DE4002018A1

DE4002018A1 - Easy electronic chip release from wafer support foil - which is deposited onto surfaces with structural depression, with foil top side exposed to overpressure

Info

Publication number: DE4002018A1
Application number: DE19904002018
Authority: DE
Inventors: Helmut K Rohrer
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1990-01-24
Filing date: 1990-01-24
Publication date: 1991-07-25

Abstract

The process provides an easy release of electronic chips from a wafer support foil which rests on a structural surface with depressions. The underside of the support foil is exposed to a vacuum via the structured surface such that the support foil is drawn into the depressions, at least partly. The vacuum suction releases the electronic chips sticking to the foil surface. The support foil top side is in addition exposed to an overpressure, typically a stationary one. Alternately a dynamic overpressure maybe used i.e. as ultra sound. Freon may be used as a transfer medium for the ultra sound. The overpressure may be cancelled as soon as the vacuum has started to affect the support foil. ADVANTAGE - Safe release of electronic chips without excessive expense.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erleichtern des Lösens von elektronischen Bauteilen (Chips) von einer Wafer-Trägerfolie, wobei die Trägerfolie auf eine Vertiefungen aufweisende strukturierte Oberfläche aufgelegt wird und die Unterseite der Trägerfolie durch die strukturierte Oberfläche hindurch einem Unterdruck ausge setzt wird, so daß die Trägerfolie im Bereich der Vertie fungen zumindest teilweise in die Vertiefungen hineingezo gen und somit teilweise von den an ihrer Oberfläche haften den elektronischen Bauteilen abgelöst wird.The invention relates to a method and a device to facilitate the release of electronic components (Chips) from a wafer carrier film, the carrier film on a structured surface with depressions is placed and the bottom of the carrier film through the structured surface through a negative pressure is set so that the carrier film in the area of the Vertie at least partially into the recesses conditions and thus partially stick to the surface the electronic components is replaced.

Zur Herstellung von elektronischen Bauteilen in Form von integrierten Schaltungen (Chips) wird üblicherweise so vorgegangen, daß ein Wafer auf eine selbstklebende Träger folie aus Kunststoff aufgeklebt wird, daß anschließend der Wafer in geeigneter Weise bearbeitet wird (läppen, sägen, ritzen, expandieren) und daß anschließend die einzelnen, auf dem Wafer bearbeiteten Chips von der Trägerfolie einzeln oder insgesamt abgelöst werden. Insbesondere bei Kleinse rien, Laborversuchen oder Musterserien wird hierbei bei spielsweise so vorgegangen, daß mittels geeigneter Stößel bzw. Nadeln, die von unten her gegen die Trägerfolie ge drückt werden, die Chips von der Trägerfolie abgehoben werden, was jedoch sowohl eine Beschädigungsgefahr für die Trägerfolie als auch für das Chip bedeutet. Auch werden die Chips oftmals von Hand von der Folie abgezogen, hierbei besteht jedoch die Gefahr einer Verschmutzung und eines Bruchs der Chips.For the production of electronic components in the form of integrated circuits (chips) is usually like this proceeded to place a wafer on a self-adhesive carrier foil made of plastic is glued on that the Wafer is processed in a suitable manner (lapping, sawing, scratch, expand) and then the individual, chips processed individually on the wafer from the carrier film or be replaced altogether. Especially with little ones , laboratory tests or sample series for example, proceeded so that by means of suitable plungers or needles that ge from below against the carrier film are pressed, the chips are lifted off the carrier film be, however, both a risk of damage to the Carrier film means for the chip as well. They too Chips are often pulled off the film by hand, here however, there is a risk of pollution and one Chips break.

Bei dem eingangs genannten bekannten Verfahren werden die Nachteile einer möglichen Verschmutzung und einer Beschädi gung der Chips zwar vermieden, andererseits ist dieses Verfahren jedoch insofern nicht immer zufriedenstellend, als es zum einen oft recht lange dauert, bis die Folie aufgrund des Vakuums in die Vertiefungen der strukturierten Oberfläche hineingezogen worden ist und die Folie somit größtenteils vom Wafer bzw. den Chips gelöst ist, und als ein zuverlässiges Ablösen der Folie von den Chips dann praktisch ausgeschlossen ist, wenn die Folie verletzt ist, nachdem sich in diesem Fall kein ausreichendes Vakuum zwi schen Folie und strukturierter Oberfläche aufbauen kann. Auch durch eine weitere Druckreduzierung lassen sich die vorgenannten Probleme nicht zufriedenstellend lösen, nach dem zum einen ein noch niedrigerer Unterdruck keine wesent lich erhöhten Ablösekräfte mit sich bringt (physikalische Grenze der theoretisch maximalen Druckdifferenz ist 1 bar) und nachdem zum anderen Vakuumpumpen, welche solch niedrige Unterdrücke erzeugen, vergleichsweise teuer sind, so daß der finanzielle Aufwand, niedrige Unterdrücke zu erzeugen in keinem wirtschaftlichen Verhältnis zum erzielten Resultat steht.In the known method mentioned above, the Disadvantages of possible contamination and damage Avoidance of chips, on the other hand, this is However, the process is not always satisfactory in that than it often takes a long time for the film to due to the vacuum in the wells of the structured Surface has been drawn in and thus the film largely detached from the wafer or chips, and as then a reliable detachment of the film from the chips is practically impossible if the film is damaged, after in this case there is no sufficient vacuum between can build up film and structured surface. The can also be reduced by further reducing the pressure not solve the aforementioned problems satisfactorily on the one hand, an even lower vacuum is not essential increased release forces (physical The theoretical maximum pressure difference is 1 bar) and after the other vacuum pumps, which are so low Generate negative pressure, are comparatively expensive, so that the financial effort to generate low negative pressure no economic relationship to the result achieved stands.

Der Erfindung liegt daher in erster Linie die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren so weiterzubilden, daß mit vertretbarem wirtschaftlichen Aufwand ein gefahrloses Ab lösen der elektronischen Bauteile von der Trägerfolie we sentlich erleichtert wird.The object of the invention is therefore primarily based on the known method so that with reasonable economic effort a safe Ab detach the electronic components from the carrier film is made considerably easier.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß im wesentlichen dadurch gelöst, daß zusätzlich die Oberseite der Folie einem Über druck ausgesetzt wird. Der Überdruck kann hierbei ohne besonders hohen technischen Aufwand beispielsweise ein bar oder mehrere bar betragen, wodurch sich zwischen der Ober seite der Trägerfolie und deren Unterseite eine Druckdiffe renz ergibt, die alleine mittels Unterdruck naturgemäß niemals erreicht werden kann. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielten Druckdifferenzen sind jedoch ausrei chend, um in jedem Fall die Trägerfolie im Bereich der Vertiefungen zuverlässig in diese Vertiefungen hineinzuzie hen und somit vom Wafer bzw. von den Chips abzulösen.This object is essentially achieved according to the invention solved that in addition the top of the film an over exposed to pressure. The overpressure can be without a particularly high technical outlay, for example, a bar or several bar, which is between the upper side of the carrier film and its underside a pressure difference renz results that naturally only by means of negative pressure can never be achieved. The with the invention Process differences in pressure are sufficient appropriate to the carrier film in the area of Reliably pull indentations into these indentations hen and thus detached from the wafer or chips.

Nachdem die Trägerfolie unter entsprechender Deformation in die Vertiefungen der strukturierten Oberfläche hineingezo gen worden ist, kann der Überdruck aufgehoben werden, so daß die Chips wieder beispielsweise von Hand zugänglich werden, und der an der Unterseite der Trägerfolie wirkende Unterdruck wird vorzugsweise aufrechterhalten, um die de formierte Trägerfolie in dem von den elektronischen Bau teilen größtenteils abgelösten Zustand zu halten. Nunmehr können die einzelnen Chips beispielsweise mittels Vakuum- Pipette, mittels Abschaben oder Abfegen oder nach dem Staubsaugerprinzip gefahrlos und zuverlässig von der Trägerfolie abgenommen werden.After the carrier film is deformed accordingly the indentations of the structured surface overpressure can be released, so that the chips are accessible again by hand, for example and the one acting on the underside of the carrier film Vacuum is preferably maintained to de Formed carrier film in the electronic construction keep mostly detached condition. Now the individual chips can be vacuum Pipette, by scraping or sweeping or after Vacuum cleaner principle safe and reliable from the Carrier film can be removed.

In alternativer Ausbildung der Erfindung wird anstelle eines statischen Überdrucks ein dynamischer Überdruck ins besondere in Form von Ultraschall gewählt, d. h. die Träger folie wird einem Ultraschall ausgesetzt. In bevorzugter Weiterbildung dieses Prinzips wird als Übertragungsmedium zwischen der Ultraschallquelle und dem Wafer bzw. der Trä gerfolie eine Flüssigkeit verwendet, für die sich insbeson dere Freon anbietet, welches üblicherweise zum Reinigen von mikroelektronischen Bauteilen verwendet wird. Es bietet sich insbesondere eine Flüssigkeit an, die den Lösungsprozeß un terstützt, gleichzeitig die Druckwellen gut leitet und die Eigenschaften der Chips nicht nachteilig beeinflußt. Auch ist es möglich, daß der Überdruck statische und dynamische Kompo nenten umfaßt.In an alternative embodiment of the invention is instead static overpressure dynamic overpressure particular chosen in the form of ultrasound, d. H. the carrier foil is exposed to an ultrasound. In preferred Further training of this principle is used as a transmission medium between the ultrasound source and the wafer or the carrier used a liquid for which, in particular Freon offers, which is usually used for cleaning microelectronic components is used. It offers in particular a liquid that un the solution process supports, at the same time conducts the pressure waves well and the Properties of the chips are not adversely affected. Is too it is possible that the overpressure static and dynamic compo includes.

Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den übrigen Ansprüchen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung, in der mehrere Ausführungsbeispiele der Er findung anhand der Zeichnung näher erläutert werden. In der Zeichnung zeigen in schematischer bzw. halbschematischer DarstellungFurther advantageous features of the invention result from the remaining claims and from the following Description in which several embodiments of the Er be explained in more detail with reference to the drawing. In the Drawing show in a schematic or semi-schematic presentation

Fig. 1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung in Seiten ansicht, Fig. 1 shows a device according to the invention in side view,

Fig. 2 einen Querschnitt durch die Druckverteilungs- und Auflagevorrichtung für die Trägerfolie in der Vor richtung gemäß Fig. 1, und Fig. 2 shows a cross section through the pressure distribution and support device for the carrier film in the on direction according to FIG. 1, and

Fig. 3 eine Seitenansicht einer alternativen Ausführungs form der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Fig. 3 is a side view of an alternative embodiment form of the device according to the invention.

Zunächst wird auf die Fig. 1 und 2 Bezug genommen. Die Vorrichtung umfaßt einen scheibenförmigen Trägerteil 2, auf den eine insgesamt ebenfalls scheibenförmige Druckvertei lungs- und Auflagevorrichtung 4 aufgesetzt ist. Der Träger teil 2 liegt dichtend (O-Ring 10) auf einer Grundplatte 12 auf. Die Grundplatte 12 weist einen mittig angeordneten Durchgang 14 auf, über den ein mit der Bezugsziffer 16 angedeuteter Vakuum-Anschluß und ggf. sonstige Anschlüsse wie beispielsweise elektrische Anschlüsse für eine mit dem Trägerteil 2 verbundene Heizeinrichtung 18 dem Trägerteil 2 zugeführt werden. An der Oberseite des Trägerteils 2 ist ein zentraler Vakuum-Anschlußstutzen 20 ausgebildet, der in eine entsprechende zentrale Öffnung 32 der Druckverteilungs- und Auflagevorrichtung 4 eingreift.First, reference is made to FIGS. 1 and 2. The device comprises a disk-shaped carrier part 2 , on which a likewise disk-shaped pressure distribution and support device 4 is placed. The carrier part 2 is sealing (O-ring 10 ) on a base plate 12 . The base plate 12 has a centrally disposed passage 14, the support part 2 can be supplied via the an indicated by the reference numeral 16 the vacuum connection and, if necessary, other connections such as electrical connections for a connected to the carrier part 2 heater 18th A central vacuum connecting piece 20 is formed on the upper side of the carrier part 2 and engages in a corresponding central opening 32 of the pressure distribution and support device 4 .

Die insgesamt in Fig. 2 dargestellte Druckverteilungs- und Auflagevorrichtung 4 umfaßt eine schüsselförmige Aufnahme 6, in die eine scheibenförmige Auflage 8 einlegbar ist, wobei die schüsselförmige Aufnahme 6 innen randseitig eine umlaufende Stufe 22 aufweist, auf der die Auflage 8 unter Bildung eines spaltförmigen Druckverteilungsraums 24 zwischen ihrer Unterseite und dem Schüsselboden 26 aufliegt.The pressure distribution and support device 4 shown overall in FIG. 2 comprises a bowl-shaped receptacle 6 , into which a disk-shaped support 8 can be inserted, the bowl-shaped receptacle 6 having a circumferential step 22 on the inside on which the support 8 forms a gap-shaped pressure distribution space 24 rests between its underside and the bowl base 26 .

Die scheibenförmige Auflage 8 weist eine strukturierte Oberfläche 28 auf, wobei die Struktur insgesamt beispiels weise waffeleisenartig sein kann und die Rauhheit der Struktur vom jeweiligen Anwendungszweck abhängt. Eine Viel zahl von Durchgangskanälen 30 verlaufen von der Unterseite der Auflage 8 zur Oberfläche 28 und verbinden somit den zwischen den Zähnen bzw. Pyramiden der strukturierten Ober fläche 28 liegenden Raum über den Spalt 24, die zentrale Durchgangsbohrung 32, den Anschlußstutzen 20 und die Lei tung 16 mit einer nicht näher dargestellten Vakuumpumpe.The disk-shaped support 8 has a structured surface 28 , the structure as a whole, for example, being waffle-iron-like and the roughness of the structure depending on the particular application. A lot of number of through channels 30 extend from the underside of the support 8 to the surface 28 and thus connect the space between the teeth or pyramids of the structured upper surface 28 via the gap 24 , the central through hole 32 , the connecting piece 20 and the Lei device 16 with a vacuum pump, not shown.

Auf die Oberfläche 28 der Auflage 8 wird die Trägerfolie 34 aufgelegt, auf der der Wafer bzw. die hieraus herge stellten Chips 36 haften.The carrier film 34 is placed on the surface 28 of the support 8 , on which the wafer or the chips 36 produced therefrom adhere.

Eine der Grundplatte 12 mit Abstand gegenüberliegende Deck platte 38 trägt eine senkrecht hierzu verlaufende Wandung 40, deren unteres, der Grundplatte 12 zugewandtes Ende beispielsweise mittels eines O-Rings 42 gegenüber der Grundplatte abgedichtet ist. Die Deckplatte 38 ist mittels Schraubbolzen 44 o. dgl. an der Grundplatte 12 fixierbar. Andere Möglichkeiten der Befestigung wie beispielsweise mittels Pressen (z. B. Kniehebelpresse) sind dem Fachmann geläufig.One of the base plate 12 at a distance from the opposite cover plate 38 carries a wall 40 extending perpendicularly thereto, the lower end of which, facing the base plate 12, is sealed off from the base plate, for example by means of an O-ring 42 . The cover plate 38 can be fixed to the base plate 12 by means of screw bolts 44 or the like. Other possibilities of fastening, such as by means of presses (e.g. toggle press), are familiar to the person skilled in the art.

In der Deckplatte 38 ist ein Druckluftanschluß 46, ein Manometer 48 und ein Überdruckventil 50 angeordnet. Eine zentrale Sichtöffnung 52 in der Deckplatte 38 ist mittels einer Glasplatte 54 verschlossen.A compressed air connection 46 , a pressure gauge 48 and a pressure relief valve 50 are arranged in the cover plate 38 . A central viewing opening 52 in the cover plate 38 is closed by means of a glass plate 54 .

Sollen nun elektronische Bauteile von der Trägerfolie 34 gelöst werden, so wird bei abgenommener Deckplatte 38 die Trägerfolie 34 samt Wafer bzw. Chips 36 in der aus Fig. 2 ersichtlichen Weise auf die Druckverteilungs- und Auflage vorrichtung 4 aufgelegt. Anschließend wird die Deckplatte 38 aufgesetzt und an der Grundplatte 12 gesichert. Nach Einschalten der Vakuumpumpe und einer ebenfalls nicht dar gestellten Druckluftpumpe wird einerseits zwischen der Trägerfolie 34, die sich nunmehr dichtend an die obere äußere Dichtfläche 56 der schüsselförmigen Aufnahme 6 an legt, und der strukturierten Oberfläche 28 der Auflage 8 ein Vakuum erzeugt, und andererseits entsteht in dem durch die Grundplatte 12, die Deckplatte 38 und die Wandung 40 definierten Druckraum 58 ein Überdruck, welcher die Träger folie 34 nach unten zu drücken trachtet. Aufgrund der Druckdifferenz zwischen der Oberseite und der Unterseite der Trägerfolie 34 wird diese unter Verformung nach unten gedrückt bzw. gezogen, soweit dies möglich ist, und legt sich somit an die waffeleisenförmige Oberflächenstruktur der Oberfläche 28 an, so daß sie sich gleichzeitig mit Ausnahme der Pyramidenspitzen der waffeleisenförmigen Ober flachenstruktur von den Chips 36 löst. Dieser Vorgang des Ablösens der Trägerfolie 34 vom Wafer bzw. des sich An schmiegens an die Struktur der Oberfläche 28 kann über die Sichtöffnung 52 überwacht werden, und sobald die Ablösung zufriedenstellend erfolgt ist, kann der Überdruck durch Belüftung des Druckraumes 58 aufgehoben werden und die Deckplatte 38 abgenommen werden. Es kann vorteilhaft sein, zu diesem Zeitpunkt den Unterdruck noch weiter aufrechtzu erhalten, um die Trägerfolie 34 zuverlässig in ihrer abge lösten Position zu halten. Die Chips 36 können nun bei spielsweise mittels einer Vakuum-Pipette leicht und ohne die Gefahr einer Beschädigung von der Trägerfolie 34 abgehoben werden.If electronic components are now to be detached from the carrier film 34 , the carrier film 34 together with the wafer or chips 36 is placed on the pressure distribution and support device 4 in the manner shown in FIG. 2 when the cover plate 38 is removed. The cover plate 38 is then placed on and secured to the base plate 12 . After switching on the vacuum pump and a compressed air pump, also not shown, on the one hand between the carrier film 34 , which now seals against the upper outer sealing surface 56 of the bowl-shaped receptacle 6 , and the structured surface 28 of the support 8 creates a vacuum, and on the other hand arises in the pressure space 58 defined by the base plate 12 , the cover plate 38 and the wall 40 , an overpressure which the support film 34 tries to push down. Due to the pressure difference between the upper side and the lower side of the carrier film 34 , the latter is pressed or pulled down under deformation, as far as possible, and thus rests against the waffle-iron surface structure of the surface 28 , so that they simultaneously with the exception of the pyramid tips the waffle-iron upper flat structure detaches from the chips 36 . This process of detaching the carrier film 34 from the wafer or of clinging to the structure of the surface 28 can be monitored via the viewing opening 52 , and as soon as the detachment has been carried out satisfactorily, the excess pressure can be released by ventilation of the pressure chamber 58 and the cover plate 38 can be removed. It may be advantageous to maintain the negative pressure even further at this time in order to reliably hold the carrier film 34 in its detached position. The chips 36 can now be easily lifted from the carrier film 34, for example by means of a vacuum pipette, and without the risk of damage.

Eine alternative Ausbildung der Erfindung ist in Fig. 3 skizziert. Am Boden einer Wanne 60 ist eine Druckvertei lungs- und Auflagevorrichtung fixiert, die der Vorrichtung 4 gemäß Fig. 2 im wesentlichen entsprechen kann. Die Wanne 60 ist mittels eines Deckels 62 schließbar. An der Unter seite des Deckels 62 ist ein Ultraschallgenerator 64 fixiert. Am Boden der Wanne 60 ist ein Auslauf 66 vorgese hen, im Deckel 62 ein entsprechender Einlauf 68. Über ein Leitungssystem 70 kann die Wanne 60 mit Freon 72 gefüllt bzw. entleert werden.An alternative embodiment of the invention is outlined in FIG. 3. At the bottom of a tub 60 , a pressure distribution and support device is fixed, which can essentially correspond to the device 4 according to FIG. 2. The tub 60 can be closed by means of a cover 62 . An ultrasonic generator 64 is fixed on the underside of the cover 62 . At the bottom of the tub 60 , an outlet 66 is hen hen, in the cover 62 a corresponding inlet 68 . The tub 60 can be filled or emptied with freon 72 via a line system 70 .

Bei entleerter Wanne 60 und geöffnetem Deckel 62 wird die mit elektronischen Bauteilen bestückte Trägerfolie, wie weiter oben beschrieben, auf die Druckverteilungs- und Auflagevorrichtung 4 aufgelegt. Hiernach wird die Vakuum pumpe eingeschaltet, um eine dichtende Auflage der Träger folie auf der Druckverteilungs- und Auflagevorrichtung 4 zu gewährleisten. Nach Schließen des Deckels 62 wird über das Leitungssystem 70 und den Einlauf 68 die Wanne 60 mit Freon gefüllt. Anschließend wird der Ultraschallgenerator 64 eingeschaltet, bis sich die Trägerfolie 34 im gewünschten Umfang vom Wafer bzw. den Chips gelöst hat. Anschließend wird der Ultraschallgenerator 64 abgeschaltet, die Wanne 60 über den Auslauf 66 geleert und der Deckel 62 geöffnet. Die Chips 36 können nun wiederum zuverlässig und ohne die Gefahr einer Beschädigung von der Trägerfolie 34 abgehoben werden.When the tub 60 is empty and the cover 62 is open, the carrier film, which is equipped with electronic components, is placed on the pressure distribution and support device 4 , as described above. Thereafter, the vacuum pump is switched on to ensure a sealing support of the carrier film on the pressure distribution and support device 4 . After closing the cover 62 , the tub 60 is filled with freon via the line system 70 and the inlet 68 . The ultrasound generator 64 is then switched on until the carrier film 34 has detached from the wafer or the chips to the desired extent. The ultrasonic generator 64 is then switched off, the tub 60 is emptied via the outlet 66 and the cover 62 is opened. The chips 36 can in turn be reliably lifted off the carrier film 34 without the risk of damage.

