DE4028515C2 - Resists auf der Basis von oligomeren und/oder polymeren Polybenzoxazol-Vorstufen - Google Patents
Resists auf der Basis von oligomeren und/oder polymeren Polybenzoxazol-VorstufenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Resists auf der Basis von oligomeren
und/oder polymeren Polybenzoxazol-Vorstufen sowie Verfahren zur
Herstellung von Resiststrukturen aus derartigen Resists.
In hochtemperaturbeständigen Photoresists, die für eine kosten
günstige direkte Strukturierung organischer Isolierschichten
benötigt werden, dienen Hydroxypolyamide als lösliche Polybenz
oxazol-Vorstufen. Die aus den Hydroxypolyamiden erhaltenen Po
lybenzoxazole zeichnen sich durch eine hohe Temperaturbestän
digkeit, chemische Resistenz und eine geringe Wasseraufnahme
sowie durch hervorragende elektrische Eigenschaften aus. Die
Polybenzoxazole können als Ätzmasken, vor allem bei alkalischen
Ätzprozessen, und auch als organische Dielektrika in der Halb
leiterfertigung dienen.
Photostrukturierbare Polybenzoxazol-Vorstufen können sowohl in
Positiv- als auch in Negativresists Verwendung finden. Die Po
sitivresists enthalten dabei neben der Polymer-Vorstufe eine
photoaktive Komponente in Form von Diazochinon (siehe dazu:
EP-PS 0 023 662, EP-OS 0 291 779 und DE-OS 37 16 629), während
die Negativresists Polymer-Vorstufen mit vernetzbaren ungesät
tigten Gruppen aufweisen (siehe dazu: EP-PS 0 041 677) oder
eine photoaktive Komponente in Form eines Bisazids enthalten
(siehe dazu: deutsche Patentanmeldung Akt. Z. P 40 10 125.8).
Durch Belichtung mittels eines UV-Excimer-Lasers (Leistungs
dichte < 105 W/cm2 pro Puls) lassen sich Polybenzoxazol-Vorstu
fen - in Abhängigkeit von der Laserleistung bzw. der Energie
dichte - wahlweise als Positiv- oder als Negativresist struktu
rieren (siehe dazu: EP-OS 0 391 200).
Auf der Basis von Polybenzoxazol-Vorstufen stehen somit sowohl
Positiv- als auch Negativresists zur Verfügung. Diese Resist
systeme erfordern aber jeweils eine andere Chemie. Um beide Re
sisttypen zu realisieren, bedarf es nämlich völlig unterschied
licher Resistlösungen. Dadurch sind aber unterschiedliche Ver
fahren erforderlich und es müssen unterschiedliche Sicherheits
vorkehrungen eingehalten werden, was Fehler verursachen kann
und zudem unwirtschaftlich ist.
Die vorstehend genannten Probleme treten auch bei anderen Re
sistsystemen auf; dazu kommen aber noch weitere Schwierigkei
ten. So zeigen herkömmliche Negativresists auf Acrylatbasis -
aufgrund von Quellungsvorgängen beim Entwickeln - eine im Ver
gleich zu Positivresists verminderte Auflösungsqualität. Ferner
stellt sich noch folgendes Problem. Um den Einfluß von Masken
fehlern auf die Strukturierung möglichst niedrig zu halten,
werden bei bestimmten Strukturtypen, beispielsweise wenn wenige
Reliefstrukturen auf einer großen Fläche vorhanden sind, über
wiegend negativ arbeitende Resistsysteme eingesetzt. Wenn gro
ße Flächen abgedeckt werden sollen, die mit kleineren Löchern
versehen sind, wie dies beispielsweise bei Zwischenschicht-Di
elektrika in integrierten Schaltkreisen der Fall ist, sind da
gegen Positivresists besser geeignet. Es wäre nun von Vorteil,
wenn für beide Strukturierungsarten möglichst ähnliche Resist
typen verwendet werden könnten (Einsatz gleicher Lösungsmittel,
Entwickler usw.).
Bei hochauflösenden Resists wird zur Lösung von Problemen der
vorstehend genannten Art das sogenannte Image-Reversal-Verfah
ren eingesetzt, wobei ein- und derselbe Resist - je nach Vor
gehensweise - als Positiv- oder als Negativresist arbeitet
(siehe dazu: "Proc. SPIE", Vol. 469 (1984), Seiten 189 bis 193;
"Proc. SPIE", Vol. 539 (1985), Seiten 194 bis 218; "Semicond.
