DE4410211A1 - Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last - Google Patents

Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last

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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Ausgangsstufen derartiger Schaltungsanordnungen sind durch zwei hin­ tereinander geschaltete ansteuerbare Schalter charakte­ risiert, die über ein am jeweiligen Steueranschluß an­ gelegtes Signal geschlossen bzw. geöffnet werden kön­ nen. Beide Schalter sind über einen Schalteranschluß mit jeweils einer Spannungsquelle und über einen ge­ meinsamen Anschlußknoten - dem Ausgangsanschluß - mit einer Last verbunden. Durch Gegentaktansteuerung wird jeweils einer der beiden Schalter geschlossen und der andere geöffnet. Dadurch wird die Last mit jeweils ei­ ner von den beiden Spannungsquellen verbunden.
Am Ausgang der Schaltung können insbesondere im Falle einer kapazitiven Last am jeweils offenen Schalter hohe Spannungen auftreten. Die Schalter dürfen bei diesen hohen Spannungen nicht durchbrechen und müssen daher hochspannungsfest ausgeführt sein. Falls die Schal­ tungsanordnung zusammen mit anderen Schaltungsteilen auf einem IC integriert werden soll, muß die Halblei­ tertechnologie, in der das IC hergestellt werden soll, gleichzeitig zwei komplementäre hochspannungsfeste Schalter zur Verfügung stellen. Da dieses für die übli­ chen Technologien nicht zutrifft, muß die Ausgangsstufe entweder mit diskreten Bauelementen oder auf einem se­ paraten IC in einer anderen Technologie realisiert wer­ den - dies ist jedoch mit hohen Kosten und mit hohem Platzbedarf verbunden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schal­ tungsanordnung gemäß des Oberbegriffs des Anspruchs 1 anzugeben, deren Schalter eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
In der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung enthält der erste Schalter einer Ausgangsstufe mindestens zwei hintereinander geschaltete bipolare Schaltelemente. Diese verfügen über zwei Schaltanschlüsse, über die in Abhängigkeit eines an einem Steueranschluß angelegten Signals, ein Strompfad durch das bipolare Schaltelement geschlossen oder geöffnet wird. Die bipolaren Schalt­ elemente sind vorzugsweise als bipolare Schalttran­ sistoren ausgeführt. Zum Schutz der bipolaren Schalt­ elemente gegen zu hohe Spannungen werden Schutzele­ mente, zum Beispiel Z-Dioden, mit jeweils zwei An­ schlüssen der bipolaren Schaltelemente, bei Bipolar­ transistoren vorzugsweise mit Basis und Kollektor, ver­ bunden. Die bipolaren Schaltelemente können über An­ steuerelemente, welche vorzugsweise als Transistoren realisiert werden, angesteuert werden.
Bei einer Schaltungsanordnung mit zwei parallel ge­ schalteten Ausgangsstufen und einer an deren Ausgangs­ anschlüssen angeschlossenen Last, d. h. bei einer Brückenschaltung, können an den Ausgangsanschlüssen insbesondere im Falle einer kapazitiven Last beim Umschalten Überspannungen auftreten. Diese können bei Bedarf in einer Schaltungserweiterung mit zusätzlichen Ansteuerelementen, zum Beispiel mit zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen der Schalttransistoren als Diode geschalteten bipolaren Transistoren, zu einer der an den Schaltern angeschlossenen Spannungsquelle abge­ leitet werden.
Falls die Halbleitertechnologie, in der die Schaltung realisiert werden soll, ein hochsperrendes Schaltele­ ment, zum Beispiel einen hochsperrenden MOS-Transistor, zur Verfügung stellt, wird der zweite Schalter vorzugs­ weise mit Hilfe eines solchen Elementes ausgeführt. Er kann aber auch, insbesondere wenn keine hochspannungs­ festen MOS-Transistoren einsetzbar sind, den gleichen Aufbau wie der erste Schalter aufweisen, wobei die Transistoren des Schalters durch deren komplementäre Transistoren ersetzt werden und die Ansteuerung des Schalters an die komplementären Transistoren angepaßt wird.
In beiden Schaltern können zur Strombegrenzung zusätz­ lich Begrenzungselemente, vorzugsweise Widerstände vor­ gesehen sein.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung bietet folgen­ de Vorteile:
  • - Die Schaltungsanordnung läßt sich in den üblichen Halbleitertechnologien realisieren und ist folg­ lich platzsparend und kostengünstig auf einem IC integrierbar.
  • - Aufgrund der hintereinander geschalteten bipolaren Schaltelemente wird die an diesem Schalter auftre­ tende Spannung auf mehrere bipolare Schaltelemente aufgeteilt, so daß diese Spannung höher sein darf als die zulässige Spannung der einzelnen von der Technologie zur Verfügung gestellten bipolaren Schaltelemente.
  • - Durch Verwendung von komplementären Transistoren lassen sich Schalter mit komplementärem Verhalten sehr einfach realisieren.
  • - Eine Brückenschaltung läßt sich leicht realisie­ ren, indem zwei Ausgangsanschlüsse von zwei Aus­ gangsstufen mit jeweils einem Anschluß einer Last verbunden werden.
  • - Die Brückenschaltung eignet sich besonders gut zur schaltbaren Ansteuerung einer Last mit kapazitivem Verhalten, insbesondere zur Ansteuerung eines Piezo-Schallwandlers, da am Ausgangsanschluß auf­ tretende Überschwinger über das Potential der er­ sten Spannungsquelle bzw. Unterschwinger unter das Potential der zweiten Spannungsquelle dadurch be­ grenzt werden, daß einer der beiden gesperrten Schalter leitend wird.
Die Schaltungsanordnung läßt sich überall dort einset­ zen, wo Spannungen auftreten, die größer sind als die zulässigen Spannungen einzelner von der Halbleitertech­ nologie zur Verfügung gestellten Elemente.
Anhand der Fig. 1, 2 und 3 wird die Erfindung im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der Schaltungsanord­ nung,
Fig. 2 ein Prinzipschaltbiid einer Gegentaktaus­ gangsstufe,
Fig. 3 ein Prinzipschaltbild einer Gegentaktaus­ gangsstufe in Brückenschaltung.
Das Prinzipschaltbild aus Fig. 2 zeigt eine Ausgangs­ stufe AS mit zwei ansteuerbaren Schaltern S1 und S2, die über einen gemeinsamen Ausgangsanschluß A mit einem Anschluß LA der Last L verbunden sind. Der Schalter S1 stellt zusammen mit der Spannungsquelle US1 einen pull­ up-Zweig und der Schalter S2 zusammen mit der Span­ nungsquelle US2 einen pull-down-Zweig dar. Im Gegen­ taktbetrieb werden die ansteuerbaren Schalter S1 bzw. S2 über deren Steuereingänge St1 bzw. St2 so angesteu­ ert, daß die Last L entsprechend den Schalterstellungen entweder nur mit der Spannungsquelle US1 oder nur mit der Spannungsquelle US2 verbunden ist.
Fig. 1 zeigt einen Realisierungsvorschlag für die bei­ den Schalter S1 und S2 aus der Fig. 2.
Der Schalter S2 enthält als Schaltelement SE2 einen hochsperrenden NMOS-Transistor M₁, der über seinen Gate-Anschluß, der mit dem Steueranschluß St2 verbunden ist, angesteuert wird und einen Strombegrenzungswider­ stand R₆. Ein Anschluß des Widerstandes R₆ ist an dem Ausgangsanschluß A der Ausgangsstufe AS mit dem Schal­ ter S1 und mit dem Anschluß LA der Last L verbunden. Der andere Anschluß des Widerstandes R₆ verbindet die­ sen mit einem Schaltanschluß des Transistors M₁. Der andere Schaltanschluß des Transistors M₁ ist am Schal­ teranschluß SA2 mit der zweiten Versorgungsspannung US2, im Ausführungsbeispiel mit der Masse, verbunden.
Der Schalter S1 enthält als bipolare Schaltelemente SE1 und SE1′ zwei hintereinander geschaltete Schalttransi­ storen T₁ bzw. T₂, die von zwei Ansteuerelementen, wel­ che als zwei hintereinander geschaltete Steuertransi­ storen T₅ bzw. T₆ ausgeführt sind, angesteuert werden. Bei den Schalttransistoren T₁ und T₂ handelt es sich um NPN-Transistoren, bei den Steuertransistoren T₅ und T₆ um PNP-Transistoren. Die Hintereinanderschaltung der Schalttransistoren T₁ und T₂ bzw. der Steuertransisto­ ren T₅ und T₆ erfolgt durch Verbinden des Emitters des Schalttransistors T₁ mit dem Kollektor des Schalttran­ sistors T₂ bzw. durch Verbinden des Emitters des Steuertransistors T₆ mit dem Kollektor des Steuertran­ sistors T₅. Zwei weitere Ansteuerelemente, die Transi­ storen T₃ und T₄, welche als NPN-Transistoren ausge­ führt sind, sind durch Verbinden von Basis und Kollek­ tor als Dioden beschaltet. Der Emitter dieser Transi­ storen T₃ bzw. T₄ ist jeweils mit der Basis des Schalt­ transistors T₁ bzw. T₂ verbunden. Der andere Anschluß dieser als Dioden beschalteten Transistoren T₃ bzw. T₄ ist jeweils mit dem Emitter der Transistoren T₁ bzw. T₂ verbunden. Zwei Widerstände R₃ bzw. R₄ sind jeweils an Basis und Emitter der Schalttransistoren T₁ bzw. T₂ an­ geschlossen. Ein Strombegrenzungswiderstand R₅ verbin­ det den Emitter des Schalttransistors T₂ mit dem Aus­ gangsanschluß A der Ausgangsstufe AS. Der Kollektor der Steuertransistoren T₅ bzw. T₆ ist jeweils mit der Basis der Schalttransistoren T₁ bzw. T₅ verbunden. Zwei Wi­ derstände R₁ bzw. R₂ sind jeweils an Basis und Emitter der Steuertransistoren T₅ bzw. T₆ angeschlossen. Zwei Schutzelemente, die Z-Dioden DZ1 bzw. DZ2, sind jeweils mit Basis und Kollektor der Schalttransistoren T₁ bzw. T₂ verbunden. Der Emitter des Steuertransistors T₅ und der Kollektor des Schalttransistors T₁ sind am Schal­ teranschluß SA1, an den die erste Spannungsquelle US1 angeschlossen wird, miteinander verbunden. Die Ansteue­ rung der Steuertransistoren T₅ bzw. T₆ erfolgt mit zwei als MOS-Transistoren M₃ bzw. M₂ ausgebildeten Strom­ quellen einer Stromspiegelschaltung SP. Ein MOS-Transi­ stor M₄, dessen Gate-Anschluß mit dem Drain-Anschluß sowie mit dem Gate-Anschluß der beiden MOS-Transistoren M₂ und M₃ an einem Versorgungsanschluß IK des Schalters S1 miteinander verbunden sind, wird von einem über den Versorgungsanschluß IK eingespeisten Strom versorgt. Die Ausgangsanschlüsse der Stromspiegelschaltung SP, die Drain-Anschlüsse der MOS-Transistoren M₂ bzw. M₃, sind jeweils mit der Basis der Steuertransistoren T₆ bzw. T₅ verbunden. Die Stromspiegelschaltung SP enthält einen weiteren MOS-Transistor M₅, dessen Drain-Anschluß mit dem Versorgungsanschluß IK und dessen Gate-Anschluß mit dem Steueranschluß St1 verbunden ist. Die Source- Anschlüsse der MOS-Transistoren M₂, M₃, M₄ und M₅ lie­ gen alle auf Massepotential. Da zur Ansteuerung der Steuertransistoren T₅ und T₆ hohe Spannungen benötigt werden, kommen im Stromspiegel SP hochsperrende NMOS- Transistoren M₂, M₃ und M₄ zum Einsatz.
Die Funktionsweise der Schaltung wird im folgenden an­ hand von zwei Falluntersuchungen beschrieben.
Fall 1: Am Steueranschluß St1 des Schalters S1 liegt ein H-Pegel an. Der MOS-Transistor M₅ befindet sich folglich im leitenden Zustand und schließt den über den Versorgungsanschluß IK in die Stromspiegelschaltung SP eingespeisten Strom kurz. Die Transistoren M₂, M₃ und M₄ sind somit stromlos und können keinen Basisstrom für die Steuertransistoren T₅ und T₆ liefern, die folglich beide gesperrt sind. Somit kann auch kein Basisstrom in die Transistoren T₁ und T₂ fließen, so daß sich auch diese im Sperrzustand befinden, d. h., der Schalter S1 befindet sich im hochohmigen Zustand. Aufgrund der Ge­ gentaktansteuerung ist der Schalter S2 niederohmig, wo­ durch das Potential am Ausgang A absinkt. Dadurch baut sich am Schalter S1 eine hohe Sperrspannung auf, die sich auf die Kollektor-Emitter-Strecken der Schalttran­ sistoren T₁ und T₂ aufteilt. Die obere Grenze für die Kollektor-Emitter-Spannungen wird durch die Z-Dioden DZ1 und DZ2 festgelegt. Sie liegen um eine Basis-Emit­ ter-Flußspannung über der jeweiligen Zenerspannung. Gleichzeitig mit den Schalttransistoren T₁ und T₂ er­ halten auch die Emitter-Kollektor-Strecken der Steuer­ transistoren T₅ bzw. T₆ einen Überspannungsschutz durch die Z-Dioden DZ1 bzw. DZ2. Die maximal am Steuertransi­ stor T₅ auftretende Emitter-Kollektor-Spannung ist gleich der Zenerspannung der Z-Diode DZ1. Die entspre­ chende Spannung am Steuertransistor T₆ liegt um eine Basis-Emitter-Flußspannung über der Zenerspannung der Z-Diode DZ2. Die größte am Schalter S1 auftretende Spannung ist gleich der Summe der beiden Zenerspannun­ gen zuzüglich zweier Basis-Emitter-Flußspannungen. Bei Überschreitung dieser Maximalspannung werden die Z-Dioden DZ1, DZ2 leitend; die Schalttransistoren T und T₂ erhalten Basisstrom und werden ihrerseits leitend. Folglich kann das Potential am Ausgang A nicht weiter absinken. Mit Z-Dioden DZ1 bzw. DZ2, deren Zenerspan­ nung zuzüglich einer Basis-Emitter-Flußspannung kleiner ist als die maximal zulässige Sperrspannung der Schalt­ transistoren T₁ bzw. T₂, wird somit die Kollektor-Emit­ ter-Spannung der Schalttransistoren T₁ bzw. T₂ auf zu­ lässige Werte begrenzt.
Fall 2: Am Steueranschluß St1 liegt ein L-Pegel an. Der MOS-Transistor M₅ befindet sich folglich im gesperrten Zustand, wodurch die mit den MOS-Transistoren M₃ bzw. M₂ gebildeten Stromquellen der Stromspiegelschaltung SP die Steuertransistoren T₅ bzw. T₆ mit Basisstrom ver­ sorgen. Diese werden dadurch leitend und liefern ihrer­ seits den Basisstrom für die Schalttransistoren T₁ und T₂, die nun ebenfalls leitend werden. Der Schalter S1 befindet sich folglich im niederohmigen Zustand.
Der Strombegrenzungswiderstand R₅ begrenzt den durch den Schalter S1 fließenden Strom. Die Widerstände R₁ bzw. R₂ und R₃ bzw. R₄ erfüllen zwei Aufgaben: zum ei­ nen sollen sie ein schnelles Abschalten der Steuertran­ sistoren T₅ bzw. T₆ und der Schalttransistoren T₁ bzw. T₂ ermöglichen, indem die Basisladung abgeführt wird, zum andern legen diese Widerstände im abgeschalteten Zustand das Basispotential der Schalttransistoren T₁ und T₂ an den Emitter, wodurch die Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung erhöht wird. Sie kommt damit der höherliegenden Kollektor-Basis-Durchbruchspannung nahe.
Bei der in Fig. 3 gezeigten Brückenschaltung mit zwei Ausgangsstufen AS und AS′ wird die Last L zwischen den Ausgang A der ersten Ausgangsstufe AS und den Ausgang A′ der zweiten Ausgangsstufe AS′ geschaltet. Aufgrund der Gegentaktansteuerung wird der Strompfad zwischen der Spannungsquelle US1 und der Spannungsquelle US2 entweder über den ersten Schalter S1 der ersten Aus­ gangsstufe AS, die Last L und den zweiten Schalter S2′ der zweiten Ausgangsstufe AS′ oder über den ersten Schalter S1′ der zweiten Ausgangsstufe AS, die Last L und den zweiten Schalter S2 der ersten Ausgangsstufe AS′ geschlossen.
Durch den Umschaltvorgang kann in bestimmten Anwen­ dungsfällen, insbesondere bei einer Brückenschaltung mit einer kapazitiven Last L und mit Ausgangsstufen AS, AS′, die entsprechend der Figur I ausgeführt sind, das Ausgangspotential am Ausgangsanschluß A über das Poten­ tial der ersten Spannungsquelle US1 oder unter das Po­ tential der zweiten Spannungsquelle US2 springen. Falls das Substratpotential des MOS-Transistors M₁ auf dem Potential US2 liegt und das Potential am Ausgangsan­ schluß A unter das Potential US2 fällt, wird die Drain- Substrat-Diode des MOS-Transistors M₁ leitend und be­ grenzt somit den Unterschwinger. Im umgekehrten Fall, wenn das Potential am Ausgangsanschluß A über das Potential der ersten Spannungsquelle US1 ansteigt, wer­ den die als Diode geschalteten Transistoren T₃ und T₄ in Vorwärtsrichtung vorgespannt. Die Schalttransistoren T₂ und T₃ erhalten somit Basisstrom und gehen in den Inversbetrieb über. Es besteht folglich ein Strompfad vom Ausgangsanschluß A zur Spannungsquelle US1, wodurch der Überschwinger am Ausgang A begrenzt wird.

Claims (19)

1. Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung ei­ ner Last (L) mit mindestens einer Ausgangsstufe (AS, AS′) aus zwei in Reihe geschalteten ansteuerbaren Schaltern (S1 und S2 bzw. S1′ und S2′), wobei
  • - der erste Schalter (S1, S1′) einer Ausgangsstufe (AS, AS′) jeweils am ersten Schalteranschluß (SA1, SA1′) mit einer ersten Spannungsquelle (US1) ver­ bunden ist,
  • - der zweite Schalter (S2, S2′) einer Ausgangsstufe (AS, AS′) jeweils am ersten Schalteranschluß (SA2, SA2′) mit einer zweiten Spannungsquelle (US2) ver­ bunden ist,
  • - beide Schalter (S1, S2 bzw. S1′, S2′) an den zwei­ ten Schalteranschlüssen mit einem gemeinsamen Aus­ gangsanschluß (A bzw. A′) verbunden sind,
  • - mindestens ein Anschluß (LA bzw. LA′) der Last (L) jeweils mit einem Ausgangsanschluß (A bzw. A′) verbunden ist,
  • - die Schalter (S1, S2 bzw. S1′, S2′) mit Hilfe von an deren Steueranschlüssen (St1, St2 bzw. St1′, St2′) angelegten Steuersignalen durch Gegentaktan­ steuerung die Last (L) mit jeweils einer der bei­ den Spannungsquellen (US1, US2) verbinden,
    dadurch gekennzeichnet, daß
  • - mindestens der erste Schalter (S1) mindestens zwei hintereinander geschaltete bipolare Schaltelemente (SE1, SE1′) aufweist,
  • - ein bipolares Schaltelement (SE1, SE1′) mindestens drei Anschlüsse aufweist, wobei einer der An­ schlüsse als Steueranschluß ausgebildet ist,
  • - der erste Schalter (S1, S1′) zur Ansteuerung der bipolaren Schaltelemente (SE1, SE1′) mindestens zwei Ansteuerelemente (T₅, T₆) aufweist, wobei je­ weils eines der Ansteuerelemente (T₅ bzw. T₆) mit dem Steueranschluß eines Schaltelementes (SE1 bzw. SE1′) verbunden ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der erste Schalter (S1, S1′) zur Begren­ zung der an den bipolaren Schaltelementen (SE1, SE1′) auftretenden Spannungen Schutzelemente (DZ1, DZ2) auf­ weist, wobei ein Schutzelement (DZ1 bzw. DZ2) mit zwei Anschlüssen eines bipolaren Schaltelementes (SE1 bzw. SE1′) verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß für den Inversbetrieb des ersten Schalters (S1, S1′) zusätzliche Ansteuerelemente (T₃ und T₄) vorgesehen sind, die jeweils mit zwei Anschlüs­ sen der bipolaren Schaltelemente (SE1 bzw. SE1′) ver­ bunden sind.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die bipolaren Schaltele­ mente (SE1 bzw. SE1′) des ersten Schalters (S1, S1′) als bipolare Schalttransistoren (T₁ bzw. T₂) ausgeführt sind.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Schutzelemente (DZ1 bzw. DZ2) Z-Di­ oden sind, die an Basis und Kollektor der bipolaren Schalttransistoren (T₁ bzw. T₂) angeschlossen sind.
6. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuerele­ mente als hintereinander geschaltete Steuertransistoren (T₅, T₆) ausgeführt sind.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Steuertransistoren (T₅ und T₆) durch schaltbare Stromquellen ein- oder ausschaltbar ausge­ führt sind.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die schaltbaren Stromquellen als Strom­ spiegelquellen einer Stromspiegelschaltung (SP), die einen Versorgungsanschluß (IK) zur Einspeisung eines Stromes aufweist, ausgeführt sind.
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (SP) einen Transistor (M₄), der mit dem Versorgungsanschluß (IK) verbunden und als Stromsenke der Stromspiegelschaltung (SP) beschaltet ist, und zwei Transistoren (M₂, M₃), die als Stromspiegelquellen der Stromspiegelschaltung (SP) beschaltet sind, aufweist.
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (SP) einen Transistor (M₅) aufweist, der über den Steueranschluß (St1, St1′) des Schalters (S1, S1′) ansteuerbar ausge­ führt ist, und der parallel mit dem als Stromsenke be­ schalteten Transistor (M₄) verbunden ist.
11. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der als Stromsenke der Stromspiegelschaltung (SP) beschaltete Transistor (M₄) und die als Stromspiegelquellen der Stromspie­ gelschaltung (SP) beschalteten Transistoren (M₂, M₃) als hochspannungsfeste Transistoren ausgeführt sind.
12. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (M₂, M₃, M₄, M₅) der Stromspiegelschaltung (SP) als MOS- Transistoren ausgebildet sind.
13. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine kapazitive Last (L) am Ausgangsanschluß (A, A′) der Schaltung an­ geschlossen ist.
14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Last (L) ein Piezo-Schallwandler ist.
15. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schalter (S2, S2′) den gleichen Aufbau wie der erste Schalter (S1, S1′) aufweist, wobei die Transistoren des Schal­ ters (S1, S1′) durch deren komplementäre Transistoren ersetzt sind und die schaltbaren Stromquellen umgepolt sind.
16. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schalter (S2, S2′) mindestens ein Schaltelement (SE2) aufweist, das als ein hochspannungsfester MOS-Transistor (M₁) ausgeführt ist.
17. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schalter (S1, S1′ bzw. S2, S2′) mindestens ein Strombegrenzungselement (R₅ bzw. R₆) aufweist.
18. Schaltungsanordnung nach Anspruch 17, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Strombegrenzungselement als Widerstand (R₅, R₆) ausgeführt ist.
19. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Ausgangsstu­ fen (AS, AS′) in der Art mit der Last (L) verbunden sind, daß der eine Anschluß (LA) der Last (L) mit dem Ausgangsanschluß (A) der ersten Ausgangsstufe (AS) und der andere Anschluß (LA′) der Last (L) mit dem Aus­ gangsanschluß (A′) der zweiten Ausgangsstufe (AS′) ver­ bunden ist.
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