DE4013181A1 - Hochfrequenzoszillator - Google Patents
HochfrequenzoszillatorInfo
- Publication number
- DE4013181A1 DE4013181A1 DE4013181A DE4013181A DE4013181A1 DE 4013181 A1 DE4013181 A1 DE 4013181A1 DE 4013181 A DE4013181 A DE 4013181A DE 4013181 A DE4013181 A DE 4013181A DE 4013181 A1 DE4013181 A1 DE 4013181A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- frequency oscillator
- frequency
- oscillator according
- active elements
- oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0658—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D9/0666—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B1/00—Details
- H03B1/02—Structural details of power oscillators, e.g. for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B1/00—Details
- H03B1/04—Reducing undesired oscillations, e.g. harmonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1218—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the generator being of the balanced type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenzoszillator um
fassend zwei identisch aufgebaute Einzeloszillatoren
mit jeweils einem rückgekoppelten, durch die Wahl des
Arbeitspunktes im nichtlinearen Bereich betriebenen ak
tiven Element, insbesondere Transistor zur Erzeugung
höherer harmonischer Schwingungen bei den Frequenzen
n×fo/2.
Zur Erzeugung von Mikrowellensendeleistung im Frequenz
bereich oberhalb von 20 GHz wird häufig das sog. Ver
dopplerprinzip angewandt, bei dem der Hochfrequenzos
zillator bei der halben gewünschten Arbeitsfrequenz
entworfen wird. Der Arbeitspunkt des Hochfrequenzoszil
lators wird dabei so festgelegt, daß ein hoher Anteil
harmonischer Schwingungen erzeugt wird. Durch geeignete
Filterung gelangt nur die gewünschte Arbeitsfrequenz,
nämlich die erste harmonische Schwingung zum Ausgang.
Eine spezielle Variante des Verdoppleroszillators
stellt der sog. Push-Push-Oszillator dar, der aus zwei
bei fo/2 im Gegentakt betriebenen Einzeloszillatoren
besteht.
Ein derartiger Hochfrequenzoszillator in Gegentakt
schaltung ist bereits aus der DE-AS 23 34 570 bekannt.
Der prinzipielle Aufbau sowie die Funktionsweise des
bekannten Hochfrequenzoszillators soll anhand der Fig.
1 erläutert werden. Der in Fig. 1 dargestellte Hochfre
quenzoszillator ist mit zwei npn-Transistoren 1 und 2
symmetrisch aufgebaut, deren Kollektoren an Erdpoten
tial liegen. Zwischen den Basen der Transistoren 1 und
2 liegt die Reihenschaltung je eines, vorzugsweise ein
stellbaren Kondensators 3 bzw. 4 und einer Induktivität
5 bzw. 6, mit deren Hilfe der Hochfrequenzoszillator
auf die Grundschwingung abgestimmt wird. Der Symmetrie
punkt M der Reihenimpedanz 3, 4, 5 und 6 liegt für die
Grundschwingungen auf Erdpotential. An den Symmetrie
punkt M ist ein Belastungswiderstand 7 für die Ober
schwingungen angeschlossen.
Zwischen Emitter und Kollektor der Transistoren 1 und 2
liegen Kondensatoren 9 bzw. 10, mit denen die Rückkopp
lung dieser Transistoren eingestellt ist. Für die Rück
kopplung und die Abstimmung sind noch innere Kapazitä
ten und Streukapazitäten wirksam, die in das gesamte
Netzwerk eingehen und im einzelnen nicht näher angege
ben sind. Weiter sind noch Belastungen (Dämpfungen) für
die Grundschwingung wirksam, die jedoch möglichst ge
ring gehalten werden sollen, um eine starke Aussteue
rung und damit eine entsprechend hohe Oberschwingungs
ausbeute zu ermöglichen.
Da der Wirkungsgrad des bekannten Oszillators sehr
stark von der phasenrichtigen Kopplung der Einzeloszil
latoren abhängt, ist es zur Erzielung eines hohen Wir
kungsgrades erforderlich, daß die Phase der Einzelos
zillatoren in Relation zur Phasenlage einer Bezugs
schwingung geregelt wird, was einen hohen schaltungs
technischen Aufwand erfordert. Ein weiterer Nachteil
des bekannten Hochfrequenzoszillators ist die unzurei
chende Grundwellenunterdrückung. Ferner sind bei dem
bekannten Hochfrequenzoszillator die Ausgänge der Teil
oszillatoren nur unzureichend entkoppelt. Schließlich
weist der bekannte Hochfrequenzoszillator ein kriti
sches Temperaturverhalten auf.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Hochfrequenz
oszillator eingangs genannter Art anzugeben, der sich
durch einen hohen Wirkungsgrad und damit eine hohe Aus
gangsleistung bei einfachem Aufbau auszeichnet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen
zwischen den Eingängen der aktiven Elemente angeordne
ten Koppelresonanzkreis zur gegenseitigen Synchronisa
tion und Stabilisierung bei der Frequenz fo/2 und durch
einen zwischen den Ausgängen der Einzeloszillatoren an
geordneten Leistungskombinierer zur Leistungsaddition
bei der gewünschten Frequenz fo und zur Leistungsunter
drückung bei der Frequenz fo/2
Durch den Koppelresonanzkreis wird eine stets phasen
richtige Kopplung der Einzeloszillatoren erreicht.
Durch den Leistungskombinierer wird ferner eine gute
Grundwellenunterdrückung sowie eine gute Entkopplung
der Ausgänge der Einzeloszillatoren erreicht. Die
phasenrichtige Kopplung der Einzeloszillatoren einer
seits und die gute Grundwellenunterdrückung sowie die
gute Entkopplung der Ausgänge der Einzeloszillatoren
andererseits bewirken einen guten Wirkungsgrad und da
mit eine hohe Ausgangsleistung des Hochfrequenzoszilla
tors.
Als Koppelresonanzkreis ist vorzugsweise ein dielek
trischer Resonator vorgesehen.
Alternativ dazu kann als Koppelresonanzkreis auch ein
Hohlraumresonator vorgesehen werden.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemä
ßen Hochfrequenzoszillators ist an den Eingängen der
aktiven Elemente jeweils ein bei Schwingungen mit den
Frequenzen n×fo wirksames Sperrfilter vorgesehen.
Durch diese Sperrfilter an den Eingängen der aktiven
Elemente wird eine Erhöhung der Ausgangsleistung des
Hochfrequenzoszillators bei der gewünschten Frequenz fo
erreicht.
Ferner ist bei einer Weiterbildung des erfindungsgemä
ßen Hochfrequenzoszillators an den Ausgängen der akti
ven Elemente jeweils ein bei Schwingungen mit den Fre
quenzen (2n-1)×fo/2 wirksames Sperrfilter vorgese
hen. Durch dieses Sperrfilter an den Ausgängen der ak
tiven Elemente wird eine Unterdrückung von Schwingungen
mit den Frequenzen (2n-1)×fo/2 erreicht. Ferner wird
durch die Reflexion der Grundwelle zurück in die akti
ven Elemente bei den Einzeloszillatoren eine Steigerung
des nichtlinearen Effekts erreicht. Schließlich wird
durch dieses Sperrfilter der erfindungsgemäße Hochfre
quenzoszillator unkritischer bezüglich der Einhaltung
der Phasenlage beider Einzeloszillatoren zueinander.
Dies hat zur Folge, daß sich im Leistungskombinierer
die Schwingungen mit den Frequenzen (2n-1)×fo/2 na
hezu vollständig auslöschen.
Nach einer weiteren Fortbildung des erfindungsgemäßen
Hochfrequenzoszillators ist am Ausgang des Leistungs
kombinierers ein bei Schwingungen mit den Frequenzen
(2n-1)×fo/2 wirksames Sperrfilter vorgesehen. Durch
dieses Sperrfilter am Ausgang des Leistungskombinierers
wird eine weitere Unterdrückung und Reflexion der
Grundschwingung der Einzeloszillatoren erreicht.
Gemäß einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Hoch
frequenzoszillators ist an den Eingängen der aktiven
Elemente jeweils ein breitbandiger Abschluß vorgesehen.
Diese breitbandigen Abschlüsse an den Eingängen der ak
tiven Elemente sind vorzugsweise jeweils durch einen
Spiralabsorber realisiert. Ein derartiger Spiralabsor
ber besteht üblicherweise aus einem langen transformie
renden, verlustbehafteten elektrischen Leitungsstück.
