ATE62550T1 - Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor.

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ATE62550T1
ATE62550T1 AT87420161T AT87420161T ATE62550T1 AT E62550 T1 ATE62550 T1 AT E62550T1 AT 87420161 T AT87420161 T AT 87420161T AT 87420161 T AT87420161 T AT 87420161T AT E62550 T1 ATE62550 T1 AT E62550T1
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gate surface
cirf
field effect
sensor
making
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AT87420161T
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Nicole Jaffrezic
Claude Martelet
Pierre Bataillard
Paul Clechet
Rooij Nicolas Frans De
Den Vlekkert Hendrik Harme Van
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Public A Caractere Scient Cult
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS

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AT87420161T 1986-06-17 1987-06-15 Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor. ATE62550T1 (de)

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ATE62550T1 true ATE62550T1 (de) 1991-04-15

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