DE3838014A1 - Piezoelektrisches messelement - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 76
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 241000283153 Cetacea Species 0.000 description 2
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
Die Erfindung betrifft ein piezoelektrisches Meßelement,
insbesondere für Meßwertaufnehmer, mit zumindest zwei
Kristallelementen, aus Kristallen der Punktsymmetrieklasse 32,
bei welchen entgegengesetzte Enantiomorphie-Typen l und r existieren,
wobei die Kristallelemente gemeinsam von der zu messenden
mechanischen Größe, wie z. B. Kraft, Druck oder Beschleunigung,
beaufschlagbar sind und an gegenüberliegenden,
im wesentlichen senkrecht zu ihren elektrischen (x) Achsen angeordneten
Oberflächen leitend anliegende Elektroden aufweisen.
Aus Kristallelementen zusammengesetzte piezoelektrische
Meßelemente sind sowohl unter Ausnutzung des longitudinalen
als auch des transversalen Piezoeffektes bekannt. Diese
Meßelemente bestehen aus mehreren zu einem Schichtkörper übereinandergeschichteten
Kristallelementen, zwischen denen Elektroden
zur Ableitung der elektrischen Ladungen vorgesehen
sind, wobei die Elektroden gleicher Ladung leitend miteinander
verbunden sind.
So ist beispielsweise aus der AT-PS 2 71 947 ein Meßelement der
eingangs genannten Art bekannt, bei welchem die scheibenförmig
ausgebildeten Einkristallelemente mit ihren optischen
(z) Achsen parallel zueinander verlaufend im Meßelement
angeordnet sind. Damit ist erreicht, daß bei Erwärmen des
Meßelementes die Ausdehnungskoeffizienten der einzelnen Scheiben
in allen Richtungen gleich sind und Verspannungen an den
Trennflächen zwischen den Scheiben vermieden werden. Die
Krafteinleitung erfolgt in diesem Fall parallel zur elektrischen
(x) Achse, wobei die piezoelektrische Empfindlichkeit
durch den Piezomodul d₁₁ beschrieben wird. Zur Ladungsableitung
sind hier die Elektroden jeder Seite der einzelnen Scheiben
mit Verlängerungen versehen, die durch Bohrungen im Einkristall
auf die jeweils gegenüberliegende Seite reichen, und
dort umgestülpt sind und mit für die Isolierung notwendigem
Abstand in eine Aussparung der dortigen Elektrode des benachbarten
Kristallelementes passen. Durch die parallel zueinander
verlaufenden z-Achsen können zwar jene Kräfte minimiert werden,
die bei allfälliger Erwärmung des Meßelementes aufgrund
der verschiedenen Ausdehnungskoeffizienten der Kristallelemente
in der y- und z-Richtung an den Trennflächen
zwischen zwei Kristallelementen entstehen; störende Ladungen
aufgrund von mechanischen Scherspannungen im Meßelement, welche
aus dem piezoelektrischen Schereffekt (Piezokoeffizient
d₁₄) resultieren, können dadurch jedoch nicht vermieden
werden.
Das aus der AT-PS 3 82 968 bekannte Meßelement löst das Problem
der Ladungssammlung und Abfuhr aus dem Meßelement
folgendermaßen: Die Elektroden der einzelnen Einkristallelemente
liegen hier jeweils paarweise aneinander, wobei der
Schichtkörper außen Verbindungsbrücken für die Elektroden
gleichnamiger Ladungen aufweist. In der Umgebung der Verbindungsbrücken
weisen die zur jeweils anderen Ladung gehörigen
aneinanderliegenden Elektroden zweier benachbarter Kristallelemente
jeweils Ausnehmungen auf. Die Verbindungsbrücken zwischen
den einzelnen gleichnamigen Elektroden sind seitlich am
Schichtkörper aufgedampft. Falls die optische (z) Achse mit
jener Ebene, welche durch die am Schichtkörper gegenüberliegend
angeordneten Verbindungsbrücken aufgespannt ist, einen
Winkel 40° einschließt, kann ein Großteil der Störsignale,
die aufgrund von transversalen Piezoeffekten beim Auftreten
von Kräften normal zur x-Achse entstehen können, vermieden
werden. Zwangsläufig werden jedoch auch hier jene Ladungen addiert,
welche durch unbeabsichtigte aber dennoch nicht zu vermeidende
Scherspannungen im Meßelement über den piezoelektrischen
Schereffekt entstehen und durch keine der in den obengenannten
Schriften angegebenen Maßnahmen vermieden werden
können.
Ähnlich ist die Situation bei Meßwertaufnehmern, die den
transversalen piezoelektrischen Effekt ausnützen. Wie beim
longitudinalen Effekt erfolgt auch hier die elektrische Polarisation
parallel zur x-Achse. Der wesentliche Unterschied
liegt in der Krafteinleitung, welche zur Ausnutzung des transversalen
Piezoeffektes parallel zur y-Achse erfolgt. Da eine
Krafteinleitung parallel zur z-Achse keine dielektrische Verschiebung
hervorruft, der Kristall also gegen Krafteinwirkung
parallel zur optischen Achse unempfindlich ist, muß man bei
Ausnutzung des transversalen Piezoeffektes darauf achten, daß
die Krafteinwirkung möglichst parallel zur y-Achse des Kristalls
erfolgt. Werden mehrere Kristallstäbe bzw. Kristallelemente
in einem Meßwertaufnehmer auf dem Prinzip des transversalen
Piezoeffektes verwendet, so muß aus den genannten Gründen
stets auf die Orientierung der y-Achse bzw. der z-Achse
großer Wert gelegt werden. Auch hier treten in der x-, y-Ebene
unkompensierte Scherspannungen auf, die das Meßergebnis verfälschen
können.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Meßelement der eingangs
genannten Art vorzuschlagen, bei welchem trotz einfachem
Aufbau der Einfluß von Fehlladungen aufgrund des piezoelektrischen
Schereffektes minimiert werden kann, wobei eine geringe
Störempfindlichkeit bezüglich thermischer und mechanischer Beanspruchung
erhalten bleiben soll.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein
Teil der verwendeten Kristallelemente einem bestimmten
Enantiomorphie-Typ l oder r angehört und eine der beiden Absolutorientierungen
der x-Achse α₁ oder α₂ aufweist und die übrigen
Kristallelemente dem entgegengesetzten Enantiomorphie-
Typ angehören und die entgegengesetzte Absolutorientierung
der x-Achse aufweisen. Damit kann trotz eines von Null
verschiedenen Koeffizienten d₁₄ in der Piezomatrix von Kristallen
der Punktgruppe 32 eine bisher nicht für möglich gehaltene
Eliminierung des Einflusses der genannten Schereffektladungen
erfolgen.
Der Ausdruck Enantiomorphie ist in der Kristallographie ein
gängiger Ausdruck und bedeutet, daß einige Kristalle der
Kristallklasse 32, z. B. α-Quarz und seine Homöotypen in zwei
möglichen Raumgruppen kristallisieren können, die mit P3₂21
und mit P3₁21 bezeichnet werden. Die beiden Formen, die bei
Quarz als Brasilianer-Zwillinge bekannt sind, unterscheiden
sich beispielsweise durch die Orientierung der Drehung der
Polarisationsebene von Licht und werden daher mit l für links-
bzw. r für rechtsdrehend bezeichnet. Die beiden möglichen
Absolutorientierungen der x-Achse a₁ und α₂ ergeben bei Quarz
die aus der Kristallographie bekannten Zwillinge vom
Dauphin´e-Typ. Wichtig ist in diesem Zusammenhang eine konsistente
Achsenbezeichnung. Diese ist hier und im folgenden so
gewählt, daß für einen Rechtskristall die positive x-Richtung
derart bestimmt und als +x-Achse bezeichnet wird, daß bei positiver
Scherung eine positive Ladung abgegeben wird. Davon
ausgehend ergeben sich die anderen Achsen und Vorzeichen.
Aus der untenstehenden Tabelle 1 sind die Vorzeichen der
Ladungsabgabe in die +x-Richtung für den longitudinalen Piezoeffekt
(d₁₁) und den piezoelektrischen Schereffekt (d₁₄)
ersichtlich.
Wie aus der Tabelle 1 hervorgeht, können in einer Variante I
r α₁- und l α₂-Kristallelemente oder in einer Variante II r α₂ und
l α₁-Kristallelemente kombiniert werden. Durch eine
entsprechende Wahl der äußeren Abmessungen, beispielsweise der
Dicke der einzelnen Kristallelemente, sowie der Größe der
Elektrodenflächen auf den im wesentlichen normal zu den
elektrischen Achsen stehenden Oberflächen können die aufgrund
des Schereffektes entstehenden Ladungen vollkommen kompensiert
werden.
Für die meisten Anwendungen sind jedoch alle Kristallelemente
eines Meßelementes bezüglich ihrer Abmessungen und
Elektrodenflächen völlig gleichartig aufgebaut, so daß in einer
Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen ist, daß jeweils die
Hälfte der Kristallelemente entgegengesetzten Enantiomorphie-
Typen l und r angehören und entgegengesetzte Absolutorientierungen
der x-Achsen α₁ und α₂ aufweisen.
Um auch inhomogen über den Kristallelementstapel verteilte
Scherspannungen optimal kompensieren zu können, ist in einer
Weiterbildung der Erfindung vorgesehen, daß jeweils zwei
benachbarte Kristallelemente entgegengesetzten Enantiomorphie-
Typen l und r angehören und entgegengesetzte Absolutorientierungen
der x-Achsen α₁ und α₂ aufweisen, wobei jedes Paar
von Kristallelementen aus einem l α₂- und einem r α₁-Typ bzw.
einem r a₂- und einem l α₁-Typ besteht.
Der erfindungsgemäße Gedanke läßt sich sowohl in Ausnützung
des longitudinalen als auch des transversalen Piezoeffektes
anwenden, wenn im longitudinalen Fall bei einem Teil,
vorzugsweise der Hälfte, der Kristallelemente des Meßelementes
die Einleitung der zu messenden Größe T₁ parallel zur x-Achse
und bei den übrigen antiparallel zur x-Achse erfolgt bzw. im
transversalen Fall die optischen z-Achsen parallel zueinander
ausgerichtet im Meßelement (1) angeordnet sind und die Einleitung
der zu messenden Größe T₂ normal auf die von den Achsen x
und z aufgespannte Ebene der einzelnen Kristallelemente des
Meßelementes erfolgt. Falls das Meßelement in einer Umgebung
verwendet wird, wo lediglich geringe Temperaturdifferenzen
auftreten und somit unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten
der Kristallelemente in den einzelnen Achsrichtungen nicht berücksichtigt
werden müssen, können - unter Ausnutzung des longitudinalen
Piezoeffektes - die z-Achsen der Kristallelemente
zueinander beliebige Richtungen aufweisen.
Zur Erhöhung der Signalgüte und zur Verbesserung des
Signal-Rauch-Verhältnisses kann erfindungsgemäß vorgesehen
sein, daß mehrere zumindest zwei Kristallelemente umfassende
Teilstapel zu einer Einheit zusammengefaßt sind.
Vorteile für die Ladungsableitung und die Anbringung der die
gleichnamigen Elektroden zusammenfassenden Verbindungsbrücken
ergeben sich für eine weitere Ausgestaltung der Erfindung,
wenn ein den transversalen Piezoeffekt ausnutzendes Meßelement
zumindest drei Teilstapel aufweist, welche kreisförmig um eine
zur zu messenden Größe T₂ parallele Achse angeordnet sind,
wobei die x-Achsen der einzelnen Kristallelemente parallel
oder antiparallel zum Radius des Meßelementes und die z-Achsen
der Teilstapel jeweils parallel zueinander angeordnet sind.
Kristallelemente, welche sich sowohl in ihrer Raumgruppe bzw.
Enantiomorphie als auch in der Absolutorientierung der
x-Achsen unterscheiden, können nicht aus einem Rohkristallbarren
geschnitten werden. Um so mehr muß darauf geachtet
werden, daß die einzelnen Kristallelemente möglichst gleiche
physikalische Eigenschaften aufweisen. Erfindungsgemäß wird
deshalb vorgeschlagen, daß jedes der Kristallelemente zur
Gänze aus einer bestimmten Wachstumszone eines Rohkristallbarrens
stammt und frei von Zonengrenzen ist. Beim Wachstum
von Kristallen, beispielsweise eines synthetischen Quarzkristalls
entwickeln sich bekanntlich typische Wachstumszonen,
welche mit X, S und Z bezeichnet werden. Sichtbar gemacht werden
diese Zonen mittels Hitzebehandlung, Bestrahlung mit harter
Röntgenstrahlung oder mittels Röntgentopographie.
Mit Hilfe der letztgenannten Methode sieht man auch, daß die
Grenzen zwischen den einzelnen Wachstumszonen eine erhöhte
Versetzungsliniendichte besitzen. Diese Kristalldefekte sind
insbesondere in Meßwertaufnehmern mit vergleichsweise hoher
thermischer und mechanischer Belastung der Kristallelemente
Ausgangspunkte für Bruch- oder Rißbildung. Die Vermeidung von
Zonengrenzen in den einzelnen Kristallelementen eines
Meßelementes führt somit zu den eingangs geforderten Verbesserungen.
Aufgrund der unterschiedlichen Wachstumsgeschwindigkeiten der
einzelnen Zonen sind bei Quarz vor allem die +x- und die
Z-Zonen von Interesse, wobei letztere aufgrund ihrer größeren
Wachstumsrate im allgemeinen größere Abmessungen aufweisen als
die +x-Zonen und bevorzugt zur Erzeugung von Kristallelementen
herangezogen werden.
Bei der Verwendung von GaPO₄ werden vor allem R-Zonen
herangezogen, welche sich dadurch auszeichnen, daß die Wachstumsfläche
dieser Wachstumszonen eine Rhomboederfläche ist.
Schließlich ist in einer weiteren Verbesserung vorgesehen, daß
jene Kristallelemente, die demselben Enantiomorphie-Typ
angehören und dieselbe Absolutorientierung aufweisen aus einem
Rohkristallbaren stammen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Zeichnungen näher
erläuert.
Es zeigen Fig. 1 ein Meßelement nach der Erfindung in
Schnittdarstellung, Fig. 2 eine andere Ausgestaltung eines
Meßelementes geschnitten nach Linie II-II in Fig. 3 und Fig. 3
eine Draufsicht auf das Meßelement nach Fig. 2.
Zur Vermeidung von Ladungsbeiträgen aufgrund von
Scherspannungen werden bei einem den longitudinalen Piezoeffekt
ausnützenden Meßelement 1 die beispielsweise scheibenförmigen
Kristallelemente 2 in Fig. 1 derart gestapelt, daß benachbarte
Kristallelemente 2 entgegengesetzten Enantiomorphie-
Typen l und r (z. B. Linksquarz und Rechtsquarz) sowie unterschiedlichen
Absolutorientierungen der x-Achse (Dauphin´e-
Typen) α₁ und α₂ angehören. Neben der in Fig. 1 dargestellten
Variante I nach Tabelle 1, in welcher sich l α₂- mit
r α₁-Typen abwechseln, ist es natürlich auch möglich in einer
hier nicht dargestellten Variante II l α₁- und r α₂-Typen paarweise
zu kombinieren. Die Einleitung der zu messenden Größe T₁
erfolgt hier parallel bzw. antiparallel zu den positiven
x-Richtungen der einzelnen Kristallelemente. Gegenüberliegende
Flächen der Kristallelemente 2 sind jeweils mit Elektroden
3, 4 versehen, welche durch bekannte Verfahren, beispielsweise
durch Aufdampfen, mit dem Kristallelement verbunden
sind. An gegenüberliegenden Außenflächen des Meßelementes 1
sind die die jeweils gleichnamigen Elektroden 3 bzw. 4 zusammenfassenden
Verbindungsbrücken 5 bzw. 6 angeordnet. Nähere
Details für die Elektrodenanordnung sind aus der eingangs genannten
AT-PS 3 82 968 ersichtlich.
Auf der linken Seite des Meßelementes 1 sind die Vorzeichen
der Ladungen, welche dem longitudinalen Piezoeffekt (d₁₁)
zugrunde liegen, eingetragen, auf der rechten Seite jene im
Zusammenhang mit dem piezoelektrischen Schereffekt (d₁₄). Man
sieht, daß sich die Ladungen auf der rechten Seite bei einer
geraden Anzahl von Kristallelementen 2 sowohl für die positive
Elektrode 6 als auch für die negative 5 aufheben, wobei auf
die Tabelle 1 verwiesen wird, in welcher die Vorzeichen der
Ladungsabgabe in die +x-Richtung ersichtlich sind. Im Gegensatz
zur hier dargestellten Anordnung ist es auch möglich,
die Z-Achsen der Kristallelemente 2 nicht parallel zueinander
auszurichten.
In den Fig. 2 und 3 ist ein Meßelement 1 dargestellt, welches
den transversalen Piezoeffekt ausnützt und insgesamt sechs
Teilstapel 7 mit jeweils zwei Kristallelementen 2 aufweist.
Die einzelnen Teilstapel 7 sind kreisförmig um eine zur zu
messenden Größe T₂ parallele Achse 8 angeordnet, wobei die
x-Achse der einzelnen Kristallelemente parallel bzw. antiparallel
zum Radius des Meßelementes 1 angeordnet sind. In den
einzelnen Teilstapeln 7 sind jeweils l α₂- und r α₁-Kristallelemente
paarweise angeordnet. Die die negativen Ladungen abführenden
Verbindungsbrücken 5 werden durch die in Fig. 2 ersichtliche
elektrische Leitung 9 sowie die für die positiven
Ladungen verantwortlichen Verbindungsbrücken 6 durch eine in
Fig. 3 dargestellte Ringleitung 10 zusammengefaßt. Kompensiert
wird hier die Scherspannung T₄ in der x-, y-Kristallebene, gemessen
wird über den Piezokoeffizienten d₁₂.
Es ist auch möglich, bei Kristallelementen mit unterschiedlichen
äußeren Abmessungen bzw. bei Vorliegen räumlich
inhomogener Scherspannungen, mit Hilfe des Erfindungsgedankens
bzw. durch die Wahl unterschiedlich großer Elektrodenflächen
für eine Kompensation der Schereffektladungen zu sorgen.
Claims (9)
1. Piezoelektrisches Meßelement, insbesondere für Meßwertaufnehmer,
mit zumindest zwei Kristallelementen, aus Kristallen
der Punktsymmetrieklasse 32, bei welchen entgegengesetzte
Enantiomorphie-Typen l und r existieren, wobei
die Kristallelemente gemeinsam von der zu messenden
mechanischen Größe, wie z. B. Kraft, Druck oder Beschleunigung,
beaufschlagbar sind und an gegenüberliegenden, im
wesentlichen senkrecht zu ihren elektrischen (x) Achsen
angeordneten Oberflächen leitend anliegende Elektroden
aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der verwendeten
Kristallelemente (2) einem bestimmten Enantiomorphie-
Typ l oder r angehört und eine der beiden Absolutorientierungen
der x-Achse α₁ oder α₂ aufweist und die
übrigen Kristallelemente (2) dem entgegengesetzten Enantiomorphie-
Typ angehören und die entgegengesetzte Absolutorientierung
der x-Achse aufweisen.
2. Piezoelektrisches Meßelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jeweils die Hälfte der Kristallelemente
(2) entgegengesetzten Enantiomorphie-Typen l und r angehören
und entgegengesetzte Absolutorientierungen
der x-Achsen α₁ und α₂ aufweisen.
3. Piezoelektrisches Meßelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß jeweils zwei benachbarte Kristallelemente
(2) entgegengesetzten Enantiomorphie-Typen l
und r angehören und entgegengesetzte Absolutorientierungen
der x-Achsen α₁ und α₂ aufweisen, wobei jedes Paar von
Kristallelementen (2) aus einem l α₂- und einem r α₁-Typ
bzw. einem r α₂- und einem l α₁-Typ besteht.
4. Piezoelektrisches Meßelement nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Teil, vorzugsweise
der Hälfte, der Kristallelemente (2) des Meßelementes
(1) die Einleitung der zu messenden Größe (T₁)
parallel zur x-Achse und bei den übrigen antiparallel
zur x-Achse erfolgt.
5. Piezoelektrisches Meßinstrument nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die optischen (z) Achsen
parallel zueinander ausgerichtet im Meßelement (1)
angeordnet sind und die Einleitung der zu messenden
Größe (T₂) normal auf die von den Achsen x und z aufgespannte
Ebene der einzelnen Kristallelemente (2) des Meßelementes
(1) erfolgt.
6. Piezoelektrisches Meßelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß mehrere zumindest zwei Kristallelemente
(2) umfassende Teilstapel (7) zu einer Einheit
zusammengefaßt sind.
7. Piezoelektrisches Meßelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß ein den transversalen Piezoeffekt ausnutzendes
Meßelement (1) zumindest drei Teilstapel (7)
aufweist, welche kreisförmig um eine zur zu messenden
Größe (T₂) parallele Achse (8) angeordnet sind, wobei
die x-Achsen der einzelnen Kristallelemente (2) parallel
oder antiparallel zum Radius des Meßelementes (1) und die
z-Achsen der Teilstapel (7) jeweils parallel zueinander
angeordnet sind.
8. Piezoelektrisches Meßelement nach Anspruch 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß jedes der Kristallelemente (2)
zur Gänze aus einer bestimmten Wachstumszone eines Rohkristallbarrens
stammt und frei von Zonengrenzen ist.
9. Piezoelektrisches Meßelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß jene Kristallelemente (2), die demselben
Enantiomorphie-Typ angehören und dieselbe Absolutorientierung
aufweisen, aus einem Rohkristallbarren stammen.
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