DE4125720C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf monolithisch aufgebaute, mit Halb
leiter-Laserdioden gepumpte Mikrokristall-Laser.
Solche Laser, die zur Erzeugung von Einfrequenz-Laserstrahlung mit gerin
ger Linienbreite und hoher Strahldichte dienen, sind an sich bekannt. Auf
grund ihrer geometrischen Ausformungen und Resonatorlängen unter 1 mm
schwingen sie auf nur einer einzigen longitudinalen Lasermode an. Beson
ders stabil - und somit zur Erzeugung einer sehr schmalbandigen Strahlung
geeignet - ist eine sogenannte monolithische Ausführungsform, bei der die
Resonatorspiegel in Form von dünnen, dielektrischen Schichten direkt auf
einen Laserkristall mit einer Dicke von weniger als 1 mm aufgebracht sind.
Solche monolithischen Mikrokristall-Laser werden optisch z. B. mit Laser
dioden oder Titan-Saphir-Lasern angeregt.
Eine Ausführungsform der vorbeschriebenen Mikrokristall-Laser ist aus der
EP 03 27 310 A2 bekannt.
Für viele Anwendungen ist es indes erforderlich, solche Laser - die auch
als "single-frequency-laser" bezeichnet werden - in der Frequenz kontinu
ierlich abzustimmen. Dies kann beispielsweise durch Änderung der Laser
kristall-Temperatur erfolgen - wobei die Abstimmung ungefähr 4 GHz/Kelvin
beträgt - jedoch die Abstimmgeschwindigkeit beziehungsweise die Bandbreite
äußerst gering ist.
Um eine schnellere Abstimmung - beispielsweise einige 10 bis 100 kHz - zu
ermöglichen, wird von F. Zhou u. A.I. Ferguson in "Electronics Letters, 29th March
1990, Vol. 26, No. 7, Seiten 490 ff" vor
geschlagen, einen extern gehaltenen Laserspiegel
über einen piezoelektrischen Versteller gegen einen halbmonolithisch be
dampften Laserkristall zu bewegen. Es muß also von dem monolithischen
Laseraufbau abgegangen werden. Der Nachteil dieses vorgeschlagenen Verfah
rens ist unter anderem in der reduzierten mechanischen Stabilität und somit
auch in der größeren Linienbreite - also geringeren Schmalbandigkeit -
zu sehen.
Von J. J Zaykowski u. A. Mooradian ist in "Optics Letters, Vol. 14, No. 12,
1989, Seite 618 ff" als weitere Möglichkeit die Ausübung eines transversalen
Stresses auf den Laserkristall vorgeschlagen worden. Dies führt jedoch
zu einer Aufhebung der Entartung für senkrecht zueinander stehende
Polarisationsrichtung und somit zu einem Frequenzsplitting. Siehe hierzu
A. Owyoung
und P. Esherick in "Optics Letters, Vol. 12, No. 12, 1987, Seiten 999 ff".
Diodengepumpte Festkörperlaser mit transversaler piezoelektrischer Frequenzmodulation
sind weiterhin auch in "Journal of
Lightwave Technology, Vol. 8, No. 3, 1990,
S. 249-301" von L. G. Kazovsky u. a. beschrieben.
Aus der US 35 73 654 und der US 35 73 653 sind elektrooptisch abstimmbare Laser bekannt,
bei welchem
zur Frequenzabstimmung der Brechungsindex
einer dünnen laseraktiven Schicht durch Anlegen eines elektrischen Feldes verändert wird.
Ein elektrooptischer Lichtmodulator,
der in einem Mikrowellenresonator angeordnet ist, wurde von
I. P. Kawinow u. W. M. Sharpless in "Applied Optics, Vol. 6, No. 2,
1967, S. 351-352" beschrieben.
Nd : LiNbO₃ als laseraktives Material ist bekannt und wurde z. B. von
A. Cordova-Plaza et al in "IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-23, No. 2, 1967, S. 262 ff" beschrieben.
