DE4010255A1 - Kondensator - Google Patents
KondensatorInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine verbesserte Kondensatoranord
nung des Typs, bei dem eine Gruppe kapazitiver Schichten vorge
sehen ist, von denen jede ein dielektrisches Substrat und einen
metallisierten Bereich auf einer Fläche des dielektrischen Sub
strats aufweist und die so angeordnet sind, daß die metallisierten
Bereiche aufeinanderfolgender Schichten sich zu entgegengesetzten
Kanten der Kondensatoranordnung erstrecken, wobei gegenüberlie
gende Massen leitfähigen Materials vorgesehen sind, von denen
jede eine Kante der kapazitiven Anordnung bedeckt und eine elek
trische Verbindung der metallisierten Bereiche an der gleichen
Kante bewerkstelligt. Eine kapazitive Wirkung entsteht, wo die
metallisierten Bereiche übereinanderliegen.
Kondensatoren der genannten Art sind etwa in den US-Paten
ten 44 62 062, 44 48 340 und 45 31 268 offenbart. Diese
Patente beschreiben, daß derartige Kondensatoren vorzugs
weise so hergestellt werden, daß zwei Bahnen eines poly
meren Films, von denen jede ein dielektrisches Substrat
bildet, übereinanderliegend auf eine Trommel gewickelt
werden. Jede Bahn hat eine metallische Beschichtung auf
der oberen Fläche mit Ausnahme eines schmalen nicht me
tallischen Bereichs, der durch Laser angerissen werden
kann und der die metallische Beschichtung in einen ver
hältnismäßig breiten metallisierten Bereich, der sich zu
und entlang einer Kante erstreckt, und einen verhältnis
mäßig schmalen metallischen Streifen, der sich entlang und
bis zur anderen Kante erstreckt, unterteilt. Die Bahnen
sind von gleicher Breite und seitlich versetzt zueinander
derart, daß aufeinanderfolgende Bänder seitlich versetzte
Kanten aufweisen in bezug zu übrigen Schichten, wenn die
Bahnen in parallele Bänder gleicher Breite aufgeschnitten
werden, bevor sie auf die Trommel gewickelt werden. Die
sich daraus ergebende Anordnung, die als "Seil" bezeichnet
wird, weil sie die Tendenz hat, wenig steif zu sein, wird
bei erhöhter Temperatur zusammengepreßt, um eine starrere
Struktur zu bilden, die als "Stab" bezeichnet wird. Eine
leitfähige metallische Masse, die typischerweise von auf
einanderfolgenden Schichten gebildet ist, zum Beispiel
einer inneren Schicht aus Aluminium, die durch Sprühen
aufgebracht ist, einer mittleren Kupferschicht, die durch
Sprühen aufgebracht ist und einer äußeren Schicht aus
eutektischem Zinn und Bleilot, das im Tauchverfahren auf
gebracht ist, bedeckt jede Kante des überdeckenden Bandes,
um einen elektrischen Kontakt zu und zwischen den metalli
sierten Bereichen herzustellen, die sich zu und entlang
der Kante erstrecken. Der Stab wird in diskrete Konden
satoren zersägt. Bei jedem Kondensator dienen die leit
fähigen metallischen Massen als Elektroden, und die kapa
zitive Wirkung wird dort bewirkt, wo relativ ausgedehnte
metallische Bereiche sukzessiver Schichten übereinander
liegen. Als weiterer technologischer Hintergrund mögen die
US-Patente 36 70 378 und 42 29 865 dienen, die weitere
Beispiele von Kondensatoren des oben beschriebenen Typs
offenbaren.
Obwohl Kondensatoren des erwähnten Typs sich bei vielen
Anwendungen bewährt haben, kann eine Riß- oder Spaltbildung
während der Herstellung und der nachfolgenden Einsätze
eintreten, insbesondere wenn sie mehr als 2,5 mm dick sind.
Die Spaltbildung führt zu einer unerwünschten Variabilität
in der Kapazität. Üblicherweise äußert sich diese Spalt
bildung in einer mikro- oder makroskopischen Trennung zwi
schen zwei Schichten des Kondensators. Üblicherweise tritt
diese Trennung zwischen zwei mittleren Schichten des Kon
densators auf an einem oder an beiden Sägeenden, wodurch
ein unerwünschter Hohlraum entsteht, in dem sich ionische
Verunreinigungen oder andere leitfähige Verunreinigungen
ansammeln können, welche den dielektrischen Widerstand des
Kondensators verringern. Ferner können einige Schichten
der kapazitiven Anordnung entlang einer Bruchlinie brechen,
die üblicherweise allgemein senkrecht zur Trennung ver
läuft, wodurch die Kapazität des Kondensators unkontrol
liert verringert wird. Obwohl nicht beabsichtigt ist, hier
auf irgendeine Theorie einzugehen, wird angenommen, daß
die Spaltbildung eintritt, weil gegenüberliegende Kanten
entsprechender Schichten eines metallisierten polymeren
Films in den leitfähigen metallischen, den elektrischen
Kontakt herstellenden Massen festgehalten sind, wenn die
Kondensatoranordnungen thermischen Schwankungen ausgesetzt
sind, wie nachfolgend erläutert werden soll.
Zum Zwecke der thermischen Normalisierung werden die Kon
densatoren auf etwa 215°C erwärmt und dann gekühlt. Die
Spaltbildung (wenn sie eintritt) wird beobachtet, wenn die
einzelnen Kondensatoren abkühlen. Typischerweise sind die
inneren Schichten der metallischen Massen, wie oben er
wähnt, aus Aluminium, das sich mit einer Rate von ungefähr
25×10-6 cm/cm/°C ausdehnt. Typischerweise ist der poly
mere Film ein Polyesterfilm, zum Beispiel ein Polyethylen
terephthalatfilm, der sich ungefähr mit einer Rate von
17×10-6 cm/cm/°C ausdehnt. Aluminium hat eine thermische Leit
fähigkeit von ungefähr 2,37 Watt/cm/°C, während dazu ver
glichen ein Polyethylenterephthalatfilm eine thermische
Leitfähigkeit von ungefähr 1,54×10-3 Watt/cm/°C aufweist.
Somit hat jeder der elektrischen Kontakte eine höhere
thermische Leitfähigkeit und dehnt sich mit einer höheren
Rate aus im Vergleich zu den Schichten aus einem metalli
sierten polymeren Film. Dementsprechend haben die elek
trischen Kontakte die Neigung, die Schichten aus dem
metallisierten polymeren Film zu trennen, bevor diese
Schichten sich ausdehnen. Während der Abkühlung tendieren
die elektrischen Kontakte dazu, sich zusammenzuziehen,
während die Schichten aus metallisiertem polymerem Film
ausgedehnt bleiben. Die äußeren Schichten des metallisier
ten polymeren Films kühlen eher ab als die inneren Schich
ten, wodurch die äußeren Schichten eine starre Struktur
bilden, an die sich die inneren Schichten anpassen, wenn
diese abkühlen. Da die oberen äußeren Schichten aus metal
lisiertem polymerem Film und die unteren äußeren Schichten
aus metallisiertem polymerem Film mit der Verbindung mit
den inneren Schichten aus metallisiertem polymerem Film
konkurrieren, besteht die Neigung, sich voneinander zu
trennen, und so einen Riß zu bilden.
Ein Polyesterfilm, wie zum Beispiel ein Polyethylente
rephthalatfilm, ist teilweise kristallin und neigt dazu,
fortgesetzt zu kristallisieren bei jeder Temperaturschwan
kung. Wenn ein Film weiter kristallisiert, neigt der Film
dazu zu schrumpfen. Eine derartige Schrumpfung schreitet
von den äußeren Schichten zu den inneren und trägt zur
Spaltbildung bei, wie oben diskutiert.
Zu den Spaltbildungen scheint auch die thermische Expansion
von Gasen beizutragen, die an den metallisierten Flächen
der Schichten aus metallisiertem polymerem Film adsorbiert
sind. Wenn die einzelnen Kondensatoren hergestellt werden
und die einzelnen Kondensatoren an Substrate angelötet
werden, können die einzelnen Kondensatoren Temperaturände
rungen von 300 K bis 500 K erfahren, wodurch diese Gase
mit einem Faktor von 1,66 bei konstantem Druck expandieren.
Während die expandierenden Gase die entsprechenden Schich
ten voneinander trennen wollen, kühlen die äußeren Schich
ten früher als die inneren Schichten ab und formen expan
dierte starre Strukturen, an welchen die inneren Schichten
befestigt bleiben. Wenn schließlich die mittleren Schichten
abkühlen, bildet sich ein Spalt, der an konkave Flächen der
an gegenüberliegenden konkaven Flächen der Schicht aus
metallisiertem polymerem Film angrenzt.
Weil die entsprechenden Schichten fest miteinander lami
niert sind, zum Beispiel Schicht um Schicht fest verklebt
sind, sind sehr hohe Kräfte notwendig, diese Schichten
voneinander zu trennen. Manchmal erstreckt sich ein Spalt
durch mehrere Schichten, bevor er sich zwischen benach
barten Schichten fortsetzt. Ein derartiger stufiger Spalt,
der ein Scheren der Schichten aus polymerem Film voraus
setzt, zeigt, daß derartig hohe Kräfte, die zur Rißbildung
führen, aufgetreten sind. Häufig läuft ein Spalt über die
gesamte Breite eines einzelnen Kondensators und ist aus
reichend weit, daß Licht durch den Spalt hindurchtreten
kann, wie bei geringer Vergrößerung oder sogar ohne Ver
größerung leicht erkannt werden kann. Spalten mit einer
Breite von 0,076 mm wurden bei einzelnen Kondensatoren mit
einer Nenndicke von ungefähr 0,04 mm beobachtet. Gelegent
lich treten schmale Spalte in den äußeren Schichten derar
tiger Anordnungen auf, vielleicht aufgrund anderer spalt
bildender Vorgänge.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine ver
besserte Kondensatoranordnung zu schaffen, in welcher un
erwünschte Ungleichförmigkeiten aufgrund von Spaltbildungen
verringert werden.
Die Erfindung sieht eine Kondensatoranordnung des oben
beschriebenen Typs vor, bei welcher thermische Spannungen,
die eine Delaminierung von kapazitiven Schichten bewirken,
entlastet werden, bevor die Schichten sich voneinander
trennen.
Der Kondensator nach der Erfindung weist eine obere und
eine untere Anordnung auf. Jede Anordnung enthält eine
Vielzahl von kapazitiven Schichten, die gestapelt überein
andergeschichtet sind. Jede kapazitive Schicht weist ein
dielektrisches Substrat und einen metallisierten Bereich
auf, der den größten Teil einer Fläche des dielektrischen
Substrats der kapazitiven Schicht bedeckt und der sich nur
zur ersten oder zur zweiten Kante erstreckt. Die metalli
sierten Bereiche aufeinanderfolgender kapazitiver Schichten
jeder Anordnung erstrecken sich zu entgegengesetzten Kan
ten. Die ersten Kanten aufeinanderfolgender kapazitiver
Schichten jeder Anordnung erstrecken sich über die ersten
Kanten der übrigen kapazitiven Schichten der Anordnung, um
so Vertiefungen entlang der ersten Kanten jeder Anordnung
zu bilden. Die zweiten Kanten aufeinanderfolgender kapa
zitiver Schichten in jeder Anordnung erstrecken sich über
die zweiten Kanten der übrigen kapazitiven Schichten jeder
Anordnung, um Vertiefungen entlang der zweiten Kanten der
Anordnung zu bilden.
Überdies ist mindestens eine Trennschicht zwischen der
oberen und der unteren Anordnung angeordnet. Jede der
Trennschichten ist aus einem Material hergestellt, das
weniger aggressiv zumindest mit der oberen oder der unte
ren Anordnung verbunden ist als obere und untere Anordnung
miteinander verbunden sein würden, wenn eine derartige
Trennschicht nicht vorhanden ist. Wenn vorzugsweise jedoch
nicht ausschließlich die angrenzenden Schichten (zwischen
denen die Trennschicht angeordnet ist) aus dielektrischem
Polyesterfilm, wie einem dielektrischen Polyethylente
rephthalatfilm hergestellt sind, gleich ob jede der an
grenzenden Schichten einen metallisierten Bereich an seiner
der Trennschicht zugekehrten Fläche aufweist, enthält die
Trennschicht Polytetrafluorethylen, die sich, wenn über
haupt, vernachlässigbar mit dem Film verbindet. Die Trenn
schicht kann leicht durch Aufsprühen einer kolloidalen
Suspension aus Polytetrafluorethylen mit einem flüssigen
Träger, der ein geeignetes Bindemittel aufweist, aufge
bracht werden. Eine diskrete Schicht, die auf mindestens
einer Seite Polytetrafluorethylen aufweist, wie zum Bei
spiel ein Film, der im wesentlichen Polytetrafluorethylen
enthält oder daraus hergestellt ist, kann alternativ als
Trennschicht verwendet werden.
Bei einer weniger bevorzugten Ausführungsform ist die
Trennschicht eine diskrete Schicht, die Polytetrafluor
ethylen auf mindestens einer Seite aufweist, wie etwa ein
Film, der im wesentlichen Polytetrafluorethylen enthält
oder aus diesem besteht und zwischen einer darunterliegen
den Schicht der oberen Anordnung und einer darüberliegen
den Schicht der unteren Anordnung angeordnet ist. In der
am wenigsten bevorzugten Ausgestaltung kann eine der an
grenzenden Schichten (zwischen denen die Trennschicht an
geordnet ist) einen metallisierten Bereich auf seiner
Fläche aufweisen, die der Trennschicht zugekehrt ist.
Bei einer mehr bevorzugten Ausführungsform weist die obere
Anordnung eine unten liegende Schicht eines dielektri
schen Polyesterfilms, vorzugsweise dielektrischen Poly
ethylenterephthalatfilms auf, und die untere Anordnung
enthält eine oben liegende Schicht aus einem ähnlichen
Film. Die Trennschicht ist auch eine diskrete Schicht, die
Polytetrafluorethylen enthält, wie oben erwähnt und zwi
schen der unten liegenden Schicht der oberen Anordnung und
der oben liegenden Schicht der unteren Anordnung angeord
net. Die unten liegende Schicht der oberen Anordnung und
die obere Schicht der unteren Anordnung können einstückig
sein, wie zum Beispiel ein abgeflachter Schlauch eines
derartigen Films, der eine geeignete Breite nach der Ab
flachung aufweist, oder ein gefaltetes Stück eines derar
tigen Films von geeigneter Breite nach dem Falten.
Es ist denkbar, die Trennschicht nur zwischen dem dielek
trischen Substrat einer kapazitiven Schicht einer Anordnung
und einer dazwischenliegenden Schicht aus dielektrischem
Material anzuordnen, wie eine unten liegende Schicht oder
eine oben liegende Schicht wie oben beschrieben wurde, wo
bei die intervenierende Schicht zwischen der Trennschicht
und den kapazitiven Schichten einer Anordnung angeordnet
ist. Die Trennschicht kann einfach durch eine dünne Be
schichtung hergestellt werden, die im Sprühverfahren auf
gebracht wird, wie oben angegeben, oder auf andere Weise
auf eine Fläche der intervenierenden Schicht. Vorzugsweise
deckt die intervenierende Schicht die metallisierte Fläche
ab, wenn die metallisierte Fläche einer der kapazitiven
Schichten einem Spalt entlang der Trennschicht ausgesetzt
ist.
Die am meisten bevorzugte Ausgestaltung, stellt eine Ver
feinerung der bevorzugten Ausgestaltung dar, und sie
weist, wie weiter oben beschrieben wurde, eine oben lie
gende und eine unten liegende Schicht auf, wobei die
Trennschicht durch eine dünne Beschichtung hergestellt
ist, die durch Sprühen oder auf andere Weise auf eine Flä
che der unten liegenden Schicht der oberen Anordnung oder
auf eine Fläche der oben liegenden Schicht der unteren An
ordnung aufgebracht ist. Sogar wenn anderes Material für
die unten liegende Schicht der oberen Anordnung und für
die oben liegende Schicht der unteren Anordnung verwendet
wird und ein anderes Material für die Trennschicht verwen
det wird, ist es vorteilhaft, die Trennschicht durch eine
dünne Beschichtung zu bilden, die durch Sprühen aufgebracht
wird, wie oben erwähnt oder auf andere Weise auf eine Flä
che einer unten liegenden Schicht der oberen Anordnung
oder auf eine Fläche der oben liegenden Schicht der unte
ren Anordnung und nicht eine diskrete Schicht als Trenn
schicht vorzusehen.
Die Kondensatoranordnung nach der vorliegenden Erfindung
weist ferner eine erste Masse leitfähigen Materials auf,
das die Vertiefungen entlang der ersten Kanten der kapa
zitiven Schichten der oberen und unteren Anordnung bedeckt
und sich in diese hineinerstreckt, um die metallisierten
Bereiche, die sich zu den ersten Kanten der kapazitiven
Schichten der oberen und unteren Anordnungen erstrecken,
elektrisch miteinander zu verbinden, und eine zweite Masse
leitfähigen Materials, das die Vertiefungen entlang der
zweiten Kanten der kapazitiven Schichten der oberen und
der unteren Anordnung bedeckt und sich in diese hinein
erstreckt, um die metallisierten Bereiche, die sich zu den
zweiten Kanten der kapazitiven Schichten der oberen und
unteren Anordnung erstrecken, elektrisch miteinander zu
verbinden. Die Massen leitfähigen Materials verbinden die
kapazitiven Schichten jeder Anordnung miteinander und ver
binden die oberen und unteren Anordnungen miteinander,
wobei sich die Trennschicht zwischen den Anordnungen be
findet. Leitfähige metallische Massen, wie sie oben disku
tiert wurden, werden vorteilhafterweise als die Massen für
das leitfähige Material für einen Kondensator nach der
Erfindung verwendet.
Während der folgenden thermischen Normalisierung neigt die
Kondensatoranordnung nach der Erfindung zur Spaltbildung
zwischen der Trennschicht und der benachbarten Schicht oder
zwischen der Trennschicht und den benachbarten Schichten
auf gegenüberliegenden Seiten der Trennschicht, jedoch
nicht zu einem Spalt irgendwo. Nach der thermischen Nor
malisierung einer derartigen Kondensatoranordnung kann
diese mit Wachs imprägniert werden, die jedweden Spalt
zwischen der Trennschicht und einer angrenzenden Schicht
ausfüllt und so verhindert, daß ionische Verunreinigungen
oder andere leitfähige Verunreinigungen in den Spalt ein
treten und die die elektrischen Kontakte bildenden metal
lischen leitfähigen Massen überbrückt.
Diese und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung
gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand von Zeichnungen
näher hervor.
Fig. 1 ist eine stark vergrößerte Querschnittsdarstellung
einer Kondensatoranordnung nach dem Stand der Tech
nik, wobei einige Teile der Anordnung zu Darstel
lungszwecken herausgebrochen sind und ein Spalt zwi
schen zwei kapazitiven Schichten dargestellt ist.
Fig. 2 ist eine ähnlich stark vergrößerte Querschnittsdar
stellung einer Kondensatoranordnung einer bevor
zugten Ausgestaltung der Erfindung, wobei Teile der
Anordnung zu Darstellungszwecken herausgebrochen
sind und ein Spalt entlang einer Trennschicht zu
sehen ist.
Bevor die Kondensatoranordnung gemäß einer bevorzugten Aus
führungsform der Erfindung im einzelnen beschrieben werden
soll, ist es nützlich, eine Kondensatoranordnung des
Standes der Technik zu betrachten, wie sie in Fig. 1 dar
gestellt ist. Wie in Fig. 1 gezeigt, weist eine Kondensa
toranordnung 10 eine Gruppe kapazitiver Schichten 12 auf,
von denen jede ein dielektrisches Substrat mit metallisier
ten Bereichen aufweist, die die obere Fläche 14 des di
elektrischen Substrats bedeckt außer engen länglichen
entmetallisierten Zonen 14 a, welche die metallische Fläche
14 in einen relativ breiten Bereich 14 b und einen relativ
engen Streifen unterteilt. Aufeinanderfolgende kapazitive
Schichten 12, die von gleicher Breite sind, sind gegenein
ander seitlich versetzt, so daß aufeinanderfolgende kapa
zitive Schichten 12 mit ihren Kanten gegenüber den anderen
Schichten seitlich versetzt sind. Somit werden Vertiefungen
20 entlang der linken Kanten der kapazitiven Schichten 12
und Vertiefungen 22 entlang der rechten Kanten der kapa
zitiven Schichten 12 gebildet. Eine obere Abdeckung 16 und
eine untere Abdeckung 18 werden jeweils von einer einzel
nen dickeren Platte dielektrischen Materials gebildet und
sind an der oberen Fläche und der Bodenfläche der Gruppe
der kapazitiven Schichten 12 vorgesehen. Eine leitfähige
metallische Masse 24, die gebildet sein kann von einer
inneren Schicht aus Aluminium, das im Metallsprühverfahren
aufgebracht ist, einer mittleren Schicht aus Kupfer, das
im Metallsprühverfahren aufgebracht ist und einer äußeren
Schicht aus eutektischem Zinn und Bleilot, das im Tauch
verfahren aufgebracht ist, bedeckt die linken Kanten der
kapazitiven Schichten 12 und bedeckt die linken Kanten der
oberen Bedeckung 16 und der unteren Bedeckung 18. Die
innere mittlere und äußere Schicht der Masse 24 ist in
Fig. 1 nicht zu erkennen. Die Masse 24 erstreckt sich ober
halb der oberen Bedeckung 16 zur Bildung eines oberen
Flansches 26, durch welchen die obere Bedeckung mit den
kapazitiven Schichten 12 an der linken Seite der Konden
satoranordnung 10 verbunden wird. Die Masse 24 erstreckt
sich unterhalb der unteren Bedeckung 18 und bildet einen
unteren Flansch 28, durch den die untere Bedeckung 18 mit
den kapazitiven Schichten 12 auf der linken Seite der Kon
densatoranordnung verbunden ist. In ähnlicher Form bedeckt
eine metallische Masse 30 die rechten Kanten der kapazi
tiven Schichten 12 und der oberen Bedeckung 16 und der
unteren Bedeckung 18. Die Masse 30 erstreckt sich ähnlich
oberhalb der oberen Bedeckung 16 zur Bildung eines oberen
Flansches 32 und unterhalb der unteren Bedeckung 18 zur
Bildung eines unteren Flansches 34. Der obere Flansch 32
und der untere Flansch 34 verbinden die Abdeckplatten 16,
18 mit den kapazitiven Schichten 12 an der rechten Seite
der Kondensatoranordnung 10. Jeder der unteren Flansche
28, 34 dient als Standfuß, der die untere Abdeckung gegen
über einer Schaltungsplatine oder einem anderen Substrat
(nicht gezeigt), auf welcher die Kondensatoranordnung 10
angebracht sein kann, anhebt.
Wie in Fig. 1 gezeigt, hat sich ein Spalt 36 zwischen zwei
kapazitiven Schichten gebildet, nämlich zwischen zwei
inneren Schichten der Kondensatoranordnung 10. Wie ge
zeigt, sind einige der kapazitiven Schichten 12, die dem
Spalt 36 benachbart sind, gebrochen, so daß Risse 38 ent
lang einer Bruchlinie gebildet sind, die sich im wesent
lichen senkrecht zum Spalt 36 erstreckt. Der Spalt 36 und
die Brüche 38 führen zu einer unerwünschten Ungleichför
migkeit des kapazitiven Verhaltens der Kondensatoranord
nung 10.
In Fig. 2 ist eine Kondensatoranordnung 100 gezeigt, die
eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung darstellt
und die eine obere Anordnung 102 und eine untere Anordnung
104 aufweist, welche durch eine imaginäre Ebene 106 von
einander getrennt sind. Die obere Anordnung enthält eine
Gruppe kapazitiver Schichten 112, von denen jede ein di
elektrisches Substrat aufweist mit metallisierten Bereichen,
welche die obere Fläche 114 des dielektrischen Substrats
bedecken außer einer schmalen länglichen demetallisierten
Zone 114 a, welche die metallisierte Fläche 114 in einen
relativ breiten Bereich 114 b und einen relativ engen
Streifen 114 c unterteilt. Aufeinanderfolgende kapazitive
Schichten 112 von gleicher Breite sind seitlich versetzt
in bezug aufeinander, so daß aufeinanderfolgende kapazi
tive Schichten 112 mit ihren Kanten gegenüber den übrigen
Schichten 112 seitlich versetzt sind. Somit sind Vertie
fungen 116 entlang der linken Kanten der kapazitiven
Schichten 112 geformt, entlang der linken Kanten der kapa
zitiven Schichten 112 und Vertiefungen 118 und entlang der
rechten Kanten der kapazitiven Schichten 112. Eine obere
Abdeckung 120, die eine einzige Platte aus dielektrischem
Material ist, ist an der oberen Seite der Gruppe der ka
pazitiven Schichten 112 vorgesehen. Die untere Anordnung
104 weist eine Gruppe kapazitiver Schichten 122 auf, die
ähnlich den kapazitiven Schichten 112 sind, wobei jede
kapazitive Schicht 122 ein dielektrisches Substrat auf
weist, das mit metallisierten Bereichen versehen ist, die
die obere Fläche 124 des dielektrischen Substrats bedecken,
außer einer engen länglichen demetallisierten Zone 124 a,
welche die metallisierte Fläche 124 in einen relativ brei
ten Bereich 124 b und in einen relativ engen Streifen 124 c
unterteilt. Aufeinanderfolgende kapazitive Schichten 122
von gleicher Breite sind seitlich versetzt zueinander, so
daß aufeinanderfolgende kapazitive Schichten 122 mit ihren
Kanten bezüglich der übrigen Kanten seitlich versetzt sind.
Somit sind Vertiefungen 126 an den linken Kanten der ka
pazitiven Schichten 122 und Vertiefungen 128 an den rechten
Kanten der kapazitiven Schichten 122 geformt. Eine untere
Abdeckung, die der oberen Abdeckung gleicht, ist an der
unteren Fläche der kapazitiven Schichten 122 angeordnet.
Die obere Anordnung 102 ist mit einer Unterlegschicht 132
aus nicht metallisiertem dielektrischem Material versehen.
Die untere Anordnung 104 ist mit einer überliegenden
Schicht 134 aus nicht metallisiertem dielektrischem Mate
rial versehen. Die oben liegende Schicht 134 ist ähnlich
der unten liegenden Schicht 132 der oberen Anordnung 102
außer, daß die oben liegende Schicht 134 der unteren An
ordnung mit einer dünnen Beschichtung 136 versehen ist,
die als Trennschicht zwischen der oberen und der unteren
Anordnung dient und die aus einem Material hergestellt ist,
daß sich weniger aggressiv mit der oben liegenden Schicht
134 verbindet als die oben liegende Schicht 134 sich mit
der unten liegenden Schicht 132 verbinden würde, falls die
dünne Beschichtung 136 fortgelassen würde, wobei die dünne
Beschichtung 136 vorzugsweise aus einem Material besteht,
das Polytetrafluorethylen enthält. Die dünne Beschichtung
136 kann bequem durch Aufsprühen einer kolloidalen Sus
pension aus Polytetrafluorethylen in flüssigem Träger, der
ein geeignetes Bindemittel enthält, aufgebracht werden,
vorzugsweise ein Spray wie CrownTM 6065 Permanent TFE
Coating, das von der Firma Crown Industrial Products,
Hebron, Illinois lieferbar ist. Verschiedene Öle und Harze
können alternativ verwendet werden. Um das Handhaben und
das Beladen zu erleichtern, haben vorzugsweise die unten
liegende Schicht 132 der oberen Anordnung 102 und die oben
liegende Schicht 134 der unteren Anordnung 104 eine Dicke
von 0,025 mm. Dickere Filme mögen leichter handhabbar
sein, vergrößern jedoch unnötigerweise die Dicke und die
Kosten der Kondensatoranordnung 100.
Die dielektrischen Substrate der kapazitiven Schichten
112, 122 sind vorzugsweise aus Polyethylenterephthalatfilm,
und jede der vorerwähnten Schichten 132, 134 kann ebenfalls
aus einem Polyethylenterephthalatfilm bestehen. Polyethy
lenterephthalatfilm wird wegen seiner dielektrischen Eigen
schaften und wegen seiner Fähigkeit, sich miteinander und
mit den metallisierten Zonen der kapazitiven Schichten 112,
122 zu verbinden, bevorzugt. Andere dielektrische Mate
rialien können alternativ verwendet werden. Obwohl die
Schichten 132, 134 als separate Teile gezeigt sind, ist
denkbar, daß diese Schichten alternativ einteilig vorge
sehen sind, zum Beispiel als abgeflachter Schlauch eines
derartigen Films von geeigneter Breite im abgeflachten Zu
stand oder als gefaltetes Teil eines solchen Films von
geeigneter Breite, wenn gefaltet. In jedem Fall hat jede
durch Abflachen oder Falten gebildete Schicht eine dünne
Beschichtung wie die Schicht 136.
Es ist überdies denkbar, anstatt der dünnen Beschichtung
durch Aufsprühen oder auf andere Weise auf die oben lie
gende Schicht 134 der unteren Anordnung 104 aufzubringen,
eine oder mehrere diskrete Schichten, die Polytetrafluor
ethylen enthalten, vorzugsweise eine einzige solche Schicht,
wie einen Film, der im wesentlichen Polytetrafluorethylen
enthält oder aus diesem besteht, als Trennschicht zwischen
der oberen Anordnung 102 und der unteren Anordnung 104
zu verwenden, worauf die vorerwähnten Schichten 132, 134
oder eine dieser beiden vollständig fortgelassen werden
können. Ein geeigneter Film ist Teflonfilm von E.I. DuPont
de Nemours & Company Wilmington, Delaware. Wenn beide
Schichten 132, 134 fortgelassen werden oder wenn nur eine
Schicht 132, 134 fortgelassen wird, kann eine dünne Be
schichtung, wie die Schicht 136 direkt durch Aufsprühen
oder auf andere Weise auf die unterste Schicht der oberen
Anordnung 102 oder die oberste Schicht der unteren Anord
nung 104 aufgebracht werden. Unabhängig davon, ob die
Trennschicht durch eine dünne Beschichtung wie die Schicht
136 oder durch eine diskrete Schicht vorgesehen wird, wird
bevorzugt, die oben liegende Schicht 134 der unteren An
ordnung 102 zu halten,da die Schicht 134 die metallisierte
Fläche 124 der obersten kapazitiven Schicht 122 der unte
ren Anordnung 102 bedeckt. Eine derartige Fläche 124 würde
sonst gegenüber irgendwelchen Verunreinigungen in einem
Spalt entlang der Trennschicht ausgesetzt sein. Wie weiter
oben bereits erwähnt, können verschiedene Öle oder Harze
anstelle von Polytetrafluorethylen verwendet werden.
