DE4203371C1 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Materialverdampfung in einem Vakuumbehälter durch Beschuß des zu verdampfenden Materials mit Elektronen aus einer Vakuum-Bogen-Verdampfung unter Zufuhr eines Gases oder Gasgemisches in den Vakuumbehälter, insbesondere zur Oberflächenbe­ schichtung von Substraten mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Merkmalen. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit den im Oberbegriff des Anspruchs 4 genannten Merkmalen.

Die Lebensdauer von Maschinenteilen und die Einsatzzeit von Werkzeugen wird durch den bei ihrem Einsatz auftretenden Ver­ schleiß begrenzt. Wegen der ständig zunehmenden Automatisierung und Verkettung von Produktionsprozessen ist ein durch Verschleiß einzelner Teile ausgelöster Maschinenstillstand ein erheblicher Kostenfaktor, so daß einem Verschleißschutz eine zunehmende wirtschaftliche Bedeutung zukommt.

Zur erheblichen Reduzierung des Verschleisses von Maschinen­ teilen und Werkzeugen haben sich seit Jahren Beschichtungen mit dünnen Hartstoffschichten bewährt, wobei die in der Praxis eingesetzten Hartstoffe, wie beispielsweise Nitride und Carbide sehr harte, gut leitende und extrem verschleißbeständige Werk­ stoffe ergeben. Da ihrem Einsatz als Vollmaterial neben dem hohen Preis ihre Sprödigkeit und Bruchanfälligkeit entgegen­ steht, werden derartige Hartstoffe als dünne Schichten auf Bau­ teile aus Stahl und anderen Werkstoffen aufgebracht. Durch diese Beschichtung verlieren die Hartstoffe ihre Sprödigkeit und passen sich weitgehend der Zähigkeit des Grundwerkstoffes an. Unter Aufrechterhaltung der Zähigkeit des Bauteils ergeben sich somit durch die Beschichtung mit Hartstoffen extrem harte Oberflächen. Durch Verwendung von Schichtdicken von weniger als 100 Mikrometer bleibt die Maßhaltigkeit der beschichteten Teile erhalten, so daß Nacharbeit nur in Ausnahmefällen erforderlich ist. Außerdem haben derartige Hartstoffschichten geringe Reib­ beiwerte und gute Gleiteigenschaften.

Um derartige dünne Hartstoffschichten zu erzeugen, bedarf es der Aufdampfung der Schichten in einem Vakuumverfahren, wobei die eigentlichen Hartstoffe erst während der Beschichtung aus Metallanteilen und Gasen, wie beispielsweise Stickstoff ent­ stehen. Neben der chemischen Abscheidung aus der Dampfphase, die zum Zustandekommen der chemischen Reaktionen hohe Bauteiltempe­ raturen im Bereich zwischen 800° und 1100° C benötigt, wird die physikalische Abscheidung aus der Dampfphase angewandt, bei der Metalldampf direkt erzeugt wird und auf dem Bauteil mit dem Gas zum Hartstoff reagiert. Dieses sogenannte PVD-Verfahren (Physical Vapour Deposition) findet bei Temperaturen zwischen 200° und 650° C statt und ermöglicht demzufolge Beschichtungen auf bereits vergüteten Stählen ohne Härteverlust und Verzug und im Gegensatz zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase ohne Umweltbelastung. Außerdem ist das PVD-Verfahren geeignet, Metallschichten auf verschiedensten Substraten für die unter­ schiedlichsten funktionellen Anforderungen abzuscheiden. Bei­ spielsweise können dekorative oder elektrisch und magnetisch aktive Metallschichten auf Bauteilen aus Glas, Keramik und Kunststoff abgeschieden werden. Derartige Schichten können auch als korrosionsmindernde Schichten auf metallischen Bauteilen dienen.

Das bekannte Verfahren der eingangs genannten Art benutzt zur physikalischen Materialver­ dampfung einen Vakuumbehälter, in dem das zu verdampfende Material mit Elektronen aus einer Vakuum-Bogen-Verdampfung beschossen wird. Zur Erzeugung der Bogenspannung ist eine Strom­ quelle vorgesehen, deren negativer Pol mit einer selbstver­ zehrenden Kathode und deren positiver Pol mit einer selbstver­ zehrenden Anode verbunden ist, wobei die selbstverzehrende Ka­ thode mit einer Abschirmung versehen ist. Durch den Vakuum-Bogen werden Elektronen erzeugt, wobei sich die Kathode zwangsläufig verzehrt. Damit dieses Kathodenmaterial nicht auf die Substrate gelangt, ist die Kathode abgeschirmt. Die erzeugten Elektronen rufen durch ihr Auftreffen auf die Anode eine Verdampfung des Anodenmaterials hervor, so daß sich auch die Anode verzehrt. Dieses verdampfte Anodenmaterial lagert sich als Beschichtung auf den Substraten ab.

Ein Verfahren der voranstehend beschriebenen Art mit einer anodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung ist aus der DE 34 13 891 C2 bekannt. Bei diesem Verfahren wird zwischen einer mehr oder weniger abgedeckten, kalten selbstverzehrenden Kathode und einer heißen selbstverzehrenden Anode eine Vakuum-Bogen-Entladung auf­ rechterhalten, wobei aus der heißen selbstverzehrenden Anode der zur Beschichtung genutzte Metalldampf austritt. Die zur Anode fliegenden Elektronen des Vakuum-Bogen-Plasmas ionisieren dabei das von der Anode abdampfende Material durch inelastische Stöße.

Dieses bekannte Verfahren hat den Nachteil, daß eine bestimmte räumliche Zuordnung von Kathode und Anode gegeben sein muß und daß der Beschichtungsprozeß nur begrenzt regelbar ist, weil dieser sowohl die Erzeugung von Elektronen in der Vakuum-Bogen-Verdampfung als auch die Verwendung dieser Elektronen zur Verdampfung des Beschichtungsmaterials umfaßt. Eine unabhängige Beeinflussung der Elektronenerzeugung einer­ seits und des Beschusses des Beschichtungsmaterials durch die erzeugten Elektronen andererseits ist nicht möglich.

Um hier eine gewisse Abhilfe zu schaffen, ist in der DE 40 42 337 C1 ein Verfahren beschrieben, bei dem der Ionisationsgrad dadurch gesteuert wird, daß der geradlinige Stromfluß zwischen der Arbeitsfläche der Kathode und dem Verdampfungsgut an der Anode mittels einer beweglichen Abschirmung behindert wird, wobei der Grad dieser Behinderung den Ionisationsgrad des Dampfes steuert. Eine solche Behinderung hat nur eine begrenzte Wirkung und schafft keine unabhängige Beeinflussung von Elektronenerzeugung und Verdampfung des Beschichtungsmaterials.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren der eingangs beschriebenen Art derart weiterzu­ bilden, daß eine stufenlose Regelung einerseits der Elektronenerzeugung und andererseits der Verdampfung und schließlich des Ionisierungsgrades bei weitgehend unabhängiger räumlicher Anordnung der selbstverzehrenden Kathode und der selbstverzehrenden Anode möglich ist.

Die Lösung dieser Aufgabenstellung durch die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß durch eine zweite, steuerbare Stromquelle zwischen der Anode der kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung und einer zweiten selbstverzehrenden Anode die durch die kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung erzeugten Elektronen gezielt der selbstverzehrenden Anode zugeführt werden.

Durch die erfindungsgemäße Weiterbildung des bekannten Verfahrens wird es möglich, die Elektronenerzeugung aufgrund der Vakuum-Bogen-Verdampfung durch Veränderung des Bogenstroms aus der ersten Stromquelle stufenlos zu regeln und unabhängig davon den Elektronenfluß zur heißen, selbstverzehrenden Anode durch Spannungsänderung der zweiten Stromquelle stufenlos zu regeln, wobei gleichzeitig der Ionisierungsgrad durch Wahl der Art des Gases oder Gasgemisches und des Gasdruckes steuerbar ist. Die insbesondere zur Oberflächenbeschichtung von Substraten ver­ wendete Materialverdampfung im Vakuumbehälter läßt sich somit hinsichtlich ihrer Parameter unabhängig voneinander gezielt dem jeweiligen Anwendungsfall anpassen, ohne daß eine bestimmte räumliche Zuordnung der Kathode, der Anoden und der Substrate erforderlich ist.

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung kann beim erfindungs­ gemäßen Verfahren zur Konditionierung der Substrate die Leistung der zweiten Stromquelle derart eingestellt werden, daß unter Vermeidung einer Verdampfung des Materials der selbstver­ zehrenden Anode die Gasatome des Gases oder Gasgemisches ionisiert werden. Hierdurch ist es möglich, vor der eigentlichen Beschichtung der Substrate diese durch Beschuß mit Ionen zu rei­ nigen und zu erwärmen.

Bei einer erfindungsgemäßen Weiterbildung können die durch mindestens eine kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung erzeugten Elektronen zur gleichzeitigen oder aufeinanderfolgenden Ver­ dampfung mehrerer selbstverzehrender Anoden genutzt werden, so daß die Abscheidung von mehrlagigen Schichten oder von mehr­ komponentigen Schichten möglich ist, wenn selbstverzehrende Anoden aus unterschiedlichen Materialien eingesetzt werden.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des voran­ stehend beschriebenen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu der die kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung be­ wirkenden Stromquelle eine zweite regelbare Stromquelle zwischen der nicht selbstverzehrenden Anode der kathodischen Va­ kuum-Bogen-Verdampfung und einer selbstverzehrenden zweiten Anode zur Regelung des Elektronenflusses für die Verdampfung der zweiten Anode vorgesehen ist. Die beiden unabhängig voneinander wirksamen Stromquellen gestatten eine stufenlose Regelung einerseits der Elektronenerzeugung und andererseits der Verdampfung, wobei zu­ sätzlich der Vorteil entsteht, daß eine fast beliebige Anordnung der beteiligten Elemente innerhalb des Vakuumbehälters möglich ist.

Um auf besonders einfache Weise vor dem eigentlichen Be­ schichtungsvorgang eine Konditionierung der bereits im Vakuumbehälter befindlichen Substrate, insbesondere eine Reinigung ihrer Oberfläche und eine Erwärmung zu erzielen, kann gemäß einem weiteren Merkmal der erfindungsgemäßen Vorrichtung eine zusätzliche, sich nicht verzehrende Anode als Alternative zu der sich verzehrenden Anode im Vakuumbehälter angeordnet sein. Wenn anstelle der sich selbstverzehrenden Anode diese kalte Anode mit der zweiten Stromquelle verbunden wird, läßt sich der Ionisierungsgrad und der Zustand des Plasmas derart einstellen, daß die auf die Substrate auftreffenden Elektronen ohne Verdampfung der selbstverzehrenden Anode eine Konditionierung der Substrate bewirken. Zur Durchführung des eigentlichen Beschichtungsvorganges wird anschließend anstelle der kalten Anode die selbstverzehrende Anode mit der zweiten Stromquelle verbunden.

Um den auf die selbstverzehrende Anode einwirkenden Elektronen­ fluß aus der von der ersten Stromquelle bewirkten kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung beeinflussen zu können, kann gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung die Abschirmung der Kathode zur Freigabe der aktiven Fläche der Kathode beweglich angeordnet sein.

Die Variationsmöglichkeiten des Beschichtungsvorganges können erfindungsgemäß dadurch erweitert werden, daß außer mindestens einer selbstverzehrenden Anode mit eigener, einzeln regelbarer Stromquelle mehrere Kathoden mit zugehöriger Abschirmung zur Erhöhung und Vergleichmäßigung der Verdampfungsleistung angeordnet sind.

Um die Beschleunigung des Ionenflusses auf die Substrate regeln zu können, kann erfindungsgemäß ein Substrathalter verwendet werden, der durch eine dritte regelbare Stromquelle auf einem negativen Potential gehalten wird.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Vakuumbehälter als nicht selbstverzehrende Anode der kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung ausgebildet. Hierdurch er­ gibt sich eine besonders einfache Konstruktion.