Weiterhin wurde ein als Wellenleiter ausgebildeter Nd : MgO : LiNbO₃-Laser von
E. Lallier et. al. in "Electronics Letters, Vol. 27, No. 11, 1991, S. 936 ff"
beschrieben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Mikrokristall-Laser der
eingangs genannten Art zu konzipieren, der die Nachteile des Standes der
Technik beseitigt und die Abstimmung dieses Lasers ermöglicht, ohne vom
Konzept eines monolithischen Aufbaus abgehen zu müssen.
Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen 1 und 2 aufgezeigten Maß
nahmen gelöst. Im Unteranspruch sind Ausgestaltungen
angegeben und in der nachfolgenden Beschreibung sind Ausführungsbeispiele
erläutert. Die Figuren der Zeichnung ergänzen diese Erläuterun
gen. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schemabild in leicht perspektivischer Ansicht eines laserak
tiven, elektrostriktiv abstimmbaren Laserkristalls,
Fig. 2 ein Schemabild eines mikromechanischen Aktuators mit Stellwegmessung
auf der Basis eines längenabstimmbaren Mikrokristall-Lasers,
Fig. 3a ein Diagramm über die Stellsignalauswertung bezüglich des Spannungssignals
an den Elektroden als Funktion der Zeit t,
Fig. 3b ein Diagramm über die Stellsignalauswertung bezüglich des Weges
des Stellarmes als Funktion der Zeit t,
Fig. 3c ein Diagramm über die Stellsignalauswertung bezüglich der Differenzfrequenz
als Funktion der Zeit t.
Der in Fig. 1 skizzierte Mikrokristall-Laser
10 sieht einen mit Nd geeignet dotierten Kristall oder Quarzglas 11 vor,
der nicht nur dielektrisch so beschichtet ist, daß er einen monolithischen
Resonator bildet, sondern auf seinen beiden Endflächen sind ringförmige
Elektroden 12 aufgedampft und mit Anschlußdrähten 13 versehen. Hierbei
kann der Bereich der Lasermode jedoch ausgespart bleiben. Durch die Akti
vierung des so aufgebauten monolithischen Kristall-Lasers 10 kann dessen
Kristall-Länge und somit auch die Resonatorlänge sehr fein und präzise
verändert werden. Hierbei reichen bei Resonatorlängen unter 1 mm schon
Längenänderungen von Nanometer aus, um den Laser 10 im Bereich von GHz zu
verstimmen. Bei geeignet gewählter Kristallgeometrie und guter mechani
scher Dämpfung kann die Modulations-Bandbreite für solche Systeme mehrere
10 bis 100 kHz betragen. Anzuführen ist noch, daß Kristalle wie etwa Li
thiumniobate oder Quarzgläser, die als "Wirt" verwendet werden, sich da
durch auszeichnen, daß sie einen besonders hohen Koeffizienten für den
elektrostriktiven Effekt aufweisen. Durch Anlegen einer Spannung an solche
Kristalle oder Gläser ist es somit möglich, die Länge eines solchen Kri
stalles oder Glases zu ändern. Hierbei ist die mechanische Stabilität mit
der herkömmlicher monolithischer Laser vergleichbar, so daß solche Laser
abstimmbar sind bei gleichzeitig möglichst geringer Linienbreite. Eine
langsame Abstimmung über weite Bereiche - einige 10 GHz/min - ist durch
eine zusätzliche Temperaturabstimmung gegeben.
Anwendungsbereiche des vorbeschriebenen Lasers reichen nicht nur von der
optischen Nachrichtenübertragung zur interferometrischen Messung bewegter
Interferometer - beispielsweise Michelson-Interferometer zur Analyse von
Restgasen in den oberen Atmosphäreschichten -, sondern können auch solche
Laser sinusförmig in der Frequenz modulieren, um sie beispielsweise gegen
über einer Referenzcavity in der Frequenz zu stabilisieren.
