DE4229657C2 - Ein- oder zweidimensionale Anordnung von Laser-Phasenmodulatoren - Google Patents
Ein- oder zweidimensionale Anordnung von Laser-PhasenmodulatorenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine ein- oder zweidimensionale Anordnung von
Laser-Phasenmodulatoren.
Ein- oder zweidimensionale Anordnungen von Lasern sind nach dem Stande der
Technik bekannt. Diese sind beispielsweise in
der DE 42 11 899 A1 beschrieben, die auf einer älteren Anmeldung beruht, oder auch
in US 4 953 166 = WO 90/09688 (Mooradian, MIT, 23. 8. 90). In letzterer Schrift
wird auf Seite 14, Mitte, darauf hingewiesen, daß solche Laser phasengekoppelt
werden können, insbesondere auch durch eine geeignete Ansteuerung der
Phasen durch eine gezielte Phasenverschiebung benachbarter Laser eine insgesamte
Ablenkung der Laserstrahlung ("beam-steering") erzielt werden kann.
Aus der US 5 115 445 ist ein Phasenmodulator bekannt, der mit einem Leiterbahnen
tragenden Siliziumwafer gebondet ist und so eine Verbindung von
elektronentragenden Wafern und dem eigentlichen Phasenmodulatorarray bildet. Ein
direktes Aufbringen von Elektroden auf das zur Phasenmodulation dienende
Material ist hier jedoch nicht erkannt worden.
Aus der WO 92/12557 ist ein Laserstrahl-Generator zur Generierung einer Mehrzahl
von angeregten optischen Strahlen bekannt. Auch diese Konfiguration geht über den
vorgenannten Stand der Technik nicht hinaus.
Aus der Druckschrift "CORDOVA-PLAZA, A. et al.: Miniature CW and Active
Internally Q-Switched Nd : MgO : LiNbO₃Lasers,
IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-23, No. 2, 1987, S. 262-266"
ist es bekannt, daß das Substrat
des Phasenmodulators mit Ionen der seltenen Erden dotiert und als Lasermaterial
ausgebildet ist.
Aus "Oka et al.: Laser-Diode-Pumped Phase-Locked Nd:YAG Laser Arrays,
IEEE J. of QE, Vol. 28, No. 4, April 1992, S. 1142-1147" ist eine ähnliche
Konfiguration bekannt, bei der die Laser zudem phasengekoppelt sind (s. Fig. 3).
Die Phasenkopplung wird in diesem Beispiel durch die räumliche Nähe der
Lasermoden erzielt; in der Fig. 3 sind die beiden Laserspiegel extern dargestellt,
diese können jedoch auch monolithisch aufgebracht werden. Eine andere Form von
arrayförmig angeordneten phasengekoppelten Lasern ist zählt bei der Anmelderin
zum inneren Stand der Technik.
Auch phasengekoppelte Halbleiterlaser sind Stand der Technik. Ein Beispiel eines
eindimensionalen Arrays von Halbleiter-Laserdioden, bei welchen die
Phasenkopplung durch sogenannte Y-Verzweigungen erzwungen wird ist von Scifres
et al. in Applied Physics Letters 34, 259 (1979) beschrieben.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen ein- oder
zweidimensionalen Phasenmodulator aufzuzeigen, welcher
eine gezielte,
unabhängige Einstellung der Phasen aller einzelnen Laserausgangsstrahlen
zueinander ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die in Anspruch 1 beschriebenen Maßnahmen gelöst. In
den Unteransprüchen sind Ausgestaltungen und Weiterbildungen angegeben und in
der Beschreibung ist ein Ausführungsbeispiel erläutert und in den Figuren der
Zeichnung verdeutlicht.
Der allgemeine Erfindungsgedanke bezieht sich auf eine Anordnung von Laser-Phasenmodulatoren,
mit welchen es möglich ist, die Phasen von linearen oder
flächigen Anordnungen von Lasern mit fester Phasenbeziehung, insbesondere von
diodengepumpten Festkörperlasern oder auch von Laserdioden,
zu regeln. Dies kann für Anwendungen in der parallelen optischen
Kommunikation ebenso gefordert sein, wie auch diese Anordnung ermöglicht, durch
Phasenverschiebung benachbarter Laser eine räumliche Ablenkung des gesamten
Laserstrahles zu erzielen.
Es zeigt
Fig. 1 eine Skizze der erfindungsgemäßen Phasenmodulatoren,
Fig. 2 eine zweidimensionale Anordnung von diodengepumpten Festkörperlasern
nach dem Stande der Technik,
Fig. 3 eine weitere zweidimensionale Anordnung von diodengepumpten
Festkörperlasern mit fester Phasenbeziehung nach dem Stande der
Technik.
Fig. 2 verdeutlicht beispielhaft eine zweidimensionale Anordnung von diodengepumpten Festkörperlasern, wie sie bisher zum Stand der Technik zählen
(Entnommen aus WO 90/09688 bzw. US 4 953 166). In dieser Skizze bezeichnen
810 eine zweidimensionale Anordnung von Halbleiter-Laserdioden zum Pumpen von
Festkörperlasern, 814 den jeweiligen Pumplichtstrahl, 812 eine zweidimensionale
Anordnung von Festkörperlasern, welche in diesem Beispiel dadurch gebildet
werden, daß eine Scheibe aus Festkörper-Lasermaterial monolithisch verspiegelt ist.
