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Die Erfindung betrifft eine Feldemissions-Anzeigevorrichtung
mit einer Anzahl von Feldemittern und ein Verfahren zum Unterbinden
eines Stromflusses zu mindestens einem der Feldemitter.
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Bei einer Feldemissions-Anzeigevorrichtung handelt
es sich um eine Flachtafelanzeigevorrichtung, insbesondere eine
matrixadressierbare Flachtafelanzeigevorrichtung, in der hohe Pixel-Aktivierungsspannungen
geschaltet werden müssen.
Es werden Reihen- und Spaltensignalspannungen ermöglicht,
die mit herkömmlichen
CMOS-, NMOS- oder anderen üblichen
integrierten Schaltkreisen hinsichtlich der Logik-Spannungs-Pegel kompatibel sind,
wobei außerdem
viel höhere
Pixel-Aktivierungsspannungen erreicht werden.
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Über
ein halbes Jahrhundert hinweg war die Kathodenstrahlröhre (CRT)
das Anzeigegerät
zur Visualisierung von Information schlechthin. Obschon Kathodenstrahlröhren in
diesem Zeitraum bezüglich ihrer
speziellen Eigenschaften erheblich verbessert wurden, insbesondere
hinsichtlich Farbe, Helligkeit, Kontrast und Auflösung, blieben
diese Geräte
nach wie vor voluminös
und in starkem Maße
leistungsverbrauchend. Mit dem Aufkommen von tragbaren Rechnern
stieg entsprechend das Bedürfnis,
Anzeigemittel zur Verfügung
zu haben, die sich nicht nur durch geringes Gewicht und kompakte
Bauweise auszeichnen, sondern außerdem mit geringer Leistung
betrieben werden können.
Obschon derzeit praktisch bei Laptop-Rechnern überall Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
eingesetzt werden, leiden diese jedoch unter einem geringen Kontrast,
verglichen mit Kathodenstrahlröhren,
einem beschränkten Sichtwinkelbereich,
wobei eine beträchtliche
Leistungsaufnahme speziell bei den Farbversionen dieser Anzeigevorrichtungen
hinzukommt, so daß sich ihr
Einsatz für
den Batteriebetrieb kaum empfiehlt. Verglichen mit Kathodenstrahlröhren gleicher
Bildschirmgröße sind
die Flüssigkristall-Farbanzeigevorrichtungen
wesentlich teurer.
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Aufgrund der Nachteile der Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
konzentrierten sich die Entwicklungen in der Industrie sehr stark
auf die Dünnschicht-Feldemissions-Anzeigevorrichtungen.
Flachtafelanzeigen, die in dieser Technologie ausgeführt sind,
besitzen ein matrixadressierbares Feld von spitz zulaufenden Dünnschicht-Kalt-Feldemissions-Kathoden
in Kombination mit einem Leuchtstoffbildschirm. Das Phänomen der
Feldemission wurde in den fünfziger
Jahren entdeckt, und erhebliche Forschungen durch zahlreiche Personen,
beispielsweise Charles A. Spindt von SRI International, haben die Technologie
derart verbessert, daß die
Aussichten, billige, wenig Leistung aufnehmende, sich durch hohe
Auflösung
und hohen Kontrast auszeichnende, flache Vollcolor-Anzeigevorrichtungen
herstellen zu können,
vielversprechend sind. Allerdings bleibt noch viel Arbeit zu erledigen,
um die Technologie bis zur kommerziellen Auswertbarkeit voranzutreiben.
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Es gibt eine Reihe von Problemen
in Verbindung mit den derzeit verfügbaren matrixadressierbaren
Feldemissionsanzeigevorrichtungen. Frühere derartige Anzeigevorrichtungen
wurden so aufgebaut, daß ein
Spaltensignal einen einzelnen leitenden Streifen innerhalb des Gitters
aktivierte, während ein
Reihensignal einen leitenden Streifen innerhalb der Emitter-Basiselektrode aktivierte.
Am Schnittpunkt einer aktivierten Spalte mit einer aktivierten Reihe
existiert dann eine Gitter-Emitter-Spannungsdifferenz, die ausreicht,
eine Feldemission zu induzieren, mit der Folge, daß der zugehörige Leuchtstoff in
dem phosphoreszierenden Schirm aufleuchtet. In 1, die eine representative Darstellung
des Aufbaus einer derartigen Vorrichtung ist, schneiden sich drei
Gitterstreifen (Gitter) 11A, 11B und 11C mit
einem Trio von Emitter-Basiselektroden-(Reihen-)Streifen 12A, 12B und 12C.
In dieser Darstellung enthält
jede Reihen-Spalten-Schnittstelle (das Äquivalent eines einzelnen Pixels
oder Bildelements innerhalb der Anzeigevorrichtung) sechzehn Feldemissionskathoden
(im folgenden "Emitter") 13. In
der Praxis kann die Anzahl von Emitterspitzen pro Pixel sehr stark
schwanken. Die Spitze jeder Emitterspitze ist umgeben von einer
Gitterstreifen-Öffnung 14.
Damit eine Feldemission erfolgt, muß die Spannungsdifferenz zwischen
einem Reihenleiter und einem Spaltenleiter mindestens so groß sein wie
eine Spannung, die akzeptierbaren Feldemissionspegeln entspricht.
Die Intensität
der Feldemission hängt
sehr stark von verschiedenen Faktoren ab, von denen der wichtigste
die Schärfe
der Kathoden-Emitterspitze und die Stärke des elektrischen Feldes
an der Spitze ist. Obschon ein für
den Betrieb von Flachtafelanzeigevorrichtungen geeigneter Pegel
der Feldemission mit Emitter-Gitter-Spannungen von lediglich 80
Volt erreicht wurde (man erwartet, daß sich diese Zahl in den kommenden
Jahren durch weitere Verbesserungen der Struktur des Emitters und
durch Verbesserungen der Fertigungstechnik verringert), werden die Emissionsspannungen
dennoch auch in der Zukunft wesentlich größer als 5 Volt sein, was dem
Standardpegel "1" in der CMOS-, NMOS-
und TTL-Technologie entspricht. Wenn also die Feldemissions-Schwellenspannung
80 Volt beträgt,
müssen
die Reihen- und Spaltenleitungen so ausgelegt werden, daß sie zwischen
0 und entweder +40 oder –40
Volt schalten können,
um zu einer Schnittstellen-Spannungsdifferenz von 80 Volt zu kommen.
Folglich ist es notwendig, ein Hochspannungs-Umschalten bei diesen
Reihen- und Spaltenleitungen hervorzurufen. Es gibt folglich nicht
nur das Problem, geeignete Treiber zum Schalten derart hoher Spannungen
zu entwickeln, sondern man muß sich
auch mit dem Problem übermäßiger Leistungsaufnahme
befassen, bedingt durch die kapazitive Kopplung von Reihen- und
Spaltenleitern. Das heißt:
je höher
die Spannung auf den Leitungen, desto größer ist die Leistung, die zum Treiben
der Anzeigevorrichtung benötigt
wird.
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Ein Beispiel, bei welchem die zur
Erzielung einer Lichtemission benötigte Spannung mittels Schalttransistoren
geschaltet werden muß,
ist aus der
DE 27 56
354 C2 bekannt, dort allerdings für eine Gasentladungsanzeigevorrichtung
mit matrixartig angeordneten Gasentladungszellen.
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Was gebraucht wird, ist ein Typ einer
Feldemissionsanzeige-Architektur,
der die Probleme des Schaltens hoher Spannungen überwindet und das Problem von
Emitter-Gitter-Kurzschlüssen
erheblich mildert und darüberhinaus
die Leistungsaufnahme der Anzeigevorrichtung herabsetzt.
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Aus der
DE 41 12 078 A1 ist eine
Feldemissionsanzeigevorrichtung bekannt, bei welcher zwischen den
Feldemitter eines jeden Pixels und Masse ein Treibertransistor geschaltet
ist, der in Abhängigkeit
von der Ladespannung eines Kondensators leitend oder nicht-leitend
gesteuert wird. Dabei ist der Kondensator zwischen Gate und Source
des Treibertransistors geschaltet und ist mittels eines Ladetransistors,
mit dem er in Reihe geschaltet ist, auf- und entladbar. Der Gateanschluß des Ladetransistors
ist mit dem Spaltenleiter und dessen Drainanschluß ist mit
dem Reihenleiter des zugehörigen
Pixels verbunden. Der Sourceanschluß des Ladetransistors ist mit dem
Gateanschluß des
Treibertransistors verbunden. Die beiden Transistoren brauchen nicht
die relativ hohe Feldemissionsspannung zu schalten sondern nur Spalten-
und Reihenleitersignale, die viel niedriger sein können als
die Feldemissionsspannung.
