DE4321817C2 - Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems mit wenigstens einer Schicht aus einem metalloxidischen supraleitenden Material - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems mit wenigstens einer Schicht aus einem metalloxidischen supraleitenden MaterialInfo
- Publication number
- DE4321817C2 DE4321817C2 DE4321817A DE4321817A DE4321817C2 DE 4321817 C2 DE4321817 C2 DE 4321817C2 DE 4321817 A DE4321817 A DE 4321817A DE 4321817 A DE4321817 A DE 4321817A DE 4321817 C2 DE4321817 C2 DE 4321817C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- activated oxygen
- temperature
- metal oxide
- mbar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5826—Treatment with charged particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/408—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbe
griff des Anspruchs 1. Solche Verfahren sind z. B. aus
DE-PS 38 22 502 oder DE-OS 38 05 010 bekannt.
Zur Herstellung von supraleitenden hoch-Tc-Schichten
der Klasse SEBa₂Cu₃Oy (SE = Yttrium oder ein Element der
Seltenen Erden) ist einer der wichtigsten Vorgänge die
sogenannte Beladung der bei hohen Temperaturen
abgeschiedenen Schichten mit Sauerstoff. Erst die
Sauerstoffbeladung, erzeugt aus den halbleitenden
Sauerstoffdefiziten (y < 6,5), bildet metallische und
somit supraleitende Schichten. Hierbei tritt eine
Phasenumwandlung von der tetragonalen zur gewünschten
orthorhombischen Struktur auf. Je nach Sauerstoff-
Partialdruck liegt eine solche Phasenumwandlung im
Bereich von 700°C bis 740°C.
Bei dem bekannten Verfahren wird nach der Deposition
noch im heißen Zustand Sauerstoff bei Drücken bis zu
1 bar in den Probenraum eingelassen. Die Probe wird
anschließend in einem mehr oder weniger gesteuerten
Zyklus bis auf Raumtemperatur abgekühlt. Versuche mit
aktiviertem Sauerstoff werden dabei gemacht, ohne daß
eindeutige Verbesserungen solcher in-situ-Beladungen
eindeutig erkennbar sind. Darüber hinaus sind
sogenannte ex-situ-Nachbehandlungenmethoden zur
Schichtverbesserung bekannt.
Die bekannten Verfahren zeigen eine relativ schlecht
reproduzierbare Prozeßführung im Hochdruckbereich, so
daß eine große Streuung der Ergebnisse stattfindet.
Darüber hinaus werden die Prozeßkammern extrem mit
Sauerstoff belegt, was bei nachfolgenden Prozessen oder
bei gleichzeitiger Verwendung zusätzlicher Quellen zu
nichtstabilen Bedingungen führen kann. Darüber hinaus
führt der hohe Prozeßgasdruck, die hohen Temperaturen
wie auch der Einsatz sehr reaktiven Sauerstoffs zu
nachteiligen hohen Belastungen der Quellen- und
Pumpensysteme solcher Beschichtungsanlagen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren der
eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem diese
Nachteile vermieden werden, zumindest wesentlich
reduziert werden.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren gemäß den
Merkmalen des Anspruchs 1.
Ausgehend von dem Verfahren der genannten Art wird dazu
nach der Deposition des metalloxidischen supraleitenden
Materials die auf dem Substrat gebildete Schicht bis
auf eine definierte Temperatur unterhalb der
Umwandlungstemperatur des metalloxidischen Supraleiters
abgekühlt. Für einen definierten Zeitraum wird die so
gebildete Schicht gehalten und während dieser Zeit
einer Beladung mit aktiviertem Sauerstoff ausgesetzt.
Von entscheidender Bedeutung hierbei ist, daß eine
Beladung mit aktiviertem Sauerstoff während der
Abkühlphase bis auf diese definierte Beladungs
temperatur seit Beendigung des Depositionsvorganges
unterbleibt. Dadurch wird erreicht, daß eine
unkontrollierte Beladung als Folge der Temperatur
abnahme und damit verbundenen unterschiedlichsten
Diffusionsvorgängen des aktiven Sauerstoffs in die
besagte Schicht vermieden wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren nach Anspruch 1 zeichnet
sich deshalb durch folgende Vorteile aus:
- 1. das Verfahren ist extrem reproduzierbar;
- 2. das Verfahren schont die Pumpen und Quellen, so daß keine Konditionierung der Quellen zu weiteren Depositionen notwendig sind.
Die in-situ-Nachbeladung bei einer Temperatur unterhalb
der Umwandlungstemperatur des metalloxidischen Hoch
temperatursupraleiters kann sowohl bei solchen
Depositionsprozessen angewandt werden, bei denen
während der Deposition eine Beladung mit aktiviertem
Sauerstoff erfolgt, als auch bei solchen Depositions
prozessen, bei denen eine solche Beladung aktiv nicht
ist vorgesehen. In Abhängigkeit der eingestellten
Parameter lassen sich reproduzierbar metalloxidische
supraleitende Schichten mit einstellbaren Sauerstoff
anteilen herstellen.
Nach einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens
nach Anspruch 2 wird das Material zur Bildung der
Schicht durch Kathodenzerstäubung oder thermische Ver
dampfung abgeschieden.
Weitere vorteilhafte oder zumindest zweckmäßige Varian
ten des erfindungsgemäßen Verfahrens finden sich in den
Ansprüchen 3 bis 9.
Zur Optimierung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist
dabei zu berücksichtigen, daß die Schichttemperatur,
der Prozeßgasdruck, das Prozeßgas-Mischungsverhältnis,
die Größe des Targets, die Umwandlungstemperatur des
gewählten metalloxidischen Supraleiters als auch
weitere Parameter in engem Zusammenhang miteinander
eingestellt werden können.
Eine besonders vorteilhafte Variante besteht darin, daß
die supraleitende Schicht gemäß Anspruch 9 mit einer
Deckschicht versehen ist. Auch in diesem Falle wird mit
Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens eine sehr gute
Reproduzierbarkeit der erwünschten Sauerstoffbeladung
der supraleitenden Schicht erzielt.
In Abhängigkeit der eingestellten Parameter der
jeweiligen physikalischen Größen kann mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren im Falle der Wahl von
SEBa₂Cu₃Oy als Material für die supraleitende Schicht
durch die in-situ-Nachbehandlung sehr reproduzierbar
ein bestimmter Wert des Sauerstoffanteils y, je nach
Anforderungen, erhalten werden.
Das Verfahren für die Beladung der SEBa₂Cu₃Oy
(y < 6,5)-Schichten sieht folgende Schritte vor:
- 1. Nach der Abscheidung (Deposition) bei Temperaturen von 650-850°C und Drücken im Bereich von 0,5- 5 mbar wird der Film bei unveränderten Bedingungen (konstanter Druck und Gasmischungsverhältnis) auf etwas niedrigere Temperaturen (500°C, je nach Bedingungen zu optimieren) abgekühlt.
- 2. Erzeugung von aktiviertem Sauerstoff durch das Zünden eines Plasmas in der Nähe des Substrates (entweder am durch einen Shutter vom Substrat getrennten Target oder an einem Target, das sich in einer Position befindet, von der aus keine direkte Deposition oder ein Ionenbombardement am Substrat auftritt). Die optimierten Arbeitsparameter für ein RF-Plasma auf 15 cm große (6′′-)Magnetrontargets sind: 100 W bei einem Druck von 0,25-0,32 mbar (reiner Sauerstoff). Alternative Verfahren zur Erzeugung von aktiviertem Sauerstoff sind ebenfalls denkbar (Ionenkanone, Mikrowelleneinstrahlung, Ozon etc.).
- 3. Die Substrattemperatur wird für eine gewisse Zeit (je nach Bedingungen zu optimieren) stabilisiert. Die optimalen Parameter waren 500°C während 20 min. Andere Parameter ergaben reproduzierbar andere Ergebnisse.
- 4. Danach Abkühlen auf Raumtemperatur.
Die optimierten Parameter hängen, wie unter Schritt
1 bis 4 angedeutet, von der Depositionsanlage, Substrat
und dem Schichtsystem ab und müssen
entsprechend optimiert werden. Große Abweichungen von
den oben genannten Werten in Druck, Temperatur und Zeit
treten nicht auf, wohingegen die RF-Leistung naturgemäß
stark vom gewählten Target abhängt.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung eines wenigstens eine
Schicht aus einem supraleitenden SEBa₂Cu₃Oy-
Material enthaltenden Schichtsystems,
- - bei dem die metalloxidische supraleitende Schicht aus einem Target bei einer Temperatur von 1650°C bis 850°C und bei einem Druck von 0,5 bis 5 mbar abgeschieden wird,
- - die gebildete Schicht bei konstanten Druck- und Prozeßgasverhältnissen bis auf eine definierte Temperatur unterhalb der Umwandlungstemperatur des metalloxidischen Supraleiters abgekühlt wird und
- - in Abhängigkeit des gewünschten Sauerstoff anteils y in der Schicht diese 1 min bis 35 min lang mit aktiviertem Sauerstoff bei einem Prozeßgasdruck von 0,05 mbar bis 10 mbar beladen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die metalloxidische supraleitende Schicht
durch Kathodenzerstäubung oder thermische
Verdampfung, insbesondere Laserablation,
abgeschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem in Abhängigkeit der Umwandlungstemperatur
des gewählten SEBa₂Cu₃Oy-Supraleiters die Schicht
mit aktiviertem Sauerstoff bei einer Temperatur
im Bereich von bis zu 250°C unterhalb der
Umwandlungstemperatur beladen wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem zur Bildung des aktivierten Sauerstoffs
ein Plasma möglichst nahe am Substrat so gezündet
wird, daß eine Deposition von Targetmaterial am
Substrat nicht stattfindet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem zur Bildung des aktivierten Sauerstoffs
eine Ionenkanone, Mikrowelleneinstrahlung oder
Ozon verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem die Beladung mit aktiviertem Sauerstoff
bei einem Prozeßgasdruck im Bereich von 0,2 mbar
bis 0,4 mbar durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
bei dem die Beladung mit aktiviertem Sauerstoff
bei einer Temperatur im Bereich von 450°C bis
550°C, insbesondere von 490°C bis 525°C,
durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
bei dem die Beladung mit aktiviertem Sauerstoff
15 min bis 25 min lang durchgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8
bei dem die gebildete Schicht mit einer
Deckschicht versehen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4321817A DE4321817C2 (de) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems mit wenigstens einer Schicht aus einem metalloxidischen supraleitenden Material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4321817A DE4321817C2 (de) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems mit wenigstens einer Schicht aus einem metalloxidischen supraleitenden Material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4321817A1 DE4321817A1 (de) | 1995-01-12 |
DE4321817C2 true DE4321817C2 (de) | 1996-06-05 |
Family
ID=6491635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4321817A Expired - Fee Related DE4321817C2 (de) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems mit wenigstens einer Schicht aus einem metalloxidischen supraleitenden Material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4321817C2 (de) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3805010A1 (de) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur herstellung duenner schichten aus oxydischem hochtemperatur-supraleiter |
DE3822502C1 (de) * | 1988-07-03 | 1989-08-24 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De |
-
1993
- 1993-07-01 DE DE4321817A patent/DE4321817C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4321817A1 (de) | 1995-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0341520B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus einem metalloxidischen Supraleitermaterial mittels Laser-Verdampfens | |
DE69302678T2 (de) | Beschichteter artikel | |
DE2813250C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Verbindungshalbleiterchips | |
WO1998024944A1 (de) | Schichtmaterial sowie vorrichtung und verfahren zum herstellen von schichtmaterial | |
DE69719507T2 (de) | Verfahren zur anwendung eines nicht verdampfbaren getters | |
DE3335107C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Gegenstandes mit einem über einem Substrat liegenden Mehrkomponentenmaterial | |
DE69902316T2 (de) | Beschichtung auf Keramikbasis mit niedriger Wärmeleitfähigkeit | |
EP0328757B1 (de) | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus oxydischem Hochtemperatur-Supraleiter | |
WO2002040745A1 (de) | Werkstoff für temperaturbelastete substrate | |
DE69615598T2 (de) | Erzeugung des Magnesiumdampfes mit hocher Verdampfungsgeschwindigkeit | |
DE69519703T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer hochkristallinen dünnen Oxidfilms und Beschichtigungsvorrichtung für dieses Verfahren | |
DE4321817C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems mit wenigstens einer Schicht aus einem metalloxidischen supraleitenden Material | |
EP0391901B1 (de) | Verfahren zur abscheidung von schichten aus einem oxidkeramischen supraleitermaterial auf einem substrat | |
EP0503577B1 (de) | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten und Vorrichtung | |
DE3886429T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht. | |
DE69315736T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden dünnen Schichten aus supraleitendem Oxidmaterial | |
DE19852325C1 (de) | Verfahren zum Erzeugen eines kontinuierlichen Dampfstromes enthaltend eine Verbindung, in der Gallium in einwertiger Form vorliegt, Verdampfungstiegel zum Verdampfen einer Substanz sowie Verwendung des Verdampfungstiegels in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung | |
DE69018539T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Dünnschichten. | |
DE3822502C1 (de) | ||
DE3815460C2 (de) | ||
EP1268872B1 (de) | Verfahren zur regelung von reaktiven sputterprozessen | |
DE4210613C2 (de) | Einrichtung zur Beschichtung eines Substrates mit einem metalloxidischen Hoch-T¶c¶-Supraleitermaterial | |
DE69014758T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dünnen supraleitenden Films. | |
DE4321135A1 (de) | Verfahren zur Abscheidung eines dünnen supraleitenden Films | |
DE2344581A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufdampfen duenner schichten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |