DE3739489C2

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Info

Publication number: DE3739489C2
Application number: DE3739489A
Authority: DE
Inventors: Shinetsu Kawasaki Kanagawa Jp Fujieda; Akira Yoshizumi; Kazutaka Yokohama Kanagawa Jp Matsumoto; Hisayuki Chiba Jp Hirai
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-11-21
Filing date: 1987-11-21
Publication date: 1993-06-17
Also published as: JPS63130621A; DE3739489A1; JPH0725994B2; KR880006774A

Description

Die Erfindung betrifft eine Preßharzverbindung auf einer Harzbasis unter Verwendung einer Metallchelatverbin dung, sowie die Verwendung dieser Preßharzverbindung zur Herstellung eines elektronischen Bauteiles.The invention relates to a molding resin compound a resin base using a metal chelate compound dung, and the use of this press resin compound for Manufacture of an electronic component.

Auf dem Gebiete der Formpressung von Halbleiterein richtungen ist die Zahl von Funktionseinheiten auf einem Halbleiterchip in der letzten Zeit erheblich erhöht worden, und es sind schnelle Fortschritte hinsichtlich Integration von Halbleiterchips hoher Dichte gemacht worden.In the field of compression molding of semiconductors directions is the number of functional units in one Semiconductor chip has been increased significantly lately and there are rapid advances in integration made of high density semiconductor chips.

Seit kurzem ist die Oberflächenmontage populärer ge worden. Eine bei solchen Einrichtungen eingesetzte Formmasse muß eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit haben, nachdem die Einrichtung in geschmolzenes Lot bei einer hohen Temperatur (260°C) für mehrere Sekunden eingetaucht worden ist. Her kömmliche Preßharze erfüllen die Anforderungen hinsichtlich thermischer Widerstandsfähigkeit und Temperaturwechselbe ständigkeit bei hoher Integration der Halbleitereinrichtungen nicht. Im Stand der Technik wird üblicherweise ein Epoxidharz als Preßharz für Halbleiterkapselung verwendet. Insbesondere wurde ein Epoxidharz, das mit einem Phenolnovo lackharz gehärtet wurde, als allgemein als Preßharz laufend verwendet aufgrund seiner ausgezeichneten Beständigkeit gegen Feuchtigkeit und seiner Hochtemperatureigenschaften und Preßbarkeit.Surface mounting has recently become more popular been. A molding compound used in such facilities must have high moisture resistance after the Set up in molten solder at a high temperature (260 ° C) for several seconds. Here Conventional molding resins meet the requirements with regard to thermal resistance and temperature changes Consistency with high integration of semiconductor devices Not. In the prior art, a is usually used Epoxy resin used as a molding resin for semiconductor encapsulation. In particular, an epoxy resin with a Phenolnovo lacquer resin was hardened as generally running as molding resin used because of its excellent durability against moisture and its high temperature properties and pressability.

Jedoch ist dieses herkömmliche Epoxidharz problembe haftet. Bei diesem Harz treten häufig Brüche im Phosphor-Silikat- Glasfilm (PSG) oder im Silizium-Nitridfilm (SIN) auf, welche dazu verwendet werden, die Oberfläche abzudecken und das Aluminiummuster des Halbleiterelements gegen das Ein dringen von Feuchtigkeit zu schützen. Ferner können Brüche auch im Halbleiterchip selbst entstehen. Diese Bruchneigung tritt häufig während thermischer Zyklustests der Einrichtungen auf.However, this conventional epoxy resin is problematic is liable. This resin often breaks in phosphorus silicate Glass film (PSG) or in silicon nitride film (SIN), which are used to cover the surface and the aluminum pattern of the semiconductor element against the on penetrate to protect from moisture. Furthermore, breaks also arise in the semiconductor chip itself. This tendency to break often occurs during thermal cycle tests of facilities on.

Daraus resultieren Beschädigungen aufgrund von Chip brüchen oder Korrosion des Aluminiummusters, bewirkt durch Brechen des Schutzfilms. Brüche entwickeln sich häufig im Grenzbereich zwischen dem Halbleiterchip oder dem Bleirahmen und dem Preßharz, nachdem die Halbleitereinrichtung in geschmolzenes Lot bei etwa 260°C eingetaucht wurde. Hier durch entstehen Fehler der Einrichtung oder resultiert eine ungenaue Arbeit der Einrichtung. Um diese Probleme zu über winden, ist es notwendig, daß die Beanspruchung der inneren Umhüllung des Preßharzes verringert wird und daß die Klebe- bzw. Haftfähigkeit zwischen dem Bleirahmen und dem Glasfilm, z. B. dem PSG- oder SiN-Film auf der Oberfläche des Elements erhöht werden muß. Auch muß der Anteil an hydrolisierbaren Halogenverbindungen in dem gehärteten Produkt verringert werden, und die Wasseradsorption aus der Atmosphäre muß verringert werden zum Schutz gegen Korrosion des Aluminium musters auf der Oberfläche des Halbleiterelements. Es ist wichtig, die Konzentration von Chlorid zu verringern und die elektrische Isolationswirkung auf einem hohen Niveau zu halten, auch in Umgebungen mit hoher Feuchtigkeit oder hoher Temperatur.This results in damage due to chip cracks or corrosion of the aluminum pattern caused by Breaking the protective film. Fractures often develop in the Border area between the semiconductor chip or the lead frame and the molding resin after the semiconductor device in molten solder was immersed at about 260 ° C. Here due to errors in the facility or a result imprecise work of the facility. To over these problems wind, it is necessary that the stress on the inner Coating of the molding resin is reduced and that the adhesive or adhesion between the lead frame and the glass film, e.g. B. the PSG or SiN film on the surface of the element must be increased. The proportion of hydrolyzable must also Halogen compounds in the cured product decreased be, and the water adsorption from the atmosphere are reduced to protect against corrosion of the aluminum pattern on the surface of the semiconductor element. It is important to reduce the concentration of chloride and the electrical insulation effect at a high level hold, even in environments with high humidity or high Temperature.

Es ist ein modifiziertes Verfahren vorgeschlagen worden, bei dem nachfolgend genannte Verbindungen für das Epoxypreßharz verwendet werden, das durch Phenolnovolackharz für geringe Beanspruchungen gehärtet wurde. Diese Verindungen umfassen einen flüssigen Kautschuk (Japanische Offenle gungsschrift Nr. 57-42 720), ein epoxymodifiziertes Butadien kopolymer (Japanische Offenlegungsschrift Nr. 57-120), ein alkylphenolmodifiziertes Phenolnovolack-Epoxyharz (Japanische Offenlegungsschrift Nr. 59 30 820), ein siloxanmodifiziertes Phenolnovolack-Epoxyharz (Japanische Offenlegungsschriften Nr. 58-21417 und 58-34825) und ein vernetztes Siloxankopoly merpulver (Japanische Offenlegungsschrift Nr. 58-2 19 218).A modified procedure has been proposed in the connections below for the Epoxy molding resin can be used by phenolic novolac resin has been hardened for low loads. These connections comprise a liquid rubber (Japanese Offenle 57-42720), an epoxy-modified butadiene copolymer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-120) alkylphenol modified phenolic novolac epoxy resin (Japanese Publication No. 59 30 820), a siloxane-modified Phenolic novolac epoxy resin (Japanese Patent Application Laid-Open 58-21417 and 58-34825) and a cross-linked siloxane copoly merpulver (Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-2 19 218).

Diese Verbindungen liefern aber nicht die notwendigen hohen Haft- bzw. Klebeeigenschaften zum Versiegeln bzw. Abdichten des Bleirahmens bezüglich der anderen Elemente der Einrichtung. Dies bedeutet, daß diese Materialien keinen ausreichenden Feuchtigkeitsschutz bieten. Nachdem das preß verformte Element in das flüssige Lot eingetaucht worden ist, dringt Feuchtigkeit in das Preßformelement ein. Bei dem Niederdruckverfahren zur Herstellung von Harzverbindungen verringert sich gewöhnlich die Viskosität des dem Nieder druckmittel zugeführten Harzes im geschmolzenen Zustand. Hierdurch ergeben sich eine Vielzahl von Problemen. Bei spielsweise kann sich die Verdrahtung der Einrichtung lagemäßig verändern, oder die Drähte können sich berühren, oder die Anordnung kann unbrauchbar werden.However, these connections do not provide the necessary ones high adhesive properties for sealing or Sealing the lead frame with respect to the other elements of the Facility. This means that these materials do not provide adequate moisture protection. After that press deformed element has been immersed in the liquid solder is, moisture penetrates into the mold element. In which Low pressure process for the production of resin compounds usually the viscosity of the Nieder decreases pressure medium supplied resin in the molten state. This creates a variety of problems. At for example, the wiring of the device change position, or the wires can touch, or the arrangement may become unusable.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine neue und verbesserte Preßharzverbindung anzugeben mit einer ausgezeichneten Klebe- bzw. Haftfähigkeit, geringen hygroskopischen Werten und mit guter Formbarkeit.The object of the present invention is to specify a new and improved press resin connection with excellent adhesiveness, low adhesion hygroscopic values and with good formability.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Preßharzverbindung auf einer Harzbasis unter Verwendung einer Metallchelatverbindung, bei der zusätzlich ein Trenn mittel verwendet wird, das mit der Metallchelatverbindung vorverbunden ist und bei der die Metallchelatverbindung Zirkoniumchelat, Titanchelat oder Aluminiumchelat oder eine Kombination dieser ist, wobei das Mischungsverhältnis zwischen Metallchelatverbindung und Trennmittel 0,1 bis 50 Gew.-% und das Mischungsverhältnis von Metallchelatver bindung und Trennmittel zur gesamten Preßharzverbindung 0,01 bis 3 Gew.-% beträgt.The object is achieved by a Resin-based molding resin compound using a metal chelate compound with an additional separation medium is used that with the metal chelate compound is pre-connected and in which the metal chelate compound Zirconium chelate, titanium chelate or aluminum chelate or one Combination of these is, the mixing ratio between Metal chelate compound and release agent 0.1 to 50 wt .-% and the mixing ratio of metal chelate Bond and release agent for the entire press resin compound 0.01 is up to 3% by weight.

Die inneren Trennmittel, die bei dieser Erfindung verwendet werden, können Hydrokarbonwachse, Fettsäurewachse, Fettsäureamidwachse und Esterwachse aufweisen. Insbesondere werden Esterwachse, z. B. Carnaubawachs und Montanwachs, wegen ihrer Beständigkeit gegen Feuchtigkeit bevorzugt. Andere bevorzugte Trennmittel weisen langkettige Karbonsäuren und deren Salze auf, z. B. Stearinsäure, Palmitinsäure und Salze wie Zinkstearat, Kalziumstearat und andere Metall salze dieser Säuren, Polyethylenwachs mit niedrigem Moleku largewicht sowie Kombinationen daraus.The internal release agents used in this invention hydrocarbon waxes, fatty acid waxes, Have fatty acid amide waxes and ester waxes. In particular are ester waxes, e.g. B. carnauba wax and montan wax, preferred for its resistance to moisture. Other preferred release agents have long chain carboxylic acids and their salts, e.g. B. stearic acid, palmitic acid and salts such as zinc stearate, calcium stearate and other metal salts of these acids, low molecular weight polyethylene wax larweight and combinations thereof.

Metallchelatverbindungen, die bei dieser Erfindung verwendet werden, sind vorzugsweise Zirkoniumchelat, Titan chelat und Aluminiumchelat. Das Zirkoniumchelat ist vorzugs weise eine der folgenden Verbindungen:Metal chelate compounds used in this invention zirconium chelate, titanium are preferably used chelate and aluminum chelate. The zirconium chelate is preferred one of the following connections:

Zirkoniumtetrakis-Azetylazetonat,
Zirkoniummonobutoxy-tris-Azetylazetonat,
Zirkoniumdibutoxy-bis-Azetylazetonat,
Zirkoniumtributoxy-Azetylazetonat,
Zirkoniumtetrakis-Ethylazetoazetat,
Zirkoniumbutoxy-tris-Ethylazetoazetat,
Zirkoniumdibutoxy-bis-Ethylazetoazetat,
Zirkoniumtributoxy-mono-Ethylazetoazetat,
Zirkoniumtetrakis-Ethyllactat,
Zirkoniumdibutoxy-bis-Ethyllactat,
Zirkonium-bis-Azetylazetonato-bis-Ethylazetoazetat,
Zirkoniummono-Azetylazetonato-tris-Ethylazetoazetat,
Zirkoniummonobutoxy-mono-Azetylazetonato-bis- Ethylazetoazetat und
Zirkonium-bis-Azetylazetonato-bis-Ethyllactat.Zirconium tetrakis acetylazetonate,
Zirconium monobutoxy-tris-acetylazetonate,
Zirconium dibutoxy-bis-acetylazetonate,
Zirconium tributoxy acetylazetonate,
Zirconium tetrakis ethyl acetoacetate,
Zirconium butoxy tris ethyl acetoacetate,
Zirconium dibutoxy-bis-ethyl acetoacetate,
Zirconium tributoxy monoethyl acetoacetate,
Zirconium tetrakis ethyl lactate,
Zirconium dibutoxy-bis-ethyl lactate,
Zirconium-bis-acetylazetonato-bis-ethyl azetoacetate,
Zirconium mono-acetylazetonato-tris-ethyl azetoacetate,
Zirconium monobutoxy-mono-acetylazetonato-bis-ethyl acetoacetate and
Zirconium bis-acetylazetonato bis ethyl lactate.

Es werden Titanchelatverbindungen und die Aluminium chelatverbindungen von solchen Verbindungen bevorzugt, die folgende Liganden aufweisen: Beta-Diketone, Hydroxykarbon säuren, Ketoester, Ketoalkohole und Glykole. There are titanium chelate compounds and the aluminum chelate compounds preferred by those compounds which have the following ligands: beta-diketones, hydroxy carbon acids, keto esters, keto alcohols and glycols.

Von den oben erwähnten Metallchelatverbindungen werden insbesondere die Zirkonchelatverbindungen bevorzugt unter dem Gesichtspunkt der Feuchtigkeitsbeständigkeit und unter dem Gesichtspunkt der Kompatibilität. Es werden vor verbundene innere Trennmittel und Metallchelatverbindungen verwendet, um eine Schmelztemperatur zu erreichen, die höher ist als die Schmelztemperatur des inneren Trennmittels. Hierdurch kann mit der Kombination ein homogener Schmelzzu stand erreicht werden.Of the metal chelate compounds mentioned above especially the zirconium chelate compounds are preferred from the point of view of moisture resistance and from the point of view of compatibility. There will be bonded internal release agents and metal chelate compounds used to reach a melting temperature that is higher is the melting temperature of the internal release agent. As a result, a homogeneous melting can be achieved with the combination status can be achieved.

Das Mischungsverhältnis zwischen Metallchelatverbindung und innerem Trennmittel beträgt 0,1 bis 50 Gew.-% und vorzugsweise 0,5 bis 30 Gew.-%.The mixing ratio between metal chelate compound and internal release agent is 0.1 to 50 wt .-% and preferably 0.5 to 30% by weight.

Das Mischungsverhältnis von Metallchelatverbindung und innerem Trennmittel zur gesamten Preßharzverbindung bewegt sich im Bereich zwischen 0,01 bis 3 Gew.-% und be trägt vorzugsweise zwischen 0,1 und 1 Gew.-%. Wenn das Verhältnis zu groß ist, kann keine geeignete Feuchtigkeitsbeständigkeit erreicht werden, und wenn es zu niedrig ist, verringert sich die Trennfähigkeit der Preßform.The mixing ratio of metal chelate compound and internal release agent for the entire molding resin connection ranges between 0.01 and 3% by weight and be preferably carries between 0.1 and 1% by weight. If the relationship to is large, can not be suitable moisture resistance can be achieved and if it is too low it will decrease the separability of the mold.

Wenn die Preßharzverbindung gemäß vorliegender Erfindung bei einer Epoxyharzverbindung für eine Halbleiterumhüllung verwendet wird, sind die Hauptmittel Epoxyharz, das innere Trennmittel, ein Härtemittel, ein katalytisches Härtemittel und ein Flammschutzmittel. Anorganische Füll stoffe, Oberflächenbehandlungsmittel für den Füllstoff und Färbemittel können hinzugefügt werden. Außerdem werden als Additive Mittel zur Niederspannungsanwendung eingesetzt.When the molding resin compound according to the present invention in an epoxy resin compound for a semiconductor package The main agents used are epoxy resin internal release agent, a hardening agent, a catalytic Hardening agent and a flame retardant. Inorganic fill substances, surface treatment agents for the filler and Colorants can be added. In addition, as Additive agents used for low voltage applications.

Typische Herstellungsverfahren für das Preßharz ge mäß vorliegender Erfindung verwenden das Schmelzkneten durch Verwendung einer thermischen Walze, eines Kneters oder eines Extruders, und das Mischen nach einer feinen Pulverisierung, indem eine spezielle Mischmaschine verwendet wird.Typical manufacturing processes for the molding resin According to the present invention, melt kneading is used by Use of a thermal roller, a kneader or a Extruders, and mixing after a fine pulverization, using a special mixing machine.

Eine Halbleitereinrichtung, die mit der Harzverbindung gemäß vorliegender Erfindung umhüllt ist, kann leicht auf herkömmliche Weise hergestellt werden. A semiconductor device using the resin compound encased according to the present invention can easily be made in a conventional manner.

Das üblichste Preßformverfahren ist das Niederdruck transferpressen. Andere Verfahren sind das Spritzgießen, das Formpressen und das Einbettungsverfahren. Das Epoxyharz wird durch Erhitzen beim Formen ausgehärtet, und es wird die vom Harz umhüllte Halbleitereinrichtung erhalten. Die Aushär tungstemperatur beträgt wenigstens 150°C.The most common compression molding process is low pressure transfer presses. Other processes are injection molding Compression molding and the embedding process. The epoxy resin will cured by heating during molding, and it becomes the from Obtained resin-coated semiconductor device. The endurance tion temperature is at least 150 ° C.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Beispielen näher erläutert werden.The invention is intended to be based on examples are explained in more detail.

example 1

Mit Hilfe eines Henschel-Mischers wurden 72 Gewichts teile Siliziumdioxid, 2 Gewichtsteile Antimontrioxid und 0,4 Gewichtsteile Y-Glycidiloxypropyltrimethoxysilan als Haftmittel gemischt. Danach wurden 16 Gewichtsteile Ortho cresol-Novolackharz, 8 Gewichtsteile Phenolnovolackharz, 2 Gewichtsteile Bromepoxyharz, 0,2 Gewichtsteile Triphenyl phosphin und 0,3 Gewichtsteile Kohlenstoffpulver, ferner Härtungsbeschleuniger und 0,3 Gewichtsteile eines inneren Trennmittels, beschrieben in der Tabelle 1, vermischt. Die vermischten Verbindungen wurden mit Hilfe von Zweiachswalzen bei 70 bis 100°C geknetet, und danach wurden die gekneteten Verbindungen abgekühlt. Die Verbindungen wurden dann zer kleinert und zu Tabletten geformt. Hierdurch ergab sich ein Epoxyharz gemäß vorliegender Erfindung zur Umhüllung einer Halbleitereinrichtung.Using a Henschel mixer, 72 weights were parts of silicon dioxide, 2 parts by weight of antimony trioxide and 0.4 Parts by weight of Y-glycidiloxypropyltrimethoxysilane as Mixed adhesive. Then 16 parts by weight of Ortho cresol novolac resin, 8 parts by weight phenol novolac resin, 2 Parts by weight of bromepoxy resin, 0.2 parts by weight of triphenyl phosphine and 0.3 part by weight of carbon powder, further Hardening accelerator and 0.3 parts by weight of an inner Release agent, described in Table 1, mixed. The mixed compounds were made using two-axis rollers kneaded at 70 to 100 ° C, and then the kneaded Connections cooled. The connections were then broken crushed and shaped into tablets. This resulted in a Epoxy resin according to the present invention for wrapping a Semiconductor device.

Examples 2 to 8

In jedem Beispiel wurde Harz hergestellt, indem die gleichen Verbindungen und Verfahren gemäß Beispiel 1 verwendet wurden, mit der Ausnahme, daß entsprechend Tabelle 1 unterschiedliche innere Trennmittel verwendet wurden.In each example, resin was made by the same compounds and methods used in Example 1 with the exception that according to Table 1 different internal release agents were used.

Example 9

16,7 Gewichtsteile Poly(phenylmethylen)polymaleimid harz, 7 Gewichtsteile eines Phenolnovolack-Epolxyharzes, 4,2 Gewichtsteile eines Phenolnovolackharzes, 0,28 Gewichtsteile Triphenylphosphin, 70,7 Gewichtsteile geschmolzenes Siliziumpulver, 0,3 Gewichtsteile Koh lenstoffpulver, 0,4 Gewichtsteile eines Epoxysilanhaftmittels und 0,8 Gewichtsteile eines Trennmittels wurden gemischt. Die gemischten Verbindungen wurden durch Zweiachs walzen bei 70 bis 100°C geknetet, und nach dem Kneten wurden sie abgekühlt. Diese Verbindungen wurden zerkleinert und zu Tabletten geformt. Es ergab sich ein Epoxyharz gemäß vorlie gender Erfindung zur Umhüllung der Halbleitereinrichtung. 16.7 parts by weight of poly (phenylmethylene) polymaleimide resin, 7 parts by weight of a phenolic novolac resin, 4.2 parts by weight of a phenolic novolac resin, 0.28 part by weight of triphenylphosphine, 70.7 parts by weight of molten silicon powder, 0.3 part by weight of carbon powder, 0.4 part by weight of one Epoxysilane adhesive and 0.8 part by weight of a release agent were mixed. The mixed compounds were kneaded by two-axis rolling at 70 to 100 ° C, and after kneading, they were cooled. These compounds were crushed and made into tablets. The result was an epoxy resin according to vorlie gender invention for wrapping the semiconductor device.

Comparative Example 1

Bei diesem Vergleichsbeispiel wurden 0,3 Gewichts teile von Carnaubawachs verwendet, jedoch kein inneres Trennmittel. Der Herstellungsprozeß ist der gleiche wie beim oben erwähnten Beispiel 1.In this comparative example, 0.3 weight parts of carnauba wax used, but no interior Release agent. The manufacturing process is the same as for Example 1 mentioned above.

Comparative Example 2

Das innere Trennmittel bei diesem Vergleichsbeispiel wurde nicht vorverbunden. Carnaubawachs wies das gleiche Gewicht auf wie das im oben erwähnten Beispiel 1 beschriebe ne innere Trennmittel, und es wurde Zirkoniumchelat verwen det. Die anderen Verbindungen und das Herstellungsverfahren entsprachen denjenigen der oben erwähnten Beispiele.The internal release agent in this comparative example was not pre-connected. Carnauba wax showed the same thing Weight as described in Example 1 above ne internal release agent, and zirconium chelate was used det. The other compounds and the manufacturing process corresponded to those of the examples mentioned above.

Das Verbindungsverfahren für das innere Trennmittel und die Metallchelatverbindung gemäß den Beispielen 1 bis 9, beschrieben in der Tabelle 1, war wie folgt: Zunächst wurde das innere Trennmittel vorbestimmten Gewichts geschmolzen in einem trennbaren Kolben, und die Metallchelatverbindung wurde in das geschmolzene innere Trennmittel bei 120°C +/- 50°C eingerührt und damit verbunden. Beide Verbindungen wurden zusammen über einen Zeitraum von 30 Minuten gerührt. Nachdem ein vollständiger Schmelzzustand von Metallchelat und innerem Trennmittel erreicht worden war, wurde die Mischung in ein Gefäß aus nichtrostendem Stahl gegossen. Die Mischung wurde auf Raumtemperatur abgekühlt und danach gemahlen, um das innere Trennmittel gemäß vorliegender Erfindung zu erhalten.The connection process for the internal release agent and the metal chelate compound according to Examples 1 to 9, described in Table 1 was as follows: First, the internal release agent melted in predetermined weight a separable flask, and the metal chelate compound was in the molten internal release agent at 120 ° C Stirred +/- 50 ° C and connected with it. Both connections were stirred together over a period of 30 minutes. After a complete melting state of metal chelate and internal release agent had been reached, the Pour mixture into a stainless steel container. The Mixture was cooled to room temperature and then ground to the internal release agent according to the present Get invention.

Die Bestandteile des inneren Trennmittels und des Metallchelats, die in den Formpreßmaterialien gemäß den Beispielen und Vergleichsbeispielen verwendet wurden, sind in der Tabelle 1 aufgeführt. Bei jedem Beispiel wurde zur Durchführung des Verfahrens eine Metallform für einen IC der DIP-Art mit 16 Kontakten verwendet für Teststücke von 3 mm². Jedes Teststück wurde über 8 Stunden bei 175°C gehärtet und getestet.The components of the internal release agent and Metal chelate, which in the compression molding materials according to the Examples and comparative examples were used listed in Table 1. In each example, Carrying out the process of a metal mold for an IC DIP type with 16 contacts used for test pieces of 3 mm². Each test piece was cured at 175 ° C for 8 hours and tested.