Eine leitfähige metallische Masse 140, die sich vorzugs
weise aus einer inneren Schicht aus Aluminium, das durch
Metallsprühverfahren aufgebracht wird, einer mittleren aus
Kupfer, das im Metallsprühverfahren aufgebracht ist und
einer äußeren Schicht aus eutektischem Zinn und Bleilot,
das im Tauchverfahren aufgebracht wird, bedeckt die linken
Kanten der kapazitiven Schichten 112, der unten liegenden
Schicht 132 der oberen Anordnung 102 und der oben liegen
den Schicht 134 der unteren Anordnung 104 sowie der kapa
zitiven Schichten 122, der oberen Abdeckung 120 und der
unteren Abdeckung 130. Die innere, mittlere und äußere
Schicht sind in Fig. 2 im einzelnen nicht dargestellt. Die
Masse 140 erstreckt sich oberhalb der oberen Abdeckung 120
zur Bildung eines oberen Flansches 142, der die obere Ab
deckung 120 mit den kapazitiven Schichten 112 verbindet.
Die Masse 140 erstreckt sich unterhalb der unteren Ab
deckung 130 zur Bildung eines unteren Flansches 144, der
die untere Abdeckung 130 mit den kapazitiven Schichten 112
verbindet. Eine leitfähige metallische Masse 150, die sich
ähnlich zusammensetzt, bedeckt die rechten Kanten der ka
pazitiven Schichten 112, der unten liegenden Schicht 132
der oberen Anordnung 102, der oben liegenden Schicht 134
der unteren Anordnung 104, der kapazitiven Schichten 122
und der oberen und der unteren Abdeckung 120, 130. Die
Masse 150 erstreckt sich oberhalb der oberen Abdeckung 120
zur Bildung eines oberen Flansches 152 und unterhalb der
unteren Abdeckung 130 zur Bildung eines unteren Flansches
154. Jeder der unteren Flansche 144, 154 dient auch als
Standfuß, der die untere Abdeckung 130 gegenüber einer
Schaltplatine oder eines anderen Substrats (nicht gezeigt)
anhebt, auf welcher die Kondensatoranordnung 100 angebracht
werden kann.
Während der und der folgenden thermischen Normalisierung
tendiert die Kondensatoranordnung 100 zur Spaltbildung,
vorzugsweise zwischen der Trennschicht, welche durch die
dünne Beschichtung 136 gebildet ist und der unten liegenden
Schicht 132 der oberen Anordnung und möglicherweise zwi
schen der durch die dünne Beschichtung 136 gebildeten
Trennschicht und der oben liegenden Schicht 134 der unteren
Anordnung 104, jedoch nicht irgendwo. Nach der thermischen
Normalisierung der Kondensatoranordnung 100 wird diese mit
Wachs imprägniert, welches dazu dient, daß Risse und Spal
ten zwischen Trennschicht wie die dünne Beschichtung 136
und einer benachbarten Schicht, wie der Spalt 160 in Fig.
2 zwischen der dünnen Schicht 136 und der unten liegenden
Schicht 132 der oberen Anordnung 102, aufzufüllen, um zu
verhindern, daß ionische Verunreinigungen oder andere leit
fähige Verunreinigungen in den Spalt eintreten und die
leitfähigen metallischen Massen 140, 150 überbrücken. Ein
geeignetes Wachs ist Bee Square AmberTM-Wachs, das von der
Firma Petrolite Co., Tulsa, Oklahoma vertrieben wird.
Die Richtungsausdrücke "oben", "unten", "links", "rechts",
"oben liegend", "unten liegend", "oberste" und "unterste"
beziehen sich auf die Orientierung der Kondensatoranord
nung in der Zeichnung, sollen indes die Erfindung nicht
auf eine besondere Orientierung beschränken.
Verschiedene Modifikationen der Kondensatoranordnung nach
der Erfindung sind denkbar, ohne den Umfang und den Sinn
der Erfindung zu verlassen.
