DE3771573D1 - Verfahren und vorrichtung zum regeln der unterkuehlung der erstarrungsfront eines einkristalls waehrend des wachsens und anwendung dieser einkristallregelung. - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum regeln der unterkuehlung der erstarrungsfront eines einkristalls waehrend des wachsens und anwendung dieser einkristallregelung.

Info

Publication number
DE3771573D1
DE3771573D1 DE8787400938T DE3771573T DE3771573D1 DE 3771573 D1 DE3771573 D1 DE 3771573D1 DE 8787400938 T DE8787400938 T DE 8787400938T DE 3771573 T DE3771573 T DE 3771573T DE 3771573 D1 DE3771573 D1 DE 3771573D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
single crystal
growing
regulating
cooling
application
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE8787400938T
Other languages
English (en)
Inventor
Jean Comera
Pierre Contamin
Jean-Jacques Favier
Guy Marquet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Application granted granted Critical
Publication of DE3771573D1 publication Critical patent/DE3771573D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/006—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
DE8787400938T 1986-04-28 1987-04-23 Verfahren und vorrichtung zum regeln der unterkuehlung der erstarrungsfront eines einkristalls waehrend des wachsens und anwendung dieser einkristallregelung. Expired - Lifetime DE3771573D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8606107A FR2597884B1 (fr) 1986-04-28 1986-04-28 Procede et dispositif de controle en continu de la surfusion du front de solidification d'un monocristal en cours d'elaboration et application au controle de la croissance d'un crital

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3771573D1 true DE3771573D1 (de) 1991-08-29

Family

ID=9334676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8787400938T Expired - Lifetime DE3771573D1 (de) 1986-04-28 1987-04-23 Verfahren und vorrichtung zum regeln der unterkuehlung der erstarrungsfront eines einkristalls waehrend des wachsens und anwendung dieser einkristallregelung.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4797174A (de)
EP (1) EP0246940B1 (de)
JP (1) JPS62260789A (de)
DE (1) DE3771573D1 (de)
FR (1) FR2597884B1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4925636A (en) * 1987-12-14 1990-05-15 Grumman Aerospace Corporation Apparatus for directional solidification of a crystal material
FR2685483A1 (fr) * 1991-12-23 1993-06-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif de solidification d'un materiau conducteur de l'electricite dope et de controle en continu de sa teneur en dopant.
US5394830A (en) * 1993-08-27 1995-03-07 General Electric Company Apparatus and method for growing long single crystals in a liquid encapsulated Czochralski process
FR2763344B1 (fr) * 1997-05-16 1999-08-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif de solidification et de controle en continu de la croissance cristalline d'un materiau dope ou d'un alliage conducteurs de l'electricite
FR2772394B1 (fr) * 1997-12-17 2000-01-14 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mesure de la solidification d'un materiau conducteur de l'electricite, dope, et de controle en continu de sa teneur en dopant
CN110931403B (zh) * 2019-10-25 2022-06-17 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种桨的调节装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE160066C (de) *
DE132760C (de) *
US2813048A (en) * 1954-06-24 1957-11-12 Bell Telephone Labor Inc Temperature gradient zone-melting
FR1598493A (de) * 1968-12-18 1970-07-06
US3922527A (en) * 1974-12-26 1975-11-25 Nat Forge Co Temperature control apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
FR2597884A1 (fr) 1987-10-30
JPS62260789A (ja) 1987-11-13
EP0246940A1 (de) 1987-11-25
US4797174A (en) 1989-01-10
FR2597884B1 (fr) 1994-03-18
EP0246940B1 (de) 1991-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATA224287A (de) Verfahren zum zuechten von kristallen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
AT355060B (de) Verfahren zur regulierung des wachstums von pflanzen und mittel zur durchfuehrung des ver- fahrens
DE3783010D1 (de) Vorrichtung und verfahren zum abheben des kopfes von kokstrommeln.
DE69218194D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum regeln der erstarrung von flüssigkeiten
DE69633409D1 (de) Vorrichtung zum befestigen und einrichten der wirbel während eines chirurgischen eingriffs
DE3776530D1 (de) Vorrichtung und verfahren zum schleifen von giessformen.
DE3675550D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum selbsttaetigen einstellen eines prozessregulators.
DE68917724D1 (de) Verfahren zur regelung der temperatur eines werkzeugs und vorrichtung dazu.
DE68922068D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Steuern des Öffnen und Schliessen eines Flüssigkeitskanals.
AT365396B (de) Verfahren und vorrichtung zum maschinellen herstellen von saat- oder pflanzrillen
JPS5393184A (en) Apparatus and method for growing single crystal from melt
DE3380932D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum regeln der form eines einkristalls.
DE3852518D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kontrollieren der Spannung des Florkettenfadens.
DE69018549D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Steuern des Wasserprozentsatzes.
DE3686570D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von einkristallen nach dem czochralski-verfahren.
DE3485697D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern einer anzeige.
DE59407304D1 (de) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON SiC-EINKRISTALLEN
ATA270477A (de) Pflanzenregulierende mittel und verfahren zur regulierung des pflanzenwachstums
DE3886461D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum regulieren des einspritzdruckes einer spritzgiessmaschine.
DE3884585D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aendern der einstellung von ueberdruck-tellerventilen.
ATA149484A (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern der schnittgeschwindigkeit von schneidmaschinen
DE19581382D2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen durch Sublimationszüchtung
AT370783B (de) Verfahren und vorrichtung zum praeparieren der austrittsflaeche von spinnduesen
DE58901856D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum oeffnen des stichlochs von oefen.
DE69114973D1 (de) Verfahren und Apparat zum Zerschneiden von Einkristallbarren mittels einer Innenlochsäge.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee