DE4203114A1 - Tape carrier for semiconductor appts. - involves tape body transport perforations, window accommodating semiconductor components, inner feeds and test electrodes - Google Patents
Tape carrier for semiconductor appts. - involves tape body transport perforations, window accommodating semiconductor components, inner feeds and test electrodesInfo
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Bandträger sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben in Verbindung mit Halbleitergeräten, insbesondere auf einen an die TAB-Technik (automatisiertes Bandbondieren) angepaßten Bandträger, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung des Bandträgers.The present invention relates to a tape carrier and a method of making the same with semiconductor devices, especially one to the TAB technology (automated tape bonding) adapted Band carrier, as well as on a method for producing the Tape carrier.
Was den einschlägigen Stand der Technik anbetrifft, zeigt Fig. 11 eine perspektivische Ansicht eines herkömmlichen Bandträgers für Halbleitergeräte, während Fig. 12 eine Querschnittsansicht zu Fig. 11 darstellt. In den Figuren besteht der Bandkörper 1 des Bandträgers beispielsweise aus Polyamidharz mit einer Dicke von etwa 75 µm bis 125 µm. Im Bandkörper 1 sind Gerätelöcher 3 in Form von Öffnungen, in denen nicht dargestellte Halbleiterbauelemente (oder -geräte) plaziert werden, sowie Perforationen 2 als Positionierungslöcher für die Weiterbewegung des Bandträgers angebracht. Innere Zuleitungen (und Verdrahtungen) 4 für den Anschluß mit Elektroden des Halbleiterbauelementes erstrecken sich mit einem Ende in jedes der Gerätelöcher 3, während das andere Ende mit Prüfelektroden 5 zum Testen der Halbleiterbauelemente verbunden ist. Die inneren Zuleitungen 4 und die Testelektroden 5 bestehen aus einem Material wie beispielsweise Co und sind mit dem Bandkörper 1 durch einen Kleber 6 verbunden, wobei ihre Oberflächen mit Sn, Ni/Au, oder dergleichen, durch Platieren überzogen sind.As for the related art, FIG. 11 is a perspective view of a conventional tape carrier for semiconductor devices, while FIG. 12 is a cross sectional view of FIG. 11. In the figures, the band body 1 of the band carrier consists, for example, of polyamide resin with a thickness of approximately 75 μm to 125 μm. In the belt body 1 Device holes 3 are in the form of openings in which not shown semiconductor devices (or devices) can be placed, as well as perforations 2 mounted as positioning holes for the further movement of the tape carrier. Inner leads (and wiring) 4 for connection to electrodes of the semiconductor component extend at one end into each of the device holes 3 , while the other end is connected to test electrodes 5 for testing the semiconductor components. The inner leads 4 and the test electrodes 5 are made of a material such as Co and are connected to the tape body 1 by an adhesive 6 , their surfaces being coated with Sn, Ni / Au or the like by plating.
Die herkömmlichen Bandträger sind in der beschriebenen Weise aufgebaut, wobei der in den Fig. 11 und 12 dargestellte Bandträger in den in den Fig. 13 bis 16 dargestellten Schritten hergestellt wird. Als erstes wird auf dem in Fig. 13 dargestellten Bandkörper 1 der Kleber 6 aufgebracht, wie Fig. 14 zeigt. Als nächstes werden gemäß Fig. 15 die Gerätelöcher 3 sowie die Perforationen 2 durch Ausstanzen unter Verwendung nicht dargestellter Stempel oder dergleichen erzeugt. Dann wird gemäß Fig. 16 eine Metallfolie 7 aus Co, oder dergleichen, aufpastiert, woraufhin die Metallfolie 7 der Bearbeitung durch Fotogravieren, Ätzen, etc. zur Bildung der in Fig. 12 dargestellten inneren Zuleitungen 4 und der Prüfelektroden 5 unterzogen. Schließlich wird Sn, Ni/Ao, oder dergleichen, durch Platieren auf die Oberflächen der inneren Zuleitungen 4 aufgebracht, womit die Herstellung des Bandträgers beendet ist.The conventional tape carriers are constructed in the manner described, the tape carrier shown in FIGS . 11 and 12 being produced in the steps shown in FIGS . 13 to 16. First, the adhesive 6 is applied to the tape body 1 shown in FIG. 13, as shown in FIG. 14. Next, Figure 15 will generates the device holes 3 as well as the perforations 2 by punching using, not shown, stamp or the like according to.. Then, according to Fig. 16, a metal foil 7 made of Co, or the like, pasted, after which the metal foil 7, the processing by photoengraving, etching, etc. to form the embodiment illustrated in Fig. 12 inner leads 4 and the test electrodes 5 subjected. Finally, Sn, Ni / Ao, or the like, is applied by plating to the surfaces of the inner leads 4 , thus completing the production of the tape carrier.
Der weiter in Fig. 17 dargestellte Bandträger besitzt grundsätzlich den gleichen Aufbau, wie der in Fig. 12 dargestellte, ausgenommen, daß beim Bandträger der Fig. 17 die inneren Zuleitungen, etc., direkt mit dem Bandkörper 1 ohne Verwendung des Klebers 6 verbunden sind. Ein Verfahren zur Herstellung des in Fig. 17 hergestellten Bandträgers wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 18 bis 23 beschrieben. Zunächst wird auf dem in Fig. 18 dargestellten Bandkörper ein metallischer Dünnfilm 7a aus Co oder dergleichen durch Sputtern etc. aufgebracht, wie Fig. 19 zeigt. Als nächstes werden gemäß Fig. 20 die Gerätelöcher 3 und die Perforationen 2 durch Fotogravur, Ätzen etc. erzeugt. Anschließend wird gemäß Fig. 21 ein Fotolackmuster 8 an allen Stellen angebracht, an denen keine inneren Zuleitungen 4 vorgesehen sind. Anschließend wird gemäß Fig. 23 ein metallischer Dünnfilm 7b aus Cu oder dergleichen durch ein Verfahren wie das elektrolytische Platieren in einer Dicke von 20 µm bis 30 µm aufgebaut. Dann wird gemäß Fig. 23 das Fotolackmuster 8 entfernt und es werden die extradünnen Filmabschnitte 9 fortgeätzt, um den in Fig. 17 dargestellten Bandträger zu erhalten. Schließlich werden die Oberflächen der inneren Zuleitungen 4 durch Platieren mit Sn, Ni/Au, oder dergleichen, überzogen, womit das Verfahren zur Herstellung des Bandträgers beendet ist.The tape carrier further shown in FIG. 17 basically has the same structure as that shown in FIG. 12, except that in the tape carrier of FIG. 17 the inner leads, etc., are connected directly to the tape body 1 without using the adhesive 6 . A method of manufacturing the tape carrier manufactured in Fig. 17 will be described below with reference to Figs. 18 to 23. First, a metallic thin film 7 a made of Co or the like is applied to the band body shown in FIG. 18 by sputtering, etc., as shown in FIG. 19. Next, Figure 3 the device holes and the perforations 2 by photo-engraving, etching are in accordance. 20 generates etc.. Then, according to FIG. 21, a photoresist pattern 8 is applied at all points where no inner feed lines 4 are provided. FIG according subsequently. 23, a metal thin film 7 b of Cu or the like by a method such as electrolytic plating in a thickness of 20 .mu.m to 30 .mu.m constructed. Fig then the resist pattern 8 is in accordance. 23 is removed and will be etched away the extra thin film portions 9 in order to obtain in Fig. Tape carrier 17 shown. Finally, the surfaces of the inner leads 4 are coated with Sn, Ni / Au, or the like, whereby the process for producing the tape carrier is ended.
Bei Bandträgern der oben beschriebenen Art ist mit der Zunahme der Anzahl der Stifte und der Bearbeitungsgeschwindigkeiten bei Halbleiterbauelementen nicht nur der Ruf nach Verkleinerung der Komponentenabmessung der Bandträger lauter geworden, sondern es ist auch die Forderung zur Erhöhung der Anzahl der Schichten der Bandträger gestellt worden, um die Selbstinduktion der Verdrahtung zu verringern. Aufgrund des oben beschriebenen Aufbaus können die herkömmlichen Bandträger jedoch die Forderungen nach Verringerung der Komponentenabmessungen und der Erhöhung der Anzahl der Schichten nicht erfüllen, und zwar aus den nachfolgend aufgeführten Gründen. In the case of tape carriers of the type described above, the Increase in the number of pens and the Processing speeds for semiconductor devices not just the call for downsizing Component dimensions of the tape carriers have become louder, but it is also the demand to increase the number the layers of the tape carrier have been made to the Reduce self-induction of wiring. Because of the The structure described above can the conventional Band carriers, however, demanded a reduction in the Component dimensions and increasing the number of Layers do not meet, from the following listed reasons.