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Zusätzlich zu dem Problem des Schaltens hoher
Spannungen leiden Feldemissions-Anzeigevorrichtungen aufgrund der
Möglichkeit
von Emitter-Gitter-Kurzschlüssen
an einer geringen Fertigungsausbeute und geringer Zuverlässigkeit.
Derartige Kurzschlußerscheinungen
beeinflussen die Spannungsdifferenz zwischen den Emittern und dem Gitter
innerhalb des gesamten Feldes und können sehr wohl zu einer völligen Unbrauchbarkeit
des Feldes führen,
entweder deshalb, weil derart viel Leistung verbraucht wird, daß die Leistungsversorgung keine
ausreichend hohe Spannung zur Induzierung der Feldemission zu liefern
vermag, oder weil tatsächlich
so viel Wärme
erzeugt wird, daß ein
Teil des Feldes schmilzt.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Feldemissions-Anzeigevorrichtung verfügbar zu machen, bei der die
Unbrauchbarkeit einer solchen Anzeigevorrichtung beim Auftreten
von Emitter-Gitter-Kurzschlüssen
vermieden werden kann.
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Dies wird mit einer Feldemissions-Anzeigevorrichtung
gemäß Anspruch
1 erreicht und durch ein Verfahren, wie es in Anspruch 6 angegeben
ist. Weiterbildungen zeigen die abhängigen Ansprüche.
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Erfindungsgemäß enthält der Strompfad zu jedem Emitterbasisknoten
eine schmelzbare Verbindung, die bei der Prüfung der Feldemissions-Anzeigevorrichtung
durchgeschmolzen werden kann, wenn ein Gitter-Emitter-Kurzschluß innerhalb des Emitterknotens
existiert, um auf diese Weise den kurzgeschlossenen Knoten vom Rest
des Feldes abzutrennen und dadurch die Produktionsausbeute zu steigern
und die Leistungsaufnahme des Feldes zu minimieren. Andere funktionelle
Knoten innerhalb des Pixels arbeiten aber noch weiter.
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Bei einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Feldemissions-Anzeigevorrichtung
weist jedes Pixel zwei der Emitterstromsteuerung dienende Transistoren
auf, sind die Kanäle
der beiden Transistoren eines jeden Pixels in Reihe geschaltet und sind
die Steuerelektroden der beiden Transistoren des jeweiligen Pixels
mit dem Reihenadreßleiter
bzw. dem Spaltenadreßleiter
verbunden. In diesem Fall ist der Strompfad zu jedem Emitterbasisknoten
durch die zwei in Reihe geschalteten Transistoren gebildet und enthält dieser
Strompfad eine der schmelzbaren Verbindungen.
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Daß die Kanäle der beiden Transistoren
eines Pixels in Reihe geschaltet sind, eröffnet die Möglichkeit, beide Transistoren
mit einem gemeinsamen Kanal herzustellen. Damit kann viel Chipplatz
eingespart werden im Vergleich zu einer Steuerschaltung mit zwei
in Kaskade geschalteten Transistoren (
DE 41 12 078 A1 ), die nur mit zwei getrennten
Kanälen hergestellt
werden können.
Für eine
Anzeigevorrichtung mit einer sehr großen Anzahl Pixeln und einer entsprechend
großen
Anzahl Transistoren ist eine solche Einsparung an Chipplatz von
hoher Bedeutung. Mit der erfindungsgemäßen Reihenschaltung der beiden
Transistoren eines jeden Pixels kann daher der Abstand zwischen
den einzelnen Pixeln erheblich verringert und die Auflösung der
Anzeigevorrichtung entsprechend erhöht werden.
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Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der
Erfindung anhand der Zeichnung näher
erläutert. Es
zeigen:
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1 eine
vereinfachte perspektivische Darstellung des Aufbaus der Gitter-
und Emitterbasis-Elektroden in einer herkömmlichen Flachtafel-Feldemissionsanzeigevorrichtung;
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2 eine
schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform eines einzelnen
Emitterknotens einer Feldemissions-Anzeigevorrichtung mit erfindungsgemäßer schmelzbarer
Verbindung, wobei die Emitterbasiselektrode von dem Gitter getrennt
ist;
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3 eine
schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform eines einzelnen
Emitterknotens einer Feldemissions-Anzeigevorrichtung mit erfindungsgemäßer schmelzbarer
Verbindung, wobei ein strombegrenzender Transistor die Emitterbasiselektrode
mit dem Gitter verbindet;
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4 eine
schematische Darstellung einer dritten Ausführungsform eines einzelnen
Emitterknotens einer Feldemissions-Anzeigevorrichtung mit erfindungsgemäßer schmelzbarer
Verbindung, wobei ein Stromregulierwiderstand eingebaut ist;
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5 eine
Draufsicht auf ein mögliches
Layout für
die neue Flachtafel-Anzeigearchitektur, wobei aus der Darstellung
hervorgeht, wie mehrere Emitterknoten in eine einzelne Reihen-Spalten-Schnittstelle (d.
h. ein einzelnes Pixel) einbaubar sind; und
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6 eine
Draufsicht auf ein mögliches
Layout für
die Niederspannungs-Schalt-Feldemissions-Anzeigevorrichtung mit
Stromregulierwiderstand.
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Gemäß 2 ist ein einzelner Emitterknoten nach
der ersten Ausführungsform
eines neuen Feldemissions-Anzeigeaufbaus mit einem (auch als ein erstes
Pixelelement bezeichneten) leitenden Gitter 21 versehen,
welches sich über
das gesamte Feld kontinuierlich erstreckt und auf einem konstanten
Potential VGRID gehalten wird. Jedes Pixelelement
innerhalb des Feldes wird durch eine Emittergruppe zum Leuchten
gebracht. Um die Produktzuverlässigkeit und
die Fertigungsausbeute zu verbessern, besteht jede Emittergruppe
aus mehreren Emitterknoten, wobei jeder Knoten wiederum mehrere
Feldemissionskathoden enthält
(auch als "Feldemitter" oder nur "Emitter" bezeichnet). Obschon
der einzelne Emitterknoten gemäß 1 lediglich drei Emitter
(22A, 22B, 22C) aufweist, kann in der
Praxis die Zahl viel höher sein.
Jeder der Emitter 22 ist an eine Basiselektrode 23 angeschlossen,
die gemeinsam für
lediglich die Emitter eines einzelnen Emitterknotens ist. Die Kombination
aus Emittern und Basiselektrode wird hier auch als ein zweites Pixelelement
bezeichnet.
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Bei dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Basiselektrode 23 von
dem Gitter 21 getrennt. Um eine Feldemission zu induzieren,
wird die Basiselektrode 23 über ein Paar von in Serie geschalteten
Feldeffekttransistoren QC und QR auf
Masse gelegt. Der Transistor QC wird von
einem Spaltenleitungssignal SC offengesteuert,
während
der Transistor QR durch ein Reihenleitungssignal
SR offengesteuert wird. Die üblichen
logischen Signalspannungen für
die CMOS-, NMOS-, TTL- und
andere Technologien integrierter Schaltkreise betragen durchwegs
5 Volt oder weniger und können
hier sowohl für das
Spalten- als auch das Reihenleitungssignal hergenommen werden. Es
sei angemerkt, daß der
Transistor QC ersetzt werden kann durch
zwei oder mehr in Reihe geschaltete FETs, die sämtlich von derselben Spaltenleitung
gesteuert werden. In ähnlicher Weise
kann der Transistor QR durch zwei oder mehr in
Reihe geschaltete FETs ersetzt werden, die sämtlich von derselben Reihenleitung
gesteuert werden. In ähnlicher
Weise können
andere durch Steuerlogik gesteuerte FETs in Reihe innerhalb des
Erdungsweges angeordnet sein. Ein Pixel (Bildelement) wird dadurch
ausgeschaltet (d. h. in den nicht-emittierenden Zustand gebracht),
daß entweder
einer oder beide der in Reihe geschalteten FETs (QC und
QR) ausgeschaltet werden.
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Von dem Moment an, zu dem mindestens
einer der FETs nicht-leitend wird (d. h. die Gate-Spannung VGS unter den Bauelement-Schwellenspannungswert
VT abfällt),
werden Elektronen aus den Emitterspitzen, die diesem Pixel entsprechen,
so weit entladen, bis die Spannungsdifferenz zwischen der Basis
und dem Gitter gerade unterhalb des Emissions-Schwellenspannungswerts liegt.
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3 zeigt
eine zweite Ausführungsform
eines Emitterknotens, wobei der Emitterknoten funktionell und vom
Aufbau her der ersten Ausführungsform des
Emitterknotens nach 2 ähnlich ist.
Der Hauptunterschied besteht darin, daß die Basiselektrode 23 mit
dem Gitter 21 über
einen strombegrenzenden N-Kanal-Feldeffekttransistor QL,
der eine Schwellenspannung VT besitzt, gekoppelt
ist. Sowohl der Drain als auch das Gate des Transistors QL sind direkt mit dem Gitter 21 gekoppelt.
Der Kanal des Transistors QL ist derart
bemessen, daß der
Strom nur auf einen derartigen Wert beschränkt ist, der benötigt wird,
um die Basiselektrode 23 und die zugehörigen Emitter 22A, 22B und 22C auf
ein Potential zurückzustellen,
das im wesentlichen dem Wert VGRID – VT gleicht, und zwar mit einer Geschwindigkeit,
die ausreicht, eine angemessene Grauabstufungs-Auflösung zu
gewährleisten.
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4 zeigt
einen einzelnen Emitterknoten ähnlich
dem ersten Ausführungsbeispiel
gemäß 2, wobei hier jedoch der
Emitterknoten über
ein Paar von in Reihe geschaltete Feldeffekttransistoren QC und QR und außerdem über einen
stromregulierenden Widerstand R auf Masse gelegt wird. Der Widerstand
R liegt zwischen der Source des Transistors QR und
Masse. In dem wahrscheinlichen Fall, daß die Gitterspannung größer als
20 Volt ist, muß das
dem Gitter 21 am nächsten
liegenden MOSFET-Bauelement (in diesem Fall das MOSFET QC) ein Hochspannungs-Bauelement sein, um
einen Kathoden-Substrat-Durchbruch zu verhindern. Die Durchbruchsicherheit
eines solchen Hochspannungstransistors hängt ab von dem Spannungshub
des Emitterknotens.
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Wie in den 2, 3 und 4 dargestellt, liegt erfindungsgemäß in Serie
zu dem Absenk-Strompfad, der von der Basiselektrode 23 über die
Transistoren QC und QR zu
Masse führt,
eine schmelzbare Verbindung FL. Die schmelzbare Verbindung FL kann
während
der Prüfung
des Bauelements durchgebrannt werden, wenn ein Gitter-Emitter-Kurzschluß innerhalb
dieser Emittergruppe vorliegt, um so die kurzgeschlossene Gruppe
vom Rest des Feldes zu trennen und so die Bauelementausbeute heraufzusetzen
und die Leistungsaufnahme des Anzeigefeldes zu verringern. Es sei
angemerkt, daß die Lage
der Schmelzsicherung FL innerhalb des Strompfades ohne Auswirkungen
ist, soweit es die Schaltungstechnik angeht. Das heißt, der
Zweck, einen kurzgeschlossenen Knoten abzutrennen, wird unabhängig davon
erreicht, ob die Schmelzsicherung zwischen den Transistoren QC und QR, zwischen
der Basiselektrode 23 und dem auf Masse führenden
Transistorpaar, wie es in 2 gezeigt
ist, oder zwischen Masse und dem auf Masse liegenden Transistorpaar liegt.
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Wiederum bezugnehmend auf 2, 3 und 4 sei
angemerkt, daß die
Grauabstufung (d. h. das Variieren der Pixel-Beleuchtung) in einer
arbeitenden Anzeigevorrichtung dadurch erfolgen kann, daß man den
Tastzyklus oder das Tastverhältnis
(die Zeitspanne, in der die Emitter innerhalb eines Pixels tatsächlich emittieren,
ausgedrückt
als Prozentsatz der Vollbildzeit) variiert. Die Helligkeitssteuerung
kann dadurch erfolgen, daß man
den Emitterstrom variiert, beispielsweise über das Ändern der Gate-Spannungen entweder
des Transistors QC oder des Transistors
QR oder beider Transistoren.
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5 zeigt
ein vereinfachtes Layout für Mehrfach-Emitterknoten
für jede
Reihen-Spalten-Schnittstelle des Anzeigefeldes. Ein Paar von Polysilizium-Reihenleitungen
R0 und R1 schneidet sich
senkrecht mit Metall-Spaltenleitungen
C0 und C1 sowie
mit einem Paar Metall-Masseleitungen GND0 und
GND1. Die Masseleitung GND0 gehört zu einer Spaltenleitung
C0, während
die Masseleitung GND1 zur Spaltenleitung
C1 gehört.
Für jede
Schnittstelle von Reihen- und Spalten (d. h. für jedes individuell adressierbare
Pixel innerhalb der Anzeigevorrichtung) gibt es mindestens eine
Reihenleitung-Stichleitung, welche die Gates und die Gate-Verbindungsstellen
für Mehrfach-Emitterknoten
innerhalb dieses Pixels bildet. Beispielsweise gehört die Verlängerung E00 zur der Schnittstelle der Reihe R0 mit der Spalte C0,
die Stichleitung E01, gehört zu der Schnittstelle der
Reihe R0 mit der Spalte C1;
die Stichleitung E10 gehört zu der Schnittstelle der
Reihe R1 mit der Spalte C0;
und die Stichleitung E11 gehört zu der
Schnittstelle der Reihe R1 mit der Spalte
C1. Alle diese Schnittstellen funktionieren
in identischer Weise, so daß hier
lediglich die Komponenten in der Schnittstellenzone R0 – C0 im einzelnen erläutert werden.
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Nach 5 trägt die Schnittzone
R0 – C0 drei Emitterknoten EN1,
EN2 und EN3. Jeder
Emitterknoten enthält
einen ersten aktiven Bereich AA1 und einen
zweiten aktiven Bereich AA2. Eine Metall-Masseleitung
GND stellt Kontakt zu einem Ende eines ersten aktiven Bereichs AA1 an einem ersten Kontakt CT1 her.
In Kombination mit dem ersten aktiven Bereich AA1 bildet
ein erster L-förmiger
Polysilizium-Streifen S1 das Gate des Feldeffekttransistors
QC (vgl. 2).
Die Metall-Spaltenleitung C0 stellt den Kontakt
zu dem Polysilizium-Streifen G1 an einer zweiten
Kontaktstelle CT2 her. Die Polysilizium-Stichleitung
E00 bildet das Gate des Feldeffekttransistors QR (siehe wiederum 2 und 3).
Ein erster Metallstreifen MS1 verbindet
den ersten aktiven Bereich AA1 mit dem zweiten
aktiven Bereich AA2 durch Kotaktgabe über einen
dritten Kontakt CT3 bzw. einen vierten Kontakt
CT4.
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Der Abschnitt des Metallstreifens
MS1, der zwischen dem dritten Kontakt CT3 und dem vierten Kontakt CT4 liegt,
bildet die erfindungsgemäße Schmelzverbindung
FL. Die Emitterbasiselektrode (siehe Position 23 in 2 und 3, da die Emitterbasiselektrode in diesem
Layout nicht gezeigt ist) ist mit dem Metallstreifen MS, gekoppelt.
Ein zweiter L-förmiger
Polysilizium-Streifen S2 bildet das Gate
des Strombegrenzungstransistors QL, und
ein zweiter Metallstreifen MS2 ist an einem
fünften
Kontakt CT5 mit dem zweiten Polysilizium-Streifen
S2 verbunden, und über einen dritten Kontakt CT6 mit dem zweiten aktiven Bereich AA2 verbunden. Die Gitterplatte (siehe Position 21 in 2 und 3, da die Gitterplatte in diesem Layout
nicht dargestellt ist), ist mit dem zweiten Metallstreifen MS2 verbunden. Es muß betont werden, daß das Layout
nach 5 lediglich beispielhaft
ist.
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Nunmehr bezugnehmend auf 6, ist ein mögliches
Layout für
die erste Ausführungsform
des Emitterknotens in Kombination mit einem stromregulierenden Widerstand
des Masseweges dargestellt. Obschon dem Layout nach 5 sehr ähnlich, besteht ein Unterschied
insofern, als kein Strombegrenzungstransistor QL durch
eine aktive Zone AA2 und den Streifen S2 gebildet wird, die als das Gate des Strombegrenzungstransistors
QL fungiert. Bei diesem Layout werden die
Emitterspitzen E1 und E2 direkt
auf dem aktiven Bereich AA2 gebildet. Ein
weiterer Unterschied besteht in dem Vorhandensein des Stromregulierwiderstands
R, der hier in Form eines C-förmigen
Polysilizium-Streifens PR ausgebildet ist. Ein
Ende des C-förmigen
Polysilizium-Streifens PR hat direkten Kontakt
mit dem ersten aktiven Flächenbereich
AA1, während
das andere einen Kontakt mit einer metallischen Erdungsleitung oder – schiene GND
bei einer ersten Kontaktstelle CT1 hat.
Obschon der größte Teil
des C-förmigen
Polysilizium-Streifens geringfügig
mit einem Pegel dotiert ist, der den Widerstandswert für den Widerstand
R in geeigneter Weise einstellt, sind seine Enden starkt dotiert,
so daß ein
wirksamer ohmscher Kontakt vorhanden ist.
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Äquivalente
Layouts sind möglich,
und es sind andere Widerstands- und Leitermaterialien anstelle der
Polysilizium- und Metallstrukturen in den 5 und 6 möglich.