Bei einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird auf die Bedampfung der Laser
kristall-Endflächen mit Elektroden 12 verzichtet. Dafür wird jedoch der
monolithisch mit Spiegelschichten bedampfte Laserkristall 11 aus einem Ma
terial mit hohem piezoelektrischem Koeffizienten - beispielsweise wie vor
erwähnt aus Lithiumniobat oder Quarzglas - an geeigneter Stelle eines Mi
krowellen-Resonators plaziert. Ein in diesen Resonator eingespeistes Mi
krowellensignal mit niederfrequenter Amplitudenmodulation zwingt bei ge
eigneter Ankopplung den Laserkristall 10 zu Längenänderungen, welche der
Modulationsfrequenz folgen. Auf diese Weise kann ein Mikrowellensignal di
rekt in ein frequenzcodiertes optisches Signal umgesetzt werden. Außerdem
kann so eine schnelle Modulation des optischen Signales erfolgen, bei dem
keine störenden Kapazitäten eventueller Elektroden die Signalbreite des
Lasers beschränken.
So ein durch Mikrowellen modulierter "single-frequency-laser" stellt bei
spielsweise eine ausgesprochen schnelle und einfache Schnittstelle beim
Übergang von der Mikrowellentechnik zur Optik dar.
Andererseits bieten sich durch die Mikrowellen-Modulation auch die Mög
lichkeiten schneller Modulation von Laserstrahlung an, z. B. in der Anwen
dung optischer Kommunikation.
Zur Bildung eines mikromechanischen Aktuators mit Stellwegmessung auf der
Basis eines längenabstimmbaren Mikrokristall-Lasers wird
gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung ein
elektrostriktiver, monolithischer Festkörperlaser 10 vorgeschlagen,
dessen Elektrostriktion nicht nur zur Frequenzabstimmung des Lasers verwendet
wird, wie es anhand der Fig. 1 beschrieben wurde,
sondern dessen Längenausdehnung zusätzlich noch zur gezielten
Positionierung eines - beispielsweise - mikromechanischen Stellarmes 14
dient. Dieses Ausführungsbeispiel ist in der Fig. 2 skizziert. Zum einen
kann über die an die Drähte 13 abgelegte Spannung der Stellarm 14 durch
den elektrostriktiven Effekt manipuliert werden, zum anderen kann über die
Laserfrequenz die exakte Position des Stellarmes 14 jederzeit und direkt
kontrolliert werden. Weiterhin wird dieses Stellweg-Signal auch dafür ver
wendet, den Stellarm 14 gegebenenfalls nachzuregeln, so daß beispielsweise
Hysterese-Effekte der Elektrostriktion oder auch thermisch induzierte Län
genänderungen registriert und kompensiert werden. Die entsprechend fre
quenzverschobene Laserstrahlung wird mit einem temperaturstabilisierten
Referenzlaserstrahl kohärent optisch überlagert, so daß z. B. am Ausgang
einer zur Mischung verwendeten Glasfaserweiche 16 an einem Photodetektor
(Photodiode 18) ein Hochfrequenzsignal abgegriffen wird, welches der Dif
ferenzfrequenz der beiden Laser 10, 20 proportional ist.
Wie das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 veranschaulicht, wird der mit
ringförmigen Elektroden versehene Laserkristall 11 einerseits von der Hal
terung 15 aufgenommen und andererseits mit einem beweglichen Stellarm 14
verbunden. Der Laserkristall 11 wird über die x-förmige Glasfaserweiche 16
und einer Ankoppeloptik 16a mit einer Halbleiter-Laserdiode 17 gepumpt.
Der Laserkristall 11 ist monolithisch derart verspiegelt, daß die Festkör
perlaserstrahlung durch diese Glasfaserweiche 16 zurückgeleitet und in
dieser mit der Strahlung eines Referenzlasers 20 überlagert wird. Dieser
Referenzlaser 20 ist in einem temperaturstabilisierten Medium 19 einge
bracht. Somit ergibt sich am vierten Ende der Glasfaserweiche am Ausgang
einer dort angeordneten Photodiode 18 ein Hochfrequenzsignal, welches der
Differenzfrequenz der beiden Laser 10, 20 folgt.
Hierzu ist nun erneut darauf hinzuweisen, daß die Laserfrequenz nicht nur
durch die Länge des Resonators bestimmt ist, sondern in noch viel stärke
rem Maße durch die Temperatur des Laserkristalls - was in den vorstehend
beschriebenen Ausführungsbeispielen zur langsamen Abstimmung über weite
Bereiche verwendet wird - abhängt. Der Temperatureffekt ist hier um fast
eine Größenordnung stärker als der reine Längeneffekt.
Dies führt nun dazu, daß die Auswertung des Stellsignals in einer Auswer
teinheit 30 so vorzunehmen ist, daß
- a) eine adiabatische Längenänderung des Laserkristalls 11 durch eine dis krete, stufenartige Spannungsänderung an den Elektroden durchgeführt wird und die Bestimmung der Frequenzänderung innerhalb eines Zeitfen sters ΔT1 erfolgt, innerhalb dessen die Temperaturänderung vernach lässigbar klein ist.
- b) die Spannung konstant gehalten wird und die Messung der weiteren Frequenzverschiebung des Lasers 10 in einem zweiten Zeitfenster ΔT2 er folgt, wobei diese Frequenzverschiebung einerseits durch eine Tempera turänderung des Laserkristalls 11 erfolgt, welche aber andererseits zusätzlich noch von einer temperaturbedingten Längenänderung des Laserkristalls 11 überlagert ist.
Durch geeignete Kalibrierung, etwa in einem temperaturstabilisierten Medium,
ist es möglich, zwei Konstanten α und β zu bestimmen, welche die Abhängig
keit der Laserfrequenz von der adiabatischen Längenänderung beziehungswei
se von der thermisch induzierten Frequenzänderung beschreiben. Zusätzlich
ist es notwendig, neben der reinen Frequenzverschiebung auch noch die An
zahl der Modensprünge des Lasers 10 zu registrieren, um einen geeigneten
Dynamikumfang zu gewährleisten. Dies kann relativ einfach durch eine
schmale Bandpaßfilteranordnung in der elektrischen Auswerteschleife erfol
gen.
Die Länge des vorstehend beschriebenen Aktuators errechnet sich somit wie
folgt:
I. im Zeitfenster ΔT1: L = α δf + j
II. im Zeitfenster ΔT2: L = α/β δf + j
II. im Zeitfenster ΔT2: L = α/β δf + j
Hierbei ist bezeichnet mit
α = der Proportionalitätsfaktor für die zur Längenänderung proportio
nale Differenzfrequenzänderung,
β = der Proportionalitätsfaktor für die zur Temperaturänderung pro portionale Längenänderung,
= der Proportionalitätsfaktor für die zur Anzahl der Modensprünge proportionale Frequenzänderung,
δf = die Differenzfrequenzänderung und
j = die Anzahl der Modensprünge.
β = der Proportionalitätsfaktor für die zur Temperaturänderung pro portionale Längenänderung,
= der Proportionalitätsfaktor für die zur Anzahl der Modensprünge proportionale Frequenzänderung,
δf = die Differenzfrequenzänderung und
j = die Anzahl der Modensprünge.
Ein solchermaßen hochgenauer Aktuator kann zum Beispiel auch mikromecha
nisch ausgeführt sein. Insbesondere können Längenänderungen, welche zum
Beispiel durch Temperatureinflüsse induziert sind und eine ungewollte Län
genänderung des Aktuatormediums und damit ein Verstellen des Manipulati
onsarmes bewirken, durch die inhärente Längenmessung erkannt werden und so
mit auch geeignet kompensiert werden. Solche hochgenauen Manipulatoren
oder Aktuatoren mit direkter Meßmöglichkeit werden in vielen Gebieten der
Mikromechanik benötigt, wie beispielsweise zur präzisen Positionierung
einer Tunnelmikroskop-Spitze gegenüber einer Probe. Als Vorteile der vor
beschriebenen Ausführungsformen eines Mikrokristall-Lasers ist der einfach
herstellbare monolithische Aufbau anzuführen, durch den das Gerät beson
ders rigide und frequenzstabil wird und keine zusätzlichen Manipulations
komponenten wie Piezos o. ä. benötigt. Weiterhin kann auch durch Mikrowellen
in einem geeigneten Resonator moduliert werden und letztlich ist das
Gerät als aktiver Manipulator bzw. Aktuator mit eingebauter direkter Stel
lwegmessung und Möglichkeiten zur Kompensation von beispielsweise thermi
schen Einflüssen etc. einsetzbar.
Claims (3)
1. Monolithisch aufgebauter, mit Halbleiter-Laserdioden gepumpter
Mikrokristall-Laser, dessen Mikrokristall (11) zur Laserfrequenzmodula
tion in einem Mikrowellenresonator angeordnet ist und aus einem elektro
striktiven Material mit einem hohen piezoelektrischen Koeffizienten be
steht, das mit Neodym-Ionen dotiert ist, und der dielektrisch zur Bil
dung eines monolithischen Resonators beschichtet ist und eine solche
Resonatorlänge aufweist, daß nur eine einzige longitudinale Lasermode
anschwingt.
2. Monolithisch aufgebauter, mit Halbleiter-Laserdioden gepumpter
Mikrokristall-Laser, dessen Mikrokristall (11) aus einem elektrostrikti
ven Material mit einem hohen piezoelektrischen Koeffizienten besteht,
das mit Neodym-Ionen dotiert ist, und der dielektrisch zur Bildung eines
monolithischen Resonators beschichtet ist und eine solche Resonatorlänge
aufweist, daß nur eine einzige longitudinale Lasermode anschwingt, wobei
der beschichtete Mikrokristall (11) an beiden Resonatorendflächen zur
Spannungsanlegung und Resonatorlängenmodulation mit Elektroden (12) und
Anschlußdrähten (13) versehen und einerseits von einer Halterung (15)
aufgenommen und andererseits mit einem beweglichen Stellarm (14) verbun
den ist, der durch die Längenänderung des Mikrokristalls (11) verschieb
bar ist, und wobei dem Mikrokristall (11) zur Bestimmung dieser Längen
änderung eine x-förmige Glasfaserweiche (16) zugeordnet ist, deren Enden
mit einer Ankoppeloptik (16a) an den Mikrokristall (11), Halbleiter-La
serdiode (17) als Pumplichtquelle, einer Photodiode (18) sowie mit einem
in einem temperaturstabilisierten Medium (19) eingebrachten Referenzla
ser (20) verbunden sind.
3. Mikrokristall-Laser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß der Mikrokristall (11) aus Lithiumniobat besteht, das mit Neo
dym-Ionen dotiert ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914125720 DE4125720A1 (de) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | Mikrokristall-laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914125720 DE4125720A1 (de) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | Mikrokristall-laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4125720A1 DE4125720A1 (de) | 1993-02-04 |
DE4125720C2 true DE4125720C2 (de) | 1993-08-05 |
Family
ID=6437612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914125720 Granted DE4125720A1 (de) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | Mikrokristall-laser |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE4125720A1 (de) |
Families Citing this family (2)
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US3573654A (en) * | 1969-07-18 | 1971-04-06 | Us Navy | Narrow band tunable laser oscillator amplifier |
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US4860304A (en) * | 1988-02-02 | 1989-08-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid state microlaser |
-
1991
- 1991-08-02 DE DE19914125720 patent/DE4125720A1/de active Granted
Also Published As
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