Druckkochertest: Die Haupttests umfaßten Rotfarben tests, d. h. die preßgeformten DIP-Typstücke mit 16 Kontak ten wurden in einen Druckkocher bei 2,5325·10⁵ Pa einge geben, der mit roter Tinte gefüllt war, und die Eindringtie fe der roten Tinte um die Bleiformen herum wurde nach 8 Stunden gemessen.Pressure cooker test: The main tests included red colors tests, d. H. the molded DIP type pieces with 16 contacts ten were placed in a pressure cooker at 2.5325 · 10⁵ Pa that was filled with red ink and the penetration The red ink around the lead shapes was removed after 8 Hours measured.

Tauchlottest: Die preßgeformten DIP-Teststücke mit 16 Kontakten wurden in geschmolzenes Lot bei 260°C für 20 Sekunden eingetaucht und wurden danach über 2 Stunden nach dem Druckkocher-Rottintentest ausgetestet.Dip solder test: The press-molded DIP test pieces with 16 Contacts were melted in solder at 260 ° C for 20 Submerged seconds and were then over 2 hours after the pressure cooker red ink test.

Die Testergebnisse sind in der Tabelle 1 aufgeführt. Die Tabelle 1 zeigt, daß bei Verwendung des inneren Trenn mittels gemäß vorliegender Erfindung bessere Resultate erfüllt werden als bei den Vergleichsbeispielen. Das Ein dringen der roten Tinte wird verhindert, wie durch die Ergebnisse aufgrund der Tests mit der roten Tinte gezeigt wird. Daraus ergibt sich, daß die Feuchtigkeitsbeständigkeit ausgezeichnet ist, ohne daß ein Verlust an Formbarkeit auftritt.The test results are shown in Table 1. Table 1 shows that when using the internal separator better results by means of the present invention be met than in the comparative examples. The one penetration of the red ink is prevented, as by the Results shown based on tests with red ink becomes. It follows that the moisture resistance is excellent without losing moldability occurs.

Durch die vorliegende Erfindung wird die Beständig keit gegen Temperaturwechsel, gegen Feuchtigkeit verbessert und wird die Verdrahtungsdichte erhöht; all diese Eigen schaften sind wünschenswert für eine Integration hoher Dichte vieler Arten von elektronischen Bauteilen.The present invention makes it durable improved against temperature changes, against moisture and the wiring density is increased; all these own are desirable for high integration Density of many types of electronic components.

In der Tabelle 1 bedeutet "○" sehr gut, "∆" gut.In Table 1, "○" means very good, "∆" good.

Claims

1. Resin-based molding compound using a metal chelate compound, characterized in that additionally an internal release agent is used which is pre-bonded to the metal chelate compound, and that the metal chelate compound is zirconium chelate, titanium chelate or aluminum chelate or a combination of these, the mixing ratio of metal chelate compound to Trennmit tel 0.1 to 50 wt .-% and the mixing ratio of metal tall chelate compound and internal release agent to the total molding resin compound is 0.01 to 3 wt .-%.

2. Press resin connection according to claim 1, characterized records that the ratio of the metal chelate compound to the release agent is 0.5 to 30 wt .-%.

3. Press resin connection according to claim 1 or 2, characterized characterized in that the resin base made of epoxy resin or Polyimide resin or a combination thereof.

4. Press resin connection according to one of claims 1 to 3, characterized in that the release agent kohlwas Hydrogen wax, fatty acid wax, fatty acid amide wax or Is ester wax or a combination of these.

5. Press resin connection according to one of claims 1 to 4, characterized in that the release agent carnauba wax or montan wax, or a combination thereof.

6. Press resin connection according to one of claims 1 to 5, characterized in that the release agent a long chain carboxylic acid or a salt thereof.

7. Press resin connection according to claim 6, characterized records that the release agent stearic acid, palmitic acid or a metal salt of these acids, zinc stearate or calcium stearate, or a combination of these compounds.

8. press resin connection according to one of claims 1 to 4, characterized in that the release agent is a poly has low molecular weight ethylene wax.

9. Press resin connection according to one of claims 1 to 8, characterized in that the ratio of the Kombina tion of the internal release agent and the metal chelate compound to the resin base is about 0.1 to 1% by weight.

10. Use of a press resin compound according to one of the Claims 1 to 9 for the manufacture of an electronic Component.

11. Use of a molding resin compound according to claim 10, characterized in that the electronic component comprises a semiconductor device.