Intern.", September 1987, Seiten 164 bis 168; "Proc. SPIE",
Vol. 1086 (1989), Seiten 117 bis 128; "Proc. SPIE", Vol. 1086
(1989), Seiten 129 bis 137).
Das Image-Reversal-Verfahren arbeitet mit Positivresists auf
der Basis von Diazonaphthochinonen als photoaktive Komponente.
Dabei wird in einer basenkatalysierten Decarboxylierungsreak
tion ein in einem ersten Belichtungsschritt erzeugtes alkali
lösliches Indencarbonsäurederivat in den belichteten Bereichen
in ein hydrophobes Inden übergeführt. Anschließend erfolgt dann
eine Flutbelichtung der gesamten Resistschicht, wodurch die
photoaktive Komponente in den zunächst, d. h. beim ersten
Schritt, unbelichteten Bereichen in eine Indencarbonsäure über
geführt wird, und damit - im Gegensatz zu den Indenderivaten in
den zuerst belichteten Bereichen - in eine alkalilösliche Ver
bindung. Eine weitere Möglichkeit des Image-Reversal-Verfahrens
besteht in einer säurekatalysierten Vernetzungsreaktion mittels
eines hydroxymethylfunktionellen Phenols. Die katalytisch wir
kende Säure wird dabei photochemisch aus dem als photoaktive
Komponente dienenden Diazonaphthochinon erzeugt.
Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß sich das Image-
Reversal-Prinzip auch auf Resists auf Polybenzoxazolbasis über
tragen läßt.
Die Erfindung besteht somit in Resists auf der Basis von oligo
meren und/oder polymeren Polybenzoxazol-Vorstufen, die dadurch
gekennzeichnet sind, daß sie ein Diazonaphthochinon als photo
aktive Komponente sowie eine heterocyclische Stickstoffbase
oder ein hydroxymethylgruppenhaltiges Phenol enthalten, und daß
die Polybenzoxazol-Vorstufen Hydroxypolyamide folgender Struk
tur sind:
wobei R, R*, R1, R *|1 und R2 aromatische Gruppen sind
und bezüglich n1, n2 und n3 folgendes gilt:
n1 = 1 bis 100, n2 und n3 = 0 oder
n1 und n2 = 1 bis 100, n3 = 0 oder
n2 = 1 bis 100, n1 und n3 = 0 oder
n1, n2 und n3 = 1 bis 100 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1) oder
n1 und n3 = 1 bis 100, n2 = 0 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1),
mit der Maßgabe: n1 + n2 + n3 ≧ 3.
n1 = 1 bis 100, n2 und n3 = 0 oder
n1 und n2 = 1 bis 100, n3 = 0 oder
n2 = 1 bis 100, n1 und n3 = 0 oder
n1, n2 und n3 = 1 bis 100 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1) oder
n1 und n3 = 1 bis 100, n2 = 0 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1),
mit der Maßgabe: n1 + n2 + n3 ≧ 3.
Durch die Erfindung werden Resists bereitgestellt, mit denen
sich aus Polybenzoxazol-Vorstufen - nach dem Image-Reversal-
Verfahren - hochtemperaturstabile Resiststrukturen herstellen
lassen. Bei den erfindungsgemäßen Image-Reversal-Resists auf
der Basis von Polybenzoxazol-Vorstufen ergeben sich eine Reihe
von Vorteilen, wie Erfordernis lediglich einer Resistchemie
bzw. -technologie, Einstellbarkeit der Flanken und kein Auftre
ten von Quellung, wie dies bei konventionell arbeitenden Nega
tivresists der Fall ist.
Bei den erfindungsgemäßen Image-Reversal-Resists erfolgt der
Übergang vom Positiv- in den Negativresist entweder durch Zuga
be einer Base oder eines Vernetzers zum System Hydroxypolyamid/
Diazonaphthochinon; die Base ist dabei eine heterocyclische
Stickstoffverbindung, der Vernetzer ein hydroxymethylgruppen
haltiges Phenol. Als Base kann aber auch Ammoniak oder ein Amin
dienen, die man - nach der Belichtung, d. h. nach der Struktu
rierung - aus der Gasphase auf die Resistschicht einwirken
läßt. Bei der Auswahl der Base ist darauf zu achten, daß da
durch die photoaktive Komponente nicht nachteilig beeinflußt
wird, was zu einer Beeinträchtigung der Lagerstabilität von
Resistlösungen führen könnte.
Die Stickstoffbase ist vorzugsweise Imidazol, Pyridin oder Di
hydropyridin oder ein Derivat dieser Verbindungen, beispiels
weise 2-Methyl-1,2-di-(3'-pyridyl)-1-propanon und 1-Methyl-4-
(2'-nitrophenyl)-2,6-dimethyl-3,5-(carbethoxymethoxy)-1,2-di-
hydropyridin. Dihydropyridine stellen dabei "verkappte" Stick
stoffbasen dar, d. h. die eigentliche Base, nämlich das entspre
chende Pyridin, entsteht erst bei der Belichtung. Dies hat den
Vorteil, daß die Lagerstabilität des Resists verbessert ist.
Derartige Verbindungen sind beispielsweise in der
EP-OS 0 388 482 und in der DE-OS 40 07 236 beschrieben. Das Phenol
weist vorzugsweise wenigstens zwei Hydroxymethylgruppen auf;
eine derartige Verbindung ist beispielsweise Di-(hydroxyme
thyl)-kresol.
Die photoaktive Komponente ist im allgemeinen ein o-Naphthochi
nondiazid. Vorzugsweise werden Ester oder Amide der 6-Diazo-
5(6)-oxo-1-naphthalinsulfonsäure verwendet, insbesondere dient
dazu der Bisnaphthochinon-[1,2]-diazid-(2)-5-sulfonsäureester
von 2,2-Bis-(4-hydroxyphenyl)-propan, d. h. von Bisphenol A. Das
Masseverhältnis von Hydroxypolyamid zu Diazonaphthochinon be
trägt vorteilhaft zwischen 1 : 20 und 20 : 1, dasjenige von Diazo
naphthochinon zu Stickstoffbase bzw. Phenol vorteilhaft zwi
schen 1 : 10 und 10 : 1.
Für die Hydroxypolyamide gilt im allgemeinen folgendes.
R und R* können folgende Bedeutung haben:
R1 und R *|1 können folgende Bedeutung haben, wobei H-Atome auch
durch Cl oder Br substituiert sein können:
R2 kann folgende Bedeutung haben:
die aromatischen Reste können dabei auch Alkylsubstituenten
tragen.
Für m und X gilt dabei folgendes:
m = 0 oder 1, und
X bedeutet:
m = 0 oder 1, und
X bedeutet:
dabei gilt folgendes:
Z = Alkyl mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder Aryl, und
r = 2 bis 18.
Z = Alkyl mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder Aryl, und
r = 2 bis 18.
Für die Hydroxypolyamide dienen als Basismaterialien Polykon
densationsprodukte, und zwar
- - Co-Polykondensationsprodukte aus aromatischen Diaminodihydro xyverbindungen und aromatischen Dicarbonsäuren bzw. Dicarbon säurechloriden;
- - Homo-Polykondensationsprodukte aromatischer Aminohydroxycar bonsäuren;
- - Co-Polykondensationsprodukte aus aromatischen Diaminodihydro xyverbindungen, aromatischen Dicarbonsäuren bzw. Dicarbonsäu rechloriden und aromatischen Aminohydroxycarbonsäuren.
Vorzugsweise werden Hydroxypolyamide folgender Art eingesetzt:
- - Polykondensationsprodukte aus 3,3'-Dihydroxybenzidin und Iso phthalsäuredichlorid;
- - Polykondensationsprodukte aus 3,3'-Dihydroxybenzidin, 2,2- Bis-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan und Isophthalsäuredichlorid;
- - Polykondensationsprodukte von 3-Amino-4-hydroxybenzoesäure.
Als Diaminodihydroxyverbindungen können - neben 3,3'-Dihydroxy
benzidin (3,3'-Dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl) - auch Isomere
dieser Verbindung eingesetzt werden und auch andere hydroxyl
gruppenhaltige aromatische Diamine, wie 3,3'-Dihydroxy-4,4'-
diaminodiphenylether. Neben Isophthalsäuredichlorid kann - als
Dicarbonsäure - auch Isophthalsäure verwendet werden. Als Di
carbonsäure kann aber auch Terephthalsäure und als Dicarbonsäu
rederivat Terephthalsäuredichlorid dienen.
Zur Herstellung der Resiststrukturen nach der Erfindung kann in
zweierlei Weise vorgegangen werden. Zum einen kann ein erfin
dungsgemäßer Resist, der ein Hydroxypolyamid, ein Diazonaphtho
chinon und eine heterocyclische Stickstoffbase bzw. ein hydro
xymethylgruppenhaltiges Phenol enthält, in Form einer Schicht
oder Folie auf ein Substrat aufgebracht und mit aktinischem
Licht durch eine Maske belichtet oder durch Führen eines Licht-,
Elektronen- oder Ionenstrahls bestrahlt werden; nachfolgend
wird die Schicht bzw. Folie einer erhöhten Temperatur ausge
setzt und anschließend ganzflächig belichtet, und dann werden
die zunächst unbelichteten bzw. unbestrahlten Schicht- bzw.
Folienteile herausgelöst oder abgezogen und die dabei erhalte
nen Reliefstrukturen getempert.
Zum anderen kann ein Resist, der keine Stickstoffbase bzw. kein
Phenol enthält, in Form einer Schicht oder Folie auf ein Sub
strat aufgebracht und in entsprechender Weise belichtet bzw.
bestrahlt werden; nachfolgend wird die Schicht bzw. Folie mit
Ammoniak oder einem gasförmigen Amin behandelt und einer erhöh
ten Temperatur ausgesetzt und anschließend ganzflächig belich
tet, und dann werden die zunächst unbelichteten bzw. unbe
strahlten Schicht- bzw. Folienteile herausgelöst oder abgezogen
und die dabei erhaltenen Reliefstrukturen getempert. Als Amin
kommen dabei insbesondere Methylamin, Ethylamin und Dimethyl
amin in Frage. Die Behandlung mit Ammoniak bzw. Amin und die
Temperaturbehandlung können zusammen erfolgen oder getrennt,
d. h. nacheinander. Im letzteren Fall kann die Schicht bzw. Fo
lie bei der Behandlung mit Ammoniak bzw. Amin auch erwärmt wer
den.
Ein wichtiger Verfahrensschritt besteht somit darin, daß der
Resist - nach der ersten, d. h. bildmäßigen Belichtung bzw. Be
strahlung - einer Temperaturbehandlung unterworfen wird. Dieser
sogenannte Post-Exposure-Bake (PEB) erfolgt bei Temperaturen
über 100°C. Nach der Temperaturbehandlung wird der (struktu
rierte) Resist dann ganzflächig belichtet, d. h. es erfolgt eine
Flutbelichtung. Daran schließt sich der Entwicklungsvorgang
(mittels eines alkalischen Entwicklers) an. Bei der anschlie
ßenden Temperung, die bei Temperaturen zwischen 200 und 500°C
erfolgt, vorzugsweise zwischen 300 und 400°C, werden dann hoch
temperaturstabile Resiststrukturen erhalten.
Der Photoresist kann vorteilhaft in einem organischen Lösungs
mittel gelöst auf das Substrat aufgebracht werden. Als Lösungs
mittel wird dabei vorzugsweise N-Methylpyrrolidon verwendet.
Daneben können aber auch andere organische Lösungsmittel mit
ähnlichen Eigenschaften zum Einsatz gelangen, wie Dimethylform
amid und N,N-Dimethylacetamid, sowie Gemische der genannten Lö
sungsmittel.
Bei der Herstellung der Reliefstrukturen kann vorteilhaft ein
Haftvermittler und/oder ein Benetzungsmittel verwendet werden.
Haftvermittler bzw. Benetzungsmittel können dabei der Polymer
lösung zugesetzt werden, sie können aber auch - vor der Be
schichtung - auf das Substrat aufgebracht werden. Die Polymer
lösung wird vorzugsweise mittels Schleudertechnik sowie Tauch-
oder Sprühverfahren auf das Substrat aufgebracht. Daneben kön
nen aber auch andere Beschichtungsmethoden, wie Bürsten und
Rollen, angewendet werden. Das Substrat besteht vorzugsweise
aus Glas, aus Metall, insbesondere Aluminium, aus Kunststoff
oder aus einem halbleitenden Material.
Anhand von Ausführungsbeispielen soll die Erfindung noch näher
erläutert werden.
10 Masseteile einer Polybenzoxazol-Vorstufe, hergestellt durch
Polykondensation aus 3,3'-Dihydroxybenzidin, 2,2-Bis-(3-amino-
4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan und Isophthalsäu
redichlorid (siehe dazu: "Polym. Letters", Vol. 2 (1964), Sei
ten 655ff.), werden zusammen mit 2,5 Masseteilen einer photo
aktiven Komponente, hergestellt aus Bisphenol A und Diazonaph
thochinon-5-sulfonsäurechlorid, und 1,7 Masseteilen Imidazol in
34 Masseteilen N-Methylpyrrolidon gelöst. Die Lösung wird dann
durch ein 0,8 µm-Filter druckfiltriert und bei 3000 U/min auf
einen mit einem Aminosilan als Haftvermittler versehenen Sili
ciumwafer aufgeschleudert (Dauer: 20 s). Nach Trocknung im Um
luftofen (90°C, 10 min) wird belichtet (20 s, 42 mW/cm2) und
anschließend entwickelt (NMD-3, 0,35%); dabei wird ein positi
ves Reliefbild erhalten. Wird nach der Belichtung zunächst
nicht entwickelt, sondern für die Dauer von 0,5 bis 2 min im
Umluftofen bei 120°C ein Post-Exposure-Bake durchgeführt und
dann flutbelichtet (20 s, 42 mW/cm2), so erhält man - mit dem
gleichen Entwickler - negative Reliefstrukturen, welche durch
Tempern (350°C, N2) in hochtemperaturstabiles Polybenzoxazol
übergeführt werden können.
In einer Resistlösung aus Polybenzoxazol-Vorstufe, photoaktiver
Komponente und N-Methylpyrrolidon entsprechend Beispiel 1 wer
den 0,94 Masseteile 2-Methyl-1,2-di-(3'-pyridyl)-1-propanon ge
löst. Die Lösung wird dann durch ein 0,2 µm-Filter druckfil
triert und bei 3500 U/min auf einen Siliciumwafer aufgeschleu
dert (Dauer: 20 s). Nach der Trocknung wird 20 s belichtet
(4,1 mW/cm2 bei 365 nm), dann erfolgt ein Post-Exposure-Bake
(2,5 min bei 120°C). Anschließend wird flutbelichtet (20 s) und
dann entwickelt (NMD-3, 0,32%). Es werden feine negative Re
liefstrukturen erhalten, die durch Tempern bei 350°C in hoch
wärmebeständiges Polybenzoxazol übergeführt werden.
Eine Resistlösung aus Polybenzoxazol-Vorstufe, photoaktiver
Komponente und N-Methylpyrrolidon entsprechend Beispiel 1 wird
bei 3500 U/min auf einen Siliciumwafer aufgeschleudert (Dauer:
20 s), dann wird getrocknet und 20 s belichtet (4,1 mW/cm2 bei
365 nm). Anschließend erfolgt bei 120°C eine Behandlung mit
Ammoniak (25%ige wäßrige Lösung) für die Dauer von 2,5 min.
Nach der Flutbelichtung (20 s) wird entsprechend Beispiel 2
entwickelt und getempert; dabei ergeben sich hochaufgelöste
negative Reliefstrukturen.
In einer Resistlösung aus Polybenzoxazol-Vorstufe, photoaktiver
Komponente und N-Methylpyrrolidon entsprechend Beispiel 1 wer
den 0,7 Masseteile 1-Methyl-4-(2'-nitrophenyl)-2,6-dimethyl-
3,5-di-(carbethoxymethoxy)-1,2-dihydropyridin (siehe dazu: DE-
PS 19 23 990) gelöst. Die Lösung wird dann durch ein 0,2 µm-
Filter druckfiltriert und bei 2500 U/min auf einen mit einem
Haftvermittler vorbehandelten Siliciumwafer aufgeschleudert
(Dauer: 20 s); dann wird getrocknet (90°C, 10 min) und 30 s be
lichtet (4,1 mW/cm2 bei 365 nm). Anschließend erfolgt ein Post-
Exposure-Bake (130°C, Umluft, 2 min), dann wird 40 s flutbe
lichtet und nachfolgend 80 s entwickelt (AZ 400 K, 1 : 19 mit
Wasser verdünnt). Die Entwicklung wird mit Wasser abgestoppt,
dann wird getrocknet und bei 350°C getempert. Es werden hoch
aufgelöste Reliefstrukturen erhalten.
In einer Resistlösung aus Polybenzoxazol-Vorstufe, photoaktiver
Komponente und N-Methylpyrrolidon entsprechend Beispiel 1 wer
den 0,94 Masseteile 2,6-Di-(hydroxymethyl)-kresol gelöst. Die
Lösung wird dann durch ein 0,2 mm-Filter druckfiltriert und bei
3500 U/min auf einen Siliciumwafer aufgeschleudert (Dauer:
20 s). Nach der Trocknung wird 20 s belichtet (4,1 mW/cm2 bei
365 nm), dann erfolgt ein Post-Exposure-Bake (2,5 min bei
120°C). Anschließend wird flutbelichtet (20 s) und dann ent
sprechend Beispiel 2 entwickelt und getempert. Es werden hoch
temperaturbeständige Reliefstrukturen erhalten.
Claims (7)
1. Resists auf der Basis von oligomeren und/oder polymeren
Polybenzoxazol-Vorstufen, dadurch gekenn
zeichnet, daß sie ein Diazonaphthochinon als photo
aktive Komponente sowie eine heterocyclische Stickstoffbase
oder ein hydroxymethylgruppenhaltiges Phenol enthalten, und daß
die Polybenzoxazol-Vorstufen Hydroxypolyamide folgender Struk
tur sind:
wobei R, R*, R1, R *|1 und R2 aromatische Gruppen sind und bezüglich n1, n2 und n3 folgendes gilt:
n1 = 1 bis 100, n2 und n3 = 0 oder
n1 und n2 = 1 bis 100, n3 = 0 oder
n2 = 1 bis 100, n1 und n3 = 0 oder
n1, n2 und n3 = 1 bis 100 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1) oder
n1 und n3 = 1 bis 100, n2 = 0 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1),
mit der Maßgabe: n1 + n2 + n3 ≧ 3.
wobei R, R*, R1, R *|1 und R2 aromatische Gruppen sind und bezüglich n1, n2 und n3 folgendes gilt:
n1 = 1 bis 100, n2 und n3 = 0 oder
n1 und n2 = 1 bis 100, n3 = 0 oder
n2 = 1 bis 100, n1 und n3 = 0 oder
n1, n2 und n3 = 1 bis 100 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1) oder
n1 und n3 = 1 bis 100, n2 = 0 (mit R ≠ R* und/oder R1 ≠ R *|1),
mit der Maßgabe: n1 + n2 + n3 ≧ 3.
2. Resists nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Stickstoffbase Imidazol, Pyridin
oder Dihydropyridin ist oder ein Derivat dieser Verbindungen.
3. Resists nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Phenol wenigstens zwei Hydroxy
methylgruppen aufweist.
4. Resists nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Masseverhältnis von
Hydroxypolyamid zu Diazonaphthochinon zwischen 1 : 20 und 20 : 1
beträgt.
5. Resists nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Masse
verhältnis von Diazonaphthochinon zu Stickstoffbase bzw. Phenol
zwischen 1 : 10 und 10 : 1 beträgt.
6. Verfahren zur Herstellung von Resiststrukturen, da
durch gekennzeichnet, daß ein Resist nach
einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5 in Form einer Schicht
oder Folie auf ein Substrat aufgebracht und mit aktinischem
Licht durch eine Maske belichtet oder durch Führen eines Licht-,
Elektronen- oder Ionenstrahls bestrahlt wird, daß die Schicht
bzw. Folie nachfolgend einer erhöhten Temperatur ausgesetzt und
anschließend ganzflächig belichtet wird, und daß dann die zu
nächst unbelichteten bzw. unbestrahlten Schicht- bzw. Folien
teile herausgelöst oder abgezogen und die dabei erhaltenen Re
liefstrukturen getempert werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Resist in einem organischen
Lösungsmittel gelöst auf das Substrat aufgebracht wird.
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DE19904028515 DE4028515C2 (de) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | Resists auf der Basis von oligomeren und/oder polymeren Polybenzoxazol-Vorstufen |
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Publications (2)
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- 1990-09-07 DE DE19904028515 patent/DE4028515C2/de not_active Expired - Lifetime
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DE4028515A1 (de) | 1992-03-12 |
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