Der Totaldruck des Gases oder des Gasgemisches im Vakuumbehälter liegt erfindungsgemäß im Bereich von 1 · 10^-4 bis 2 · 10^-2 mbar. Die Anodenspannungen liegen zwischen 10 und 50 V, die Anodenströme zwischen 20 und 300 A. Die Substratstromdichten liegen zwischen 0,2 und 2 mA cm^-2.

In der Zeichnung sind drei Ausführungsbeispiele der erfindungs­ gemäßen Vorrichtung schematisch dargestellt, und zwar zeigen:

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vor­ richtung mit einer selbstverzehrenden Anode und einer kalten Anode, die alternativ mit der zweiten Strom­ quelle verbunden werden können,

Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel mit zwei alternativ be­ treibbaren selbstverzehrenden Anoden und

Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel mit zwei entweder gleich­ zeitig oder nacheinander betreibbaren selbstver­ zehrenden Anoden, denen jeweils eine eigene kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung zugeordnet ist.

Das in Fig. 1 schematisch dargestellte erste Ausführungsbeispiel zeigt einen Vakuumbehälter 1, der mit einer verschließbaren Be­ schickungsöffnung 2 und einer Anschlußleitung 3 versehen ist, durch welche dem Vakuumbehälter 1 ein Gas oder Gasgemisch, wie beispielsweise Argon, Stickstoff oder ein kohlenwasserstoff­ haltiges Gasgemisch zugeführt werden kann.

In der einen Ecke des Vakuumbehälters 1 befindet sich eine selbstverzehrende Kathode 4, die gegenüber dem Inneren des Vaku­ umbehälters 1 durch ein als Anode ausgebildetes Abschirmblech 5 abgeschirmt ist. Durch eine mit ihrem Minuspol an die Kathode 4 und mit ihrem Pulspol an den Vakuumbehälter 1 und damit das Ab­ schirmblech 5 angeschlossene erste Stromquelle 6 wird zwischen der Kathode 4 und dem als Anode wirkenden Abschirmblech 5 eine kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung erzielt, die der Erzeugung von Elektronen dient. Der Elektronenfluß zwischen dem als Anode wirkenden Abschirmblech 5 und der selbstverzehrenden Kathode 4 ist in Fig. 1 durch Punkte eingezeichnet. Die Zeichnung läßt weiterhin erkennen, daß ein bestimmter Elektronenfluß seitlich neben dem Abschirmblech 5 austritt. Dieser Elektronenfluß ist durch gepunktete Linien dargestellt und mit der Bezugsziffer 7 gekennzeichnet.

Von der selbstverzehrenden Kathode 4 durch das Abschirmblech 5 abgedeckt ist in dem Vakuumbehälter 1 ein Substrathalter 8 ange­ ordnet, auf dem die zu beschichtenden Gegenstände (Substrate) angeordnet werden. Um die Oberfläche dieser Substrate zu be­ schichten, ist in dem Vakuumbehälter 1 eine selbstverzehrende Anode 9 angeordnet, die beim Ausführungsbeispiel die Form eines Verdampfertiegels hat und das Beschichtungsmaterial enthält. Diese selbstverzehrende Anode 9 ist über einen Schalter 10 mit dem Pluspol einer zweiten Stromquelle 11 verbindbar, deren Minuspol mit dem Vakuumbehälter 1 verbunden ist. Auf diese Weise ist es möglich, durch Einstellen einer bestimmten Spannung an der selbstverzehrenden Anode 9 im Verhältnis zu der Spannung zwischen der Kathode 4 und dem als Anode dienenden Abschirmblech 5 einen jeweils gewünschten Teil des Elektronenflusses 7 auf das im Verdampfertiegel der selbstverzehrenden Anode 9 befindliche Material zu lenken. Die auf das Material auftreffenden Elektronen führen zu einer Verdampfung dieses Beschichtungs­ materials, so daß sich dieses auf der Oberfläche der am Sub­ strathalter 8 angeordneten Substrate ablagert. Um die Ablagerung des verdampften Beschichtungsmaterials auf den Substraten zu steuern, wird beim Ausführungsbeispiel am Substrathalter 8 ein negatives Potential erzeugt. Hierzu dient eine dritte Strom­ quelle 12, deren Minuspol mit dem Substrathalter 8 und deren Pluspol mit dem Vakuumbehälter 1 verbunden ist.

In Fig. 1 ist schraffiert der Transportraum 13 angedeutet, der bevorzugt mit dem verdampften Material der selbstverzehrenden Anode 9 gefüllt ist. Der Ionisationsgrad in diesem Transportraum 13 läßt sich durch die Anwesenheit eines Inertgases beliebig regeln, wobei das Inertgas durch inelastische Stöße mit den be­ schleunigten Elektronen aus der kathodischen Vakuum-Bogen-Ver­ dampfung hochgradig ionisiert werden kann.

Durch die plasmagestützte Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus der Dampfphase werden hochenergetische Teilchen bereitge­ stellt, die an der Schichtbildung teilhaben und bei niedriger Beschichtungstemperatur eine große Haftfestigkeit der Oberflächenbeschichtung und sehr gute Schichtmorphologien er­ geben. Durch das Vorhandensein eines ionisierten Reaktivgases kann darüber hinaus eine hohe chemische Reaktivität geschaffen werden, so daß auch reaktive Schichtbildungen bei niedrigen Tem­ peraturen möglich sind. Schließlich besteht die Möglichkeit, mittels der erzeugten Plasmen diamantähnliche Schichten oder gar Diamantschichten aufzubringen.

Da neben der ersten Stromquelle 6 zur Erzeugung der kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung zwischen Kathode 4 und Abschirmblech 5 eine zweite, unabhängig von der ersten regelbare Stromquelle 11 vorhanden ist, läßt sich die Elektronenstrahl-Verdampfung der heißen selbstverzehrenden Anode 9 in Anwesenheit eines Inertgases beliebig steuern. Die Regelparameter einerseits der Elektronenerzeugung und andererseits der Verdampfung des Be­ schichtungsmaterials erfahren hierdurch eine erhebliche Erweiterung.

Neben der einfachen Steuerung der Verdampfungsrate und des Ionisationsgrades ergibt die Verwendung der zweiten Stromquelle 11 den Vorteil, daß die Einbaulage und die Form der heißen selbstverzehrenden Anode 9 die Entladung nur unwesentlich be­ einflussen, so daß in jedem Fall die Leistung an der heißen selbstverzehrenden Anode 9 kontinuierlich von Null bis auf einen Maximalwert regelbar ist.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 1 ragt in den Transportraum 13 eine kalte Anode 14 hinein, die mittels des Schalters 10 an­ stelle der heißen selbstverzehrenden Anode 9 mit dem Pluspol der zweiten Stromquelle 11 verbunden werden kann. Mit Hilfe dieser kalten Anode 14 kann eine negative Substratvorspannung bzw. das Entstehen eines negativen Potentials an den Substraten erzeugt werden, so daß das in dem Vakuumbehälter 1 entstehende Plasma vor dem eigentlichen Beschichtungsvorgang zum Aufheizen oder Ionenreinigen der Substrate eingesetzt werden kann. Weiterhin ist es möglich, durch das Ausbilden eines negativen Potentials an den Substraten ein Ionenbombardement während der Schichtbildung auszuführen.

Die Betriebsgrößen der drei Stromquellen 6, 11 und 12 sind in Fig. 1 eingezeichnet. Sie lassen erkennen, daß die erste Strom­ quelle 6 mit einer Spannung zwischen 0 und 70 V und einem Strom zwischen 0 und 400 A betrieben werden kann. Der Spannungsbereich der zweiten Stromquelle 11 liegt zwischen 0 und 100 V und der Strombereich zwischen 0 und 400 A. Die dritte Stromquelle 12 kann zwischen 0 und 1500 V und zwischen 0 und 30 A betrieben werden. Die in dem Vakuumbehälter 1 herrschenden Totaldrücke des Gases oder Gasgemisches liegen im Bereich von 1 · 10^-4 bis 2 · 10² mbar. Die entstehenden Substratstromdichten liegen zwischen 0,1 bis 2 mA cm^-2. Um Metall-Kohlenstoff-Schichten abzu­ scheiden, kann auch ein kohlenwasserstoffhaltiges Gas oder Gas­ gemisch in den Vakuumbehälter 1 eingelassen werden. Schließlich ist es möglich, als Gas bzw. Gasgemisch ein Reaktivgas in den Vakuumbehälter 1 einzuführen, um Hartstoffschichten auf den Sub­ straten abzuscheiden.

Das zweite Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 zeigt wiederum einen Vakuumbehälter 1 mit einem in diesem Fall drehbaren Substrat­ halter 8. Auch bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel wird mittels einer dritten Stromquelle 12 ein negatives Potential an den Substraten erzeugt und durch die Anschlußleitung 3 ein Gas oder Gasgemisch in den Vakuumbehälter 1 eingeführt.

Die kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung wird ebenfalls zwischen einer selbstverzehrenden Kathode 4 und einer kalten Anode er­ zeugt, die als Abschirmblech 5 ausgebildet ist. Dieses Abschirm­ blech 5 ist bei dem zweiten Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 beweglich angeordnet, so daß die aktive Fläche der Kathode 4 variiert werden kann. Neben der ersten Stromquelle 6 ist wiederum eine zweite Stromquelle 11 vorgesehen, deren Minuspol mit dem Vakuumbehälter 1 verbunden ist. Der Pluspol der zweiten Stromquelle 11 kann über einen Schalter 15 wahlweise mit einer von zwei heißen selbstverzehrenden Anoden 9 verbunden werden. Hierdurch ist es möglich, die beiden heißen selbstverzehrenden Anoden 9 wechselseitig zu betreiben, um Mehrlagenschichten herzustellen. Neben dem wechselseitigen Betreiben der heißen selbstverzehrenden Anoden 9 kann auch das Abschirmblech 5 zwischen der kalten selbstverzehrenden Kathode 4 und den Sub­ straten entfernt werden, so daß das Material der kalten selbst­ verzehrenden Kathode 4 an der Schichtbildung teilhaben kann oder das Plasma zur Substratkonditionierung (Erwärmen und Ionenrei­ nigung der Substrate) genutzt werden kann.

Die Fig. 3 zeigt schließlich den schematischen Aufbau eines Aus­ führungsbeispiels mit zwei Einrichtungen zur kathodischen Vaku­ um-Bogen-Verdampfung. Beim Ausführungsbeispiel sind in den Vaku­ umbehälter 1 einander gegenüberliegend zwei selbstverzehrende Kathoden 4 und als nicht selbstverzehrende Anoden dienende Ab­ schirmbleche 5 angeordnet, die jeweils mit Hilfe einer eigenen ersten Stromquelle 6 zur Erzeugung einer kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung eingesetzt werden. Weiterhin sind zwei selbstverzehrende Anoden 9 vorgesehen, die jeweils mit dem Plus­ pol einer eigenen Stromquelle 11 verbunden sind.

Hierdurch ist es möglich, entweder Mehrlagenschichten oder mehr­ komponentige Schichten abzuscheiden, wobei der Anteil des je­ weils eine selbstverzehrende Anode 9 bildenden Materials be­ liebig zwischen einem und 99% eingestellt werden kann. Durch Verwenden eines Reaktivgases, beispielsweise Stickstoff, können Hartstoffschichten, beispielsweise TiN abgeschieden werden. Auch das Abscheiden von harten Kohlenwasserstoffschichten, die keinen oder einen bestimmten Metallanteil aufweisen, ist dadurch möglich, daß ein kohlenwasserstoffhaltiges Gas in den Vakuum­ behälter 1 zugegeben wird.

Bei allen Ausführungsbeispielen können durch die Leistung der zweiten Stromquelle 11 die Verdampfungsrate und der Ionisa­ tionsgrad des auf das Substrat auftreffenden Teilchenstroms ge­ regelt werden. Hierbei ist es möglich, die Leistung der zweiten Stromquellen 11 derart niedrig zu wählen, daß im wesentlichen die Gasatome des Gases oder Gasgemisches ionisiert werden, ohne daß es zu einer Verdampfung des Anodenmaterials kommt. Hierdurch ist insbesondere eine Erwärmung und Reinigung der Substrate möglich. Durch das Anlegen einer negativen Vorspannung an den Substraten mittels der dritten Stromquelle 12 kann die Auftreff­ geschwindigkeit der Gasionen auf die Substrate erhöht werden, um die Ionenreinigung und Erwärmung der Substrate zu verbessern.

Bezugszeichenliste

 1 Vakuumbehälter
 2 Beschickungsöffnung
 3 Anschlußleitung
 4 Kathode
 5 Abschirmblech
 6 erste Stromquelle
 7 Elektronenfluß
 8 Substrathalter
 9 Anode
10 Schalter
11 zweite Stromquelle
12 dritte Stromquelle
13 Transportraum
14 Anode
15 Schalter

Claims (10)

1. Verfahren zur Materialverdampfung in einem Vakuumbehälter durch Beschuß des zu verdampfenden Materials mit Elektronen aus einer Vakuum-Bogen-Verdampfung unter Zufuhr eines Gases oder Gasgemisches in den Vakuumbehälter, insbesondere zur Oberflächenbeschichtung von Substraten, mit einer Abschirmung der selbstverzehrenden Kathode der Vakuum-Bogen-Verdampfung und einer Stromquelle zur Erzeugung der Bogenspannung zwi­ schen der selbstverzehrenden Kathode und einer Anode, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine zweite, steuerbare Stromquelle zwischen der Anode der kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung und einer zweiten selbstverzehrenden Anode die durch die kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung erzeugten Elektronen gezielt der selbstverzehrenden Anode zugeführt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Konditionierung der Substrate die Leistung der zweiten Strom­ quelle derart eingestellt wird, daß unter Vermeidung einer Verdampfung des Materials der selbstverzehrenden Anode die Gasatome des Gases oder Gasgemisches ionisiert werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch mindestens eine kathodische Vakuum-Bogen-Verdampfung erzeugten Elektronen zur gleichzeitigen oder aufeinander­ folgenden Verdampfung mehrerer selbstverzehrender Anoden genutzt werden.

4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3 mit einer mit einer Abschirmung versehenen selbstverzehrenden Kathode und einer Anode, die in einem Vakuumbehälter angeordnet sind, und mit einer Strom­ quelle zur Erzeugung einer eine Vakuum-Bogen-Verdampfung be­ wirkenden Bogenentladung zwischen der selbstverzehrenden Kathode und der Anode, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu der die kathodische Vakuum-Bogen-Verdamp­ fung bewirkenden Stromquelle (6) eine zweite regelbare Strom­ quelle (11) zwischen der nicht selbstverzehrenden Anode der kathodischen Vakuum-Bogen-Verdampfung und einer selbstver­ zehrenden zweiten Anode (9) zur Regelung des Elektronen­ flusses für die Verdampfung der zweiten Anode (9) vorgesehen ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche, sich nicht verzehrende Anode (14) als Alter­ native zu der sich verzehrenden Anode (9) im Vakuumbehälter (1) angeordnet ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung (5) der Kathode (4) zur Freigabe der aktiven Fläche der Kathode (4) beweglich angeordnet ist.

7. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 4 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß außer mindestens einer selbstver­ zehrenden Anode (9) mit eigener, einzeln regelbarer Strom­ quelle (11) mehrere Kathoden (4) mit zugehöriger Abschirmung (5) zur Erhöhung und Vergleichmäßigung der Verdampfungs­ leistung angeordnet sind.

8. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 4 bis 7, ge­ kennzeichnet durch einen Substrathalter (8), der durch eine dritte regelbare Stromquelle (12) auf einem negativen Poten­ tial gehalten wird.

9. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Vakuumbehälter (1) als nicht selbstverzehrende Anode der kathodischen Vakuum-Bogen-Ver­ dampfung ausgebildet ist.

10. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Totaldruck des Gases bzw. Gasgemisches im Vakuumbehälter (1) im Bereich von 1 · 10^-4 bis 2 · 10^-2 mbar beträgt.