Es sei angemerkt, daß für manche Anwendungen auf die Vakuumeinrichtung ggf. verzichtet werden kann, falls sich zufriedenstellende Ergebnisse bereits aufgrund der An wendung von Überdruck erreichen lassen.It should be noted that for some applications the Vacuum device can be dispensed with if necessary satisfactory results due to the An allow overpressure to be reached.

BezugszeichenlisteReference symbol list

2 Trägerteil
4 Druckverteilungs- und Auflagevorrichtung
6 schlüsselförmige Aufnahme
8 Auflage
10 O-Ring
12 Grundplatte
14 Durchgang
16 Vakuumanschluß
18 Heizeinrichtung
20 Vakuum-Anschlußstutzen
22 Stufe
24 Spalt
26 Schlüsselboden
28 Oberfläche
30 Durchgangskanäle
32 Durchgangsbohrung
34 Trägerfolie
36 Chips
38 Deckplatte
40 Wandung
42 O-Ring
44 Schraubbolzen
46 Druckluftanschluß
48 Manometer
50 Überdruckventil
52 Sichtöffnung
54 Glasplatte
56 Dichtfläche
58 Druckraum
60 Wanne
62 Deckel
64 Ultraschallgenerator
66 Auslauf
68 Einlauf
70 Leitungssystem
72 Freon 2 support part
4 pressure distribution and support device
6 key-shaped receptacle
8th edition
10 O-ring
12 base plate
14 round
16 vacuum connection
18 heating device
20 vacuum connecting pieces
22 level
24 gap
26 key shelf
28 surface
30 through channels
32 through hole
34 carrier film
36 chips
38 cover plate
40 wall
42 O-ring
44 bolts
46 Compressed air connection
48 manometers
50 pressure relief valve
52 viewing opening
54 glass plate
56 sealing surface
58 pressure chamber
60 tub
62 cover
64 ultrasonic generator
66 outlet
68 enema
70 pipe system
72 Freon

Claims

1. A method for facilitating the release of electronic components (chips) from a wafer carrier film, in which the carrier film is placed on a recessed structured surface and the underside of the carrier film is exposed to a negative pressure through the structured surface, so that the Backing film in the area of the depressions is at least partially drawn into the recesses and is thus partially detached from the electronic components adhering to its surface, characterized in that the top of the film is additionally subjected to overpressure.

2. The method according to claim 1, characterized in that that the overpressure is a stationary overpressure.

3. The method according to claim 1 or 2, characterized records that the overpressure is a dynamic overpressure especially in the form of ultrasound.

4. The method according to claim 3, characterized in that as a transmission medium for the ultrasound a liquid speed as Freon is used in particular.

5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that after the top of the Carrier film has been exposed to overpressure and the Overpressure has subsequently been lifted, which at the Vacuum attacking the underside of the carrier film is maintained until the electronic building (s) part (s) has been detached from the top of the carrier film is (are).

6. Apparatus for facilitating the release of electronic components (chips) from a wafer carrier film, with a plate or disc-shaped support with a recessed structured surface, on which the carrier carrying the components is placed on its top, the Surface of the support has a plurality of openings through which a vacuum can be generated between the surface of the support and the carrier film located thereon by means of a vacuum device, so that the carrier film is at least partially drawn into the recesses in the region of the depressions and thus partially is detached from the electronic components adhering to its surface, in particular for carrying out the method according to one of the preceding claims, characterized in that at least the upper region of the support is arranged in a pressure chamber ( 58 ) in which an overpressure can be generated.

7. The device according to claim 6, characterized in that the pressure chamber is filled with a liquid and an ultrasonic generator ( 64 ) arranged in the pressure chamber is provided as the pressure source.