Claims (16)
1. Kondensator, gekennzeichnet durch eine obere Anordnung
und eine untere Anordnung, von denen jede eine Vielzahl
von übereinandergestapelten kapazitiven Schichten auf
weist, von denen jede gegenüberliegende erste und
zweite Kanten, ein dielektrisches Substrat und einen
metallischen Bereich aufweist, der den größten Teil der
Fläche des dielektrischen Substrats bedeckt und sich
nur zu einer der ersten oder zweiten Kante erstreckt,
wobei die metallischen Bereiche aufeinanderfolgender
Schichten jeder Anordnung sich zu gegenüberliegenden
Kanten erstrecken, die ersten Kanten aufeinanderfolgen
der Schichten jeder Anordnung sich über die erste Kante
der übrigen Schichten der jeweiligen Anordnung hinaus
erstrecken, um Vertiefungen entlang der zweiten Kanten
der jeweiligen Anordnung zu bilden, gekennzeichnet fer
ner durch mindestens eine Trennschicht zwischen oberer
und unterer Anordnung, wobei jede Trennschicht aus einem
Material besteht, das weniger aggressiv mit der oberen
oder unteren Anordnung verbunden ist als die obere und
untere Anordnung miteinander verbunden sein würden,
wenn die Trennschicht in Fortfall käme, gekennzeichnet
weiter durch eine erste Masse leitfähigen Materials,
das die Vertiefungen entlang der ersten Kanten der
oberen und unteren Anordnung bedeckt und sich in diese
hineinerstreckt, um die metallischen Bereiche an der
ersten Kante der oberen und unteren Anordnung elektrisch
zu verbinden, und eine zweite Masse aus elektrisch leit
fähigem Material, das die Vertiefungen entlang der
zweiten Kanten von oberer und unterer Anordnung bedeckt
und sich in diese hineinerstreckt, um die metallischen
Bereiche miteinander zu verbinden, die sich zu der
zweiten Kante der Schichten von oberer und unterer An
ordnung erstrecken, wobei die Massen leitfähigen Mate
rials die kapazitiven Schichten jeder Anordnung mitein
ander verbinden, wobei die Trennschicht sich zwischen
oberer und unterer Anordnung befindet, wodurch die
Trennschicht dazu neigt, sich zumindest von der oberen
oder unteren Anordnung zu lösen, wenn der Kondensator
thermischen Beanspruchungen ausgesetzt ist, die ein
Lösen der kapazitiven Schichten voneinander bewirken
können, so daß derartige Beanspruchungen abgeschwächt
werden, bevor sich die kapazitiven Schichten vonein
ander lösen.
2. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichent, daß
eine einzige Trennschicht zwischen der oberen und der
unteren Anordnung vorgesehen ist.
3. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
eine zwischenliegende Schicht aus dielektrischem Mate
rial zwischen der Trennschicht und einer der kapazi
tiven Schichten eine Anordnung vorgesehen ist.
4. Kondensator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Trennschicht von einer dünnen Beschichtung auf einer
Fläche der dazwischenliegenden Schicht gebildet ist.
5. Kondensator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die dazwischenliegende Schicht metallisierte Bereiche
auf einer Fläche einer der kapazitiven Schichten einer
der Anordnungen überdeckt.
6. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die obere Anordnung eine unten liegende Schicht aus
dielektrischem Material aufweist, die untere Anordnung
eine oben liegende Schicht aus dielektrischem Material
aufweist und die Trennschicht zwischen der unten lie
genden Schicht der oberen Anordnung oder oben liegenden
Schicht der unteren Anordnung angeordnet ist.
7. Kondensator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Trennschicht durch eine dünne Beschichtung gebildet
ist, die auf eine Seite einer Schicht aufgebracht ist,
und zwar entweder der unten liegenden Schicht der obe
ren Anordnung oder der oben liegenden Schicht der unte
ren Anordnung.
8. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das dielektrische Substrat jeder kapazitiven Schicht
ein dielektrischer Polyesterfilm ist, die obere Anord
nung eine unten liegende Schicht aus dielektrischem
Polyesterfilm aufweist, die untere Anordnung eine oben
liegende Schicht aus dielektrischem Polyesterfilm auf
weist und die Trennschicht Polytetrafluorethylen ent
hält und zwischen der unten liegenden Schicht der oberen
Anordnung und der oben liegenden Schicht der unteren
Anordnung angeordnet ist.
9. Kondensator nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die Trennschicht von einer dünnen Beschichtung gebildet
ist, die auf eine Fläche einer Schicht aufgebracht ist,
die entweder von der unten liegenden Schicht der oberen
Anordnung oder der oberen Schicht der unteren Anordnung
gebildet ist.
10. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das dielektrische Substrat jeder kapazitiven
Schicht ein dielektrischer Polyethylenterephthalatfilm
ist, die obere Anordnung eine unten liegende Schicht
aus dielektrischem Polyethylenterephthalatfilm auf
weist, die untere Anordnung eine oben liegende Schicht
aus dielektrischem Polyethylenterephthalatfilm auf
weist und die Trennschicht Polytetrafluorethylen ent
hält und zwischen der unten liegenden Schicht der
oberen Anordnung und der oberen Schicht der unteren
Anordnung angeordnet ist.
11. Kondensator nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trennschicht durch eine dünne Beschichtung ge
bildet ist, die auf eine Fläche einer Schicht aufge
bracht ist, die entweder von der unten liegenden
Schicht der oberen Anordnung oder der oben liegenden
Schicht der unteren Anordnung gebildet ist.
12. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trennschicht Polytetrafluorethylen enthält.
13. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trennschicht von einer dünnen Beschichtung ge
bildet ist, die auf eine Fläche der oben liegenden
oder der unten liegenden Anordnungen aufgebracht ist.
14. Kondensator nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trennschicht Polytetrafluorethylen enthält.
15. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trennschicht eine diskrete Schicht ist, die
Polytetrafluorethylen enthält.
16. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß er mit Wachs imprägniert ist, der
jeden Spalt zwischen der Trennschicht und einer Anord
nung ausfüllt.
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