreten Ausführungsbeispiel wurde ein kaltver­ formter Teilleiter 2 mit einem Außendurchmesser von 2,5 mm mit 100 Laserpulsen eines XeCl-Excimer-Lasers mit einer Ener­ giedichte von etwa 1 J/cm² an Luft bestrahlt. Es konnte eine Abnahme der Vickers-Härte von 100 auf 70 gemessen werden, wo­ bei die Mikrohärteprüfung mit 10 p vorgenommen wurde.

Die Bestrahlung der einzelnen Teilleiter oder eines Vorpro­ duktes dieser Teilleiter kann auch kontinuierlich erfolgen. Gemäß dem entsprechenden, in Fig. 3 dargestellten Ausfüh­ rungsbeispiel trifft ein Laserstrahl 7 auf einen verformten, drahtförmigen Zwischenprodukt 20′ aus einem Kern aus dem Vor­ produkt des HTS-Materials und der Umhüllung aus dem Ag-Ma­ trixmaterial. Ein Teil 7a des Laserstrahls wird von einem Spiegelsystem 21 reflektiert. Dieses Spiegelsystem, von dem in der Figur nur ein einziger Spiegel angedeutet ist, ist da­ bei so ausgelegt, daß der drahtförmige Zwischenprodukt 20′ rund herum etwa gleichmäßig bestrahlt wird. In der Figur ist ferner ein Spulenwickel 22 aus dem noch nicht kaltverformten, aus dem HTS-Vorprodukt und der Ag-Umhüllung bestehenden Aus­ gangskörper 20 der Teilleiter angedeutet. Der von dem Spulen­ wickel 22 abgewickelte Ausgangskörper 20 wird durch eine Zieheinrichtung 23 kaltgezogen. Das aus der Zieheinrichtung austretende, querschnittsverminderte Zwischenprodukt 20′ kann zu einem weiteren Spulenwickel 24 aufgewickelt werden. Ein­ zelne Abschnitte dieses Zwischenprodukts stellen nach ent­ sprechender Unterteilung die einzelnen Teilleiter dar.

Um einen Mehrkernleiter zu erhalten, werden anschließend ge­ mäß einer an sich bekannten Bündelungstechnik mehrere solcher Teilleiter als Bündel in ein entsprechend großes Hüllrohr aus dem genannten Ag-Matrixmaterial eingebracht. Der so entstan­ dene Rohleiter wird dann einer Abfolge von Verformungsschrit­ ten und Glüh- oder Sinterschritten unterzogen, um das ge­ wünschte supraleitende Endprodukt eines Mehrkernleiters zu erhalten. Dabei soll erfindungsgemäß zumindest der erste Ver­ formungsschritt des Rohleiters ohne Wärmezufuhr von außen, also kalt, d. h. z. B. bei Raumtemperatur vorgenommen werden. Hierdurch ist ein gutes Kaltverschweißen der einzelnen Teil­ leiter untereinander und mit dem Material des sie umgebenden Hüllrohres sowie gleichzeitig eine gleichmäßige Verformung zu gewährleisten. Um in dem so verformten Rohleiter nun die ge­ wünschte supraleitende Hoch-T_c-Phase auszubilden und eine ho­ he kritische Stromdichte einzustellen, schließt sich im all­ gemeinen eine sogenannte thermo-mechanische Behandlung an. Diese Behandlung setzt sich aus Glüh- und Press- bzw. Verfor­ mungsschritten zusammen. Dabei erfolgt der mindestens eine Glüh- oder Sinterschritt im allgemeinen in einer sauerstoff­ haltigen Atmosphäre wie Luft, wobei gemäß dem angenommenen Ausführungsbeispiel zur Ausbildung der Bi(Pb)-2223-Phase Glühtemperaturen zwischen 810°C und 860°C üblich sind, vor­ zugsweise zwischen 820°C und 840°C vorgesehen werden. Gegebe­ nenfalls kann zwischen den Verformungsschritten der thermo­ mechanischen Behandlung eine Wärmebehandlung vorgesehen sein. Auch können diese Verformungsschritte bei erhöhter Temperatur erfolgen und/oder mit der Glühbehandlung zur Ausbildung der gewünschten supraleitenden Phase kombiniert sein.

Mit den Verformungsbehandlungen des Rohleiters kann außer ei­ ner Drahtform auch eine Bandform eines Mehrkernleiters er­ zeugt werden. Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel geht aus Fig. 4 hervor. Dabei sind ein erfindungsgemäß hergestelltes Mehrkern-Supraleiter-Endprodukt mit 25, die z. B. sechs Lei­ terkerne aus dem HTS-Material mit 2a bis 2f, die aus den ein­ zelnen Ag-Umhüllungen der Teilleiter und dem Ag-Hüllrohr des Rohleiters gebildete Matrix mit 26, die Leiterbandbreite mit B, die Leiterbanddicke mit D, die Breite eines einzigen Lei­ terkerns mit b und die Dicke eines einzigen Leiterkerns mit d bezeichnet. Typische Abmessungen eines erfindungsgemäß herge­ stellten Mehrkern-Supraleiters mit 19 Leiterkernen sind:
Leiterbandbreite B zwischen 100 und 500 µm,
Leiterbanddicke D zwischen 100 und 500 µm,
Leiterkernbreite b zwischen 300 und 1200 µm,
Leiterkerndicke d zwischen 10 und 80 µm.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Mehrkern- Supraleiters mit mehreren in einer Matrix aus Ag-Material eingebetteten supraleitenden Leiterkernen aus einem metal­ loxidischen Hoch-T_c-Supraleitermaterial, bei welchem Verfah­ ren

• a) zunächst mehrere Teilleiter erstellt werden, indem minde­ stens ein Ausgangskörper mit einem Kern aus einem Vorpro­ dukt des Hoch-T_c-Supraleitermaterials und einer Umhüllung aus dem Matrix-Material mindestens einem Verformungs­ schritt unterzogen und anschließend zu den Teilleitern un­ terteilt wird,
• b) danach mehrere derartige Teilleiter gebündelt in einem Hüllrohr aus dem Matrix-Material zu einem Rohleiter ange­ ordnet werden,
• c) darauf dieser Rohleiter mehreren Verformungsschritten aus­ gesetzt wird

und

• d) mindestens eine Wärmebehandlung zur Ausbildung des Hoch- T_c-Supraleitermaterials aus dem Vorprodukt in einer sauer­ stoffhaltigen Atmosphäre vorgenommen wird,

dadurch gekennzeichnet,

• - daß bei der Erstellung der Teilleiter (2; 2a bis 2f) gemäß Verfahrensschritt a) als der mindestens eine Verformungs­ schritt und zur Verformung des Rohleiters gemäß Verfah­ rensschritt c) zumindest als erster Verformungsschritt je­ weils ausschließlich eine Kaltverformung vorgesehen wird

und

• - daß vor der Bündelung gemäß Verfahrensschritt b) zumindest großenteils die Oberflächen (4a) mindestens einzelner Um­ hüllungen (4) in einer oberflächennahen Zone (5) kurzzei­ tig aufgeschmolzen werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Umhüllungen (4) jeweils bis zu einer Tiefe (t) aufgeschmolzen werden, die höchstens 40% der Dicke der jeweiligen Umhüllung ausmacht.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Umhüllungen (4) jeweils bis zu einer Tiefe (t) aufgeschmolzen werden, die höchstens 200 µm beträgt.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Auf­ schmelzung der Umhüllungen (4) der Teilleiter (2; 2a bis 2f) vorgenommen wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Auf­ schmelzung der Umhüllung des mit der Kaltverformung des Aus­ gangskörpers (20) erhaltenen Zwischenproduktes (20′) vor des­ sen Unterteilung in die Teilleiter vorgenommen wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß die Auf­ schmelzung mittels eines Lasers oder einer Infrarotlichtquel­ le vorgenommen wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß zumindest während des Aufschmelzens außerhalb des Schmelzbereichs lie­ gende Teile jedes Teilleiters (2; 2a bis 2f) oder des mit der Kaltverformung des Ausgangskörpers (20) erhaltenen Zwischen­ produktes (20′) gekühlt werden.