Im einzelnen ist es im Falle des in Fig. 12 dargestellten Bandträgers nicht machbar, sehr kleine Öffnungen unter 100 µm Durchmesser herzustellen, da die Löcher nicht durch Ätzen im Bandkörper 1 hergestellt werden können. Was die Mehrschichtenstruktur anbetrifft, kann zwar ein zweischichtiger Bandträger durch Herstellen von Leitermustern auf der Rückseite des Bandkörpers 1 hergestellt werden, doch hat sich die Herstellung von Bandträgern mit drei oder mehr Schichten als schwierig erwiesen. Weiter müssen Metallfolien aus Cu oder dergleichen mit einer Dicke von 20 µm bis 30 µm geätzt werden, was zu Schwierigkeiten beim Ätzen dieser Metallfolien über eine Leitungsbreite von beispielsweise 20 µm bis 30 µm und somit zum Problem der Reduzierung der Musterabmessungen führt.In particular, in the case of the tape carrier shown in FIG. 12, it is not feasible to produce very small openings with a diameter of less than 100 μm, since the holes cannot be produced in the tape body 1 by etching. As for the multi-layer structure, although a two-layer tape carrier can be made by making conductor patterns on the back of the tape body 1 , the production of tape carriers with three or more layers has proven difficult. Furthermore, metal foils made of Cu or the like must be etched with a thickness of 20 μm to 30 μm, which leads to difficulties in etching these metal foils over a line width of, for example, 20 μm to 30 μm and thus to the problem of reducing the pattern dimensions.
Im Falle des in Fig. 17 dargestellten Bandträgers ist das Problem aufgetreten, daß bei Mustern kleiner Größe die Haftung zwischen dem Fotolack und der darunterliegenden Metallschicht unzureichend ist und die Metallschicht zum Abschälen neigt. Insbesondere besitzt die überzogene Metallschicht eine Dicke von nicht mehr als 50 µm bis 75 µm und somit eine geringe mechanische Stärke, was zu dem weiteren Problem führt, daß sich die Metallschicht beim Weiterbewegen zum Zwecke des Abätzens des Bandkörpers 1 lösen kann. Weiter haben sich trotz der Machbarkeit der zweischichtigen Struktur vom Standpunkt der praktischen Herstellung aus gleiche Schwierigkeiten bei der Herstellung von drei und mehr Schichten ergeben, weil der Bandkörper zu dick wird, um darin Öffnungen kleiner Abmessung herzustellen.In the case of the tape carrier shown in Fig. 17, there has been a problem that the adhesion between the photoresist and the underlying metal layer is insufficient for patterns of small size and the metal layer tends to peel off. In particular, the coated metal layer has a thickness of not more than 50 μm to 75 μm and thus a low mechanical strength, which leads to the further problem that the metal layer can become detached when moving on for the purpose of etching off the strip body 1 . Furthermore, in spite of the feasibility of the two-layer structure, from the standpoint of practical production, there have been equal difficulties in producing three or more layers because the band body becomes too thick to make openings of small dimensions therein.
Es war das Ziel der vorliegenden Erfindung, die vorerwähnten Probleme zu lösen. Gegenstand der Erfindung ist ein Bandträger für ein Halbleitergerät, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Bandträgers, bei dem Muster kleiner Abmessungen mit Leitungsbreiten von beispielsweise unter 20 µm bis 30 µm und Leitungsabständen von beispielsweise unter 10 µm bis 20 µm hergestellt werden können, und wobei weiter Öffnungen kleiner Abmessungen von beispielsweise unter 10 µm bis 20 µm in einer Isolierschicht erzeugt werden können, wobei gleichzeitig drei oder mehr leitende Schichten vorhanden sind.It was the aim of the present invention that solve the aforementioned problems. Subject of the invention is a tape carrier for a semiconductor device, as well as a Process for the production of the tape carrier, with the sample small dimensions with line widths of, for example under 20 µm to 30 µm and line spacing of for example, manufactured under 10 microns to 20 microns can be, and with further openings smaller Dimensions of, for example, less than 10 µm to 20 µm can be produced in an insulating layer, wherein there are three or more conductive layers at the same time are.
Um dieses Ziel zu erreichen, wird gemäß einem Aspekt der
vorliegenden Erfindung ein Bandträger für Halbleitergeräte
geschaffen, der folgende Komponenten aufweist:
eine Vielzahl von in vorbestimmten Mustern ausgebildeten
leitenden Schichten;
eine Vielzahl von in vorbestimmten Mustern ausgebildeten
und abwechselnd auf die leitenden Schichten laminierten
Isolierschichten;
Prüfelektroden, die für den elektrischen Anschluß mit der
leitenden Schicht durch ein Leitermuster ausgebildet sind;
Anschlußabschnitte, die für den elektrischen Anschluß mit
der leitenden Schicht durch ein Leitermuster ausgebildet
und weiter mit den Elektroden jedes Halbleiterbauelementes
verbunden sind; und
eine Öffnung, in der jedes Halbleiterbauelement plaziert
wird.To achieve this goal, according to one aspect of the present invention, a tape carrier for semiconductor devices is created, which has the following components:
a plurality of conductive layers formed in predetermined patterns;
a plurality of insulating layers formed in predetermined patterns and alternately laminated on the conductive layers;
Test electrodes configured for electrical connection to the conductive layer by a conductor pattern;
Terminal portions formed for electrical connection to the conductive layer by a conductor pattern and further connected to the electrodes of each semiconductor device; and
an opening in which each semiconductor device is placed.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein
Verfahren zur Herstellung eines Bandträgers für ein
Halbleitergerät geschaffen, das folgende Schritte aufweist:
Aufbringen eines abschälbaren Wirkstoffes auf einem
Substrat in Form einer flache Platte;
wiederholtes Aufbringen isolierender Schichten und
leitender Schichten in vorbestimmten Mustern über dem
abschälbaren Wirkstoff durch Verfahren wie das
Fotogravieren oder das Ätzen, um dadurch einen Bandträger
herzustellen, der Öffnungen zur Aufnahme von
Halbleiterbauelementen, Prüfelektroden zum Prüfen der
Halbleiterbauelemente, und Anschlußabschnitte zum
Anschließen der Elektroden jedes Halbleiterbauelementes
aufweist; und
Abschälen des Bandträgers vom Substrat.According to a further aspect of the invention, a method for producing a tape carrier for a semiconductor device is provided, which has the following steps:
Applying a peelable active ingredient to a substrate in the form of a flat plate;
repeatedly applying insulating layers and conductive layers in predetermined patterns over the peelable agent by methods such as photoengraving or etching to thereby produce a tape carrier having openings for receiving semiconductor devices, test electrodes for testing the semiconductor devices, and terminal portions for connecting the electrodes of each semiconductor device having; and
Peel the tape backing from the substrate.
Nachfolgend wird der wesentliche Gegenstand der Figuren kurz beschrieben.Below is the main subject of the figures briefly described.
Fig. 1 stellt eine Querschnittsansicht durch einen Bandträger gemäß einer Ausführungsform der Erfindung dar; Fig. 1 illustrates a cross-sectional view through a tape carrier according to an embodiment of the invention;
Fig. 2 stellt eine Querschnittsansicht durch ein flaches, plattenförmiges Substrat dar, das bei der Herstellung des Bandträgers der Fig. 1 verwendet wird; Figure 2 illustrates a cross-sectional view through a flat, plate-shaped substrate used in the manufacture of the tape carrier of Figure 1;
Fig. 3 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, in welchem Prüfelektroden und eine Isolierschicht auf dem flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 2 angebracht sind; Fig. 3 is a cross-sectional view illustrating the state in which test electrodes and an insulating layer are mounted on the flat, plate-shaped substrate of Fig. 2;
Fig. 4 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, in welchem Perforationen sowie ein Geräteloch im flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 3 angebracht sind; Fig. 4 is a cross-sectional view illustrating the state in which perforations and a device hole are made in the flat, plate-shaped substrate of Fig. 3;
Fig. 5 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem weiter eine leitende Schicht auf dem flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 4 angebracht ist; Fig. 5 is a cross sectional view showing the state in which a conductive layer is further attached to the flat plate-shaped substrate of Fig. 4;
Fig. 6 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem die auf dem flachen, plattenförmigen Substrat gebildete leitende Schicht der Fig. 5 in vorbestimmten Bereichen entfernt worden ist; Fig. 6 is a cross sectional view showing the state in which the conductive layer of Fig. 5 formed on the flat plate-shaped substrate has been removed in predetermined areas;
Fig. 7 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem weiter eine Isolierschicht auf dem flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 6 gebildet ist; Fig. 7 is a cross sectional view showing the state in which an insulating layer is further formed on the flat plate-shaped substrate of Fig. 6;
Fig. 8 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem weiter eine leitende Schicht auf dem flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 7 angebracht ist; Fig. 8 is a cross sectional view showing the state in which a conductive layer is further attached to the flat plate-shaped substrate of Fig. 7;
Fig. 9 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem weiter eine leitende Schicht auf dem flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 8 angebracht ist; Fig. 9 is a cross sectional view showing the state in which a conductive layer is further attached to the flat plate-shaped substrate of Fig. 8;
Fig. 10 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem weiter eine Isolierschicht auf dem flachen, plattenförmigen Substrat der Fig. 9 angebracht ist; Fig. 10 is a cross sectional view showing the state in which an insulating layer is further applied to the flat plate-shaped substrate of Fig. 9;
Fig. 11 stellt eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung eines herkömmlichen Bandträgers dar; Fig. 11 is a perspective view illustrating a conventional tape carrier;
Fig. 12 stellt eine Querschnittsansicht des in Fig. 11 dargestellten Bandträgers dar; Fig. 12 is a cross sectional view of the tape carrier shown in Fig. 11;
Fig. 13 stellt eine Querschnittsansicht des Bandkörpers dar, der zur Herstellung des in Fig. 12 dargestellten Bandträgers verwendet wird; Fig. 13 illustrates a cross-sectional view of the belt body used to manufacture the belt carrier shown in Fig. 12;
Fig. 14 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem ein Kleber auf dem Bandkörper der Fig. 13 aufgebracht ist; Fig. 14 is a cross sectional view showing the state that an adhesive is applied to the tape body of Fig. 13;
Fig. 15 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem Perforationen sowie ein Geräteloch im Bandkörper der Fig. 14 angebracht sind; Fig. 15 is a cross sectional view showing the state in which perforations and a device hole are made in the belt body of Fig. 14;
Fig. 16 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem eine Metallfolie auf dem Bandkörper der Fig. 15 vorhanden ist; Fig. 16 is a cross sectional view showing the state in which a metal foil is present on the tape body of Fig. 15;
Fig. 17 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem innere Zuleitungen und Prüfelektroden auf der auf dem Bandkörper gebildeten Metallfolie der Fig. 16 gebildet sind; Fig. 17 is a cross sectional view showing the state in which inner leads and test electrodes are formed on the metal foil of Fig. 16 formed on the tape body;
Fig. 18 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des bei der Herstellung eines weiteren herkömmlichen Bandträgers benutzten Bandkörpers dar; Fig. 18 is a cross-sectional view illustrating the tape body used in the manufacture of another conventional tape carrier;
Fig. 19 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem ein metallischer Dünnfilm auf dem Bandkörper der Fig. 18 angebracht ist; Fig. 19 is a cross-sectional view showing the state in which a metallic thin film is attached to the tape body of Fig. 18;
Fig. 20 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem Perforationen sowie ein Geräteloch im Bandkörper der Fig. 19 angebracht sind; Fig. 20 is a cross sectional view showing the state in which perforations and a device hole are made in the belt body of Fig. 19;
Fig. 21 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem Lackmuster im metallischen Dünnfilm des Bandkörpers der Fig. 20 gebildet sind; Fig. 21 is a cross sectional view showing the state in which paint patterns are formed in the metallic thin film of the tape body of Fig. 20;
Fig. 22 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei der weiter ein metallischer Dünnfilm auf dem Bandkörper der Fig. 21 angebracht ist; und Fig. 22 is a cross sectional view showing the state in which a metallic thin film is further attached to the tape body of Fig. 21; and
Fig. 23 stellt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung des Zustandes dar, bei dem die Lackmuster auf dem Bandkörper der Fig. 22 entfernt sind. FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the state in which the paint patterns on the tape body of FIG. 22 are removed.
Fig. 1 stellt eine Querschnittsansicht des Bandträgers gemäß einer Ausführungsform gemäß der Erfindung dar. In allen nachfolgend angesprochenen Figuren werden gleiche Bezugszeichen zur Kennzeichnung gleicher oder identischer Teile verwendet. Gemäß Fig. 1 weist der Bandträger einen Anschlußabschnitt, beispielsweise Projektionselektroden 13, die mit Elektroden eines Halbleiterbauelementes (nicht dargestellt) zu verbinden sind, sowie drei leitende Schichten 11a bis 11c auf, die mit den Projektionselektroden 13 verbunden sind. In Verbindung mit den leitenden Schichten 11a bis 11c sind Kontaktlöcher 12a bis 12c für die gegenseitige elektrische Verbindung der leitenden Schichten 11a bis 11c, sowie vier Isolierschichten 10a bis 10d für die gegenseitige elektrische Trennung der leitenden Schichten 11a bis 11c angebracht. Mit der leitenden Schicht 11a sind über ein Kontaktloch 12d Prüfelektroden 5 elektrisch verbunden. Es sei bemerkt, daß obwohl die Kontaktlöcher 12a bis 12d jeweils eine leitende Schicht (Leitermuster) enthalten, diese leitenden Schichten enthaltenden Kontaktlöcher der Einfachheit halber nur als Kontaktlöcher 12a bis 12d bezeichnet werden. Fig. 1 shows a cross-sectional view of the tape carrier according to an embodiment according to the invention. In all the figures mentioned below, the same reference numerals are used to identify the same or identical parts. Referring to FIG. 1, the tape backing has a connecting section, for example, the projection electrodes 13 (not shown) with electrodes of a semiconductor component are to be connected, and three conductive layers 11 a to 11 c, which are connected to the projection electrodes 13. In connection with the conductive layers 11 a to 11 c are contact holes 12 a to 12 c for the mutual electrical connection of the conductive layers 11 a to 11 c, and four insulating layers 10 a to 10 d for the mutual electrical separation of the conductive layers 11 a attached to 11 c. With the conductive layer 11 a d inspection electrodes 5 are electrically connected through a contact hole 12th It should be noted that although the contact holes 12 a to 12 d each contain a conductive layer (conductor pattern), for the sake of simplicity these contact holes containing conductive layers are only referred to as contact holes 12 a to 12 d.
Wie im Falle der herkömmlichen Bandträger, weist der vorliegende Bandträger eine Geräteöffnung 3 in Form eines Fensters auf, in welchem ein Halbleiterbauelement plaziert wird. Weiter sind Perforationen 2 als Positionierungslöcher für die Weiterbewegung des Bandträgers vorgesehen.As in the case of conventional tape carriers, the present tape carrier has a device opening 3 in the form of a window in which a semiconductor component is placed. Perforations 2 are also provided as positioning holes for the further movement of the tape carrier.
Der Bandträger mit dem oben beschriebenen Aufbau wird entsprechend der in den Fig. 2 bis 10 dargestellten Schrittfolge hergestellt. Als erstes wird gemäß Fig. 2 ein abschälbarer Stoff 21 über die gesamte Oberfläche eines transparenten und flachen, plattenförmigen Substrates 20 aus Glas, oder dergleichen, aufgetragen. Der abschälbare Wirkstoff 21 kann beispielsweise die Gestalt eines Fotolackfilms oder eines organischen (dünnen) Films besitzen und im Verlaufe eines späteren Schrittes durch eine abschälende Lösung, ein Lösungsmittel, etc. beseitigt werden. The tape carrier with the structure described above is produced in accordance with the sequence of steps shown in FIGS . 2 to 10. First, according to FIG. 2, a peelable material 21 is applied over the entire surface of a transparent and flat, plate-shaped substrate 20 made of glass or the like. The peelable active ingredient 21 can have the shape of a photoresist film or an organic (thin) film, for example, and can be removed in the course of a later step by a peeling solution, a solvent, etc.
Als nächstes wird gemäß Fig. 3 eine die Prüfelektroden 5 bildende leitende Schicht auf dem abschälbaren Stoff 21 angebracht. Nach dem Überziehen des aus Polyimid, oder dergleichen, bestehenden ersten Isolierfilms 10a werden die Perforationen 2 und die Geräteöffnung 3 durch Fotogravur erzeugt, wie Fig. 4 zeigt. Dann wird gemäß Fig. 5 eine erste leitende Schicht 11a aufgebracht. Anschließens wird gemäß Fig. 6 die erste leitende Schicht 11a durch Fotoätzen gemustert, woraufhin gemäß Fig. 7 die zweite Isolierschicht 10b gemustert wird, um die ersten Kontaktlöcher 12a herzustellen.Next, FIG mutandis. 3 a, the test electrodes 5 forming conductive layer on the peelable material 21 is attached. After covering the first insulating film 10 a made of polyimide or the like, the perforations 2 and the device opening 3 are produced by photoengraving, as shown in FIG. 4. Then, according to Fig. 5, a first conductive layer 11a applied. Fig Anschließens the first conductive layer 11 a second insulating layer is in accordance. 6 patterned by photoetching, whereupon according to Fig. 7 is patterned b 10 to the first contact holes 12 a to manufacture.
Durch Wiederholen der genannten Schritte werden gemäß den Fig. 8 und 9 die zweite und die dritte leitende Schicht 11b und 11c, die zweite und die dritte Isolierschicht 10b und 10c, sowie die zweiten Kontaktlöcher 12b hergestellt. Dann werden in gleicher Weise wie oben beschrieben die vierte Isolierschicht 10d, die dritten Kontaktlöcher 12c und die Projektionselektroden 13 hergestellt. Schließlich werden ultraviolette Strahlen auf das transparente und flache, plattenförmige Substrat 20 von der Rückseite her projiziert, so daß der abschälbare Wirkstoff 21 beseitigt wird und den Bandträger vom flachen, plattenförmigen Substrat 20 ablöst, womit der in Fig. 1 dargestellte Bandträger erhalten wird.By repeating the above steps are shown in FIGS. 8 and 9, the second and the third conductive layer 11 b and 11 c, the second and the third insulating layer 10 b, and c 10, and the second contact holes 12 b made. Then the fourth insulating layer 10 d, the third contact holes 12 c and the projection electrodes 13 are produced in the same way as described above. Finally, ultraviolet rays are projected onto the transparent and flat, plate-shaped substrate 20 from the rear, so that the peelable active ingredient 21 is removed and the tape carrier detaches from the flat, plate-shaped substrate 20 , whereby the tape carrier shown in FIG. 1 is obtained.
Bei dem obigen Herstellungsverfahren kann die gesamte Filmdicke des Bandträgers auf einen Wert von 75 bis 125 µm durch Anbringen der leitenden Schichten in Form von groben Musterschichten (große Breite) eingestellt werden, um die Dicke jeder leitenden Schicht zu steuern. Dementsprechend kann der Bandträger nach der Fertigstellung wie ein Bandträger des Standes der Technik gehandhabt werden, ohne die Flexibilität als Merkmal der herkömmlichen Bandträger zu beeinträchtigen. Die Anbringung der Projektionselektroden 13 ermöglicht ihren Anschluß an Elektroden des Halbleiterbauelementes mit kleinerem Zwischenabstand. Weiter kann die Öffnungsgröße der Isolierschichten auf unter 10 µm Durchmesser verringert werden.In the above manufacturing method, the total film thickness of the tape backing can be set to a value of 75 to 125 µm by applying the conductive layers in the form of coarse pattern layers (large width) to control the thickness of each conductive layer. Accordingly, the tape carrier can be handled like a prior art tape carrier upon completion without sacrificing flexibility as a feature of the conventional tape carrier. The attachment of the projection electrodes 13 enables their connection to electrodes of the semiconductor component with a smaller spacing. Furthermore, the opening size of the insulating layers can be reduced to less than 10 µm in diameter.
Obwohl die vorhergehende Ausführungsform für einen Bandträger mit drei leitenden Schichten beschrieben worden ist, können mit Hilfe der Erfindung auch vier und mehr leitende Schichten durch Wiederholen der Laminierungsschritte der Schichten hergestellt werden. Desgleichen können die elektrischen Verbindungsanschlüsse mit dem Halbleiterbauelement in Form von beispielsweise inneren Zuleitungen entsprechend dem Stande der Technik ausgebildet werden, obwohl sie im vorliegenden Falle durch Projektionselektroden 13 gebildet sind. Obgleich weiter die vorliegende Ausführungsform der Erfindung im Zusammenhang mit dem Abschälen des transparenten und flachen, plattenförmigen Substrates 20 durch Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen beschrieben wurde, kann das Substrat 20 auch mit einem Lösungsmittel, etc. abgelöst werden. In diesem Falle muß nicht immer ein transparentes Substrat verwendet werden.Although the previous embodiment has been described for a tape carrier with three conductive layers, the invention can also be used to produce four and more conductive layers by repeating the lamination steps of the layers. Likewise, the electrical connection connections to the semiconductor component can be designed in the form of, for example, inner leads according to the prior art, although in the present case they are formed by projection electrodes 13 . Further, although the present embodiment of the invention has been described in connection with peeling the transparent and flat plate-shaped substrate 20 by irradiation with ultraviolet rays, the substrate 20 can also be peeled off with a solvent, etc. In this case, a transparent substrate does not always have to be used.