Durch die thermisch induzierte Linse bei Absorption der Pumplichtstrahlung bildet
sich nun in jedem Bereich der Kristallscheibe, welche mit einer jeweiligen Laserdiode
bestrahlt wird, ein stabiler Resonator aus, so daß jeder Laserdiode des
Arrays entsprechend ein Festkörperlaser ausgebildet wird, welcher einen Laserstrahl
emittiert.
Die erfindungsgemäße Anordnung von ein- oder zweidimensionalen Phasenmodulatoren
wird in Fig. 1 veranschaulicht; die exakte räumliche Anordnung wird
entsprechend der räumlichen Anordnung der Laserquellen vorgenommen, die hier
dargestellte Anordnung der einzelnen Phasenmodulatoren ist beispielhaft gezeigt.
Prinzipiell kann dieses Phasenmodulatoren-Array ein- oder zweidimensional
ausgeführt mit jeder Art von freilaufenden oder phasengekoppelten Lasern
kombiniert werden, wie zum Beispiel mit Halbleiter-Laserdiodenarrays oder
diodengepumpten Festkörperlaser-Arrays.
Als Substrat 50 dient eine Scheibe aus elektrooptischem Material, zum Beispiel das
vielfach als Phasenmodulator verwendete LiNbO₃ oder LiIO₃. Es können jedoch
auch andere Materialien verwendet werden, welche entsprechende elektrooptische
Eigenschaften haben, vorzugsweise Ferroelektrika aus der Kristallgruppe der
trigonalen oder der tetragonalen Kristalle. Auf dieser Scheibe sind nun beidseitig
Elektroden 51, 52, 53 . . . aufgebracht, welche in ihrer räumlichen Anordnung so
ausgestaltet sind, daß jeder Laserstrahl des Laserarrays auf einen Teilbereich der
Scheibe 50 trifft, an dem eine solche Elektrode angebracht ist. Die Elektroden selbst
können auf die Scheibe aufgedampft oder mit der Scheibe anderweitig kontaktiert
sein und die Form von Ringelektroden haben oder einfach flächig sein, vorzugsweise
rund und aus lichtdurchlässigem Material bestehend, bspw. aus ITO. Die Elektroden
sind nun getrennt über Leiterbahnen 511, 521, 531 . . . kontaktiert und ansteuerbar so,
daß bei der Ansteuerung eines Elektrodenpaares kein signifikanter Einfluß auf die
anderen Elektroden genommen wird. Die Leiterbahnen sind vorzugsweise so
ausgeführt, daß sie (z. B. 541) auf der Oberseite nicht über den Leiterbahnen (z. B.
5411) der Unterseite zu liegen kommen und die Kapazität der Anordnung so
minimiert wird. Durch Anlegen von Spannung an die Leiterbahn zweier
gegenüberliegender Elektroden können auf diese Ladungen aufgebracht werden, so
daß in bekannter Weise zwischen den beiden Elektroden ein elektrisches Feld
entsteht, durch dessen Einfluß der Brechungsindex des Ferroelektrikums an dieser
Stelle geändert wird und dadurch das an dieser Stelle durchtretende kohärente Licht
eine Phasenverschiebung erfährt.
Mit Hilfe einer solchen Anordnung von Phasenmodulatoren können Phasen flächig
angeordneter Laser gegeneinander in kontrollierter Weise eingestellt werden; da sich
im Fernfeld die kohärenten Strahlen der einzelnen Resonatoren zu einem einzigen
Strahl überlagern, kann über die gezielte Einstellung der Phasenbeziehungen eine
Ablenkung des Fernfeldstrahles erreicht werden. Dieses Verfahren ist an sich aus
der Mikrowellentechnik bekannt (sog. phased-array Radar-Antennen). In einem
anderen Anwendungsfall kann beispielsweise durch eine nachfolgende Optik die
Überlagerung im Fernfeld vermieden werden, so daß jeder Teilstrahl eine von den
anderen Strahlen unabhängige Information übertragen kann. Im Bereich des
Nahfeldes (kurze Entfernungen z. B. bei der Informationsübertragung zwischen
elektronischen Chips) kann auf diese Optik unter Umständen sogar verzichtet
werden.
Erfindungsgemäß ist die Phasenmodulatorscheibe 50 selbst mit Ionen
der seltenen Erden dotiert (z. B. Nd : MgO : LiNbO₃ oder andere, mit
Seltenerd-Ionen dotierte Ferroelektrika), so daß auf das Festkörper-Lasermaterial
verzichtet werden kann, die Laserresonatoren also direkt zwischen den jeweils
gegenüberliegenden Elektroden ausgebildet werden. Dies ist auch möglich bei
Ausnutzung elektrooptischer Effekte in Halbleitermaterialien, so daß die Laserdioden
selbst zur Phasenmodulation angesteuert werden. Insbesondere sind hier auch
Anordnungen möglich, bei welchen der transversale elektrooptische Effekt
ausgenutzt wird. In Unterscheidung zum Stand der Technik bezieht sich die
vorliegende Erfindung jedoch auf arraymäßige Anordnungen von Lasern, wobei
insbesondere die einzelnen Laser phasengekoppelt sind.
Claims (4)
1. Ein- oder zweidimensionale Anordnung von Laser-Phasenmodulatoren mit
einer Substratplatte (50), die den Laser-Phasenmodulatoren gemeinsam ist und aus
elektrooptischem Material besteht, das mit Ionen der Seltenen Erden dotiert ist
und als Lasermaterial optisch gepumpt wird, wobei auf beiden Seiten der Substratplatte
(50) Elektroden aufgebracht sind, die paarweise mit dem Substrat optische
Modulatoren bilden, und wobei jedes Elektrodenpaar mit getrennten Zuleitungen
(z. B. 541, 5411) versehen ist und so eine unabhängige Ansteuerung der einzelnen
Phasenmodulatoren ermöglicht.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
ringförmig ausgebildet sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
flächenhaft ausgebildet sind und aus optisch transparentem Material bestehen.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Leiterbahnen (541) zu den Elektroden der Oberseite nicht direkt über den
Leiterbahnen (5411) der Unterseite der Substratplatte (50) zu liegen kommen, sondern
- in der Durchsicht gesehen - in einem Abstand voneinander ausgebildet sind.
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990009688A1 (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
US5115445A (en) * | 1988-02-02 | 1992-05-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser array |
DE4200203A1 (de) * | 1991-01-07 | 1992-07-09 | Amoco Corp | Signalresonante resonatorinterne optische frequenzmischung |
WO1992012557A1 (en) * | 1991-01-09 | 1992-07-23 | Sony Corporation | Laser beam generator |
DE4211899A1 (de) * | 1992-04-09 | 1993-10-21 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Mikrosystems und daraus Bildung eines Mikrosystemlasers |
-
1992
- 1992-09-04 DE DE19924229657 patent/DE4229657C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4953166A (en) * | 1988-02-02 | 1990-08-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
US5115445A (en) * | 1988-02-02 | 1992-05-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser array |
WO1990009688A1 (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
DE4200203A1 (de) * | 1991-01-07 | 1992-07-09 | Amoco Corp | Signalresonante resonatorinterne optische frequenzmischung |
WO1992012557A1 (en) * | 1991-01-09 | 1992-07-23 | Sony Corporation | Laser beam generator |
EP0519078A1 (de) * | 1991-01-09 | 1992-12-23 | Sony Corporation | Vorrichtung zum erzeugen von laserstrahlen |
DE4211899A1 (de) * | 1992-04-09 | 1993-10-21 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Mikrosystems und daraus Bildung eines Mikrosystemlasers |
Non-Patent Citations (10)
Title |
---|
ALPING, A., COLDREN, L.A.: Electrorefraction in GaAs and InGaAsP abd its application to phrase modulators. In US-Z.:J.Appl.Phys., Vol. 67, No. 7, 1987, S. 2430-2433. * |
CORDOVA-PLAZA, A. et al.: Miniature CW and Active Internally Q-Switched Nd:MgO:LiNbO¶3¶ Lasers. In US-Z.: IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-23, No. 2, 1987, S. 262-266 * |
GB-Buch: BEESLEY, M.J.: Lasers and their Applica- tions, London 1971,Ch. 5.3.5. - ISBN O 850660459 * |
HEATON, J.M. et al.: A Phased Array Optical Scanning (PHAROS) Device Used as a 1-to-9 Way Switch. In US-Z.: IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 28, No. 3, 1992, S. 678-685 * |
HORNBECK,L.J.: 128 x 128 Deformable Mirror Device.In US-Z.: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-30, No. 5, 1983, S. 539-545 * |
OKA, M. et al.: Laser-Diode-Pumped Phase-Locked Nd:YAG Laser Arrays. In US-Z.: IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 28, No. 4, 1992, S. 1142-1147. * |
REINHART, F.K., MILLER, B.I.: Efficient GaAs-AL¶x¶Ga¶1¶¶-¶¶x¶ As Double-Heterostructure Light * |
SCIFRES, D.R. et al.: High-power coupled-multiple-stripe phase-locked injection laser. In US-Z.: Appl.Phys.Lett., Vol. 34, No. 4, 1979, S. 259-261. * |
STEINMETZ, L.L. et al.: Cylindrical, Ring-Elec- trode KD*P Electrooptic Modulator. In US-Z.: Applied Optics, Vol. 12, No. 7, 1973, S.1468-1471 * |
WODNICKI, R.: Pockels cells. In DE-Z.: Laser Maga-zin, No. 1, 1991, S. 24-27 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4229657A1 (de) | 1994-03-10 |
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Owner name: DAIMLER-BENZ AEROSPACE AKTIENGESELLSCHAFT, 80804 M |
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8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01S 3/101 |
|
D2 | Grant after examination | ||
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