DE3769220D1 - Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor.

Info

Publication number
DE3769220D1
DE3769220D1 DE8787420161T DE3769220T DE3769220D1 DE 3769220 D1 DE3769220 D1 DE 3769220D1 DE 8787420161 T DE8787420161 T DE 8787420161T DE 3769220 T DE3769220 T DE 3769220T DE 3769220 D1 DE3769220 D1 DE 3769220D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gate surface
cirf
field effect
sensor
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8787420161T
Other languages
English (en)
Inventor
Nicole Jaffrezic
Claude Martelet
Pierre Bataillard
Paul Clechet
Rooij Nicolas Frans De
Den Vlekkert Hendrik Harme Van
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PUBLIC A CARACTERE SCIENT CULT
Original Assignee
PUBLIC A CARACTERE SCIENT CULT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PUBLIC A CARACTERE SCIENT CULT filed Critical PUBLIC A CARACTERE SCIENT CULT
Application granted granted Critical
Publication of DE3769220D1 publication Critical patent/DE3769220D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
DE8787420161T 1986-06-17 1987-06-15 Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor. Expired - Fee Related DE3769220D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8608989A FR2600212B1 (fr) 1986-06-17 1986-06-17 Procede de realisation d'une surface-grille sur un capteur electrochimique integre cosntitue d'un transistor a effet de champ et capteur en faisant application

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3769220D1 true DE3769220D1 (de) 1991-05-16

Family

ID=9336553

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8787420161T Expired - Fee Related DE3769220D1 (de) 1986-06-17 1987-06-15 Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor.

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0252857B1 (de)
AT (1) ATE62550T1 (de)
DE (1) DE3769220D1 (de)
ES (1) ES2022433B3 (de)
FR (1) FR2600212B1 (de)
GR (1) GR3001760T3 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2666930B1 (fr) * 1990-09-14 1992-12-18 Lyon Ecole Centrale Procede et realisation d'une surface-grille d'un capteur electrochimique integre, constitue d'un transistor a effet de champ et sensible aux especes alcalino-terreuses et capteur obtenu.

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3831432A (en) * 1972-09-05 1974-08-27 Texas Instruments Inc Environment monitoring device and system
US4490216A (en) * 1983-02-03 1984-12-25 Molecular Devices Corporation Lipid membrane electroanalytical elements and method of analysis therewith

Also Published As

Publication number Publication date
GR3001760T3 (en) 1992-11-23
ES2022433B3 (es) 1991-12-01
ATE62550T1 (de) 1991-04-15
EP0252857B1 (de) 1991-04-10
FR2600212B1 (fr) 1988-10-07
EP0252857A1 (de) 1988-01-13
FR2600212A1 (fr) 1987-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE280806T1 (de) Zusammensetzungen aus alkoxysilan und organischem polymer zur herstellung von dünnen isolierenden schichten und deren verwendung
ES2033153T3 (es) Dioxido de silicio modificado en la superficie.
ATE174123T1 (de) Mikromechanische vorrichtung und verfahren zu deren herstellung
ATE187844T1 (de) Verfahren zur herstellung einer oxidschicht in der halbleitertechnik
ATE27206T1 (de) Verfahren zur herstellung von siliziumoxidschichten.
ATE81481T1 (de) Wasserdichter gegenstand und verfahren zu seiner herstellung.
DE69026503D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Bauelementen mit übereinander angeordneten selbstjustierten Feldeffekttransistoren aus Polisilizium und sich daraus ergebende Struktur
DE3788388D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines REFETs oder eines CHEMFETs, sowie deren Herstellung.
EP0928345A4 (de)
EP0316696A3 (en) Organopolysiloxane elastomers having improved electrical properties and insulators coated therewith
ATE13509T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur pyrogenen herstellung von siliciumdioxid.
DE3788900D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines länglichen gesinterten Farmkörpers.
DE68910360D1 (de) Methode zur Herstellung eines MOS-Halbleiter-Leistungsbauelementes (HIMOS) mit Leitfähigkeitsmodulation.
DE3769220D1 (de) Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor.
ATE77465T1 (de) Formkoerper zur waermedaemmung.
DE3669322D1 (de) Verfahren zur aufkonzentrierung von ppe-loesungen.
DE69629781D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Flaschenkorken
DE3766648D1 (de) Katalytisches verfahren zur herstellung von silakohlenwasserstoffen.
ATE215737T1 (de) Verfahren zur herstellung von photovoltaischen modulen aus kristallinem silizium
DE59201703D1 (de) Verfahren zur Holzimprägnierung.
ATE80738T1 (de) Verfahren zur herstellung eines immunreaktiven traegermaterials fuer die heterogene immunologische analyse.
ATE224901T1 (de) Verfahren zur herstellung von 5-brom-2- fluorbenzolboronsäure
DE69008052D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Isepamicin.
DE3764572D1 (de) Verfahren zur herstellung von 2.2-bis-(4-hydroxy-3-nitrophenyl)-hexafluorpropan.
DE69503106D1 (de) Verfahren zur Herstellung von L-Ascorbinsäure

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee