DE3742920C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine lineare Lichtfühleran
ordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Eine solche Lichtfühleranordnung ist aus der JP-A-
236354/1985 bekannt und wird unter Bezug auf die Fig. 1 bis
3 erläutert.
Die lineare Lichtfühleranordnung wird bei einem Röntgen
strahlenradiographiesystem einer solchen Art verwendet, bei
der beispielsweise eine Lichtplatte als anregbare Leucht
stoffplatte (Phosphorplatte) verwendet wird. Die Anordnung
liest Röntgenstrahlenbilddaten aus, die in der Bildplatte
in der Form eines latenten Bildes gespeichert sind.
Solch eine lineare Lichtfühleranordnung ist gemäß Fig. 1
aufgebaut. Zwischen einer Anregungsstrahlenquelle 2 und eine
lineare Lichtfühleranordnung 3, die gegenüberliegend angeordnet
sind, wird eine Bildplatte 1 gebracht und in Y Richtung
bewegt. Eine der Hauptflächen, die hier mit 1a bezeichnet
ist und die Strahlungsenergie als latentes Bild
speichert, wird mit den anregenden Strahlen, normalerweise
einem Laserstrahl, bestrahlt, die von der Anregungsstrahlenquelle
2 ausgehen. Aufgrund der Bestrahlung geht von der
anderen Hauptfläche 1b der Bildplatte 1 eine als beschleunigte
Phosphoreszenz bezeichnete Lichtstrahlung aus und
wird von der linearen Lichtfühleranordnung 3 erfaßt. Die
anregenden Strahlen und die lineare Lichtfühleranordnung 3
wirken zusammen, um die Bildplatte in X Richtung abzutasten.
Die relative Bewegung der Anregungsstrahlenquelle 2
und der linearen Lichtfühleranordnung 3 in bezug auf die
Bildplatte 1 führt zu einer Abtastung in der Y Richtung.
Der von der linearen Lichtfühleranordnung 3 erfaßte Lichtstrahl
wird in ein elektrisches Signal umgesetzt und zu
Bilddaten, die dem latenten Bild entsprechen, verarbeitet,
die dann gespeichert und angezeigt oder auf einem Film aufgezeichnet
werden können.
Die Größe der Bildplatte 1 beträgt in einem speziellen Fall
400 mm × 400 mm, und die von der linearen Lichtfühleranordnung 3
gesammelten optischen Bilddaten werden zu elektrischen
Bilddaten von 2000 × 2000 Pixeln (Bildelementen) ver
arbeitet. n der Pixel Px 1, Px 2, Px 3, . . . Pxn, die geradli
nig gemäß Darstellung in Fig. 2 in X Richtung angeordnet
sind, werden im wesentlichen gleichzeitig durch die Abta
stung durch das Zusammenwirken der Anregungsstrahlenquelle
2 und der linearen Lichtfühleranordnung 3 ausgelesen. Die
Kombination von Lichtquelle 2 und Fühleranordnung 3 und die
Bildplatte 1 werden dann nacheinander n Mal in Y Richtung
senkrecht zur X Richtung verschoben, damit alle Pixel abge
tastet werden und die Bilddaten der 2000 × 2000 Pixel er
halten werden, wobei n = 2000.
Die lineare Lichtfühleranordnung 3 ist so angeordnet, daß
sie der Anregungsstrahlenquelle 2 gegenüberliegt. Die
Lichtfühleranordnung 3 enthält Fühlerelement E 1, E 2, E 3,
. . . En (n = 2000) von 2000 Kanälen, was 2000 Pixeln und somit
der Gesamtanzahl von Pixeln einer linearen Abtastung in
X Richtung der Bildplatte 1 entspricht. Dies ist deut
lich in Fig. 3 dargestellt. Die Oberfläche 1a der Bildplatte 1
wird mit den linearen Anregungsstrahlen bestrahlt, und die
Oberfläche 1b emittiert Lichtstrahlen. Die emittierten
Strahlen werden von der linearen Lichtfühleranordnung 3 mit
einer Auflösung von 2000 Pixeln erfaßt.
Zur relativen Bewegung von Lichtquelle 2 und Lichtfühleran
ordnung 3 zur Bildplatte 1 sind die Lichtquelle 2 und die
lineare Linienfühleranordnung 3 aneinander befestigt, und
die Bildplatte 1 wird in Y Richtung bewegt.
Die in Fig. 3 gezeigte lineare Lichtfühleranordnung 3 umfaßt
eine erste Elektrode 5, eine amorphe Siliziumschicht 6
und eine zweite Elektrode 7. Die erste Elektrode 5 umfaßt
Elektrodenelemente 5(1), 5(2), 5(3), . . . 5(n) (n = 2000).
Die Siliziumschicht 6 (oder eine andere Halbleiterschicht)
mit der lichtelektrischen Umwandlungsfunktion bedeckt die
Oberfläche der ersten Elektrode 5. Die zweite Elektrode 7
ist eine transparente leitende Schicht, die die Oberfläche
des amorphen Siliziums 6 bedeckt.
Die Länge L der Lichtfühleranordnung 3 beträgt 400 mm ent
sprechend der Länge der Bildplatte 1 in X Richtung. Die
Größe jedes Elektrodenelements der ersten Elektrode 5 be
stimmt sich aus diesen Größen, nämlich 400 mm und 2000 Pi
xeln. Das Rastermaß P der Elektrodenelemente beträgt bei
spielsweise 180 µm und die Länge S jedes Elektrodenelements
120 µm. Dies führt zu einem Abstand von 60 µm zwischen den
Elektrodenelementen.
Die von der Oberfläche 1b der Bildplatte 1 emittierten
Lichtstrahlen gelangen zur zweiten Elektrode 7 und werden
von der armophen Siliziumschicht 6 in jeweilige elektrische
Stromsignale umgesetzt. Der Signalstrom wird zum ersten
Elektrodenabschnitt 5 gerade unter der Stelle der Lichtbe
strahlung ausgegeben. Auf diese Weise werden die von der
Oberfläche 1a der Bildplatte 1 emittierten Bildlichtstrah
len erfaßt.
Bei der Anordnung der Elektrodenelemente mit einem Abstand
von 60 µm kann der Strom, der zu einem bestimmten Element
fließen soll, über die amorphe Siliziumschicht 6 zu Elemen
ten fließen, die diesem bestimmten Element benachbart sind.
Dies führt zu einem Übersprechen des erfaßten Signals.
Um dieses Problems Herr zu werden, wäre es ideal, die erste
Elektrode 5, die amorphe Siliziumschicht 6 und die zweite
Elektrode 7 zur Bildung gesonderter Fühlerelemente mit 2000
Kanälen gesondert auszubilden, wie es in Fig. 4 gezeigt
ist. Beim gegenwärtigen Stand der fotolithographischen
Technik ist es außerordentlich schwierig, die Muster der
drei Schichten mit zufriedenstellend hoher Genauigkeit in
der Größenordnung von 10 µm herzustellen. Insbesondere die
Ausrichtung der Maske der einzelnen Schichten ist sehr
schwierig. Daher ist die Herstellung einer linearen Licht
fühleranordnung gemäß Fig. 4 nahezu unmöglich.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine lineare Lichtfühleran
ordnung zu schaffen, für die die Muster mit der bei der
gegenwärtigen Herstellungstechnologie möglichen Genauigkeit
hergestellt werden können und die das Problem des Übersprechens
wirksam beseitigt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine lineare
Lichtfühleranordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs
1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un
teransprüchen gekennzeichnet.
Gemäß der angegebenen Lösung umfaßt die lineare Lichtfüh
leranordnung einen ersten Elektrodenabschnitt mit Mehr
kanalelektrodenelementen und einen dritten Elektrodenab
schnitt mit einer Vielzahl von Elektrodenelementen, die je
zwischen den benachbarten Elektrodenelementen des ersten
Elektrodenabschnitts liegen und auf einem vorbestimmten
Potential gehalten werden.
Die Elektrodenelemente des ersten Elektrodenabschnitts und
jene des dritten Elektrodenabschnitts sind abwechselnd an
geordnet. Die Elektrodenelemente des dritten Elektrodenab
schnitts werden beispielsweise auf Massepotential gehalten.
Diese Anordnung der Elektrodenelemente löst das Problem des
Übersprechens unter Verhinderung eines Stromflusses zu den
benachbarten Elementen.
Eine Anzahl von Elektrodenelementen des ersten Elektroden
abschnitts ist durch den dritten Elektrodenabschnitt elek
trisch isoliert, damit das Übersprechen zwischen den Kanä
len wirkungsvoll verhindert wird und die Herstellung der
linearen Lichtfühleranordnung leicht wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend an
hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Modell einer linearen Lichtfühleranordnung als
Leseeinrichtung in Verbindung mit einer Bild
platte,
Fig. 2 ein Diagramm der Bildplatte zur Erläuterung der
Anordnung von Pixeln,
Fig. 3 eine Querschnittsansicht mit dem Aufbau einer
herkömmlichen linearen Lichtfühleranordnung;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht einer idealen linearen
Lichtfühleranordnung,
Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer ersten Ausfüh
rungsform einer linearen Lichtfühleranordnung
gemäß der Erfindung,
Fig. 6A bis 6D im Querschnitt eine Folge von Herstellungs
schritten zur Herstellung der linearen Lichtfüh
leranordnung von Fig. 5,
Fig. 7 eine Querschnittsansicht einer zweiten Ausfüh
rungsform der linearen Lichtfühleranordnung gemäß
der Erfindung,
Fig. 8 eine Querschnittsansicht einer dritten Ausfüh
rungsform einer linearen Lichtfühleranordnung
gemäß der Erfindung, und
Fig. 9 eine Querschnittsansicht einer vierten Ausfüh
rungsform einer linearen Lichtfühleranordnung
gemäß der Erfindung.
Im folgenden sei zunächst auf Fig. 5 Bezug genommen, die
den Aufbau einer ersten Ausführungsform der erfindungsge
mäße linearen Lichtfühleranordnung zeigt.
Auf einem Glassubstrat 14 ist ein erster Elektrodenab
schnitt 15 ausgebildet. Der erste Elektrodenabschnitt 15
setzt sich aus Elektrodenelementen 15(1), 15(2), 15(3), . . .
15(n) (n = 2000) zusammen. Ein dritter Elektrodenabschnitt
18 ist ebenfalls auf dem Glassubstrat 14 ausgebildet. Der
dritte Elektrodenabschnitt 18 setzt sich aus Elektrodenele
menten 18(1), 18(2), 18(3), . . . 18(m) (m = n - 1 = 1999)
zusammen, von denen jedes zwischen benachbarten Elektroden
elementen des ersten Elektrodenabschnitts angeordnet ist.
Die Elektrodenelemente des ersten und des dritten Elektro
denabschnitts sind also abwechselnd angeordnet. Die Raster
maße P 1 und P 2 und die Längen S 1 und S 2 der Elektrodenele
mentanordnung der ersten und der dritten Elektrodenab
schnitte betragen 140 µm und 60 µm bzw. 110 µm und 30 µm.
Eine amorphe Siliziumschicht 16 bedeckt den ersten und den
dritten Elektrodenabschnitt 15 und 18. Die amorphe Sili
ziumschicht wird von einer zweiten Elektrode 17 in Form einer
transparenten leitenden Schicht aus Zinnoxide (SnO2) bedeckt.
Die Elektrodenelemente 15(1) bis 15(n) des ersten
Elektrodenabschnitts 15 sind mit Anschlußklemmen 19(1),
19(2), 19(3), . . ., bzw. 19(n) (n = 2000) verbunden. Die
Elektrodenelemente 18(1) bis 18(m) des dritten Elektroden
abschnitts 18 sind mit Masse verbunden, so daß sie auf dem
selben Potential gehalten werden.
Die Schritte des Herstellungsverfahrens für die so aufge
baute Lichtfühleranordnung soll nachfolgend unter Bezug auf
Fig. 6 beschrieben werden.
Schritt (a) (Fig. 6A): Eine leitende Schicht 15′ wird mit
tels bekannter Dampfabscheidung oder chemischer Dampfab
scheidung (CVD) auf einem Glassubstrat 14 ausgebildet.
Schritt (b) (Fig. 6B): Überflüssige Teile der in Schritt
(a) ausgebildeten leitenden Schicht 15′ werden fotolithogra
phisch entfernt. Bei diesem Schritt werden die diskreten
Elektrodenelemente 15(1) bis 15(n) und 18(1) bis 18(m) des
ersten und des dritten Elektrodenabschnitts, die abwech
selnd angeordnet sind, ausgebildet. Die Rastermaße P 1 und
P 2 und die Längen S 1 und S 2 sind dabei wie oben angegeben.
Schritt (c) (Fig. 6C): Eine amorphe Siliziumschicht 16 wird
mittels bekannter Dampfabscheidung, durch Aufstäuben oder
mittels des CVD-Verfahrens so ausgebildet, daß sie den er
sten und den dritten Elektrodenabschnitt 15 und 18 bedeckt.
Schritt (d) (Fig. 6D): Der zweite Elektrodenabschnitt 17
wird ausgebildet und bedeckt die amorphe Siliziumschicht
16. Der zweite Elektrodenabschnitt 17 ist eine transparente
leitende Schicht aus Zinnoxid SnO2 oder Indiumzinnoxid
(ITO). Der zweite Elektrodenabschnitt 17 kann unter Verwen
dung der oben angegebenen bekannten Verfahren hergestellt
werden.
Nachfolgend sollen Arbeitsweise und Verwendung der linearen
Lichtfühleranordnung beschrieben werden.
Im Gebrauch der linearen Lichtfühleranordnung von Fig. 5
werden die Elektrodenelemente 18(1) bis 18(m) des dritten
Elektrodenabschnitts 18 auf festem Potential, zum Beispiel
Massepotential, gehalten. Unter dieser Voraussetzung wird
die zweite Elektrode 17 mit dem von der Seite 1b der Bildplatte
1 emittierten Licht bestrahlt. Das empfangene Licht
wird von der amorphen Siliziumschicht 16 in Strom umgesetzt.
Dieser Strom wird zu dem Elektrodenelement des ersten
Elektrodenabschnitts 15 ausgegeben, das der Bestrahlungsstelle
entspricht. Das Vorhandensein der Elektrodenelemente
18(1) bis 18(m) auf festem Potential zwischen den
Elektrodenelementen 15(1) bis 15(n) trennt die Elektroden
elemente 15(1) bis 15(n) elektrisch voneinander. Das heißt,
der zu beiden Seiten eines jeden Elektrodenelements in der
amorphen Siliziumschicht 16 fließende Strom wird von den
angrenzenden Elektrodenelementen 18(1) bis 18(m) nach Masse
abgeleitet. Auf diese Weise wird das Übersprechen, das andernfalls
zwischen den Elektrodenelementen 15(1) bis 15(n),
das heißt in Kanälen, auftreten würde, erfolgreich verhindert.
Bei dem in Fig. 5 gezeigten Aufbau von erstem Elektrodenab
schnitt 15, drittem Elektrodenabschnitt 18, amorpher Sili
ziumschicht 16 und zweitem Elektrodenabschnitt 17, die auf
dem Glassubstrat 14 ausgebildet sind, bedürfen nur der er
ste und der dritte Elektrodenabschnitt 15 und 18 der ersten
Schicht einer Teilbearbeitung, während die übrigen Ab
schnitte keine solche Bearbeitung erfordern. Die Fotoli
thographietechnik ist daher nur zur Ausbildung des ersten
Elektrodenabschnitts 15 und des dritten Elektrodenab
schnitts 18 erforderlich. Dies bedeutet, daß die Herstellung
der Muster mit der höchstmöglichen Genauigkeit bei
dieser Technik verwendet werden kann. Bei der Fotolithographietechnik
kann eine Arbeitsgenauigkeit von 5 bis 10 µm
mit zufriedenstellender Reproduzierbarkeit erreicht werden.
Bei der Herstellung des ersten und des dritten Elektrodenabschnitts 15
und 18 können deren Größen auf derart kleine
Zahlen verringert werden, falls nötig. Zur Erzielung des
höchsten Meß- oder Erfassungswirkungsgrades ist es erwünscht,
die Größe (Fläche) der einzelnen Elektrodenelemente
des ersten Elektrodenabschnitts so groß wie möglich
zu machen. Die Anforderung an den dritten Elektrodenabschnitt
ist lediglich, ein festes Potential zu halten. Geringe
Größe der Elektrodenelemente des dritten Elektrodenabschnitts
führen daher zu keinen Problemen in der praktischen
Verwendung.
Es sei angemerkt, daß die Zahlenwerte zu den Größen und der
Anzahl von Pixeln lediglich Beispiele sind und erforderli
chenfalls geändert werden können.
Eine zweite Ausführungsform der linearen Lichtfühleran
ordnung gemäß der Erfindung soll nun unter Bezug auf Fig. 7
beschrieben werden. Wie dargestellt, sind eine Anzahl von
Elektrodenelementen 25(1), 25(2), 25(3), . . . einer ersten
Schicht, eine amorphe Siliziumschicht 26 als zweite Schicht
und eine Elektrode 27 als dritte Schicht wie bei der her
kömmlichen Anordnung nach Fig. 3 auf einem Glassubstrat 24
ausgebildet. Von den Elektrodenelementen sind die geradzahli
gen Elektrodenelemente 25(2), 25(4), . . . auf Massepotential
gehalten, während die ungeradzahligen Elektrodenelemente
25(1), 25(3), . . . mit Ausgangsanschlüssen verbunden sind
und als erste Elektrode dienen.
Eine dritte Ausführungsform der linearen Lichtfühleranordnung
gemäß der Erfindung ist in Fig. 8 gezeigt. Wie dargestellt,
sind eine Anzahl von Elektrodenelementen 25(1),
25(2), 25(3), 25(4), . . . einer ersten Schicht, eine amorphe
Siliziumschicht 26 als zweite Schicht und ein Elektrodenabschnitt 27
als dritte Schicht in gleicher Weise wie in Fig. 7
auf einem Glassubstrat 24 ausgebildet. Von den Elektrodenelementen
werden die Elektrodenelemente 25(3), 25(6), . . .
auf Massepotential gehalten, während die übrigen Elektrodenelemente
25(1), 25(2), 25(4), 25(5), . . . so angeordnet
sind, daß zwei benachbarte Elektrodenelemente paarweise
zusammengeschlossen und mit einem Ausgangsanschluß verbunden
sind. Diese Elektrodenelemente 25(1), 25(2), 25(4),
25(5), . . . werden als erster Elektrodenabschnitt verwendet.
Eine vierte Ausführungsform der linearen Lichtfühleranordnung
gemäß der Erfindung ist in Fig. 9 gezeigt. Wie dargestellt,
sind eine Anzahl von Elektrodenelementen 25(1),
25(2), 25(3), . . . einer ersten Schicht, eine amorphe Siliziumschicht
26 als eine zweite Schicht und ein Elektrodenabschnitt
27 als eine dritte Schicht wie bei der Anordnung
von Fig. 7 auf einem Glassubstrat 24 angeordnet. Die
Elektrodenelemente 25(1), 25(2), 25(3), . . . sind mit je
weiligen Wahlschaltern 28(1), 28(2), 28(3), . . . verbunden.
Diese Wahlschalter werden dazu verwendet, den Anschluß der
Elektrodenelemente 25(1), 25(2), 25(3), . . . an Masse oder
an einen Ausgangsanschluß zu wählen. Die ungeradzahligen
Wahlschalter 28(1), 28(3), . . . stellen eine erste Schalter
gruppe dar. Die geradzahligen Wahlschalter 28(2), 28(4),
. . . stellen eine zweite Schaltergruppe dar. Bei dieser An
ordnung wird das wirksame Signal von dem Signal von der
zweiten Schaltergruppe abgeleitet, wenn die erste Schalter
gruppe geerdet ist, oder von dem Signal von der ersten
Schaltergruppe, wenn die zweite Schaltergruppe geerdet ist.
Bei diesem Signal ist das Übersprechen von Elektrodenele
menten 25(1), 25(2), 25(3), . . . ausgeschaltet, und darüber
hinaus kann die Lichtbilderfassung mit höherer Auflösung
durchgeführt werden.
Claims (9)
1. Lineare Lichtfühleranordnung, umfassend
eine erste Elektrodenanordnung (15) mit einer Viel zahl diskreter Elektrodenelemente (15(1) bis 15(n); 25(1), 25(3), 25(5); 25(1), 25(2), 25(4), 25(5); 25(1)-25(5)), die linear angeordnet sind,
eine Halbleiterschicht (16; 26) mit lichtelektrischer Umwandlungsfunktion, die auf eine der Hauptflächen der li near angeordneten ersten Elektrodenanordnung (15) gelegt ist und die linear angerodneten Elektrodenelemente bedeckt und
eine zweite Elektrodenanordnung (17; 27), die dieje nige Hauptfläche der zweiten Halbleiterschicht (16; 26) be deckt, die nicht mit der linear angeordneten ersten Elek trodenanordnung (15) in Kontakt steht,
gekennzeichnet durch eine dritte Elektrodenanordnung (18) mit einer Viel zahl von Elektrodenelementen (18(1) bis 18(m); 25(2), 25(4); 25(3); 25(1) bis 25(5)), von denen jedes zwischen den benachbarten Elektrodenelementen (15(1) bis 15(n); 25(1), 25(3), 25(5); 25(1), 25(2), 25(4), 25(5); 25(1) bis 25(5)) der ersten Elektrodenanordnung (15) angeordnet ist und die auf einem vorbestimmten Potential gehalten werden.
eine erste Elektrodenanordnung (15) mit einer Viel zahl diskreter Elektrodenelemente (15(1) bis 15(n); 25(1), 25(3), 25(5); 25(1), 25(2), 25(4), 25(5); 25(1)-25(5)), die linear angeordnet sind,
eine Halbleiterschicht (16; 26) mit lichtelektrischer Umwandlungsfunktion, die auf eine der Hauptflächen der li near angeordneten ersten Elektrodenanordnung (15) gelegt ist und die linear angerodneten Elektrodenelemente bedeckt und
eine zweite Elektrodenanordnung (17; 27), die dieje nige Hauptfläche der zweiten Halbleiterschicht (16; 26) be deckt, die nicht mit der linear angeordneten ersten Elek trodenanordnung (15) in Kontakt steht,
gekennzeichnet durch eine dritte Elektrodenanordnung (18) mit einer Viel zahl von Elektrodenelementen (18(1) bis 18(m); 25(2), 25(4); 25(3); 25(1) bis 25(5)), von denen jedes zwischen den benachbarten Elektrodenelementen (15(1) bis 15(n); 25(1), 25(3), 25(5); 25(1), 25(2), 25(4), 25(5); 25(1) bis 25(5)) der ersten Elektrodenanordnung (15) angeordnet ist und die auf einem vorbestimmten Potential gehalten werden.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Elektrodenelemente (15(1) bis
15(n); 25(1) bis 25(5)) der ersten und der dritten Elektro
denanordnung (15, 18; 25) abwechselnd angeordnet sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Fläche der einzelnen Elektroden
elemente (18(1) bis 18(m)) der dritten Elektrodenanordnung
(18) schmaler als die der einzelnen Elektrodenelemente
(15(1) bis 15(n)) der ersten Elektrodenanordnung (15) ist.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das vorbestimmte Potential, auf dem
die dritte Elektrodenanordnung (18) gehalten wird, das Erd
potential ist.
5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die zweite Elektrodenanordnung eine
transparente leitende Schicht (17; 27) umfaßt, die eine der
Hauptflächen der Halbleiterschicht (16; 26) im wesentlichen
ganz bedeckt.
6. Lineare Lichtfühleranordnung mit einer ersten
Elektrodenanordnung (15) mit einer Vielzahl von linear
angeordneten Elektrodenelementen (15(1) bis 15(n); 25(1),
25(3), 25(5); 25(1), 25(2), 25(4), 25(5); 25(1) bis 25(5)),
einer linearen zweiten Elektrodenanordnung (17; 27) und
einer linearen Halbleiterschicht (16; 26) mit lichtelektri scher Umwandlungsfunktion, die zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenanordnung (15, 16; 26) angeordnet ist, gekennzeichnet durch
eine dritte Elektrodenanordnung (18) mit einer Viel zahl von Elektrodenelementen (18(1) bis 18(n); 25(2), 25(4); 25(3); 25(1) bis 25(5)), von denen jedes zwischen benachbarten Elektrodenelementen der ersten Elektrodenan ordnung (15) angeordnet ist und auf einem vorbestimmten Po tential gehalten wird.
einer linearen Halbleiterschicht (16; 26) mit lichtelektri scher Umwandlungsfunktion, die zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenanordnung (15, 16; 26) angeordnet ist, gekennzeichnet durch
eine dritte Elektrodenanordnung (18) mit einer Viel zahl von Elektrodenelementen (18(1) bis 18(n); 25(2), 25(4); 25(3); 25(1) bis 25(5)), von denen jedes zwischen benachbarten Elektrodenelementen der ersten Elektrodenan ordnung (15) angeordnet ist und auf einem vorbestimmten Po tential gehalten wird.
7. Lineare Lichfühleranordnung mit einer ersten
Elektrodenanordnung (15) mit einer Vielzahl von linear
angeordneten Elektrodenelementen (25(1), 25(3), 25(5);
25(1), 25(2), 25(4), 25(5); 25(1) bis 25(5)), einer zweiten
linearen Elektrodenanordnung und einer linearen Halbleiter
schicht (16; 26) mit lichtelektrischer Umwandlungsfunktion,
die zwischen der ersten und zweiten Elektrodenanordnung
(15, 16; 26) eingeschlossen ist, dadurch gekenn
zeichnet, daß jedes N-te Elektrodenelement der er
sten Elektrodenanordnung (15) auf einem vorbestimmten Po
tential gehalten wird, wobei N eine ganze Zahl ist.
8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das vorbestimmte Potential das Erd
potential ist.
9. Anordnung nch Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die zweite Elektrodenanordnung eine
transparente leitende Schicht (17; 27) umfaßt, die eine der
Hauptflächen der Halbleiterschicht (16; 26) im wesentlichen
ganz bedeckt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61299863A JPS63153857A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ライン状光検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3742920A1 DE3742920A1 (de) | 1988-06-30 |
DE3742920C2 true DE3742920C2 (de) | 1991-04-11 |
Family
ID=17877860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873742920 Granted DE3742920A1 (de) | 1986-12-18 | 1987-12-17 | Lineare lichtfuehleranordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4887139A (de) |
JP (1) | JPS63153857A (de) |
DE (1) | DE3742920A1 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0964269A3 (de) * | 1998-06-10 | 2006-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zum Auslesen von Strahlungsbildern |
DE19962775C1 (de) * | 1999-12-23 | 2001-03-15 | Agfa Gevaert Ag | Vorrichtung zum Auslesen von in einer Speicherschicht abgespeicherten Informationen und Röntgenkassette |
JP2001350228A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像読取装置 |
US6800870B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-10-05 | Michel Sayag | Light stimulating and collecting methods and apparatus for storage-phosphor image plates |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61189065A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61299863A patent/JPS63153857A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-17 US US07/134,061 patent/US4887139A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-17 DE DE19873742920 patent/DE3742920A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3742920A1 (de) | 1988-06-30 |
US4887139A (en) | 1989-12-12 |
JPS63153857A (ja) | 1988-06-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
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