DE4306611A1 - Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten durch Plasmaeinwirkung - Google Patents
Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten durch PlasmaeinwirkungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Oberflächenbehand
lung von Substraten durch Plasmaeinwirkung, insbesondere zum
Beheizen, Ätzen und zum chemischen Umwandeln der Substratober
flächen, mit einer Katode als Elektronenquelle und einer in
Richtung auf das Plasma konkaven Anode aus amagnetischem Werk
stoff, hinter deren dem Plasma abgekehrten Rückseite Magnet
systeme unterschiedlicher Pollage derart angeordnet sind, daß
die von den Polen (N, S) ausgehenden Magnetfeldlinien (F) auf
mindestens einem Teil ihrer Länge durch den von der Anode um
schlossenen Hohlraum verlaufen, und mit einer Substratführungs
einrichtung, mittels welcher die Substrate auf einem gegenüber
der Anode negativen Potential haltbar sind.
Um Substrate der Einwirkung eines Plasmas auszusetzen, ist es
erforderlich, mit einer Vakuumkammer in der Umgebung der Sub
strate einen bestimmten Unterdruck zu erzeugen und eine Gasat
mosphäre aufrechtzuerhalten sowie dem Plasma ständig elektrische
Leistung zuzuführen. Die Leistungszufuhr geschieht bevorzugt
durch in der Vakuumkammer angeordnete Elektroden, von denen die
eine als Katode, die andere als Anode geschaltet ist, um den
Stromkreis über das Plasma zu schliefen. Die Erfindung befaßt
sich mit der Ausbildung der Anode.
Durch die DE-PS 22 41 229 ist es zum Zwecke des Ätzens von Sub
straten bekannt, über einer plattenförmige Elektrode eine topf
förmige Elektrode anzuordnen. Durch den Anschluß beider Elek
troden an einen Hochfrequenzgenerator erhält die plattenförmige
Elektrode und damit das auf ihr liegende Substrat die Funktion
einer Katode, während die topfförmige Elektrode eine sogenannte
Hohlanode bildet. Dies ist im Zusammenhang mit Hochfrequenz auf
einen sogenannten Gleichrichtereffekt zurückzuführen, durch den
stets die Elektrode mit der relativ kleinsten wirksamen Fläche
Katodenpotential annimmt. Dabei spielt der enge Spalt zwischen
dem Rand der Topfanode und der plattenförmigen Katode eine aus
schlaggebende Rolle, da er das Flächenverhältnis definiert. Wird
der Spalt nennenswert vergrößert, so schlagen die Potentiale um,
und die topfförmige Elektrode nimmt gegenüber der Summe der
Flächen der plattenförmigen Elektrode und der leitfähigen Teile
der Vakuumkammer die kleinere Fläche ein, mithin also Katoden
potential an. Die bekannte Vorrichtung besitzt im übrigen kei
nerlei Magnetfeld zur Unterstützung der Ionisationswirkung ge
genüber dem Plasma. Die DE-OS 36 06 959, DE-OS 40 39 930 und die
DE-PS 41 09 691 offenbaren Weiterentwicklungen dieses Prinzips
mit Mitteln zur Vergrößerung der Anodenflächen, jedoch ohne
Verwendung von Magnetsystemen.
Durch die DE-PS 40 38 497 ist es bekannt, beiderseits eines
Plasmaschlauches plattenförmige Elektroden anzuordnen, hinter
denen sich Magnetsysteme befinden, so daß auf der dem Plasma
zugekehrten Seite dieser Elektroden Magnetfelder mit tunnel
förmig verlaufenden Feldlinien gebildet werden. Die Elektroden
haben aufgrund ihrer Polarität relativ zum Plasma Anodenfunk
tion, jedoch ist die ionisierende Wirkung der Magnetfelder auf
das Plasma wegen des geringen Plasmaeinschlusses relativ gering.
(Die ionisierende Wirkung des Magnetfeldes beruht darauf, daß
die Elektronen im Plasma sich auf schraubenlinienförmigen Bahnen
um die einzelnen Magnetfeldlinien bewegen, wodurch die Ionisa
tionswahrscheinlichkeit erhöht wird).
Durch die DE-OS 40 09 151 ist es weiterhin bekannt, gegenüber
einer Zerstäubungskatode, die zum Beschichten von Substraten
dient, eine teilzylindrisch gebogene Anode anzuordnen, hinter
der sich gleichfalls Magnetsysteme in einer solchen Anordnung
befinden, daß die erzeugten Feldlinien auf einem Teil ihrer
Länge auf der dem Plasma zugekehrten Seite der Anode verlaufen.
Auch in diesem Falle ist der ionisierende Einfluß der Anode auf
das Plasma relativ gering, was sich unter anderem an einem re
lativ geringen Anodenstrom ablesen läßt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
der eingangs beschriebenen Gattung anzugeben, mit der die Er
zeugung eines sehr viel intensiveren Plasmas möglich ist.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der eingangs an
gegebenen Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch, daß die Anode
einen Anodenboden und eine Zarge aufweist, deren Mantellinien im
wesentlichen senkrecht zum Anodenboden verlaufen und deren Rand
einen rechteckigen Verlauf hat, derart, daß die Anode fünf
Seiten eines quaderförmigen Hohlraums umschließt, dessen sech
ste, offene Seite der Substratführungseinrichtung zugekehrt ist,
und daß außerhalb der gegenüberliegenden Langseiten der Zarge
auf der einen Seite ein erstes Magnetsystem mit Polflächen ei
ner ersten Polarität (N) und auf der anderen, gegenüberliegenden
Seite ein zweites Magnetsystem mit Polflächen einer zweiten Po
larität (S) angeordnet sind, derart, daß der Hohlraum von Ma
gnetfeldlinien durchsetzt ist, die von einer Seite der Zarge
durch den Hohlraum zur gegenüberliegenden Seite der Zarge
durchlaufend sind.
Es handelt sich im Ergebnis um eine Plasmaquelle, die mittels
Magnetfeldunterstützung durch einen invertierten Magnetsatz und
mit einer Hohlanode arbeitet. Mit dieser Quelle wird erreicht,
daß für die Elektronen ein sehr guter Einschluß in der Hohlanode
realisiert wird. Die in dieser Anordnung erzeugbaren Plasmen
sind sehr intensiv, da die Plasmaerzeugung sowohl durch die Ma
gnetfeldunterstützung als auch durch den Hohlanodeneffekt un
terstützt wird. Eine wesentliche Folge ist, daß Niederdruck
plasmen mit Trägerkonzentrationen bis zu 1011/cm3 geliefert
werden können und daraus resultierende Stromdichtewerte von ei
nigen mA/cm2 vor der Quelle meßbar sind.
Diese Lokalisierung des Plasmas im Anodenbereich macht die
Quelle besonders für Anwendungen beim Ätzen von groben
Substraten einsetzbar. Die Problematik beim Ätzen, z. B. von
Stahlblechen, ist dadurch gegeben, daß ein auf Hochspannung be
findliches Stahlblech bei nicht lokalisiertem Plasma grundsätz
lich einer groben Überschlagsgefahr an den Blechkanten ausge
setzt ist bzw. daß ein zu großflächig ausgedehnter Plasmabereich
die gewünschte Plasmaintensität und damit eine ausreichende
Ätzwirkung nicht mehr garantieren kann. Im Gegensatz zu den be
kannten und vorstehend beschriebenen Anordnungen für das Ätzen
von unmagnetischen Materialien oder schwach magnetischen Mate
rialien mit einem hinter dem Anodenblech angeordneten Magnet
satz, weist die neue Plasmaquelle den Vorteil auf, daß der ma
gnetische Plasmaeinschluß schon in der Quelle geschieht. Hier
durch ist es möglich, magnetisches Material wie z. B. Stahlblech,
aber auch Werkzeugstähle und andere magnetische Stähle vor der
Plasmaquelle zu positionieren und zu ätzen. Der Vorgang der Ät
zung wird so ausgelöst, daß das Substrat selber auf ein hohes
negatives Potential von einigen 100 V gelegt wird, während die
Quelle selber auf Anodenpotential befindlich ist.
Die Katode kann dabei ausschließlich durch die Substratfüh
rungseinrichtung mit den Substraten, durch einen Elektronen-
Emitter und/oder durch eine Zerstäubungskatode gebildet werden,
mit der zusätzlich eine Beschichtung der Substrate möglich ist.
Grundsätzlich sind zwei Betriebsarten für das Ätzen möglich: Die
erste Betriebsart arbeitet mit zwei Spannungsquellen und einem
Dreielektrodensystem, wobei das Anodenpotential gegenüber der
auf Erdpotential befindlichen Kammerwand eingestellt wird und
das Substrat gegenüber der Kammerwand als Bezugselektrode auf
das negative Potential gelegt wird. Die zweite Betriebsart
besteht bei Verwendung nur einer Spannungsquelle darin, daß die
Anode den positiven Pol einer Hochspannungsversorgung darstellt,
während die Substratanordnung an den negativen Pol der gleichen
Hochspannungsversorgung gelegt wird. Hierdurch wird erreicht,
daß der Strompfad eindeutig über die Anode führt, d. h. das An
odenpotential stellt sich in dieser Anordnung so ein, daß nahezu
der komplette Entladungsstrom zur Anode geführt wird. Wie be
reits weiter oben erwähnt, betragen die typischen Stromdichten
einige mA/cm2, d. h. bei Potentialen von 500 bis 1000 V (negativ)
werden Leistungsdichten von mehreren W/cm2 am Substrat erzeugt.
Diese Beschußleistung führt zu Abtragsraten von einigen Zehntel
nm/sec bis zu einigen nm/sec, wenn Argon als Ätzgas eingesetzt
wird.
Neben den Möglichkeiten der Ätzung von Substraten mit Edelgas
besteht auch die Möglichkeit, die für viele Anwendungen notwen
digen Reduzierungen von Oberflächen z. B. durch Anwendung von
Argonwasserstoffgemischen vorzunehmen. Des weiteren kann die
erfindungsgemäße Plasmaquelle auch dazu benutzt werden, eine
sauerstoffhaltige Entladung zu betreiben, mit welcher es möglich
ist, die Oberfläche nachträglich durch Oxidation zu passivieren.
Im Zusammenhang mit großtechnischen Prozessen und insbesondere
beim Einsatz in Mehrkammer-In-Line-Systemen ist es besonders
vorteilhaft, daß die bezeichnete Quelle als lange Linearquelle
ausführbar ist, d. h. im Rahmen von Anwendungen bis auf mehrere
Meter Länge skalierbar ist.
Die erfindungsgemäße Plasmaquelle lädt sich in vorteilhafter
Weise auch an die Stelle der ebenen (DE-PS 40 38 497) oder
schwach gekrümmten Anodenbleche (DE-OS 40 09 151) setzen, wo
durch die Intensität des Plasmas deutlich erhöht wird.
Bei der Verwendung der Anode in den bekannten Vorrichtungen
werden als besondere Vorteile erreicht, daß das Plasma bereits
raumfüllend vorliegt. Das raumfüllend vorliegende Plasma tritt
nun in Kontakt mit dem lokalisiert vorliegenden Anodenplasma,
wodurch es gelingt, eine elektrische Einkopplung des Anoden
plasmas in das raumfüllende Plasma zu erhalten. Resultierend aus
diesem Vorgang ist eine zusätzliche über die Anode steuerbare
Plasmadichte in der bekannten Anordnung beim Beschichtungsbe
trieb. Neben dem Beschichtungsbetrieb erweist sich die bereits
oben bezeichnete Anwendung der Anode zum Ätzen von Substraten
als besonders vorteilhaft.
Durch die erfindungsgemäße Anode gelingt es, Plasma in den Be
reich der sonst nur von der Zerstäubungskatode gespeisten Plas
masäule zusätzlich einzuspeisen. Besonderer Vorteil bei dieser
Einspeisung des von der Anode ausgehenden Plasmas ist es, daß
die Anode als magnetisch unterstützte Elektrode im Gegensatz zu
einer magnetisch unterstützten Zerstäubungskatode als Plasma
lieferant keinen Abtrag durch Ionenbeschuß, d. h. kein die zu
ätzenden Teile verschmutzendes Material liefert. Hierdurch ge
lingt es, eine saubere Hochleistungsätzung ohne Kontamination
vorzunehmen, ohne daß am Substrat selber ein komplizierter Ma
gnetaufbau erforderlich ist. Der Erfindungsgegenstand bildet
dadurch die Grundlage zum Ätzen von großvolumigen Teilen und
Teileanordnungen.
Für das Beheizen der Substrate gilt das gleiche was oben für das
Ätzen von Substraten erwähnt wurde. Beim Heizen der Substrate
wird Helium, gegebenenfalls mit einem Zusatz von Wasserstoff,
eingelassen, wobei durch Anwendung von Potentialen von einigen
100 V dafür gesorgt wird, daß die auf das Substrat auftreffenden
Heliumionen keinen oder nur einen unwesentlichen Abtrag von Ma
terial verursachen. Durch die vorliegenden hohen Plasmadichten
wird erreicht, daß bei z. B. Ionenstromdichten von einigen mA/cm2
und Potentialen von 300 V Leistungsdichten von mehreren W/cm2 am
Substrat auftreten. Hierdurch gelingt es sehr viel effizienter,
als durch die Verwendung von Strahlungsheizern, Formteile auf
zuheizen, wobei als zusätzlicher Vorteil durch die vorliegenden
hohen Trägerkonzentrationen und Ionenstromdichten erreicht wird,
daß bei den dann vorliegenden kleinen Dunkelraumabständen das
Plasma sehr gut in Konturen eindringt, d. h. eine ausgedehnte
konturierte Substratanordnung wird optimal beschossen und damit
erwärmt.
Es ist dabei besonders vorteilhaft, wenn die Polflächen beider
Magnetsysteme je ein Rechteck umschließen, das parallel zu den
Langseiten der Zarge verläuft, insbesondere wenn die beiden auf
den Langseiten der Rechtecke liegenden Teilabschnitte der Pol
flächen einerseits im Bereich der dazu parallelen Übergänge vom
Anodenboden zu den Langseiten der Zarge liegen und andererseits
im Bereich der dazu parallelen Teilabschnitte des Randes der
Zarge. Dadurch wird erreicht, daß der quaderförmige Hohlraum der
Anode von einem weitgehend homogenen Magnetfeld mit etwa paral
lelen Feldlinien durchsetzt wird, so daß alle Volumenelemente
des Gases im Hohlraum der gleichen Ionisationswahrscheinlichkeit
unterliegen.
Es ist weiterhin von Vorteil, wenn die im Bereich des Randes der
Zarge liegenden Magnete in der Weise auf die Langseiten der
Zarge ausgerichtet sind, daß die Normalen auf die Polflächen mit
einer längsten Mittenebene M-M des Hohlraums in Richtung auf den
Anodenboden eines spitzen Winkels α einschließen.
Mit anderen Worten, der Einschluß der Elektroden in der Hohlan
ode kann zusätzlich durch die Raumform der Magnetanordnung be
einflußt werden. Insbesondere kann durch die Einstellung leicht
nach außen gekippter Polflächen auf den beiden äußeren Rändern
der Anode erreicht werden, daß die Magnetfeldlinien etwas stär
ker in den Raum heraustreten und daß dadurch das Plasma verbes
sert in Kontakt mit einem vor der offenen Seite der Hohlanode
befindlichen Substrat oder Elektrode tritt.
An die Anode kann statt eines Gleichspannungspotentials ein ge
pulstes positives Potential angelegt werden. Beim Ätzbetrieb
wird gleichermaßen eine gepulste Hochspannung auf die Anode ge
schaltet.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Einsatzmöglichkeiten
des Erfindungsgegenstandes ergeben sich aus den übrigen Unter
ansprüchen.
Ein Ausführungsbeispiel und dessen Einsatz im Zusammenwirken mit
Zerstäubungskatoden zu Beschichtungszwecken werden nachfolgend
anhand der Fig. 1 bis 4 näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch den Erfindungsgegenstand,
Fig. 2 den unteren Teil von Fig. 1 in verkleinertem Maßstab,
Fig. 3 einen Längsschnitt durch den Gegenstand nach Fig. 1
in wiederum verkleinertem Maßstab und
Fig. 4 einen Radialschnitt durch eine Beschichtungsanlage mit
zwei erfindungsgemäßen Vorrichtungen und zwei
Magnetron-Beschichtungskatoden in äquidistanter und
alternierender Anordnung auf dem Umfang einer rotie
renden Substratführungseinrichtung.
In den Fig. 1 bis 3 ist eine Anode 1 dargestellt, die aus
einem ebenen Anodenboden 2 und einer Zarge 3 besteht, deren
Mantellinien senkrecht zum Anodenboden 2 verlaufen. Die Zarge 3
besteht aus zwei zueinander parallelen Langseiten 4 und 5, die
an ihren beiden Enden durch Stirnseiten 6 und 7 miteinander
verbunden sind. Infolgedessen umschließt die Anode 1 fünf Seiten
eines quaderförmigen Hohlraums 8, dessen sechste, offene Seite
einer Substratführungseinrichtung 9 zugekehrt ist, die in Fig.
4 gezeigt und im Zusammenhang damit noch näher erläutert wird.
Die Zarge 4 besitzt auf der dem Anodenboden 2 abgekehrten Seite
einen Rand 10, der in einer zum Anodenboden parallelen Ebene
einen rechteckigen Verlauf hat. Der Ausdruck "rechteckig" ist
jedoch nicht kritisch zu sehen. So können die beiden Stirnseiten
6 und 7 auch als hohle Halb-Zylinderflächen ausgebildet sein,
ohne daß sich hierdurch an der im wesentlichen quaderförmigen
Ausbildung des Hohlraums etwas ändert.
Außerhalb der gegenüberliegenden Langseiten 4 und 5 der Zarge 3
ist auf der einen Seite ein erstes Magnetsystem 11 mit Pol
flächen 11a einer ersten Polarität N angeordnet und auf der an
deren, gegenüberliegenden Seite ein zweites Magnetsystem 12 mit
Polflächen 12a einer zweiten Polarität S. Dadurch ist der Hohl
raum 8 von Magnetfeldlinien (gestrichtelt, mit Pfeilen) durch
setzt, die von einer Seite der Zarge 3 durch den Hohlraum 8
hindurch zur gegenüberliegenden Seite der Zarge durchlaufend
sind. Die Polflächen 11a und 12a beider Magnetsysteme 11 und 12
umschließen je ein Rechteck, das parallel zu den Langseiten 4
und 5 der Zarge 3 verläuft.
Genauer gesagt liegen die beiden auf den Langseiten der Recht
ecke liegenden Teilabschnitte der Polflächen einerseits im Be
reich der dazu parallelen Übergänge vom Anodenboden 2 zu den
Langseiten 4 und 5 der Zarge, andererseits liegen sie im Bereich
der dazu parallelen Teilabschnitte des Randes 10 dieser Zarge.
Die Polflächen werden von Permanentmagneten 11b, 11c und 11d
bzw. 12b, 12c und 12d gebildet. Die Permanentmagnete 11b und 11c
bzw. 12b und 12c sind dabei in Form eines nach unten offenen "U"
angeordnet, dessen Joch wesentlich länger ist als die beiden
Schenkel, von denen jeweils die hinteren (11c und 12c) in Fig.
1 sichtbar sind.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, sind die im Bereich des Randes 10
der Zarge 3 liegenden Permanentmagnete 11d und 12d in der Weise
auf die Langseiten 4 und 5 der Zarge 3 ausgerichtet, daß die
Normalen 11e, 12e auf die Polflächen 11a und 12a unter einem
spitzen Winkel α auf eine Mittenebene M-M des Hohlraums 8 aus
gerichtet sind, die in den Fig. 1 und 2 ebenso senkrecht zur
Zeichenebene verläuft, wie die beiden Langseiten 4 und 5 der
Zarge 3. Der spitze Winkel α wird dabei zwischen den besagten
Normalen auf die Polflächen 11a und 12a und der Mittenebene M-M
eingeschlossen, und zwar auf der Seite, die dem Anodenboden 2
zugekehrt ist. Die "gekippte" Lage der Permanentmagnete 11d und
12d ist in Fig. 1 etwa maßstäblich gezeigt und beträgt 60. Da
durch erhalten die von den Polflächen 11a und 12a der Perma
nentmagnete 11d und 12d ausgehenden Feldlinien einen deutlich
bogenförmig gekrümmten Verlauf, so daß sie stärker aus der of
fenen Seite der Zarge 3 bzw. des Hohlraums 8 austreten, wie dies
gleichfalls in Fig. 1 gestrichelt angedeutet ist.
