DE4114658A1 - Synthetischer diamantkoerper und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Synthetischer diamantkoerper und verfahren zu seiner herstellungInfo
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Description
Es ist bekannt, Diamantschichten auf Nicht-Diamant-Sub
straten durch Gasphasenabscheidung herzustellen. Gemäß
der US-PS 47 67 608 können solche Diamantschichten mittels
eines plasmaaktivierten CVD-Verfahrens (CVD = chemical
vapour deposition) auf einer Substratschicht abgeschieden
werden. Damit gelingt es, bei relativ niedrigem
Verfahrensdruck großflächige polykristalline Diamant
schichten, beispielsweise 100 cm2, herzustellen, aller
dings nur mit recht geringen Abscheidungsraten.
Höhere Abscheidungsraten sind bei höherem Druck möglich,
beispielsweise bei Abscheidung mittels einer Gasflamme,
wie es in Metallurgical Transactions 20 A, 1989,
Seiten 1282 bis 1284 beschrieben ist. Dabei können aber
nur kleinflächige Diamantschichten abgeschieden werden.
Natur- oder Hochdrucksynthesediamant-Einkristalle sind,
falls größere Abmessungen bei guter Qualität gewünscht
werden, sehr teuer. Sie weisen darüber hinaus eine ausge
prägte Anisotropie auf, wegen welcher die Verwendbarkeit
als Werkzeugmaterial oft eingeschränkt ist.
Polykristalline, aus Pulver gesinterte Diamantrohlinge
können nur mit begrenzter Größe hergestellt werden. Deren
mechanisches Verhalten ist zwar weitgehend isotrop, jedoch
enthalten Sinterkörper relativ große Mengen an Sinter
hilfsmitteln, wie z. B. Kobalt, wodurch die mechanischen
Eigenschaften negativ beeinflußt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen weitgehend
isotropen synthetischen Diamantkörper mit guten
mechanischen Eigenschaften zu bilden, welcher auch bei
großem Volumen einfach herstellbar ist.
Die Lösung gelingt dadurch, daß er aus durch Gasphasen
abscheidung gebildeten Diamantschichten besteht, welche
über Lötschichten miteinander verbunden sind.
Großflächig abgeschiedene dünne Diamantschichten können zu
Diamantkörpern gewünschter Dicke zusammengelötet werden.
Insbesondere können großflächige dünne Diamantschichten in
Teilschichten aufgeteilt werden, welche dann zu Diamant
körpern großer Dicke verbunden werden. Derart lassen sich
Diamantkörper mit dem jeweiligen Verwendungszweck beliebig
angepaßten Abmessungen herstellen.
Die einzelnen Diamantschichten können nach dem Abscheiden
und vor der Eingliederung in einen mehrschichtigen
Diamantkörper vom Substrat befreit werden. Dann ist der
Anteil des Diamantwerkstoffes beim erfindungsgemäßen
Diamantkörper hoch, denn für die Verbindung mit Nachbar
schichten wird nur wenig Lot benötigt. Es ist natürlich
auch möglich, an einem oder an mehreren der Diamant
schichten die Substratschicht zu belassen, wenn für
gewisse Anwendungsfälle ein geringerer Bestandteil an
Diamantwerkstoff zugelassen werden kann. Ein besonders
geringer Anteil an Lötwerkstoff wird dann benötigt, wenn
bei mindestens einer Diamantschicht die von der Substrat
schicht abgewandte Seite geglättet wird.
Besonders intensive und dauerhafte Lötverbindungen ergeben
sich, wenn die verbindenden Lötschichten karbidbildende
Zusätze enthalten. Insbesondere sind Tantal oder Titan
enthaltende Silberlote oder Gold/Tantal-Lot (vgl. US-PS
36 78 568) geeignet.
Ein aus mehreren miteinander verlöteten Diamantschichten
bestehender Grundkörper kann teilweise oder insgesamt
zusätzlich mit einer durch Gasphasenabscheidung
hergestellten Diamantschicht bedeckt werden. Damit ist es
beispielsweise auch möglich, Verschleißabtragungen auszu
gleichen.
Zur Herstellung von Werkzeugen können die erfindungs
gemäßen Diamantkörper durch Bohren, Schleifen, Polieren
u. dgl. bearbeitet werden. Man kann auch große, für
Spezialanwendungen geeignete Werkzeuge wie Drahtzieh
steine, Rohr-Formwerkzeuge oder Schneidwerkzeuge her
stellen. In einen einzigen Grundkörper kann man mehrere
materialverformende Lochblenden einarbeiten, die dann als
Mehrfachspindüsen für Kunststoffe oder viskose Flüssig
keiten benutzt werden können.
Weiterhin können erfindungsgemäße Diamantkörper zum
Polieren, Schleifen oder zu anderer materialabhebender
Bearbeitung verwendet werden. Wegen der isotropen Struktur
der erfindungsgemäßen Diamantkörper kann die zu
bearbeitende Oberfläche in einem beliebigen Winkel zur
Schichtebene des Diamantkörpers angeordnet sein.
Beispielsweise als Düsen dienende Durchgangsöffnungen
können in einen erfindungsgemäßen Diamantkörper dadurch
einfach eingebracht werden, daß jede Diamantschicht mit
mindestens einer Ausnehmung versehen wird, und daß danach
die Diamantschichten derart miteinander verlötet werden,
daß durch die einzelnen Ausnehmungen Durchgangslöcher
gebildet werden. Die Ausnehmungen der Diamantschichten
können vorteilhaft bei der Gasphasenabscheidung herge
stellt werden.
Die Verlötung erfolgt vorteilhaft unter Schutzgas,
insbesondere Argon. Weiterhin ist eine Verlötung unter
Vakuum für das erfindungsgemäße Verfahren gut geeignet.
Die Erfindung wird anhand von in der Zeichnung darge
stellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt drei Verfahrenszustände der Herstellung eines
erfindungsgemäßen Diamantkörpers,
Fig. 2 zeigt einen aus mehreren Diamantschichten
verlöteten Diamantkörper,
Fig. 3 zeigt einen mit einer Durchgangsbohrung versehenen
Diamantkörper,
Fig. 4 zeigt einen Diamantkörper mit mehreren einge
brachten Lochblenden.
Zunächst werden gemäß Fig. 1a polykristalline Diamant
schichten 1 auf geeigneten Substratschichten 2, welche
beispielsweise aus Silizium, Kupfer, Molybdän, Titan oder
Tantal bestehen, in bekannter Weise mittels eines
CVD-Verfahrens abgeschieden, beispielsweise mittels
Mikrowellen-Plasma-CVD, Plasma-Jet-CVD oder Flammen
synthese, wobei solche Verfahren bevorzugt werden, welche
eine großflächige Abscheidung ermöglichen. Die Dicke der
Diamantschichten beträgt mehr als etwa 1 um bei einer
Fläche von vorzugsweise mehr als 15 cm2.
Gemäß Fig. 1b können die Substratschichten 2 von den
Diamantschichten 1 entfernt werden, beispielsweise durch
Ätzen, Schleifen, Fräsen oder auch bei geeignet gewählten
Substraten über thermisch induzierte Spannungen zwischen
Substratschicht 2 und Diamantschicht 1.
Die von den Substratschichten 2 befreiten Diamant
schichten 1 weisen an der Substratseite eine glattere und
an der gegenüberliegenden Wachstumsseite eine rauhere
Oberfläche auf. Mehrere derartige Diamantschichten 1
können zu einem in Fig. 1c dargestellten Stapel je nach
gewünschter Oberflächenbeschaffenheit des herzustellenden
Diamantkörpers derart aufeinandergelegt werden, daß
Diamantkörper mit zwei glatten Außenseiten entstehen. Es
ist aber auch möglich, zwei rauhe oder eine rauhe und eine
glatte Oberfläche zu bilden. Derart kann gegebenenfalls
der Aufwand für eine Nachbearbeitung verringert werden, da
die für spezielle Verwendungszwecke gewünschte Ober
flächenbeschaffenheit durch entsprechend gerichtete
Auflage der äußeren Diamantschichten erreicht werden kann.
Man kann die rauhen Oberflächen der Diamantschichten vor
dem Zusammenfügen zu einem Stapel glätten. Das geschieht
vorteilhaft durch Schleifen im Zustand nach Fig. 1a, wenn
sich die Diamantschichten 1 noch auf den Substrat
schichten 2 befinden. Man erhält dann einen Stapel gemäß
Fig. 2, bei welchem die zwischen den geglätteten Diamant
schichten 1′ erforderliche Menge des Lötmaterials auf ein
Minimum reduziert ist.
Mehrere Diamantschichten 1 werden gemäß Fig. 1c über
Lotschichten 3 unter Schutzgas mittels Hochfrequenz
erhitzung in einem von einer Wicklung 4 gebildeten Feld
verbunden. Gängige Bindematerialien sind zur Verbindung
von Diamanteinkristallen mit Werkzeugteilen bekannt, z. B.
Gold/Tantal/Legierungen, Silber/Tantal/Legierungen oder
sonstigen Materialien, welche mindestens eine karbid
bildende Substanz aufweisen. Die von Substratschichten 2
befreiten Diamantschichten 1 werden mit einem Bindemittel
bedeckt und dann zu Stapeln zusammengefaßt. Vorzugsweise
erfolgt dabei die Bedeckung durch Aufdampfen auf einer
großen Diamantfläche, die anschließend beispielsweise
durch Laserbearbeitung in mehrere Diamantschichten 1 mit
den Abmessungen aufgeteilt wird, welche dem herzu
stellenden Diamantkörper entsprechen. Die Stapel werden
schließlich bis zur Erweichung der Lotschichten 3 erhitzt,
so daß dann der fertige kompakte Diamantkörper entsteht.
Wenn nur jede zweite Schicht eines solchen Stapels beid
seitig mit dem Lotmaterial bedeckt wird, halbiert man die
Zahl der notwendigen Bedeckungsschritte. Es ist natürlich
auch möglich, jede Diamantschicht einseitig mit Lot
material zu bedecken oder bei beidseitiger Bedeckung auf
allen Diamantschichten weniger Bindemittel zu verwenden.
Außer der Kombination von freigelegten Diamantschichten 1
mit noch auf der Substratschicht 2 belassenen Diamant
schichten 1 können auch zusätzliche versteifende,
tragende, schlagzähe Material schichten verwendet werden.
Die erfindungsgemäßen Diamantkörper können durch Bohren,
Schleifen und/oder Polieren zu Werkzeugen der gewünschten
Form weiterverarbeitet werden. Beispielsweise kann eine
Durchgangsöffnung 3 nach Fig. 5 eingebracht werden.
Vor einer Weiterbearbeitung kann es vorteilhaft sein,
durch weitere CVD-Beschichtungsschritte die Oberfläche
eines aus einem Stapel bestehenden Grundkörpers mit einer
vollständig geschlossenen Diamantschicht zu überziehen.
Bei geeigneter Wahl der Beschichtungsparameter kann eine
Oberflächenmorphologie erreicht werden, die weitere Ober
flächenbearbeitungsschritte vereinfacht oder überflüssig
macht. Es ist bekannt, daß Diamantschichten, die mit hoher
Rate aus der Gasphase abgeschieden werden, in der Regel
eine sehr grobkristalline Struktur aufweisen. Bei
niedriger Abscheidungsrate wird dagegen sehr fein
kristallines Material erzeugt, wenn im Gas niedrigere
Konzentrationen an Kohlenstoff bei erniedrigter
Substrattemperatur vorgesehen werden. Ein solches Material
weist eine glatte, reibungsarme Oberfläche auf, die beim
grobkristallinem Material erst durch Nachbearbeitung zu
erhalten ist. Die Nachbeschichtung des erfindungsgemäß
hergestellten Grundkörpers mit einer solchen Schicht kann
daher dessen Nachbearbeitungszeit erheblich reduzieren
oder eine solche Behandlung überflüssig machen. Es ist
auch möglich, Werkzeugelemente, beispielsweise gemäß
Fig. 3 vorbearbeitete Diamantkörper, nach ihrer groben
Fertigstellung durch eine Nachbeschichtung zu vergüten
oder deren Abmessungen an geforderte Toleranzen an zu
passen. Weiterhin können bereits verschlissene Werkzeug
elemente durch Nachbeschichtung wieder nutzbar gemacht
werden. Eine Nachbeschichtung ist auch dann besonders
sinnvoll, wenn die im Diamantkörper eingebetteten Fremd
materialien wie Bindemittel oder Substratschichten an
Grenzflächen des Diamantkörpers an dessen Oberfläche
treten und dort unerwünscht sind. Eine Nachbeschichtung
versiegelt diese Stellen des Diamantkörpers mit einer
geschlossenen Diamantschicht.
Man kann Mehrfachdiamantwerkzeuge wie Ziehsteine 10
nach Fig. 4 herstellen, in welchen verschieden große
Bohrungen 6, 7, 8 und 9 eingebracht sind. Die dazu
erforderlichen großflächigen Diamantkörper können
erfindungsgemäß einfach hergestellt werden.
Eine Durchgangsöffnung 5 nach Fig. 3 kann in einen bereits
fertigen Stapel nach Fig. 3 nachträglich eingebracht
werden. Man kann jedoch die einzelnen Diamantschichten
auch vor der Fügung zu einem Stapel mit entsprechenden
Ausnehmungen versehen, welche nachträglich in vollflächig
abgeschiedene Diamantschichten eingearbeitet oder bereits
bei der Gasphasenabscheidung ausgespart werden können.
Claims (13)
1. Synthetischer Diamantkörper,
dadurch gekennzeichnet, daß er aus durch Gasphasen
abscheidung gebildeten Diamantschichten (1, 1′) besteht,
welche über Lötschichten (3) miteinander verbunden sind.
2. Diamantkörper nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Diamant
schichten (1, 1′) mit ihrer für die Gasabscheidung
dienenden Substratschicht (2) verbunden und mit weiteren
gleichartigen und/oder von der Substratschicht (2)
befreiten Diamantschichten (1, 1′) verlötet ist.
3. Diamantkörper nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lötschichten (3) karbid
bildende Zusätze enthalten.
4. Diamantkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß seine Oberfläche mindestens
teilweise aus einer Diamantbeschichtung besteht, die durch
Gasphasenabscheidung auf einem aus mehreren Diamant
schichten (1, 1′) gelöteten Grundkörper abgeschieden ist.
5. Diamantkörper nach einem der Ansprüche bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Durchgangs-
Öffnung (5 bis 9) eingebracht ist.
6. Verfahren zur Herstellung eines synthetischen
Diamantenkörpers,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Diamant
schichten (1, 1′) durch Gasphasenabscheidung hergestellt
werden, daß mindestens eine der in einem Stapel zu
verbindenden Flächen jeweils mit Lotmaterial beschichtet
wird, daß danach die Diamantschichten (1, 1′) gestapelt
und durch Erhitzen der Lotschichten (3) verbunden werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil der
Diamantschichten (1, 1′) vor der Verlötung mit weiteren
Schichten (1, 1′) vom Substratkörper (2) getrennt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens bei einer Diamant
schicht (1′) die vom Substrat (2) abgewandte Seite
geglättet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß jede Diamantschicht (1, 1′)
mit mindestens einer Ausnehmung versehen wird, und daß
danach die Diamantschichten (1, 1′) derart miteinander
verlötet werden, daß durch die einzelnen Ausnehmungen
Durchgangslöcher (5 bis 9) gebildet werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen bei der
Gasphasenabscheidung der Diamantschichten (1, 1′) herge
stellt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verlötung der Diamant
schichten (1, 1′) durch Erhitzen im Hochfrequenzfeld
(Wicklung 4) erfolgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verlötung durch Erhitzen
unter Schutzgas, insbesondere Argon, erfolgt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß die Verlötung unter Vakuum
erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914114658 DE4114658A1 (de) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Synthetischer diamantkoerper und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914114658 DE4114658A1 (de) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Synthetischer diamantkoerper und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4114658A1 true DE4114658A1 (de) | 1992-11-12 |
Family
ID=6431027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914114658 Withdrawn DE4114658A1 (de) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Synthetischer diamantkoerper und verfahren zu seiner herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4114658A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0674181A2 (de) * | 1994-03-24 | 1995-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
-
1991
- 1991-05-06 DE DE19914114658 patent/DE4114658A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0674181A2 (de) * | 1994-03-24 | 1995-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
EP0674181A3 (de) * | 1994-03-24 | 1997-02-05 | Sumitomo Electric Industries | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben. |
US5729074A (en) * | 1994-03-24 | 1998-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Micro mechanical component and production process thereof |
EP1271155A1 (de) * | 1994-03-24 | 2003-01-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Mikromechanische Struktur mit Diamantschicht und Herstellungsverfahren |
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