Durch diese breitbandigen Abschlüsse an den Eingängen
der aktiven Elemente wird die ohnehin schon vorhandene
stabilisierende Wirkung des Koppelresonanzkreises zu
sätzlich noch unterstützt. Ferner tragen diese breit
bandigen Abschlüsse zum guten Temperaturverhalten des
erfindungsgemäßen Hochfrequenzoszillators bei.
Nach einer weiteren Ausbildung des erfindungsgemäßen
Hochfreuqenzoszillators werden die aktiven Elemente zu
sätzlich noch als Mischer und Mischverstärker genutzt.
Wenn in diesem Falle an das Spannungsversorgungsnetz
werk der aktiven Elemente gemäß einer Weiterbildung des
erfindungsgemäßen Hochfrequenzoszillators noch ein Fil
ternetzwerk angekoppelt ist, dann können mit Hilfe die
ses Filternetzwerkes die gewünschten Mischprodukte ab
gegriffen werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausfüh
rungsbeispieles näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 das bereits erörterte Prinzipschaltbild eines
bekannten im Gegentaktbetrieb arbeitenden
Oberschwingungsoszillators und
Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in
schematischer Darstellung.
Der in Fig. 1 dargestellte Hochfrequenzoszillator nach
dem Stand der Technik wurde bereits vorstehend näher
erläutert.
Der in Fig. 2 in schematischer Darstellung gezeigte er
findungsgemäße Hochfrequenzoszillator umfaßt zwei iden
tisch aufgebaute Einzeloszillatoren, nämlich den Tei
loszillator 1 und den Teiloszillator 2, welche in der
Fig. 2 insgesamt mit dem Bezugszeichen 11 bzw. dem Be
zugszeichen 12 bezeichnet sind. Da die heiden Einzelos
zillatoren 11 und 12 identisch aufgebaut sind, werden
der Einfachheit halber gleiche Teile mit der gleichen
Bezugszeichennummer versehen. Zur Unterscheidung der
Bestandteile des mit 12 bezeichneten Teiloszillators 2
von dem mit 11 bezeichneten Teiloszillator 1 sind die
Bestandteile des Teiloszillators 2 zusätzlich mit einem
Strich versehen.
Der Einzeloszillator 11 umfaßt als wesentliches Bauteil
ein aktives Element 13, das vorzugsweise durch einen
Transistor realisiert ist. Das aktive Element 13 ist
zur Sicherstellung der Schwingbedingung bei der Fre
quenz fo/2 mit einem Rückkopplungsnetzwerk 14 versehen.
Am Eingang 15 des aktiven Elementes 13 ist ein bei
Schwingungen mit den Frequenzen n×f0 wirksames Sperr
filter 16 vorgesehen. Das aktive Element 13 ist ein
gangsseitig mit einem Breitbandabschluß 17 versehen.
Dieser Breitbandabschluß 17 ist durch einen Spiralab
sorber realisiert, der aus einem langen transformieren
den, verlustbehafteten Leitungsstück besteht. Am Aus
gang 18 des aktiven Elementes 13 ist ein bei Schwingun
gen mit den Frequenzen (2n-1)×fo/2 wirksames Sperr
filter 19 vorgesehen. Durch dieses Sperrfilter 19 wer
den Schwingungen mit den Frequenzen (2n-1)×fo/2 un
terdrückt. Ferner dient das Sperrfilter 19 durch Refle
xion der Grundwelle zurück ins aktive Element 13 zur
Steigerung des nichtlinearen Effekts des Einzeloszilla
tors 11. Der Einzeloszillator 11 (Teiloszillator 1) ist
ausgangsseitig über einen Leistungskombinierer 20 mit
dem Einzeloszillator 12 (Teiloszillator 2) gekoppelt,
der, wie bereits eingangs erwähnt, identisch aufgebaut
ist wie der Einzeloszillator 11. Für die einzelnen Bau
teile des Einzeloszillators 12 wurde daher dieselbe Nu
merierung gewählt wie beim Einzeloszillator 11. Zur Un
terscheidung sind die Nummern der Einzelbestandteile
des Einzeloszillators 12 lediglich zusätzlich mit einem
Strich versehen.
Mit Hilfe des Leistungskombinierers 20 werden die Aus
gänge 18 und 18′ der aktiven Elemente 13 und 13′ unter
Zwischenschaltung der Sperrfilter 19 und 19′ zur Lei
stungsaddition bei der Frequenz fo bei Unterdrückung
der Schwingung bei der Frequenz fo/2 zusammengeführt.
Der Ausgang 21 des Leistungskombinierers 20 ist mit ei
nem bei Schwingungen mit den Frequenzen (2n-1)×fo/2
wirksamen Sperrfilter 22 verbunden. Durch dieses Sperr
filter 22 am Ausgang 21 des Leistungskombinierers 20
wird die Schwingung bei der Frequenz fo/2, also die
Grundschwingung der Einzeloszillatoren 11 und 12 zu
sätzlich unterdrückt.
Eingangsseitig sind die aktiven Elemente 13 und 13′ der
Einzeloszillatoren 11 und 12 mit Hilfe eines Koppelre
sonanzkreises zur gegenseitigen Synchronisierung der
Einzeloszillatoren 11 und 12 bei der Frequenz fo/2 ge
koppelt. Die stabilisierende Wirkung des Koppelreso
nanzkreises 23 wird durch die Breitbandabschlüsse 17
und 17′ der aktiven Elemente 13 und 13′ unterstützt.
Ferner verbessern die Breitbandabschlüsse 17 und 17′
die Temperaturstabilisierung der Ausgangsfrequenz fo
des Hochfrequenzoszillators.
Wenn die aktiven Elemente 13 und 13′ zusätzlich als Mi
scher und Mischverstärker genutzt werden, dann dient
das zwischen den aktiven Elementen 13 und 13′ angeord
nete Filternetzwerk 24 zum Abgriff der gewünschten
Mischprodukte.
Wie bereits eingangs erwähnt, zeichnet sich der in Fig.
2 schematisch dargestellte erfindungsgemäße Hochfre
quenzoszillator gegenüber dem bekannten, beispielsweise
in Fig. 1 dargestellten Hochfrequenzoszillator durch
eine erhöhte Ausgangsleistung, durch eine verbesserte
Oberwellenunterdrückung, durch einen aus den beiden
vorstehend genannten Merkmalen hervorgehenden verbes
serten Wirkungsgrad sowie durch ein verbessertes
Temperaturverhalten aus.
Claims (11)
1. Hochfrequenzoszillator umfassend zwei identisch
aufgebaute Einzeloszillatoren mit jeweils einem
ruckgekoppelten, durch die Wahl des Arbeitspunktes
im nichtlinearen Bereich betriebenen aktiven Ele
ment, insbesondere Transistor zur Erzeugung höhe
rer harmonischer Schwingungen bei den Frequenzen
n×fo/2, gekennzeichnet durch einen zwischen den Ein
gängen (15, 15′) der aktiven Elemente (13, 13′)
angeordneten Koppelresonanzkreis (23) zur gegen
seitigen Synchronisation und Stabilisierung bei
der Frequenz fo/2 und durch einen zwischen den
Ausgängen (18, 18′) der Einzeloszillatoren (11,
12) angeordneten Leistungskombinierer (20) zur
Leistungsaddition bei der gewünschten Frequenz fo
und zur Leistungsunterdrückung bei der Frequenz
fo/2.
2. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß als Koppelresonanzkreis (23)
ein dielektrischer Resonator vorgesehen ist.
3. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß als Koppelresonanzkreis (23)
ein Hohlraumresonator vorgesehen ist.
4. Hochfrequenzoszillator nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den
Eingängen (15, 15′) der aktiven Elemente (13, 13′)
jeweils ein bei Schwingungen mit den Frequenzen
n×fo wirksames Sperrfilter (16, 16′) vorgesehen
ist.
5. Hochfrequenzoszillator nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den
Ausgängen (18, 18′) der aktiven Elemente (13, 13′)
jeweils ein bei Schwingungen mit den Frequenzen
(2n-1)×fo/2 wirksames Sperrfilter (19, 19′)
vorgesehen ist.
6. Hochfrequenzoszillator nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß am Aus
gang (21) des Leistungskombinierers (20) ein bei
Schwingungen mit den Frequenzen (2n-1)×fo/2
wirksames Sperrfilter vorgesehen ist.
7. Hochfrequenzoszillator nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den
Eingängen (15, 15′) der aktiven Elemente (13, 13′)
jeweils ein breitbandiger Abschluß (17, 17′) vor
gesehen ist.
8. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die breitbandigen Abschlüsse
(17, 17′) jeweils durch einen Spiralabsorber re
alisiert sind.
9. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Spiralabsorber (17, 17′)
jeweils aus einem langen transformierenden,
verlustbehafteten elektrischen Leitungsstück be
stehen.
10. Hochfrequenzoszillator nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die ak
tiven Elemente (13, 13′) auch als Mischer und
Mischverstärker dienen.
11. Hochfrequenzoszillator nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an das
Spannungsversorgungsnetzwerk der aktiven Elemente
(13, 13′) ein Filternetzwerk (24) zum Abgriff der
gewünschten Mischprodukte angekoppelt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4013181A DE4013181A1 (de) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Hochfrequenzoszillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4013181A DE4013181A1 (de) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Hochfrequenzoszillator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4013181A1 true DE4013181A1 (de) | 1991-10-31 |
Family
ID=6405059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4013181A Withdrawn DE4013181A1 (de) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | Hochfrequenzoszillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4013181A1 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2533459B2 (de) * | 1974-07-26 | 1977-05-26 | Lignes Telegraphiques Et Telephoniques, Paris | Integrierbare mikrowellenschaltung |
DE3136348A1 (de) * | 1981-09-14 | 1983-03-24 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Mikrowellen-oszillator in gegentaktschaltung |
EP0247749A2 (de) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Push-Push-Oszillator mit dielektrischem Resonator |
DE3709356A1 (de) * | 1987-03-21 | 1988-09-29 | Philips Patentverwaltung | Mikrowellen-oszillator |
-
1990
- 1990-04-25 DE DE4013181A patent/DE4013181A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2533459B2 (de) * | 1974-07-26 | 1977-05-26 | Lignes Telegraphiques Et Telephoniques, Paris | Integrierbare mikrowellenschaltung |
DE3136348A1 (de) * | 1981-09-14 | 1983-03-24 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Mikrowellen-oszillator in gegentaktschaltung |
EP0247749A2 (de) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Push-Push-Oszillator mit dielektrischem Resonator |
DE3709356A1 (de) * | 1987-03-21 | 1988-09-29 | Philips Patentverwaltung | Mikrowellen-oszillator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0408983B1 (de) | Frequenzsynthesizer | |
DE19540198B4 (de) | Frequenzsynthesizer | |
DE69031738T2 (de) | Spannungsgesteuerter Oszillator | |
DE2915134C2 (de) | ||
DE102007023795A1 (de) | Oszillator zum Erzeugen von unterschiedlichen Schwingungen | |
DE2040436A1 (de) | Phasenkohaerenter und amplitudenstabiler Frequenzverschiebungsoszillator | |
DE19630335C2 (de) | Phasensynchronisierter Oszillator für die Mikrowellen/Millimeterwellen-Bereiche | |
DE19720408C2 (de) | Verstärker und damit ausgerüsteter transportabler Telefonapparat | |
DE69823415T2 (de) | Schaltungsanordnung zum Vermeiden von parasitären Oszillatorbetriebszuständen in einer Oszillatorschaltung | |
EP0761038B1 (de) | Frequenzveränderbare oszillatoranordnung | |
EP0125586B1 (de) | Oszillatorschaltung für Fernsehempfangsgeräte | |
AT391231B (de) | Uhf-rueckkopplungsoszillator | |
DE2439531A1 (de) | Rauscharmer hf-signalgenerator | |
DE69227546T2 (de) | Phasengeregelter Oszillator | |
DE69906456T2 (de) | Push-push Oszillator | |
DE4013181A1 (de) | Hochfrequenzoszillator | |
DE60031683T2 (de) | Phasenregelschleife und spannungsgesteuerter Oszillator für eine Phasenregelschleife | |
DE2805254A1 (de) | Anordnung zum stabilisieren eines mikrowellenoszillators | |
DE102011002725A1 (de) | Hochfrequenzoszillator der zweiten Harmonischen | |
DE1591263B2 (de) | Ueberlagerungsempfaenger | |
DE2041470C3 (de) | Überlagerungseinrichtung für sehr kurze elektromagnetische Wellen | |
DE693362C (de) | Abgeschirmtes Ultrakurzwellen-UEberlagerungs-Vorsatzgeraet | |
DE69904560T2 (de) | Sender | |
EP0014387B1 (de) | Frequenzsteuerbarer Quarzoszillator mit grossem Ziehbereich | |
DE3730692C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |