DE4143587C2 - Semiconductor device with light shield - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinrich tung und im beson deren auf eine in verbesserter Weise lichtgeschützte Halbleiter einrichtung.The present invention relates to a semiconductor device tion and in particular their in an improved light-protected semiconductor Facility.
In den letzten Jahren ist es üblich, Halbleiterchips im allgemei nen direkt mit einem Gießharzmaterial zu verkapseln, um sie in ei ner Halbleitereinrichtung einzusetzen. Der Halbleiterchip wird hauptsächlich mit einem Epoxidharzmaterial bedeckt, das mit einem Farbstoff wie Graphitschwarz, einem Füller und ähnlichem - je nach Notwendigkeit - gemischt ist. Bei einer herkömmlichen Halbleiter einrichtung schützt ein solches Harzmaterial den Halbleiterchip gegen Lichteinwirkung. In recent years, it has been common to use semiconductor chips in general encapsulate them directly with a cast resin material to make them in egg to use ner semiconductor device. The semiconductor chip is mainly covered with an epoxy resin material that is coated with a Dye like graphite black, a fountain pen and the like - depending on Necessity - is mixed. With a conventional semiconductor such a resin material protects the semiconductor chip against exposure to light.
Mit der weiten Verbreitung tragbarer Personalcomputer und elektro nischer Notebooks ging eine zunehmende Verringerung der Größe und Dicke von integrierten Schaltungen einher. Auch die Gehäuse für dynamische RAMs, OTP-ROMs (One Time Programmable ROMs = einmal programmierbare Nur-Lese-Speicher) werden ebenso mit zunehmend verringerter Dicke und verringertem Gewicht ausge führt. Infolgedessen kommen TSOP (Thin Small Outline Packages = dünne Gehäuse mit kleinem Umfang) die nur etwa 1 mm dick sind, im Gebrauch. With the widespread use of portable personal computers and electro laptops went from an increasing decrease in size and Thickness of integrated circuits. Even the housing for dynamic RAMs, OTP-ROMs (One Time Programmable ROMs = once Programmable read-only memories are also used out with increasingly reduced thickness and weight leads. As a result come TSOP (Thin Small Outline Packages = thin housing with a small circumference) which are only about 1 mm thick, in Use.
Jedoch ist, während ein herkömmliches Harzgehäuse für eine Halb leitereinrichtung eine hinreichende Dicke zum Ausschalten von Licht hat, die Dicke des ein TSOP bildenden Harzmaterials so ge ring, daß Licht bis zum Halbleiterchip Vordringen kann. Wenn Licht durch die Harzschicht hindurchdringt und auf den Halbleiterchip fällt, können im Falle eines OTP-ROM die Speicherinhalte unbeab sichtigt gelöscht werden, während durch das unbeabsichtigte Ab fließen (Lecken) von Zelladungen oder das Auftreten eines Leck stroms im Schaltungsteil Fehlfunktionen im Falle eines dynamischen RAN verursacht werden können. Der Umfang solcher Fehlfunktionen kann von der Intensität des Lichts und der Dicke des Harzmaterials abhängen.However, while a conventional resin case is for a half conductor device a sufficient thickness to turn off Light has the thickness of the resin material forming a TSOP ring that light can penetrate to the semiconductor chip. If light penetrates through the resin layer and onto the semiconductor chip falls, in the case of an OTP-ROM the memory contents may can be deleted while the unintentional Ab flow (leakage) of cell charges or the occurrence of a leak current in the circuit part malfunctions in the case of a dynamic RAN can be caused. The extent of such malfunctions can depend on the intensity of the light and the thickness of the resin material depend.
Bekannte Techniken, wie die Abschirmung mit lichtabschirmenden Harz material oder einer Aluminiumplatte, die in bezug auf Fotodetektoren be kannt sind, können zwar angewandt werden, um dieses Problem zu lösen. Keine dieser Lösungen kann jedoch eine hinreichende Lichtabschir mung bei gleichzeitig verringerter Dicke und verringertem Gewicht des Gehäuses garantieren. Known techniques such as shielding with light-shielding resin material or an aluminum plate, those related to photodetectors are known can be used to solve this problem. However, none of these solutions can adequately shield the light tion with reduced thickness and weight guarantee the housing.
Aus der JP 60-180150 A ist z. B. eine Halbleitereinrichtung mit einem Halbleiterchip bekannt, der mit Epoxyharz bedeckt ist. Zum Licht abschirmen wird vorgeschlagen, auf dem Epoxyharz eine Aluminium platte mit einer Dicke von 0,5 mm vorzusehen.From JP 60-180150 A z. B. a semiconductor device with a Semiconductor chip known, which is covered with epoxy resin. To the light It is proposed to shield an aluminum on the epoxy resin plate with a thickness of 0.5 mm.
Aus dem Lehrbuch von Hans-Jürgen Hacke: Montage integrierter Schaltungen, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, London, Paris, Tokio 1987, Seiten 131 bis 135 ist es bekannt, Harze als Füllmittel zu benutzen. Die Harze können mit Farbstoff versehen werden, wobei Ruß ein häufig benutzter Farbstoff ist. Solche Harze sind insbesondere geeignet, um die Wasserdampfdurch lässigkeit zu verringern.From the textbook by Hans-Jürgen Hacke: Montage of integrated circuits, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, London, Paris, Tokyo 1987 , pages 131 to 135, it is known to use resins as fillers. The resins can be colored, with carbon black being a commonly used dye. Such resins are particularly suitable for reducing the water vapor permeability.
Aus der US 4,674,175 ist eine Halbleitereinrichtung mit einem Halbleiterchip bekannt, der durch ein opakes Material gegen Licht geschützt ist. Der Chip dient dazu, in Kreditkarten usw. einge setzt zu werden.From US 4,674,175 is a semiconductor device with a Semiconductor chip known by an opaque material against light is protected. The chip is used in credit cards etc. to be put.
Aus der US 4,727,221 ist eine Halbleitereinrichtung mit einem Halbleiterchip bekannt, wobei ein Hohlraum, in dem der Halblei terchip vorgesehen ist, durch einen Keramikdeckel abgedeckt ist, der ein Fenster aufweist. Ein Abschattungsblatt mit einem Klebe film aus Silikon, einem Aluminiumfilm und einem Polyimidfilm ist auf dem Fenster vorgesehen.From US 4,727,221 is a semiconductor device with a Semiconductor chip known, wherein a cavity in which the half lead terchip is provided, is covered by a ceramic lid, that has a window. A shading sheet with an adhesive film made of silicone, an aluminum film and a polyimide film provided on the window.
Aus der US 4,326,214 ist eine Halbleitereinrichtung mit einem Halbleiterchip bekannt, der durch eine Keramikkappe abgedeckt ist, die ein Fenster aufweist, das mit Glas verschlossen ist.From US 4,326,214 is a semiconductor device with a Known semiconductor chip covered by a ceramic cap which has a window that is closed with glass.
Es ist demgegenüber Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiter einrichtung mit einem Halbleiterchip, der mit einem Harzmaterial bedeckt ist, vorzusehen, wobei die Halbleitereinrichtung verrin gerte Dicke und verringertes Gewicht aufweisen soll und ein Ausschluß von Lichteinwirkung hinreichend garantiert ist.In contrast, the object of the present invention is a semiconductor device with a semiconductor chip made with a resin material is covered, the semiconductor device reducing should have increased thickness and reduced weight and a Exclusion of light is sufficiently guaranteed.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitereinrichtung mit den Merkmalen des Anspruches 1, 3, 6 oder 7. This object is achieved with a semiconductor device the features of claim 1, 3, 6 or 7.
Bei der Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 hält eine in der Gasphase abgeschiedene Metall- oder Keramikschicht, obwohl sie extrem dünn ist, das Licht hinreichend ab. Diese Schicht erlaubt es, die verringerte Größe der Halbleitereinrichtung beizubehalten und erhöht deren Gewicht nicht erheblich.In the semiconductor device according to claim 1 holds one in Gas phase deposited metal or ceramic layer, although it is extremely thin, the light is sufficiently off. This layer allows maintain the reduced size of the semiconductor device and does not significantly increase their weight.
Bei der Halbleitereinrichtung nach Anspruch 3 ist es infolge der doppelten Wirkung der Metallschicht und der inneren schwarzge färbten Schicht möglich, auch bei kleiner Schichtdicke das Licht hinreichend abzuhalten. Da die Versiegelung nicht sehr voluminös ist, erhöht sich das Gewicht der Halbleitereinrichtung nicht wesentlich.In the semiconductor device according to claim 3, it is due to the double effect of the metal layer and the inner black colored layer possible, even with small layer thickness the light to be held adequately. Because the seal is not very voluminous is, the weight of the semiconductor device does not increase essential.
Bei der Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6 wird die Lichtab schirmungseigenschaft des Harzes durch Hinzufügen der lichtabsor bierenden Materialien noch weiter verbessert.In the semiconductor device according to claim 6, the light is off shielding property of the resin by adding the light absorber materials improved even further.
Bei der Halbleitereinrichtung nach Anspruch 7 schützt die schwar ze Polyimid-Schicht insbesondere den Halbleiterchip direkt vor Licht.In the semiconductor device according to claim 7 protects the black ze polyimide layer in particular directly before the semiconductor chip Light.
Es folgt die Erläuterung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.Exemplary embodiments are explained with reference to the figures.
Von den Figuren zeigen:From the figures show:
Fig. 1 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb leitereinrichtung nach einer ersten Ausführungsform zeigt, Fig. 1 shows a cross-sectional view schematically showing a half-conductor device according to a first embodiment;
Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung, die den Aufbau einer Lichtabschirm-Versiegelung zeigt, die in der ersten Aus führungsform verwendet wird, Which is used in the first guide die from Fig. 2 is a sectional view showing the structure of a light-shielding seal,
Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb leitereinrichtung nach einer zweiten Ausführungsform zeigt, Fig. 3 shows a cross-sectional view schematically conductor means a half of a second embodiment,
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb leitereinrichtung nach einer dritten Ausführungsform zeigt, Fig. 4 shows a cross-sectional view schematically conductor means a half to a third embodiment;
Fig. 5 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Halb leitereinrichtung nach einer vierten Ausführungsform zeigt, Fig. 5 is a cross sectional view schematically showing a semiconductor device according to a fourth embodiment,
Fig. 6 eine Querschnittsdarstellung, die schematisch den Aufbau eines Halbleiterchips zeigt, der bei der vierten Ausfüh rungsform vorhanden ist. Fig. 6 is a cross sectional view schematically showing the structure of a semiconductor chip which is present in the fourth embodiment.
Fig. 1 zeigt eine Halbleitereinrichtung 10 nach einer ersten Aus führungsform. Ein Halbleiterchip 2, der auf einem Substrat 7 ange ordnet ist, ist über Drähte 4 mit Leitungsanschlüssen 3 verbunden und in einem Gießharzgehäuse 1 untergebracht. Das Harzgehäuse 1 ist aus Epoxidharz hergestellt, das mit Graphitschwarz und einem Füllstoff gemischt ist. Weiterhin ist eine Lichtabschirm- Versiegelung 5 auf die obere Oberfläche des Harzgehäuses 1 aufgebracht. Bei dieser Halbleitereinrichtung 10 hat der Halbleiterchip 2 eine Dicke d₁ von etwa 450 µm, das Substrat 7 hat eine Dicke d₂ von 150 µm und der Teil des Harzgehäuses 1, der auf dem Halbleiterchip 2 aufgebracht ist, hat eine Dicke d₃ von etwa 200 µm. Das Harzgehäuse 1 hat eine Dicke D von etwa 1 mm. Fig. 1 shows a semiconductor device 10 according to a first embodiment. A semiconductor chip 2 , which is arranged on a substrate 7 , is connected via wires 4 to line connections 3 and accommodated in a cast resin housing 1 . The resin case 1 is made of epoxy resin mixed with graphite black and a filler. Furthermore, a light shielding seal 5 is applied to the upper surface of the resin case 1 . In this semiconductor device 10 , the semiconductor chip 2 has a thickness d 1 of about 450 microns, the substrate 7 has a thickness d 2 of 150 microns and the part of the resin package 1 which is applied to the semiconductor chip 2 has a thickness d 3 of about 200 microns. The resin case 1 has a thickness D of about 1 mm.
Wie Fig. 2 zeigt, ist die Lichtabschirm-Versiegelung 5 durch Auf einanderstapeln einer (abgeschiedenen) Metallschicht 11 aus Alumi nium, einer schwarz gefärbten Klebeschicht 12 auf Silikonbasis und einer Schutzschicht 13 aus Polyester auf einem Träger 14 gebildet. Die abgeschiedene Metallschicht 11 reflektiert Licht, während die Klebeschicht 12 Licht absorbiert.As shown in FIG. 2, the light shielding seal 5 is formed by stacking a (deposited) metal layer 11 made of aluminum, a black colored adhesive layer 12 based on silicone and a protective layer 13 made of polyester on a carrier 14 . The deposited metal layer 11 reflects light, while the adhesive layer 12 absorbs light.
Damit reflektiert die Lichtabschirm-Versiegelung 5 durch die abge schiedene Metallschicht Licht, und durch die schwarz gefärbte Sub stanz, die auf ihre rückseitige Oberfläche aufgebracht ist, absor biert sie Licht. Diese Versiegelung 5 ist so ausgebildet, daß sie das Eindringen von Außenlicht in das Harzgehäuse 1 verhindert.Thus, the light shielding seal 5 reflects light through the separated metal layer, and due to the black-colored substance applied to its rear surface, it absorbs light. This seal 5 is formed so that it prevents outside light from entering the resin case 1 .
Fig. 3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung. Wie Fig. 3 zeigt, sind Aufbau- und Abmessungen der Halbleitereinrichtung 20 bei dieser Ausführungsform ähnlich zu denen der Halbleitereinrich tung 10 nach der ersten Ausführungsform, ausgenommen die Lichtab schirm-Versiegelung 5. Das Harzgehäuse 10 dieser Halbleiterein richtung 20 ist aus Epoxidharz hergestellt, welches ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform mit Graphitschwarz und einem Füll stoff gemischt ist. Fig. 3 shows a second embodiment of the invention. As shown in FIG. 3, the structure and dimensions of the semiconductor device 20 in this embodiment are similar to those of the semiconductor device 10 according to the first embodiment, except for the light shield seal 5 . The resin case 10 of this semiconductor device 20 is made of epoxy resin, which is mixed with graphite black and a filler similar to the first embodiment.
Eine Aluminiumoxidschicht 21 ist auf der oberen Oberfläche des Harzgehäuses 1 durch CVD gebildet. Diese Aluminiumoxidschicht 21 hat eine Dicke von etwa 100 µm. Vorzugsweise ist die Dicke der Aluminiumoxidschicht 21 nicht größer als 100 µm, so daß die Dicke der Halbleitereinrichtung 20 durch diese Schicht 21 nicht wesent lich vergrößert wird. Die Aluminiumoxidschicht 21 ist so ausge bildet, daß sie äußeres Licht abschirmt. Anstelle von Aluminiumoxid können Keramik wie SiO₂ oder ein Metall wie Al, Ag oder W auf das Harzgehäuse 1 abgeschieden sein. Wenn ein Metall abgeschieden ist, ist es erforderlich, die Metallschicht sorgfältig so auszubilden, daß sie nicht in Kontakt mit den Leitungsanschlüssen kommt. An aluminum oxide layer 21 is formed on the upper surface of the resin case 1 by CVD. This aluminum oxide layer 21 has a thickness of approximately 100 μm. The thickness of the aluminum oxide layer 21 is preferably not greater than 100 μm, so that the thickness of the semiconductor device 20 is not increased significantly by this layer 21 . The aluminum oxide layer 21 is formed out so that it shields external light. Instead of aluminum oxide, ceramics such as SiO₂ or a metal such as Al, Ag or W can be deposited on the resin housing 1 . If a metal is deposited, it is necessary to carefully form the metal layer so that it does not come into contact with the line connections.
Fig. 4 zeigt eine Halbleitereinrichtung 40 nach einer dritten Aus führungsform der Erfindung. Wie Fig. 4 zeigt, ist ein auf einem Substrat 7 angeordneter Halbleiterchip 2 über Drähte 4 mit Lei tungsanschlüssen 3 verbunden und in einem Gießharzgehäuse 41 un tergebracht. Das gesamte Gießharzgehäuse 41 enthält homogen Gra phitschwarz oder schwarzes Eisenoxid oder Anilinschwarz, die über eine weite Spanne vom Ultraviolett-Bereich bis zum Infrarot-Be reich hin Licht absorbieren. Weiterhin kann das Harzgehäuse 41 min destens ein Oxid, Sulfid oder Salz eines Metalls, ein anorgani sches Pigment wie etwa eine Ferrozyan-Verbindung oder ein organi sches Pigment, wie etwa auf einer Azo- oder Phthalocyanin-Grund lage, enthalten. Fig. 4 shows a semiconductor device 40 according to a third embodiment of the invention. As shown in FIG. 4, a semiconductor chip 2 arranged on a substrate 7 is connected via wires 4 to line connections 3 and accommodated in a cast resin housing 41 . The entire cast resin housing 41 contains homogeneous Gra phitschwarz or black iron oxide or aniline black, which absorb light over a wide range from the ultraviolet range to the infrared range. Can Furthermore, the resin casing 41 min least one oxide, sulfide or salt of a metal, a anorgani ULTRASONIC pigment such as a Ferrozyan compound or organi ULTRASONIC pigment such as on an azo or phthalocyanine-base contained.
Fig. 5 zeigt eine Halbleitereinrichtung 50 nach einer vierten Aus führungsform der Erfindung. Wie Fig. 5 zeigt, ist die Oberfläche eines auf einem Substrat 7 angeordneten Halbleiterchips 62 mit ei ner Absorptionsschicht 61 aus einem mit Graphitschwarz gemischten Polyimid bedeckt. Der Halbleiterchip 62 hat beispielsweise einen Aufbau wie nach Fig. 6. Eine N⁺-Diffusionsschicht 52 ist in einem P-Siliziumsubstrat 51 gebildet, während auf dem Substrat 51 eine Oxidschicht 53, eine Zellplatte 54, eine Einebnungs-Schicht 55, eine Bitleitung 56, eine Nitridschicht 57 und Wortleitungen 59 ge bildet sind. Die Absorptionsschicht 61 ist auf der Nitridschicht 57 gebildet. Die Absorptionsschicht 61 kann effektiv Licht absor bieren, dessen Wellenlänge unterhalb des Infrarot-Bereiches liegt. Damit wird durch die Absorptionsschicht 61 Außenlicht abgehalten. Fig. 5 shows a semiconductor device 50 according to a fourth embodiment of the invention. As FIG. 5 shows, the surface of a semiconductor chip 62 arranged on a substrate 7 is covered with an absorption layer 61 made of a polyimide mixed with graphite black. The semiconductor chip 62 has a structure as shown in FIG. 6, for example . An N⁺ diffusion layer 52 is formed in a P-silicon substrate 51 , while on the substrate 51 an oxide layer 53 , a cell plate 54 , a leveling layer 55 , and a bit line 56 , A nitride layer 57 and word lines 59 are formed ge. The absorption layer 61 is formed on the nitride layer 57 . The absorption layer 61 can effectively absorb light, the wavelength of which is below the infrared range. External light is thus blocked by the absorption layer 61 .
Bei jeder der erwähnten Ausführungsformen kann das Harzgehäuse un ter Hinzufügung von Quarzglas, das mit anorganischen oder organi schen Pigmenten gefärbt ist, ausgeführt sein, um das Lichtab schirmvermögen zu verbessern.In each of the mentioned embodiments, the resin case can un ter addition of quartz glass with inorganic or organic pigments is colored, designed to reduce the light improve shielding ability.
Wie oben beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung mög lich, eine hochgradig zuverlässige Halbleitereinrichtung mit ver besserten Lichtabschirmeigenschaften bereitzustellen, ohne daß sich das verringerte Gewicht und die verringerte Größe der Halb leitereinrichtung wesentlich verändert. Damit kann weiter eine Halbleitereinrichtung, die auf einer Verdrahtungs platte (Platine) konfektioniert ist, effektiv gegen Licht ge schützt werden, wodurch sich die Zuverlässigkeit verbessert. As described above, it is possible according to the present invention Lich, a highly reliable semiconductor device with ver to provide better light shielding properties without the reduced weight and size of the half ladder equipment changed significantly. So that can further a semiconductor device based on a wiring plate (circuit board) is assembled, effective against light be protected, which improves reliability.
Damit ist es möglich, etwa Fehlfunktionen eines dynamischen RAM, die durch Licht verursacht werden, oder unbeabsichtigtes Löschen des Speicherinhalts bei einem ROM, das durch Licht verursacht sein kann, zu verhindern.This makes it possible, for example, to malfunction a dynamic RAM, caused by light or accidental extinguishing of the memory content in a ROM caused by light can prevent.
Claims (8)
wobei die Dicke (D) der Halbleitereinrichtung (10, 20) nicht mehr als 1 mm beträgt oder die Dicke (d3) des Harzmaterials (1), das auf dem Halbleiterchip (2) abgeschieden ist, nicht größer als 200 µm ist,
das Harzmaterial (1) Teil eines Harzgehäuses ist, in welchem der Halbleiterchip (2) untergebracht ist,
eine Lichtabschirmschicht (21), die aus einer Metall- oder Kera mikschicht besteht und die auf der Oberfläche des Harzgehäuses abgeschieden ist, und die Lichtabschirmschicht (21) eine Dicke von nicht mehr als 100 µm aufweist (Fig. 3).1. Semiconductor device ( 10 , 20 ) with a semiconductor chip ( 2 ) which is covered with a resin material ( 1 ) with light-shielding properties,
wherein the thickness (D) of the semiconductor device ( 10 , 20 ) is not more than 1 mm or the thickness (d3) of the resin material ( 1 ) deposited on the semiconductor chip ( 2 ) is not greater than 200 μm,
the resin material ( 1 ) is part of a resin housing in which the semiconductor chip ( 2 ) is accommodated,
a light shielding layer ( 21 ) which consists of a metal or ceramic layer and which is deposited on the surface of the resin case, and the light shielding layer ( 21 ) has a thickness of not more than 100 µm ( Fig. 3).
wobei die Dicke (D) der Halbleiteinrichtung (10, 20) nicht mehr als 1 mm beträgt oder die Dicke (d3) des Harzmaterials (1), das auf dem Halbleiterchip (2) abgeschieden ist, nicht größer als 200 µm ist,
das Harzmaterial (1) Teil eines Harzgehäuses ist, in welchem der Halbleiterchip untergebracht ist,
eine Lichtabschirm-Versiegelung (5) auf dem Harzgehäuse angeord net ist, und
die Versiegelung (5) eine äußere Schicht aus Metall (11) zur Re flektion von Licht und eine innere Schicht (12), die schwarz ge färbt ist, zum Absorbieren von Licht aufweist (Fig. 1, 2).3. Semiconductor device ( 10 , 20 ) with a semiconductor chip ( 2 ) which is covered with a resin material ( 1 ) with light-shielding properties,
wherein the thickness (D) of the semiconductor device ( 10 , 20 ) is not more than 1 mm or the thickness (d3) of the resin material ( 1 ) deposited on the semiconductor chip ( 2 ) is not greater than 200 μm,
the resin material ( 1 ) is part of a resin package in which the semiconductor chip is accommodated,
a light-shielding seal ( 5 ) is arranged on the resin housing, and
the seal ( 5 ) has an outer layer of metal ( 11 ) for re flection of light and an inner layer ( 12 ), which is colored black, for absorbing light ( Fig. 1, 2).
wobei die Dicke (D) der Halbleitereinrichtung (40) nicht mehr als 1 mm beträgt oder die Dicke (d3) des Harzmaterials (41), das auf dem Halbleiterchip (2) abgeschieden ist, nicht größer als 200 µm ist und
das Harzmaterial (41) mit einem lichtabsorbierenden Material ge mischt ist,
wobei das lichtabsorbierende Material aus Oxiden, Sulfiden oder Salzen eines Metalles, einem ferrozyanischen anorganischen Mate rial, einem organischen Azo-Pigment und einem organischen Phthalocyanin-Pigment ausgewählt ist (Fig. 4).6. A semiconductor device ( 40 ) with a semiconductor chip ( 2 ) which is covered with a resin material ( 41 ) with light-shielding properties,
wherein the thickness (D) of the semiconductor device ( 40 ) is not more than 1 mm or the thickness (d3) of the resin material ( 41 ) deposited on the semiconductor chip ( 2 ) is not greater than 200 μm and
the resin material ( 41 ) is mixed with a light absorbing material,
wherein the light absorbing material is selected from oxides, sulfides or salts of a metal, a ferrocyanic inorganic material, an organic azo pigment and an organic phthalocyanine pigment ( Fig. 4).
wobei die Dicke (D) der Halbleitereinrichtung (50) nicht mehr als 1 mm beträgt oder die Dicke (d3) des Harzmateriales (1), das auf dem Halbleiterchip (62) abgeschieden ist, nicht größer als 200 µm ist und
die Oberfläche des Halbleiterchips (62) mit einem mit einer schwarzen Substanz gemischten Polyimidmaterial (61) bedeckt ist (Fig. 5).7. semiconductor device ( 50 ) with a semiconductor chip ( 62 ) which is covered with a resin material ( 1 ) with light-shielding properties,
wherein the thickness (D) of the semiconductor device ( 50 ) is not more than 1 mm or the thickness (d3) of the resin material ( 1 ) deposited on the semiconductor chip ( 62 ) is not greater than 200 μm and
the surface of the semiconductor chip ( 62 ) is covered with a polyimide material ( 61 ) mixed with a black substance ( FIG. 5).
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793590 | 1990-11-28 | ||
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