Bei dem wie oben beschrieben aufgebauten Erfindungsgegenstand werden die nachfolgend aufgeführten Vorteile erzielt.The one constructed as described above The subject of the invention are listed below Benefits achieved.
Da Muster kleiner Abmessungen im Bandträger des Halbleitergerätes gemäß der Erfindung erzeugt werden, ist es möglich, Anpassungen zur Verringerung des Elektrodenabstandes der Halbleiterbauelemente vorzunehmen und die Struktur mit drei oder mehr leitenden Schichten auszubilden, wodurch die elektrischen Eigenschaften verbessert werden. Die Isolierschicht kann auch in der Dicke reduziert werden, um Kontaktlöcher kleinerer Abmessungen einzubringen.Because samples of small dimensions in the tape carrier of the Semiconductor device according to the invention is produced it is possible to make adjustments to reduce the To carry out the electrode spacing of the semiconductor components and the structure with three or more conductive Form layers, which makes the electrical Properties are improved. The insulating layer can also reduced in thickness to contact holes bring smaller dimensions.
Weiter kann beim Verfahren zur Herstellung des Bandträgers für Halbleitergeräte gemäß der vorliegenden Erfindung die gesamte Filmdicke des Bandträgers nach Ablösen vom Substrat durch Justieren der Filmdicke jeder leitenden Schicht gesteuert werden, so daß der Bandträger wie herkömmliche Träger gehandhabt werden kann. Da weiter die Projektionselektroden auf dem Bandträger mit sehr kleinen Abmessungen leicht hergestellt werden können, ist es auch möglich, die Projektionselektroden mit entsprechenden Elektroden eines Halbleiterbauelementes zu verbinden.Furthermore, in the process for producing the tape carrier for semiconductor devices according to the present invention total film thickness of the tape carrier after detachment from the substrate by adjusting the film thickness of each conductive layer can be controlled so that the tape carrier as conventional Carrier can be handled. Since the Projection electrodes on the tape carrier with very small Dimensions can be easily made, so is it possible to match the projection electrodes with appropriate To connect electrodes of a semiconductor device.
Claims (4)
eine Vielzahl von in vorbestimmten Mustern ausgebildeten leitenden Schichten;
eine Vielzahl von in vorbestimmten Mustern ausgebildeten und abwechselnd auf die leitenden Schichten laminierten Isolierschichten;
Prüfelektroden, die für den elektrischen Anschluß mit der leitenden Schicht durch ein Leitermuster ausgebildet sind;
Anschlußabschnitte, die für den elektrischen Anschluß mit der leitenden Schicht durch ein Leitermuster ausgebildet und weiter mit den Elektroden jedes Halbleiterbauelementes verbunden sind; und
eine Öffnung, in der jedes Halbleiterbauelement plaziert wird.1. tape carrier for semiconductor devices comprising:
a plurality of conductive layers formed in predetermined patterns;
a plurality of insulating layers formed in predetermined patterns and alternately laminated on the conductive layers;
Test electrodes configured for electrical connection to the conductive layer by a conductor pattern;
Terminal portions formed for electrical connection to the conductive layer by a conductor pattern and further connected to the electrodes of each semiconductor device; and
an opening in which each semiconductor device is placed.
Aufbringen eines abschälbaren Wirkstoffes auf einem Substrat in Form einer flache Platte;
wiederholtes Aufbringen isolierender Schichten und leitender Schichten in vorbestimmten Mustern über dem abschälbaren Wirkstoff durch Verfahren wie das Fotogravieren oder das Ätzen, um dadurch einen Bandträger herzustellen, der Öffnungen zur Aufnahme von Halbleiterbauelementen, Prüfelektroden zum Prüfen der Halbleiterbauelemente, und Anschlußabschnitte zum Anschließen der Elektroden jedes Halbleiterbauelementes aufweist; und
Abschälen des Bandträgers vom Substrat.4. A method for producing a tape carrier for semiconductor devices, comprising the following steps:
Applying a peelable active ingredient to a substrate in the form of a flat plate;
repeatedly applying insulating layers and conductive layers in predetermined patterns over the peelable agent by methods such as photoengraving or etching to thereby produce a tape carrier having openings for receiving semiconductor devices, test electrodes for testing the semiconductor devices, and terminal portions for connecting the electrodes of each semiconductor device having; and
Peel the tape backing from the substrate.
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