DE4143408C2 - Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.
Fig. 6 ist eine Querschnittsdarstellung einer Tandem-Solarzelle mit einer n-i-p-Solarzelle aus hydrogeniertem amorphem Silizium (a-Si : H) in Reihe angeordnet auf einer Solarzelle vom a-Si : H/c-Si (kristallines Silizium)-Aufbau nach dem Stand der Technik, wie es zum Beispiel in "Proceedings of the 2nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 1986", Seite 394-397 oder in der EP 0 113 434 A1 beschrieben ist. In Fig. 6 bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein p-leitendes kristallines (im folgenden bezeichnet als c-Si) oder polykristallines (im folgenden bezeichnet als Poly-Si) Substrat. Eine hydrogenierte amorphe Siliziumschicht (im folgenden bezeichnet als a-Si : H-Schicht) 3 vom n-Typ ist auf dem Substrat 1 angeordnet. Eine a-Si : H- Schicht vom p-Typ 7 ist auf der a-Si : H-Schicht 3 vom n-Typ angeordnet. Eine a-Si : Schicht 8 vom i-Typ ist auf der a-Si : H- Schicht 7 vom p-Typ angeordnet. Eine a-Si : H-Schicht 3a vom n-Typ ist auf der a-Si : H-Schicht 8 vom i-Typ abgeschieden. Eine transparente Elektrodenschicht 4 ist auf der a-Si : H- Schicht 3a vom n-Typ abgeschieden. Auf der transparenten Elektrodenschicht 4 sind selektiv Gitterelektroden 5 abgeschieden. Eine Rückflächen-Elektrodenschicht 6 ist auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrates 1 angeordnet.
Jetzt werden das Herstellungsverfahren und der Betrieb der Tandem-Solarzelle beschrieben.
Die a-Si : H-Schicht 3 vom n-Typ, die a-Si : H-Schicht 7 vom p- Typ, die a-Si : H-Schicht 8 vom i-Typ und die a-Si : H-Schicht 3a vom n-Typ sind aufeinanderfolgend auf dem c-Si- oder Poly-Si-Substrat 1 vom p-Typ durch Plasma-CVD gebildet, was zu einer Tandemstruktur führt, bei der eine n-i-p-Solarzelle mit a-Si : H-Schichten 3a, 8 und 7 in Reihe mit einer a-Si : H/c- Si (Poly-Si)-Solarzelle vom p-Typ verbunden ist, die einen zwischen der a-Si : H-Schicht 3 vom n-Typ und dem c-Si- oder Poly-Si-Substrat 1 erzeugten p-n-Übergang aufweist.
Zusätzlich ist eine ITO(Indium-Zinn-Oxid)-Schicht, die als transparente Elektrodenschicht 4 dient, durch Sputtern oder Bedampfen auf der a-Si : H-Schicht 3a vom n-Typ gebildet. Dann werden auf der transparenten Elektrodenschicht 4 etwa durch Drucken die Silber aufweisende Gitterelektroden 5 mit einem Abstand von einigen Zentimetern gebildet. Die Rückflächen- Elektrodenschicht 6 wird durch Sintern von Aluminiumpaste gebildet, die auf die Rückfläche aufplattiert wird, bevor die a-Si : H-Schichten gebildet werden.
In dieser Tandem-Solarzelle wird Licht relativ kurzer Wellenlängen aus dem Sonnenspektrum, das von oben auf die Einrichtung auftrifft, durch die n-i-p-Solarzelle, d. h. am n-i-p- Übergang, in Elektrizität umgewandelt, und das Licht, das durch die n-i-p-Solarzelle hindurchtritt, wird durch die untere n-a-Si : H/p-c-Si (Poly-Si)-Solarzelle, d. h. am p-n-Übergang, in Elektrizität umgewandelt. Auf diese Weise kann ein weiter Bereich des Sonnenspektrums ausgenutzt werden.
Fig. 7 ist eine Querschnittsdarstellung einer weiteren aus der EP 0 113 434 A1 bekannten mikrokristallinen Solarzelle vom Si : H/c-Si (Poly-Si)-Aufbau. In Fig. 7 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein c-Si- oder Poly-Si- Substrat von 400 bis 500 µm Dicke. Eine mikrokristalline Siliziumschicht (im folgenden als µc-Si bezeichnet) vom p-Typ oder eine a-Si : H-Schicht 3 von 10 bis 20 nm Dicke ist auf dem c-Si-Substrat 1 vom n-Typ abgeschieden. Eine transparente Elektrodenschicht 4 ist auf der µc-Si-Schicht 3 vom p-Typ abgeschieden. Eine Gitterelektrode 5 ist auf der transparenten Elektrode 4 angeordnet. Eine Silber aufweisende Rückflächenelektrode 6 von 600 nm Dicke ist auf der Rückfläche des Substrates 1 abgeschieden.
Im folgenden wird das Herstellungsverfahren beschrieben.
Die p-µc-Si-Schicht oder die a-Si : H-Schicht 3 wird auf dem n-c-Si- oder Poly-Si-Substrat 1 durch Plasma-CVD gebildet, und dann wird die transparente Elektrodenschicht 4 darauf durch Sputtern oder Bedampfen gebildet. Danach wird auf der rückseitigen Oberfläche des Substrates 1 durch Bedrucken oder Bedampfen die Rückflächen-Elektrode 6 gebildet, und die Gitterelektroden 5 werden auf der transparenten Elektrode 4 durch Drucken oder Bedampfen gebildet.
Bei dieser µc-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle wird zwischen dem n-c-Si- oder Poly-Si-Substrat 1 und der p-µc-Si-Schicht 3 ein pn-Übergang erzeugt. Wenn Sonnenlicht auf die Einrichtung auftrifft, werden im Substrat 1 Löcher generiert und dann durch den Potentialgradienten infolge des pn-Überganges in der Elektrode 5 gesammelt, wodurch Elektrizität erzeugt wird.
Bei der oben beschriebenen a-Si/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle nach dem Stand der Technik wird unabhängig davon, wie das Waschen vor der Behandlung des c-Si- oder Poly-Si-Substrates ausgeführt wird, eine Grenzflächenzustandsdichte von 10⁹eV-1 cm-2 an der a-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Verbindungs-Grenzschicht erzeugt, wodurch die Leerlaufspannung Voc begrenzt wird. Des weiteren sind die Leerlaufspannung und der Füllfaktor, d. h. das Produkt des Stroms und der Spannung am Arbeitspunkt der Solarzelle, geteilt durch das Produkt der Leerlaufspannung Voc mit dem Kurzschlußstrom Jsc, dadurch verringert, daß die a-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Grenzfläche durch den Plasmazustand der Plasma-CVD beeinflußt wird und dann die Grenzflächenzustandsdichte anwächst. Außerdem schreitet besonders in der Nachbarschaft der Grenzfläche, wenn lange Zeit Lichtbestrahlung einwirkt, Degradation, wie der Staebler-Wronski-Effekt, voran. Im Ergebnis dessen verschlechtern sich die Charakteristiken der Solarzelle.
Wenn eine a-Si : H-Solarzelle vom n-i-p-Typ auf der aus dem Stand der Technik bekannten a-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle angeordnet wird, wird eine Tandem-Solarzelle, wie in Fig. 6 gezeigt, erhalten. Bei dieser Tandem-Solarzelle ist jedoch, da die obere a-Si : H-Solarzelle von n-i-p-Typ einen geringeren Ausgangsstrom als die untere Solarzelle hat, der gesamte lieferbare Ausgangsstrom durch die obere Solarzelle vom n-i-p- Typ begrenzt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle anzugeben, bei der die Grenzflächenzustandsdichte der a-Si : H/ c-Si (Poly-Si)-Verbindung um eine Größenordnung oder mehr verringert, das Anwachsen der Grenzflächenzustandsdichte infolge von Veränderungen des Plasmazustandes bei der Plasma-CVD unterdrückt und die Ausgangscharakteristiken wie Leerlaufspannung, Kurzschlußstrom und andere verbessert sind. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach dem Anspruch 1 gelöst.
Der Vorbehandlung des Substrates wird damit nur ein Schritt des Eintauchens des Substrates in erwärmte Salpetersäure hinzugefügt, und der Prozeß damit kaum verkompliziert, so daß eine Solarzelle mit hoher Leistungsfähigkeit mit niedrigen Kosten hergestellt werden kann.
Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird auf einem c-Si- oder Poly-Si-Substrat eine Oxidschicht mit einer Dicke von etwa 2 nm oder weniger und darauf eine µc-Si-Schicht oder eine a-Si : H-Schicht gebildet, was zu einer Solarzelle der µc- Si/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)-Struktur führt. Die Oberfläche des c-Si- oder Poly-Si-Substrates wird durch die Oxidschicht mit einer Dicke von etwa 2 nm oder weniger passiviert, und damit wird die Grenzflächen-Zustandsdichte der Verbindungsgrenzfläche verringert. Damit wächst die Leerlaufspannung um etwa 20 mV im Vergleich mit einer a-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle nach dem Stand der Technik an. Außerdem ist es, da die Oxidschicht nicht direkt Schädigungen des Substrates ergibt, auch wenn Schwankungen im Plasmazustand vorkommen, möglich, die Grenzflächenzustandsdichte auf einem niedrigen Wert zu halten, so daß keine Degradation der elektrischen Eigenschaften infolge von Schwankungen im Plasmazustand vorkommt, und es kaum eine Degradation der Zelleigenschaften gibt. Außerdem kann, da diese Solarzelle eine c-Si- oder a-Si/Oxidschicht/ c-Si (Poly-Si)-Struktur hat, leicht eine Tandem- Solarzelle realisiert werden, wenn sie mit einer a-Si : H-Solarzelle vom p-i-n-Typ verbunden wird.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Erläuterung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigt
Fig. 1 eine Querschnittsdarstellung, die den Aufbau einer Solarzelle nach einer ersten Ausführungsform zeigt, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahrn hergestellt wurde;
Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung, die den Aufbau einer a-Si : H p-i-n/c-Si (Poly-Si)-Tandem- Solarzelle entsprechend einer zweiten Ausführungsform zeigt, bei deren Herstellung das erfindungsgemäße Verfahren angewendet wurde;
Fig. 3 und 4 Diagramme, die die Ausgangscharakteristiken von Ausführungsformen im Vergleich zu nach dem Stand der Technik hergestellten Solarzellen zeigen;
Fig. 5 ein Diagramm, das die Zuverlässigkeit der Ausführungsform im Vergleich mit nach dem Stand der Technik hergestellten Solarzellen zeigt;
Fig. 6 eine Querschnittsdarstellung einer Solarzelle mit a-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Aufbau herkömmlich hergestellten Art;
Fig. 7 eine Querschnittsdarstellung einer herkömmlich hergestellten µc-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle;
Fig. 8 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Bearbeitungszeit mittels Salpetersäure und der Schichtdicke der Oxidschicht beim Salpetersäureschritt zeigt;
Fig. 9(a) bis 9(f) Querschnittsdarstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung der Solarzelle der Fig. 1 zeigen; und
Fig. 10(a) bis 10(i) Querschnittsdarstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung der Tandem-Solarzelle nach Fig. 2 zeigen.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle nach Fig. 1 wird in den Fig. 9(a) bis 9(f) dargestellt. Zuerst wird als Vorbehandlung ein c-Si- oder Poly-Si-Substrat 1 gewaschen, und dann wird es in Flußsäure und danach in auf 70 bis 100°C aufgewärmte Salpetersäure getaucht, wodurch auf der Oberfläche des c-Si- oder Poly-Si-Substrates 1 eine dünne Oxidschicht 2 mit einer Dicke von etwa 2 nm oder weniger gebildet wird. Die Dicke der Oxidschicht 2 ist nicht auf 2 nm oder weniger begrenzt, aber wenn sie dicker als 2 nm ist, steigt der Reihenwiderstand an, was zu einer Verschlechterung der Charakteristiken der Solarzelle führt. Hierbei wird eine beliebige Dicke der Oxidschicht durch Veränderung der Eintauchzeit des c-Si- oder Poly-Si-Substrates 1 in Salpetersäure erhalten. Beispielsweise reicht es aus, um eine Dicke von 2 nm oder weniger wie in Fig. 8 zu erhalten, das Substrat etwa 10 min einzutauchen. Die Dicke der Oxidschicht kann also hinreichend genau gesteuert werden. Der nachfolgende Prozeß entspricht dem herkömmlichen Herstellungsverfahren. Das heißt, eine mikrokristalline Siliziumschicht 3 (µc-Si : H) vom p-Typ wird auf der Oxidschicht 2 durch Plasma-CVD (Fig. 9(c)) gebildet, eine transparente Elektrode (ITO) 4 wird darauf gebildet (Fig. 9(d)), und darauf wird eine Gitterelektrode 5 durch Drucken gebildet (Fig. 9(e)), wodurch eine µc- Si : H/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle vervollständigt wird.
Fig. 3 zeigt die Ausgangscharakteristiken der in Fig. 7 gezeigten, nach dem Stand der Technik hergestellten Solarzelle mit µc-Si : H/c- Si (Poly-Si)-Aufbau und die Ausgangscharakteristiken der in Fig. 1 gezeigten, erfindungsgemäß hergestellten Solarzelle mit µc- Si : H/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)-Aufbau zum Vergleich.
Bei der erfindungsgemäß hergestellten µc-Si : H/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)- Solarzelle ist die Leerlaufspannung Voc gegenüber der nach dem Stand der Technik hergestellten erhöht. Wenn die Oxidschicht 2 etwa 1 nm dick ist, wächst die Leerlaufspannung um mehr als 20 mV an. Außerdem wird die Umwandlungseffizienz η erhöht.
Fig. 4 zeigt außerdem Losübergänge, wenn Wafer in die Plasma- CVD-Apparatur gebracht werden, um die p-µc-Si-Schicht durch Plasma-CVD zu bilden.
Beim Verfahren nach dem Stand der Technik gibt es sogenannte Ausfälle, d. h. Partiefehler, die bei den Chargennummern 91 und 109 auftreten, in Abhängigkeit von der Art der Anwendung des Plasmas in der Plasma-CVD-Apparatur. Beim erfindungsgemäßen Verfahren tritt jedoch ein solcher nicht wünschenswerter Einfluß nicht auf.
Fig. 5 verdeutlicht die Degradation der Solarzellencharakteristiken nach dem Test der Bestrahlung mit Licht. Bei nach dem Stand der Technik hergestellten Solarzellen werden die Charakteristiken in beiden Fällen, bei Nutzung eines c-Si-Substrates und eines Poly-Si-Substrates, verschlechtert. Wenn auf der anderen Seite ein c-Si-Substrat für die vorliegende Erfindung benutzt wird, gibt es überhaupt keine Verschlechterung, und wenn ein Poly-Si-Substrat verwendet wird, gibt es fast keine Degradation. Das heißt, daß in beiden Fällen die Grenzflächenzustandsdichte bei der vorliegenden Erfindung stark gegenüber einer nach dem Stand der Technik hergestellten Solarzelle verringert wird.
Im folgenden wird die Funktion der SiOx-Schicht in der oben dargestellten µc-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Struktur beschrieben. Aus der Berechnung der Grenzflächenzustandsdichte der c-f- Messung, wie sie im allgemeinen durchgeführt wird, kann, wenn eine Verbindung ursprünglich im µc-Si eine Mehrzahl von Zuständen aufweist, wie die µc-Si/c-Si-Verbindung, nicht klar gesagt werden, welcher Bereich der Grenzfläche berechnet wird.
Es ist beispielsweise bekannt, daß eine SiO₂-Schicht je nach der Technik zur Ausbildung der SiO₂-Schicht bei der Berechnung der MOS-Struktur unterschiedliche Grenzflächenzustandsdichten hat. Bei einer herkömmlichen MIS-Solarzelle wird die Leerlaufspannung durch Bildung einer Siliziumoxidschicht auf dem c-Si- oder Poly-si-Substrat erhöht. Die Leerlaufspannung wird dadurch erhöht, daß die freie Bindung des Siliziums, die durch Sauerstoff kompensiert wird, elektrisch inaktiv ist, und bei dieser MOS(MIS)-Struktur nur die Oberfläche des Siliziumsubstrates bewertet wird.
Bei der vorliegenden Erfindung gibt es jedoch die Möglichkeit, da die Passivierung der Oberfläche des Si-Substrates durch Bildung einer Oxidschicht darauf durchgeführt wird und die Zustände verringert werden, daß die Grenzflächenzustandsdichte des µs-Si bei eiinem µc-Si/SiOx-Übergang stärker als bei einem µc-Si/c-Si (Poly-Si)-Übergang verbessert wird. Mit anderen Worten, die Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichte bei der Erfindung schließt die Abschätzung auf der Oberfläche des Siliziumsubstrates und die Abschätzung an der Grenzfläche µc-Si/SiOx ein.
Im folgenden wird das Wasserstoffatom beschrieben. Es ist bekannt, das Wasserstoffatom zur Sättigung freier Bindungen des Siliziums einzusetzen. Bei der µc-Si/c-Si (Poly-Si)-Struktur wird davon ausgegangen, daß die freie Bindung auf der Oberfläche des Siliziumsubstrates während der Bildung des µc-Si auf dem Siliziumsubstrat durch ein Wasserstoffatom belegt wird. Bei der µc-Si/SiOx/c-Si (Poly-Si)-Struktur wird jedoch davon ausgegangen, daß die freie Bindung des µc-Si und die Oberfläche des Siliziumsubstrates durch ein Sauerstoffatom belegt sind. Wenn die Bindungsenergie der Si-H-Bindung mit der der Si-O-Bindung verglichen wird, ist die Bindungsenergie der Si-O-Bindung größer, und daher ist es stabiler, die freie Bindung durch ein Sauerstoffatom als durch ein Wasserstoffatom zu sättigten. Dies kann auch daraus abgeleitet werden, daß bei der vorliegenden Erfindung gegenüber dem Stand der Technik die Degradation verringert und die Stabilität der Produktion verbessert ist.
Obgleich in der oben beschriebenen Ausführungsform ein c-Si- oder Poly-Si-Substrat vom n-Typ verwendet wird, kann ein c-Si- oder Poly-Si-Substrat vom p-typ und eine µc-Si : H- oder a-Si : H-Schicht vom entgegengesetzten Leitungstyp gegenüber der Ausführungsform verwendet werden. Auch in diese Fällen werden die gleichen Effekte wie oben beschrieben beobachtet.
Fig. 2 ist eine Querschnittsdarstellung, die den Aufbau einer a-Si : H p-i-n-/c-Si (Poly-Si)-Tandem-Solarzelle entsprechend einer zweiten Anwendung der Erfindung zeigt. Nach Fig. 2 sind eine µc-Si : H-Schicht 7 vom n-Typ, eine a-Si : H-Schicht 8 vom i-Typ und eine µc-Si : H-Schicht 3a vom p-Typ aufeinanderfolgend auf eine p-µc-Si : H/Oxidschicht/n c-Si- oder n- Poly-Si-Struktur abgeschieden, was zu einer a-Si : H p-i-n/c-Si (Poly-Si)-Tandem-Solarzelle führt. Bei dieser Tandem-Solarzelle ist es möglich, das kurzwellige Licht effektiv auszunutzen, das nicht durch das c-Si- oder Poly-Si-Substrat absorbiert werden kann.
Die Fig. 10(a) bis 10(i) sind Querschnittsdarstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung der Tandem-Solarzelle darstellen. Nach dem Fig. 10(a) bis 10(c) werden die gleichen Prozeßschritte wie nach den Fig. 9(a) bis 9(c) ausgeführt, um eine Struktur zu bilden, bei der die p-µc-Si : H-Schicht 3 auf dem n-c-Si- oder n-Poly-Si-Substrat 1 unter Zwischenspaltung der Oxidschicht 2 angeordnet ist. Dann werden nach den Fig. 10(d) bis 10(f) durch Plasma-CVD aufeinanderfolgend eine n- µc-Si : H-Schicht 7, eine i-a-Si : H-Schicht 8 und eine p-µc- Si : H-Schicht 3 gebildet. Danach werden, wie in Fig. 10(g) bis 10(i) gezeigt, eine transparente Elektrode 4 und eine gitterförmige Elektrode 5 mittels Drucken darauf gebildet, was zu einer a-Si : H p-i-n/c-Si (Poly-Si)-Tandem-Solarzelle führt.
Bei dieser Tandem-Solarzelle ist die Leerlaufspannung der unteren µc-Si : H/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle gegenüber der nach dem Stand der Technik hergestellten Tandem-Solarzelle erhöht. Damit ist auch die Leerlaufspannung der Tandem-Solarzelle, die die Summe der Leerlaufspannungen der die Tandemstruktur bildenden Solarzellen ist, erhöht. Wenn die untere Solarzelle einen geringeren Ausgangsstrom als die obere a-Si : H-Solarzelle vom n-i-p-Typ hat ist, da der Kurzschlußstrom der unteren µc-Si : H/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)-Solarzelle ebenfalls verbessert wird, der Ausgangsstrom der Tandem-Solarzelle, der durch die Solarzelle mit dem geringeren Kurzschlußstrom bestimmt wird, im Vergleich zur nach dem Stand der Technik hergestellten Tandem-Solarzelle erhöht.
Wie aus der vorangehenden Beschreibung deutlich wird, wird nach der vorliegenden Erfindung eine µc-Si : H/Oxidschicht/c-Si (Poly-Si)-Struktur, bei der eine dünne Oxidschicht gebildet ist, auf einem Substrat gebildet, und dann wird eine darauf gebildete µc-Si : H- oder a-Si : H-Struktur angewendet. Ein Bearbeitungsschritt in erwärmter Salpetersäure wird zur Bildung der Oxidschicht genutzt. Da nur dieser Behandlungsschritt in erwärmter Salpetersäure zur Vorbehandlung des Substrates hinzugefügt wird, kann eine Solarzelle mit niedrigen Kosten hergestellt werden. Außerdem werden im Vergleich zu a-Si : H/c-Si (Poly-Si)-Verbindungs-Solarzellen oder µc-Si/c-Si (Poly-Si)- Übergangs-Solarzellen nach dem Stand der Technik die Ausgangscharakteristiken und die Zuverlässigkeit verbessert und die Stabilität der Produktion erhöht. Schließlich kann, wenn die erfindungsgemäß hergestellte Solarzelle in Reihe mit einer a-Si : H-Struktur vom p-i-n-Typ verbunden wird, eine Tandem-Solarzelle realisiert werden.

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit den Schritten:
Bilden einer Siliziumoxidschicht (2) mit erforderlicher Dicke auf der Oberfläche eines Siliziumsubstrates (1) eines ersten Leitungstyps (n) durch Eintauchen des Substrates (1) in erwärmte Salpetersäure und
Bilden einer mikrokristallinen oder amorphen Siliziumschicht (3) eines zweiten Leitungstyps (p) auf der Siliziumoxidschicht (2).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Salpetersäure eine Temperatur von 70° bis 100°C aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumsubstrat (1) vor dem Eintauchen in die Salpetersäure in Flußsäure getaucht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mikrokristalline oder amorphe Siliziumschicht (3) durch Plasma-CVD gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
auf der mikrokristallinen oder amorphen Siliziumschicht (3) eine transparente Elektrodenschicht (4) aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) durch Sputtern oder Bedampfen gebildet wird,
daß auf der rückseitigen Oberfläche des Siliziumsubstrates (1) eine Rückflächen-Elektrode (6) durch Aufplattieren und Sintern einer Aluminiumpaste gebildet wird und daß auf der transparenten Elektrodenschicht (4) eine Gitterelektrode (5) durch Drucken gebildet wird.
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DE19615917A1 (de) * 1996-04-22 1997-10-30 Wolf Woco & Co Franz J Ansaugschalldämpfer und Kraftfahrzeug

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EP0113434A1 (de) * 1982-12-29 1984-07-18 Yoshihiro Hamakawa Photovoltaisches Bauelement

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