Die Magnetsysteme 11 und 12 sind aus quaderförmigen Teilab
schnitten zusammengesetzt, die aus einzelnen Permanentmagneten
bestehen und in der angegebenen Ausrichtung und Raumlage an ei
nem "U"-förmigen, nach unten und im Bereich der Stirnseiten 6
und 7 offenen Magnetjoch 13 befestigt sind, das ansonsten der
Anode 1 geometrisch ähnlich geformt ist. Die Magnetsysteme 11
und 12 sind auf den einander zugekehrten und zueinander paral
lelen Innenseiten 13a und 13b des Magnetjochs 13 in entsprechend
ausgefrästen Vertiefungen gehalten. Die Reihen von Permanentma
gneten 11b und 11d bzw. 12b und 12d haben eine Länge, die der
Länge der Langseiten 4 und 5 der Zarge entspricht. Auf den Au
ßenseiten 13c und 13d des Magnetjochs 13 sind Kühlrohre 14 an
geordnet, die das Magnetjoch 13 und damit die Permanentmagnete
gegen eine Überhitzung schützen. Das Magnetjoch 13 ist mit den
Kühlrohren 14 wiederum von einem gegenüber der Anode 1 iso
lierten Gehäuse 15 umgeben. Diese Isolation des Gehäuses 15 ge
schieht zu dem Zweck, daß sich das Gehäuse 15 beim Betrieb auf
ein floatendes Potential einstellen kann, so daß das Gehäuse im
elektrischen Gleichgewichtszustand nicht in den Elektronen
transport eingreift. Es ist den Fig. 1 bis 3 noch zu entneh
men, daß die durch den Rand 10 der Zarge 3 definierte Öffnung 16
der Anode 1 mit der Fläche des Anodenbodens 2 übereinstimmt.
Unter Heranziehung der Fig. 4 wird die Befestigung der Anode 1
und der übrigen Teile der Plasmaquelle wie folgt erläutert: Eine
Vakuumkammer 17, zu der eine Tür 17a gehört, umschließt ein im
wesentlichen zylindrisches Kammervolumen 18, in dem sich in im
wesentlichen koaxialer Anordnung die bereits beschriebene Sub
stratführungseinrichtung 9 befindet. Im vorliegenden Fall be
steht die Substratführungseinrichtung 9 aus einem ersten, um
eine Rotationsachse A drehbaren Hauptträger 19, an dem elek
trisch leitend mehrere, um je eine eigene Achse A1, A2, A3 . . .
drehbare Hilfsträger 20 für die Substrate gelagert sind. Dabei
sind die Achsen A1 bis An äquidistant auf einem Kreis angeord
net, der konzentrisch zur Rotationsachse A verläuft. Sämtliche
Achsen verlaufen zueinander parallel und sind dabei in der Weise
antreibbar, daß die Substrate aufgrund der überlagerten Drehbe
wegung auf einer epizyklischen Bahn an den Anoden 1 und 1A
vorbeiführbar sind. Die Achsen A1 . . . An sind beispielhaft als
Stangen ausgebildet, auf die rotationssymmetrischen Teile wie
Fräser und Messerköpfe oder sogenannten Käfige für Kleinteile,
z. B. Bohrer, aufsteckbar sind. Die Ausbildung derartiger Haupt-
und Hilfsträger mit epizyklischer Substratbewegung ist an sich
bekannt und braucht daher nicht näher erläutert zu werden. Um
den Hauptträger 19 auf ein definiertes elektrisches Potential
legen zu können, ist dessen Welle 19a mit einem Gleitkontakt 19b
versehen, an den Leitungen 19c und 19d gelegt sind.
Gemäß Fig. 4 sind auf der Innenseite 17b der Vakuumkammer 17
zwei Anoden 1 und 1A in Bezug auf die Rotationsachse A diametral
gegenüberliegend angeordnet, wobei die längste Achse der Anoden
1, 1A parallel zur Rotationsachse A verläuft und die Länge des
Hohlraums der Anoden im wesentlichen der Länge der Achsen A1 bis
An entspricht. Dabei sind die Öffnungen 16 der Anoden 1 und 1A
auf die Rotationsachse A ausgerichtet, und zwar derart, daß die
Oberflächenelemente der hier nicht dargestellten Substrate
nacheinander der Einwirkung einer jeden Anode 1 bzw. 1A aus
setzbar sind.
In der Wand der Vakuumkammer sind ferner auf dem Umfang der
Substratführungseinrichtung 9 zwei Beschichtungskatoden 21 und
22 angeordnet, die in herkömmlicher Bauweise als "unbalanced
magnetrons" ausgeführt sind, d. h. sie besitzen zur Erweiterung
der Reichweite des Plasmas je eine rechteckig gewickelte Ma
gnetspule 23 und 24, deren Feld dem Feld der Permanentmagneten
der Beschichtungskatoden 21 und 22 überlagert ist. Wie aus der
Bezeichnung der Pole hervorgeht, besitzen die Beschichtungs
katoden, sogenannte Magnetron-Katoden, eine entgegengesetzte
Pollage, d. h. einem Nordpol ist jeweils ein Südpol gegenüber
angeordnet und umgekehrt. Gemäß Fig. 4 sind die Beschichtungs
katoden 21 und 22 auf halbem Wege zwischen den Anoden 1 und 1A
angeordnet, so daß eine alternierende Reihenfolge gebildet wird.
Die Substrate können beim Umlauf der Substratführungseinrichtung
9 mithin abwechselnd geätzt und beschichtet werden.
Zwecks Befestigung der Anoden 1 und 1A auf der Innenseite 17b
der Vakuumkammer 17 sind paarweise Verschraubungen 25 vorge
sehen, die durch jeweils eine Traverse 26 miteinander verbunden
sind (siehe auch Fig. 1). Mehrere solcher Traversen 26 tragen
jeweils mittels Schrauben 27 unter Zwischenschaltung von Iso
lierringen 28 und Isolierbuchsen 29 das Magnetjoch 13. An dem
Magnetjoch 13 ist wiederum mittels Schrauben 30 unter Zwischen
schaltung weiterer Isolierringe 31 und Isolierbuchsen 32 die
Anode 1 befestigt, und zwar unter Zwischenschaltung von
Flanschplatten 33, die mit dem Anodenboden 2 verschraubt sind,
und in die die Schrauben 33 eingreifen, deren Köpfe zur Vermei
dung von Spannungsüberschlägen versenkt in einem Isolierstoff
napf 34 untergebracht sind.
An den Außenseiten des Magnetjochs 13 ist mittels Distanzbuchsen
35 und Schrauben 36 das Gehäuse 15 befestigt. Durch die iso
lierte Befestigung des Magnetjochs 13 mit den Magnetsystemen 11
und 12 sowohl gegenüber der Anode 1 als auch gegenüber der Po
tentialzuführung und auch gegenüber den auf Massenpotential
liegenden Traversen 26 können sich die Magnetsysteme 11 und 12
zusammen mit dem Magnetjoch 13 und dem nach oben offenen Gehäuse
15 auf ein floatendes Potential einstellen, auf dessen Wirkung
bereits weiter oben hingewiesen wurde. Die Potentialzufuhr zur
Anode 1 bzw. 1A erfolgt gemäß Fig. 3 über ein Kabel 37, eine
Steckkupplung 38 mit einem Kontaktstift 38a und eine elektrisch
leitende Tragstütze 39, die an dieser Stelle die Schraube 30
ersetzt und in der gezeigten Weise vakuumdicht durch die Wand
der Vakuumkammer 17 hindurchgeführt ist. Zur Vermeidung von
Überschlägen ist auch die Tragstütze 39 mit einem Isolierstoff
überzug 40 versehen.
In Fig. 4 sind noch drei Spannungsquellen 41, 42 und 43 darge
stellt, von denen einzelne oder alle als Impulsgeneratoren aus
geführt sein können. Die Spannungsquelle 41 dient ausschließlich
für den Anodenbetrieb. Die Spannungsquelle 42 dient ausschließ
lich für die Versorgung der Substratführungseinrichtung 9; sie
liefert die Elektronen für die Plasmen, und die Spannungsquelle
43 dient ausschließlich für die Versorgung der
Beschichtungskatoden 21 und 22. Die einleitend beschriebenen
unterschiedlichen Betriebsarten sind durch ihre verschiedene
Leitungsführung dargestellt.
Die Leitungsführung der Spannungsquellen 41 und 42 in der ersten
Betriebsart ist ausgezogen dargestellt. Durch die Spannungs
quelle 41 wird das Anodenpotential gegenüber der auf Erdpoten
tial befindlichen Kammerwand eingestellt. Die Substratführungs
einrichtung 9 wird durch die Spannungsquelle 42 gegenüber der
Kammerwand als Bezugselektrode durch die Leitung 19d auf ein
negatives Potential gelegt.
Die zweite Betriebsart ist hinsichtlich ihrer Leitungsführung in
gestrichelten Linien dargestellt: Dabei sind die Anoden 1 und 1A
an den positiven Pol der Spannungsquelle 41 gelegt, während die
Substratführungseinrichtung 9 durch die Leitung 19c an den ne
gativen Pol der gleichen Spannungsquelle 41 gelegt wird. In dem
zuletzt genannten Fall führt der Strompfad eindeutig über die
Anoden, d. h. das Anodenpotential stellt sich bei dieser Anord
nung so ein, daß praktisch der gesamte Entladungsstrom zur Anode
bzw. zu den Anoden geführt wird.
Die Spannungsquelle 43 kann unabhängig in beiden Betriebsarten
zugeschaltet werden, wenn ein Beschichtungsprozeß durchgeführt
werden soll.
Die Abmessungen der Anoden sind dabei in weiten Grenzen wählbar.
Versuche wurden durchgeführt mit folgenden Anodenabmessungen:
Länge = 750 mm
Breite = 200 mm
Tiefe = 150 mm.
Breite = 200 mm
Tiefe = 150 mm.
Die Länge ist skalierbar bis etwa 4 bis 6 Meter. Die Breite kann
zwischen 40 und 300 mm gewählt werden, vorzugsweise zwischen 50
und 120 mm. Die Tiefe kann zwischen 50 und 200 mm gewählt wer
den, vorzugsweise zwischen 60 und 100 mm.
An die Stelle der Substratführungseinrichtung nach Fig. 4, die
für die Beschichtung von im wesentlichen rotationssymmetrischen
Formteilen vorgesehen ist, beispielsweise von Fräsern, kann auch
eine walzenförmige Substratführungseinrichtung treten, die bei
spielsweise als Kühlwalze ausgeführt ist, über die eine Folie
geführt wird, die von einer Vorratsrolle bis zu einer Aufwic
kelrolle über diese Kühlwalze geführt wird. In einem solchen
Falle wird üblicherweise die Vakuumkammer 17 durch Trennwände
unterteilt, um dem Ausgasungsverhalten der Folien Rechnung zu
tragen. Derartige Kammerunterteilungen und Folienführungssysteme
sind Stand der Technik, so daß hierauf nicht weiter eingegangen
wird. Auch kann wahlweise die Rotationsachse A sowohl senkrecht
ausgerichtet sein als auch waagrecht. Die waagrechte Ausrichtung
der Rotationsachse einer Kühlwalze wird in der Regel beim Be
handeln von Folien gewählt.
In einer Vorrichtung nach Fig. 4 mit zwei Anoden nach den
Fig. 1 bis 3 wurden jeweils fünf Fräser mit einem Außendurch
messer von 75 mm auf je einer von sechs Rotationsachsen A1 bis
A6 angeordnet. Die Stapelhöhe von jeweils fünf Fräsern auf jeder
Achse betrug 400 mm. Die beiden Beschichtungskatoden 21 und 22
wurden mit Targets 21a und 22a aus Titan bestückt, so daß sich
auf den Substraten durch Anwesenheit von Stickstoff im Gemisch
mit Argon äußerst harte und verschleißfeste Schichten aus Ti
tannitrid bildeten. Bei den einzelnen Verfahrensstufen des
Aufheizens, Ätzens und Beschichtens wurden je nach Betriebsart
Betriebsparameter in den nachstehend angegebenen Bereichen bzw.
mit den nachstehend genannten Werten gemessen. In jedem Falle
ergaben sich einwandfreie, gleichmäßige und gleichmäßig harte
und haftfeste Beschichtungen aus Titannitrid.
Claims (11)
1. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten durch
Plasmaeinwirkung, insbesondere zum Beheizen, Ätzen und zum
chemischen Umwandeln der Substratoberflächen, mit einer
Katode als Elektronenquelle und einer in Richtung auf das
Plasma konkaven Anode (1) aus amagnetischem Werkstoff,
hinter deren dem Plasma abgekehrten Rückseite Magnetsysteme
(11, 12) unterschiedlicher Pollage derart angeordnet sind,
daß die von den Polen (N, S) ausgehenden Magnetfeldlinien
(F) auf mindestens einem Teil ihrer Länge durch den von der
Anode (1) umschlossenen Hohlraum (8) verlaufen, und mit
einer Substratführungseinrichtung (9) mittels welcher die
Substrate auf einem gegenüber der Anode (1) negativen Po
tential haltbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode
(1) einen Anodenboden (2) und eine Zarge (3) aufweist, de
ren Mantellinien im wesentlichen senkrecht zum Anodenboden
verlaufen und deren Rand (10) einen rechteckigen Verlauf
hat, derart, daß die Anode fünf Seiten eines quaderförmigen
Hohlraums (8) umschließt, dessen sechste, offene Seite der
Substratführungseinrichtung (9) zugekehrt ist, und daß au
ßerhalb der gegenüberliegenden Langseiten (4, 5) der Zarge
(3) auf der einen Seite ein erstes Magnetsystem (11) mit
Polflächen (11a) einer ersten Polarität (N) und auf der
anderen, gegenüberliegenden Seite ein zweites Magnetsystem
(12) mit Polflächen (12a) einer zweiten Polarität (S) an
geordnet sind, derart, daß der Hohlraum von Magnetfeldli
nien durchsetzt ist, die von einer Seite der Zarge (3)
durch den Hohlraum (8) zur gegenüberliegenden Seite der
Zarge durchlaufend sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Polflächen (11a, 12a) beider Magnetsysteme (11, 12) je
ein Rechteck umschließen, das parallel zu den Langseiten
(4, 5) der Zarge (3) verläuft.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die beiden auf den Langseiten der Rechtecke liegenden
Teilabschnitte der Polflächen (11a, 12a) einerseits im Be
reich der dazu parallelen Übergänge vom Anodenboden (2) zu
den Langseiten (4, 5) der Zarge (3) liegen und andererseits
im Bereich der dazu parallelen Teilabschnitte des Randes
(10) der Zarge (3).
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die im Bereich des Randes (10) der Zarge (3) liegenden
Permanent-Magnete (11d, 12d) in der Weise auf die Lang
seiten (4, 5) der Zarge (3) ausgerichtet sind, daß die
Normalen auf die Polflächen (11a, 12a) mit einer längsten
Mittenebene (M-M) des Hohlraums (8) in Richtung auf den
Anodenboden (2) eines spitzen Winkel (α) einschließen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Anode (1) von einem geometrisch ähnlichen Magnetjoch
(13) umgeben ist, das auf seinen Innenseiten (13a, 13b) die
Magnetsysteme (11, 12) trägt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
das Magnetjoch (13) von einem gegenüber der Anode (1) iso
lierten Gehäuse (15) umgeben ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die durch den Rand (10) der Zarge (3) definierte Öffnung
(16) der Anode (1) mit der Fläche des Anodenbodens (2) zu
mindest im wesentlichen übereinstimmt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Anode (1) an einen Impulsgenerator angeschlossen ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens eine Anode (1, 1A) auf der Innenseite (17b) ei
ner Vakuumkammer (17) angeordnet ist, in der um eine Rota
tionsachse (A) drehbar die Substratführungseinrichtung (9)
angeordnet ist, daß die offene Seite (16) der Anode (1, 1A)
auf die Rotationsachse (A) ausgerichtet ist, derart, daß
Oberflächenelemente der Substrate nacheinander der Einwir
kung der Anode aussetzbar sind.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
die Substratführungseinrichtung (9) aus einen ersten, um
die Rotationsachse (A) drehbaren Hauptträger (19) besteht,
an dem mehrere, um je eine eigene Achse (A1, A2, A3, . . . )
drehbare Hilfsträger (20) für die Substrate gelagert sind,
wobei die Achsen der Hilfsträger einen radialen Abstand von
der Rotationsachse (A) aufweisen und sämtliche Achsen in
der Weise antreibbar sind, daß die Substrate auf einer
epizyklischen Bahn an der Anode vorbeiführbar sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
auf dem Umfang der Substratführungseinrichtung (9) minde
stens zwei Anoden (1, 1A) und mindestens zwei Beschich
tungskatoden (21, 22) in alternierender Reihenfolge ange
ordnet sind.
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006057181A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Jds Uniphase Corp | スパッタ・コーティング用アノード |
US20080099039A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Siegfried Krassnitzer | Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed |
WO2009056173A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Oerlikon Trading Ag | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources |
US8500973B2 (en) | 2004-08-20 | 2013-08-06 | Jds Uniphase Corporation | Anode for sputter coating |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2115590A1 (en) * | 1971-03-31 | 1972-10-05 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim |
US4422896A (en) * | 1982-01-26 | 1983-12-27 | Materials Research Corporation | Magnetically enhanced plasma process and apparatus |
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
DE3706698A1 (de) * | 1986-06-23 | 1988-01-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz |
DD289294A5 (de) * | 1989-12-01 | 1991-04-25 | Forschungszentrum Mikroelektronik Dresden,De | Vorrichtung zum hf-plasmasputteraetzen von substraten im vakuum |
DE4005956C1 (de) * | 1990-02-26 | 1991-06-06 | Siegfried Dipl.-Ing. Dr. 5135 Selfkant De Straemke |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3706689A1 (de) * | 1987-03-02 | 1988-09-15 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer fernmeldeanlagen, insbesondere fernsprechvermittlungsanlagen, mit zentralen schalteinrichtungen, dezentralen schaltgliedern und mit diese steckbar mit jenen verbindenden mehradrigen leitungen |
-
1993
- 1993-03-03 DE DE19934306611 patent/DE4306611B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2115590A1 (en) * | 1971-03-31 | 1972-10-05 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim |
US4422896A (en) * | 1982-01-26 | 1983-12-27 | Materials Research Corporation | Magnetically enhanced plasma process and apparatus |
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
DE3706698A1 (de) * | 1986-06-23 | 1988-01-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz |
DD289294A5 (de) * | 1989-12-01 | 1991-04-25 | Forschungszentrum Mikroelektronik Dresden,De | Vorrichtung zum hf-plasmasputteraetzen von substraten im vakuum |
DE4005956C1 (de) * | 1990-02-26 | 1991-06-06 | Siegfried Dipl.-Ing. Dr. 5135 Selfkant De Straemke |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
HORWITZ, Chris M.: Rf sputtering-voltage division between two electrodes. In: J. Vac. Sci. Technol. Bd. A1, 1, 1983, S.60-68 * |
KINOSHITA, Haruhisa * |
MATSUMOTO, Osamu: A new su- permagnetron plasma etcher remarkably suited for high performance etching. In: J. Vac. Sci. Technol., Bd. B9, 2, 1991, S.325-333 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006057181A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Jds Uniphase Corp | スパッタ・コーティング用アノード |
EP1628323A3 (de) * | 2004-08-20 | 2009-04-22 | JDS Uniphase Corporation | Anode für Sputterbeschichtung |
US7879209B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-02-01 | Jds Uniphase Corporation | Cathode for sputter coating |
US8500973B2 (en) | 2004-08-20 | 2013-08-06 | Jds Uniphase Corporation | Anode for sputter coating |
US20080099039A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Siegfried Krassnitzer | Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed |
US10418230B2 (en) * | 2006-10-27 | 2019-09-17 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed |
WO2009056173A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Oerlikon Trading Ag | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources |
EP2267756A1 (de) | 2007-11-01 | 2010-12-29 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Vakuumplasmaquellen |
RU2479885C2 (ru) * | 2007-11-01 | 2013-04-20 | Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах | Способ изготовления обработанной поверхности и вакуумные источники плазмы |
US9376747B2 (en) | 2007-11-01 | 2016-06-28 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4306611B4 (de) | 2004-04-15 |
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