DE3730213A1 - Vorsensibilisierte druckplatte fuer den wasserlosen flachdruck und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Vorsensibilisierte druckplatte fuer den wasserlosen flachdruck und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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- DE3730213A1 DE3730213A1 DE19873730213 DE3730213A DE3730213A1 DE 3730213 A1 DE3730213 A1 DE 3730213A1 DE 19873730213 DE19873730213 DE 19873730213 DE 3730213 A DE3730213 A DE 3730213A DE 3730213 A1 DE3730213 A1 DE 3730213A1
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- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
Description
Die Erfindung betrifft eine vorsensibilisierte Druck
platte für den wasserlosen Flachdruck, insbesondere
Offsetdruck, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Die erfindungsgemäße Druckplatte weist einen Schicht
träger, eine Druckfarbe abweisende Schicht aus Silikon
gummi und eine äußere, strahlungsempfindliche Schicht
auf.
Vorsensibilisierte Druckplatten für den wasserlosen
Flachdruck sind bekannt, wobei die farbabstoßende
Schicht über oder unter der lichtempfindlichen Schicht
liegen kann. Wenn die lichtempfindliche Schicht als
oberste Schicht angeordnet ist, hat die Platte den Vor
teil, daß sie sich wesentlich leichter entwickeln läßt
als im umgekehrten Fall; es ist wesentlich schwieriger,
eine Platte mit einer farbabstoßenden Deckschicht,
z. B. aus Silikongummi, durch Entfernen der entwickler
löslichen Stellen der lichtempfindlichen Schicht und
der darüberliegenden Stellen der Silikonschicht zu ent
wickeln. Gewöhnlich ist der Zusatz größerer Mengen
organischer Lösemittel zum Entwickler oder überhaupt
ein Entwickler auf Basis organischer Lösemittel und
zumeist mechanische Unterstützung durch Reiben, Bürsten
oder dgl. erforderlich. Der Entwickler wird durch die
unlöslichen Silikongummipartikel verunreinigt und muß
daher häufiger erneuert werden.
Trotz dieser bekannten Nachteile haben sich bisher in
der Praxis hauptsächlich Platten mit einer Silikon
schicht als oberster Schicht durchgesetzt. Das liegt
u. a. an der Schwierigkeit, eine lichtempfindliche
Schicht auf einer gehärteten Silikongummischicht haft
fest zu verankern. Im Stand der Technik sind neben vie
len Druckplatten dieser Schichtanordnung auch eine Reihe
von Druckplatten für den wasserlosen Offsetdruck be
schrieben, bei denen die lichtempfindliche Schicht die
äußere Schicht ist.
In der DE-B 15 71 890 ist eine Trockenflachdruckplatte
beschrieben, bei der auf eine gehärtete Silikonkaut
schukschicht ein Tonerbild oder eine lichtempfindliche
Schicht aufgebracht wird, die durch Belichten und Ent
wickeln zum Druckfarbe annehmenden Bild verarbeitet
wird. Gegebenenfalls wird auf die Silikonkautschuk
schicht eine vorgefertigte Metallschicht aufgepreßt und
dann mit einer lichtempfindlichen Schicht versehen.
Durch Belichten, Entwickeln und Ätzen wird ein oleophi
les Bild auf der oleophoben Silikonschicht erzeugt. Ohne
die Zwischenschicht werden nur geringe Druckauflagen er
halten, mit der relativ dicken Kupferzwischenschicht ist
die Auflage hoch, jedoch läßt sich keine hohe Auflösung
wie mit üblichen Offsetplatten erreichen.
In den DE-A 20 39 901 und 23 61 815 wird ein Verfahren
zur Herstellung einer wasserlos druckenden Offsetplatte
beschrieben, bei dem eine lichtempfindliche Schicht und
eine ungehärtete Silikonkautschukschicht auf getrennten
Schichtträgern hergestellt, dann laminiert und zur Här
tung der Silikonschicht erhitzt werden. Das Verfahren
ist umständlich und erfordert die Verwendung sehr eng
begrenzter Materialien.
In der US-A 36 32 375 sind wasserlos druckende Flach
druckplatten beschrieben, die auf einer Silikongummi
schicht eine Verankerungsschicht und darauf eine
lichtempfindliche Schicht tragen. Die Verankerungs -
schicht besteht aus zumeist wasserlöslichen Polymeren,
die ggf. noch vernetzt werden. Die Verankerungsschich
ten und die lichtempfindlichen Schichten sind zumeist
hydrophil und daher schlecht farbannehmend. Auch ist
die Entwicklerresistenz dieser Materialien gering.
In der US-A 37 28 123 wird ein ähnliches Material be
schrieben, bei dem die Zwischenschicht selbst lichthärt
bar ist.
In der DE-B 24 49 172 ist eine vorsensibilisierte Flach
druckplatte für den wasserlosen Flachdruck beschrieben,
die auf einer Silikonkautschukschicht eine photopolyme
risierbare Schicht trägt. Ein ähnliches Material ist in
der US-A 42 25 663 beschrieben.
Bei den bekannten Materialien zur Herstellung wasserlos
druckender Flachdruckplatten, die auf der farbabweis en
den Silikonschicht eine lichtempfindliche Schicht tra
gen, ist die Haftung zwischen diesen Schichten stets
problematisch. Wird die Silikonschicht vor dem Aufbrin
gen der lichtempfindlichen Schicht gehärtet bzw. vulka
nisiert, so ist die Benetzung dieser Schicht erschwert
und die Haftung besonders schlecht. Wird sie nach dem
Aufbringen gehärtet, so besteht die Gefahr einer so
haftfesten Verankerung von oleophilen Schichtteilen, daß
beim Entwickeln diese Schichtteile nicht restlos ent
f ernt werden und die Silikonschicht Farbe annimmt. Wenn
zwischen beiden Schichten eine Verankerungsschicht vor
gesehen ist, ist diese in ihrer Natur und Zusammenset
zung den üblichen Bestandteilen, z. B. Bindemitteln,
der lichtempfindlichen Schicht so ähnlich, daß auch
hier analoge Probleme entstehen. Es ist insbesondere
nach dem Stand der Technik nicht oder nur auf sehr
umständliche Weise möglich, sehr dünne, hochauflösende
lichtempfindliche Schichten so haftfest zu verankern,
daß man durch einfaches Entwickeln hochaufgelöste, gut
haftende Bildschablonen erhält, von denen sich hohe
Auflagen drucken lassen.
In der älteren, nicht vorveröffentlichten deutschen Pa
tentanmeldung P 36 28 719.9 (DE-A 36 28 719) ist eine
vorsensibilisierte Druckplatte für den wasserlosen
Flachdruck beschrieben, die auf einem Schichtträger eine
lichtempfindliche Schicht, eine Zwischenschicht aus
amorpher Kieselsäure und eine Deckschicht aus Silikon
gummi aufweist.
Aufgabe der Erfindung war es, eine vorsensibilisierte
Druckplatte für den wasserlosen Flachdruck vorzuschla
gen, die sich nach üblichen Verfahren einfach herstellen
läßt, die sich mit im wesentlichen wäßrigen Lösungen oh
ne mechanische Unterstützung entwickeln läßt und die gut
differenzierte, hochauflösende Druckschablonen mit hoher
Druckauflagenleistung ergibt.
Erfindungsgemäß wird eine vorsensibilisierte Druckplatte
für den wasserlosen Flachdruck mit einem Schichtträger,
einer darauf aufliegenden Druckfarbe abweisenden ver
netzten Silikonkautschukschicht, einer Zwischenschicht
und einer strahlungsempfindlichen Schicht vorgeschlagen.
Die erfindungsgemäße Druckplatte ist dadurch gekenn
zeichnet, daß die Zwischenschicht aus amorpher Kiesel
säure oder aus einer belichteten Schicht einer lichtemp
findlichen organischen Halogenverbindung besteht.
Erfindungsgemäß wird ferner ein Verfahren zur Herstel
lung einer vorsensibilisierten Druckplatte für den was
serlosen Flachdruck vorgeschlagen, das dadurch gekenn
zeichnet ist, daß man auf einen Schichtträger eine Si
likonkautschuklösung aufbringt und trocknet, auf die un
vernetzte Silikonkautschukschicht nacheinander eine Zwi
schenschicht aus amorpher Kieselsäure und eine strah
lungsempfindliche Schicht aufbringt und danach die Sili
konkautschukschicht zu Silikongummi vernetzt.
Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver
fahrens besteht darin, daß man auf einen Schichtträger
eine Silikonkautschuklösung aufbringt und trocknet, auf
die unvernetzte Silikonkautschukschicht eine Zwischen
schicht aus einer lichtempfindlichen organischen Halo
genverbindung aufbringt, die Zwischenschicht mit aktini
schem Licht ohne Vorlage belichtet, dann eine strah
lungsempfindliche Schicht aufbringt und danach die Sili
konkautschukschicht zu Silikongummi vernetzt.
Die Vernetzung des Silikonkautschuks erfolgt durch ther
mische Vulkanisation. Diese kann bis zu einem gewissen
Grad schon nach dem Aufbringen der Zwischenschicht,
aber vor dem Aufbringen der strahlungsempfindlichen
Schicht erfolgen. Sie wird dann nach dem Aufbringen der
strahlungsempfindlichen Schicht vervollständigt. Die
Vulkanisation wird unter Bedingungen durchgeführt, unter
denen die temperaturempfindlichen strahlungs- bzw.
lichtempfindlichen Schichten nicht geschädigt werden.
Eine gute Vernetzung wird z. B. erreicht, wenn das Mate
rial wenige Minuten auf 100-120°C erwärmt wird.
Die Zwischenschichten verbessern nicht nur die Haftung
der strahlungsempfindlichen Schicht auf der Silikon
schicht, sondern auch die Benetzbarkeit der Silikonkaut
schukschicht durch die strahlungsempfindliche Beschich
tungslösung.
Die Silikonkautschukschicht wird aus einer Lösung in
einem unpolaren Lösungsmittel, z. B. aliphatischen oder
aromatischen Kohlenwasserstoffen, aufgebracht. Grund
sätzlich ist jeder Silikonkautschuk geeignet, der aus
reichend farbabweisend ist, um ein Drucken im Offset
druck ohne Feuchtwasser zu erlauben. Als "Silikon
kautschuk" soll im Rahmen dieser Erfindung entsprechend
der Definition von Noll, "Chemie und Technologie der
Silikone", Verlag Chemie, 1968, S. 332, ein hochmole
kulares, im wesentlichen lineares Diorganopolysiloxan
bezeichnet werden, während für die vernetzten bzw.
vulkanisierten Produkte die Bezeichnung "Silikongummi"
verwendet wird. In jedem Fall wird eine Silikonkaut
schuklösung auf den Schichtträger aufgebracht und
getrocknet.
Als Silikonkautschuke sind kalthärtende Einkomponenten
und bei niedriger Temperatur vernetzende Mehrkomponen
tentypen geeignet, wie sie z. B. in den DE-A 23 50 211,
23 57 871 und 23 59 102 beschrieben sind. Die Einkom
ponenten-Silikonkautschuke basieren auf Polysiloxanen,
die z. B. endständige Acetyl-, Oxim-, Alkoxy- oder Ami
nogruppen oder Wasserstoffatome enthalten. Im übrigen
besteht das Polysiloxan im wesentlichen aus einer Dime
thylpolysiloxankette. Die Methylgruppen können in gerin
gerem Umfang auch durch andere Alkylgruppen, durch Halo
genalkylgruppen oder substituierte oder unsubstituierte
Arylgruppen ersetzt sein. Die endständigen funktionellen
Gruppen sind leicht hydrolysierbar und härten bei
Feuchtigkeitseinwirkung innerhalb von einigen Minuten
bis Stunden bei Raumtemperatur aus (RTV-1-Silikonkaut
schuke).
Die Mehrkomponenten-Silikonkautschuke können durch
Addition oder durch Kondensation vernetzbar sein. Die
additionsvernetzbaren Typen enthalten im allgemeinen
Polysiloxane mit Alkenylgruppen als Substituenten und
solche mit an Silicium gebundenen Wasserstoffatomen.
Sie werden in Gegenwart von Platinkatalysatoren bei
Temperaturen oberhalb 50°C vernetzt. Sie haben den
Vorteil, daß sie bei höherer Temperatur, z. B. um
100°C, schnell vernetzen. Dafür kann auch die Verar
beitungsdauer (Topfzeit) dieser Systeme relativ kurz
sein. Es können auch Gemische von Einkomponenten- und
Mehrkomponenten -, z. B. Zweikomponenten-Silikon
kautschuken, eingesetzt werden.
Die durch Kondensation vernetzbaren Gemische enthalten
Diorganopolysiloxane mit reaktionsfähigen Endgruppen,
z. B. OH-Gruppen. Diese werden mit reaktiven Silanen
oder Oligosiloxanen, z. B. Alkoxy- oder Acetoxysilanen
oder Siloxanen, die mehrere Si-H-Gruppen im Molekül
enthalten, in Gegenwart von Katalysatoren, wie Organo
zinnverbindungen, z. B. Dialkylzinndiacetat, vernetzt.
Auch diese Kombinationen reagieren relativ schnell und
haben deshalb eine begrenzte Topfzeit.
Mit besonderem Vorteil werden durch Kondensation ver
netzbare Mehrkomponenten-Silikonkautschuke eingesetzt.
Als Vernetzer sind im Prinzip alle reaktiven Alkoxy- und
Acetoxysilane geeignet. Das Vernetzungsmittel beeinflußt
aber die Haftung der lichtempfindlichen Schicht auf der
Silikonkautschukschicht mit Zwischenschicht. Bevorzugte
Vernetzer sind Silane, die Aminoalkyl- oder Epoxyalkyl
gruppen tragen.
Die gleichzeitige Verwendung mehrerer Silane kann gün
stig sein. Gut bewährt haben sich z. B. Gemische von
Vinyl-triacetoxy-silan mit 3-Glycidyloxypropyl-trimeth
oxy-silan.
Die Konzentration des Vernetzers oder des Vernetzer-
Gemisches beträgt üblicherweise 1-40% der Poly
siloxanmenge, vorzugsweise 2-20%. Die Katalysator
menge liegt vorzugsweise bei etwa 2 bis 10 Gew.-%, z. B.
5%, des Polysiloxananteils.
Die Silikonkautschukschichten können verstärkende Füll
stoffe, wie hochdisperse Kieselsäure, enthalten. Auch
andere feinteilige Pulver aus z. B. Polytetrafluorethy
len oder Graphitfluorid können zugefügt werden. Die
feinpulvrigen Materialien erleichtern in Konzentratio
nen, bei denen die Abhäsivität noch nicht vermindert
wird, in der Regel die Verankerung der Haft- und
Kopierschichten. Ähnliche Effekte erzielt man auch mit
in der Silikonkautschuklösung löslichen Stoffen niedri
ger Oberflächenspannung, z. B. mit Polyethylenwachsen.
Da die Silikongummischicht nicht am Entwicklungsprozeß
teilnimmt, ist ihre Dicke unkritisch. Aus wirtschaftli
chen Gründen macht man sie nur so dick, daß sie den
Druckvorgang gut aushält. Dicke Schichten sind auch un
günstig, wenn die auf zubringenden lichtempfindlichen
Schichten geringe Flexibilität besitzen. Mit steigender
Dicke der Silikonschicht nimmt die Gefahr der Rißbildung
in der lichtempfindlichen Schicht zu. Üblicherweise
liegt das Schichtgewicht etwa bei 1-100 g/m2, vorzugs
weise bei 3-10 g/m2.
Die unvernetzte, lufttrockene Silikonkautschukschicht
kann auf zwei Wegen mit einer Haftvermittlerschicht
überzogen werden. Eine Möglichkeit besteht im Aufstrei
chen eines Kieselsäuresols und nachfolgendem Trocknen
des Naßfilmes unter Ausbildung einer Schicht aus amor
pher Kieselsäure. Entsprechende Haftschichten sind be
reits zur Verankerung von Silikongummischichten auf han
delsüblichen Naßoffsetdruckplatten in der deutschen Pa
tentanmeldung P 36 28 719 vorgeschlagen worden. Nach der
zweiten Methode erhält man Haftschichten durch Auftragen
von Lösungen von lichtempfindlichen Halogenverbindungen
auf die Silikonkautschukschicht und nachfolgende belich
tung der getrockneten Schicht mit aktinischem Licht.
Zur Herstellung der Kieselsäurehaftschicht streicht man
auf die unvernetzte Silikonschicht wäßrige oder wäßrig
alkoholische Kieselsäuresole auf und trocknet dann. Die
beste Wirkung erzielt man mit alkalisch stabilisierten
Kieselsäuresolen, bei denen die Teilchen größer als
20 nm, vorzugsweise 20-130 nm groß sind.
Zur besseren Benetzung der lichtempfindlichen Schicht
wird dem Sol vorteilhaft eine kleine Menge eines wasser
löslichen Netzmittels, insbesondere eines anionischen
oder nichtionischen Netzmittels zugesetzt. Geeignet sind
z. B. Alkalisalze von langkettigen Alkansäuren, Alkyl
sulfonsäuren, Monoalkylsulfaten, Alkylbenzolsulfonsäuren
und Polyalkoxyphenolether. Da die Netzmittel selbst
einer guten Haftung entgegenwirken, sollte vorzugsweise
die Menge an Netzmittel möglichst niedrig gehalten wer
den. Im allgemeinen werden Mengen von 1 bis 15, vor
zugsweise 1 bis 10 und insbesondere 1 bis 5 Gew.-%,
bezogen auf die Kieselsäuremenge, eingesetzt. Es ist
vorteilhaft, Netzmittel einzusetzen, die die Oberflä
chenspannung der Kieselsäuresole besonders stark herab
setzen.
Die Oberflächenspannung der Kieselsäuresole kann auch
durch Abmischen mit wasserlöslichen organischen Löse
mitteln herabgesetzt werden. Netzmittel und Lösemittel
können den Kieselsäuresolen auch gleichzeitig zugesetzt
werden.
Die Konzentration des Kieselsäuresols wird so gewählt,
daß die Kieselsäure/Netzmittel-Schicht nach dem Trocknen
ein Gewicht von 0,01-1,0 g/m2, vorzugsweise 0,1-0,5
g/m2 besitzt. Üblicherweise verwendet man Streich
lösungen, die etwa 1% feste Kieselsäure enthalten.
Die Kieselsäuresole können wasserlösliche oder wasser
dispergierbare Bindemittel enthalten, die beim Trocknen
unlöslich werden. Bewährt haben sich wäßrige Lösungen
und Dispersionen von Acrylharzen. Das Verhältnis von
fester Kieselsäure zu Bindemittel kann 10:1 bis 1:
50, vorzugsweise 1:1 bis 1:10 betragen.
Die Kieselsäureteilchen verankern sich vermutlich durch
eine chemische Reaktion auf der Silikonkautschukschicht.
Es wird angenommen, daß eine Kondensationsreaktion
eintritt zwischen den an der Oberfläche der Kiesel
säureteilchen liegenden Hydroxylgruppen und den
Hydroxylgruppen der hochmolekularen unvernetzten Poly
siloxane.
Haftschichten auf Basis lichtempfindlicher Halogenver
bindungen erhält man durch Auftragen einer Lösung der
Substanzen in einem organischen Lösemittel auf die
unvernetzte Silikonkautschuks chicht, Trocknen des
Naßfilms und Belichten mit aktinischem Licht.
Als lichtempfindliche Halogenverbindungen verwendet man
Verbindungen mit halogenierten Methylgruppen, insbeson
dere Trihalogenmethylgruppen. Es kann sich dabei um ein
fache Verbindungen wie Jodoform handeln. Vorzugsweise
verwendet man jedoch nichtflüchtige Stoffe, z. B.
substituierte Trichlormethyl-triazine, wie sie in der
DE-C 27 18 259 und der EP-A 1 37 452 beschrieben sind.
Auch andere mit Trichlormethylgruppen substituierte
Heterocyclen sind geeignet.
Die lichtempfindlichen Stoffe oder Stoffgemische werden
erst bei Belichtung mit UV-Licht auf der Silikon
kautschukschicht fest verankert. Der Verankerungsmecha
nismus ist noch ungeklärt. Die Belichtung kann mit den
gleichen Lampen erfolgen, die für den Kopiervorgang ver
wendet werden.
Damit die gebildete Haftschicht beim Entwicklungsvorgang
mit den löslichen Teilen der bildmäßig belichteten
lichtempfindlichen Schicht entfernt werden kann, sollte
sie nicht dicker als etwa 1 µm sein.
Zur Verankerung der lichtempfindlichen Schicht auf der
Silikonkautschukschicht kann man auch beide Arten von
Haftschichten zusammen einsetzen. Eine Doppelschicht aus
untenliegender Kieselsäureschicht und obenliegender,
belichteter Schicht aus lichtempfindlichen Halogenver
bindungen bewirkt in der Regel eine stärkere Haftung als
die Kieselsäureschicht allein.
Nach dem Aufbringen der Haftschicht und vor dem Auftra
gen der lichtempfindlichen Schicht ist es ratsam, die
Silikonkautschuks chicht durch kurzes Erwärmen (z. B.
10-60 s auf 110°C) teilweise zu vulkanisieren. Ohne
diesen Schritt zeigen die lichtempfindlichen Schichten
etwas geringere Haftung. Das führt beim Kopierprozeß zu
etwas verminderter Bildqualität. Andererseits erschwert
eine vollständige Vulkanisation vor dem Aufbringen der
lichtempfindlichen Schicht die völlige Entfernung der
Haftschicht an den Nichtbildstellen beim Entwicklungs
vorgang.
Zur Herstellung der lichtempfindlichen Schicht be
schichtet man die haftvermittelte Silikonschicht mit
bekannten Beschichtungslösungen. Sowohl positiv arbei
tende als auch negativ arbeitende Schichten können auf
gebracht werden. Die Lösungen enthalten neben der
lichtempfindlichen Substanz und einem geeigneten Löse
mittel meist filmbildende Bindemittel, Sensibilisatoren,
Stabilisatoren usw.
Als lichtempfindliche Substanzen in Negativkopier
schichten können Diazoverbindungen, z. B. p-Diazo
diphenylaminderivate und p-Chinondiazide, organische
Azide, Polyvinylcinnamate, Polyvinylcinnamyliden-
Verbindungen, Homo- oder Copolymere von Cinnamoyloxy
ethylacrylat oder -methacrylat verwendet werden.
Außerdem können photopolymerisierbare Gemische aus Mono
meren und Photoinitiatoren eingesetzt werden.
Beispiele für lichtempfindliche Materialien für Nega
tivkopierschichten sind in den US-Patentschriften
26 49 373, 27 14 066, 37 51 257, 27 54 209, 29 75 053,
29 94 608, 29 95 442 und 32 09 146 angegeben.
Als lichtempfindliche Substanzen für Positivschichten
verwendet man z. B. o-Chinondiazide oder Salze von p-
Diazodiphenylamin mit Heteropolysäuren. Beispiele für
1,2-Chinondiazide sind in den US-Patentschriften
27 72 972, 27 67 092, 27 66 118, 28 59 112, 29 07 655,
30 46 110, 30 46 121, 30 61 430 und 31 06 465 angegeben.
Bevorzugte 1,2-Chinondiazide sind Ester von 1,2-Naphtho
chinon-2-diazid-4-sulfonsäure oder 1,2-Naphthochinon
2-diazid-5-sulfonsäure mit polymeren Phenolen, die durch
Ums etzung von mehrwertigen Phenolen mit Ketonen erhalten
werden. Das polymere Phenol besteht vorzugsweise aus
einem durch Umsetzung von Aceton mit Pyrogallol bei
Raumtemperatur in Gegenwart eines Katalysators, wie
Phosphoroxychlorid, erhaltenen Produkt. Das Äquivalent
verhältnis von Sulfonsäure zu polymerem Phenol kann im
Bereich von 1:0,6 bis 1:2, bevorzugt von 1:1 bis
1:1,8 liegen.
Damit die Beschichtungslösungen die haftvermittelte,
anvernetzte Silikonkautschukschicht gut benetzen, setzt
man ihnen 0,01 bis 2%, vorzugsweise 0,1 bis 1% eines
Polysiloxans oder Netzmittels zu. Geeignete Polysiloxane
s ind handelsübliche Silikonöle, Silikonverlaufmittel und
Polysiloxanone, wie sie zur Herstellung von Silikongummi
verwendet werden. Bevorzugte Netzmittel sind z. B. die
Fluortenside.
Zur Verbesserung der Schichthaftung kann die Beschich
tungslösung zusätzliche Bindemittel enthalten, z. B. in
organischen Lösungsmitteln lösliche Vinylchlorid-
Vinylacetat-Copolymerisate.
Nach Aufbringen der lichtempfindlichen Schicht wird das
Material wenige Minuten auf 100-120°C erwärmt, bis
die Silikongummischicht ausreichend vernetzt ist.
Als Schichtträger werden meist Metalle verwendet. Für
Offsetdruckplatten können eingesetzt werden: walz
blankes, mechanisch oder elektrochemisch aufgerauhtes
und gegebenenfalls anodisiertes Aluminium, das zudem
noch chemisch, z. B. mit Polyvinylphosphonsäure,
Silikaten, Phosphaten, Hexafluorozirkonaten oder mit
hydrolysiertem Tetraethylorthosilikat, vorbehandelt
sein kann. Weitere geeignete Metalle sind Stahl und
Chrom. Da im Gegensatz zu üblichen Flachdruckplatten
die Trägeroberfläche nicht am Druckvorgang teilnimmt,
können im Prinzip beliebige Substanzen als Träger
oberfläche dienen. Die Trägeroberfläche kann auch eine
Haftvermittlerschicht tragen. Bei stark reflektierenden
Trägeroberflächen kann eine Lichthofschutzschicht
(Antihaloschicht) vorgesehen werden. Ferner können
Kunststoffolien, wie Polyester-, Polycarbonat-,
Polyimid-, Polyethersulfon-, Polytetrafluorethylen
oder auch Celluloseacetatfolien verwendet werden,
deren Oberfläche ggf. zur Erhöhung der Haftung der
Silikonkautschukschicht auf gerauht oder anderweitig
vorbehandelt sein kann. Weiterhin sind bekannte Druck
plattenträger aus Papier geeignet, das hier nicht
naßfest zu sein braucht. Auch gummielastische Träger
materialien sind geeignet.
Aus dem vorsensibilisierten Material erhält man eine
druckfertige Flachdruckform durch Belichten unter einer
Filmvorlage und durch Entwickeln. Zur Belichtung eignen
sich z. B. Quecksilberdampfhochdrucklampen, Kohlenbogen
lampen, Metallhalogenidlampen, Xenonimpulslampen,
Leuchtröhrengeräte, Lasergeräte, Elektronenstrahlröhren
und andere bekannte Belichtungsgeräte.
Beim Entwicklungsvorgang werden die leichter löslichen
Partien der strahlungsempfindlichen Schicht und die
darunterliegenden Bereiche der Zwischenschicht gelöst
bzw. entfernt. Dabei wird die Oberfläche der Silikongum
mischicht freigelegt. Als Entwickler sind handelsübli
che, den lichtempfindlichen Schichten angepaßte Lösun
gen, insbesondere wäßrige Lösungen, geeignet. Bei der
Entwicklung muß die Zwischenschicht an den bildfreien
Stellen völlig entfernt werden. Reste dieser Schicht
führen beim Druck zum Tonen. Zur Entfernung der
Kieselsäurehaftschicht eignen sich stark basische Ent
wickler besonders gut. Die freigelegte Oberfläche stößt
Druckfarbe ab, während die erhalten gebliebenen Bereiche
der lichtempfindlichen Schicht die Farbe annehmen. Das
Einfärben der entwickelten Platte kann in oder außerhalb
der Druckmaschine erfolgen.
Die Auflage kann bei Platten mit Positivkopierschichten
aus o-Chinondiazid und Novolaken durch mehrere Minuten
dauerndes Erwärmen der fertigen Druckform auf Tem
peraturen von 200-240°C stark erhöht werden. Beim
Erwärmen nimmt die Haftung des Bildes auf der abhäsiven
Silikonschicht stark zu. Gleichzeitig wird das Bild
abriebfester. Nacherhitzte Platten können deshalb zur
sicheren Entfernung von Resten der Kieselsäurehaft
schicht noch einmal intensiv mit verdünnten Laugen
oder basischen Entwicklern behandelt werden, ohne daß
dabei das Bild beschädigt wird.
Die Erfindung wird im einzelnen anhand der nachfolgenden
Beispiele erläutert. Gewichtsteile (Gt) und Volumteile
(Vt) stehen im Verhältnis von g zu ml. Mengenverhält
nisse und Prozentangaben sind, wenn nichts anderes ver
merkt ist, in Gewichtseinheiten zu verstehen.
Eine elektrolytisch aufgerauhte und anodisierte Alumi
niumplatte wurde mit Hilfe einer Plattenschleuder (160
U/Minute) mit folgender Silikonkautschuklösung beschichtet:
84 Gt aliphatisches Kohlenwasserstoffgemisch,
Siedebereich 116-142°C,
15 Gt einer 33%igen Lösung eines Dihydroxypolydimethylsiloxans in Toluol, Viskosität bei 25°C = 9000 bis 15 000 mPa · s,
0,5 Gt Vinyl-triacetoxysilan,
0,5 Gt Dibutylzinndiacetat,
0,5 Gt 3-Glycidyloxyoxypropyl-trimethoxy-silan.
15 Gt einer 33%igen Lösung eines Dihydroxypolydimethylsiloxans in Toluol, Viskosität bei 25°C = 9000 bis 15 000 mPa · s,
0,5 Gt Vinyl-triacetoxysilan,
0,5 Gt Dibutylzinndiacetat,
0,5 Gt 3-Glycidyloxyoxypropyl-trimethoxy-silan.
Die Schicht wurde getrocknet und im im wesentlichen
unvernetzten Zustand mit der folgendn Haftschichtlösung
überschichtet und getrocknet:
74,5 Vt entsalztes Wasser,
20 Vt Isopropanol,
4 Vt 30%iges anionisches Kieselsäuresol mit einem Na₂O-Gehalt von ca. 0,15% und einer Teilchengröße von 25-30 nm und
1,5 Vt einer 1%igen Lösung von Nonylphenolpolyglykolether im entsalzen Wasser.
20 Vt Isopropanol,
4 Vt 30%iges anionisches Kieselsäuresol mit einem Na₂O-Gehalt von ca. 0,15% und einer Teilchengröße von 25-30 nm und
1,5 Vt einer 1%igen Lösung von Nonylphenolpolyglykolether im entsalzen Wasser.
Nach Trocknen der Haftschicht mit Warmluft wurde die
Silikonkautschukschicht durch 1 Minute Erwärmen auf
110°C unvollständig vulkanisiert.
Anschließend wurde eine filtrierte Lösung von
1,8 Gt des unten beschriebenen Naphthochinondiazidsulfonsäureesters,
0,22 Gt 1,2-Naphtochinon-2-diazid-4-sulfonylchlorid,
0,07 Gt 2,3,4-Trihydroxy-benzophenon,
6,6 Gt eines Kreson-Formaldehyd-Novolaks mit einem Schmelzbereich von 105-120°C nach DIN 53181,
0,08 Gt Kristallviolett und
0,4 Gt eines Fluortensids (Veresterungsprodukt aus einem Polyglykol mit Oxyethylen- und Oxypropyleneinheiten und einer Perfluoralkansäure) in
91,22 Gt eines Gemischs aus 5 Vt Tetrahydrofuran, 4 Vt Ethylenglykolmonomethylether und 1 Vt Butylacetat und
75,0 Gt Isopropanol
0,22 Gt 1,2-Naphtochinon-2-diazid-4-sulfonylchlorid,
0,07 Gt 2,3,4-Trihydroxy-benzophenon,
6,6 Gt eines Kreson-Formaldehyd-Novolaks mit einem Schmelzbereich von 105-120°C nach DIN 53181,
0,08 Gt Kristallviolett und
0,4 Gt eines Fluortensids (Veresterungsprodukt aus einem Polyglykol mit Oxyethylen- und Oxypropyleneinheiten und einer Perfluoralkansäure) in
91,22 Gt eines Gemischs aus 5 Vt Tetrahydrofuran, 4 Vt Ethylenglykolmonomethylether und 1 Vt Butylacetat und
75,0 Gt Isopropanol
durch Schleudern aufgebracht und getrocknet.
Der in der obigen Rezeptur verwendete Naphthochinondia
zidsulfonsäureester wurde wie folgt hergestellt:
Eine Lösung von 25,5 Gt 1,2-Naphthochinon-2-diazid-5
sulfonsäurechlorid in 442 Gt Aceton wurde über Aktivkohle
geklärt. In der Lösung wurden 26,3 Gt des oben angegebe
nen Kresol-Formaldehyd-Novolaks und 4,4 Gt 2, 3,4-Tri
hydroxy-benzophenon gelöst und das Ganze mit einer Lösung
von 11,9 Gt NaHCO3 in 124 Gt Wässer und mit 160 Gt
gesättigter Natriumchloridlösung versetzt. Das Gemisch
wurde 10 Minuten gerührt, absitzen gelassen, die untere
Phase verworfen und die Acetonlösung innerhalb weniger
Minuten in eine Lösung aus 6 Gt HCl (30%) und 1500 Gt
Wasser einfließen gelassen. Das ausgeschiedene gelbe
flockige Reaktionsprodukt wurde abgesaugt, mit Wasser
ausgewaschen und getrocknet. Die Ausbeute betrug 48 Gt.
Nach Trocknen der lichtempfindlichen Schicht wurde die
Silikonschicht durch 3 Minuten Erwärmen auf 110°C
vollständig vulkanisiert.
Die so gewonnene vorsensibilis ierte Druckplatte wurde
unter einer Positiv-Filmvorlage (60er Raster) 25 s mit
einer 5 kW-Metallhalogenid-Lampe im Abstand von 120 cm
belichtet und danach vorsichtig entwickelt. Dabei lösten
sich die lichtempfindliche Schicht und die Kieselsäure
schicht an den belichteten Stellen ab. Der verwendete
Entwickler bestand aus einer wäßrigen Lösung von
10 Gew.-% Natriummetasilikat × 9 H2O.
Nach Abspülen der Entwicklerflüssigkeit mit Wasser
wurde die Platte 5 Minuten auf 230°C erwärmt und dann
mit einem mit Lauge befeuchteten Wattebausch abgerie
ben. Als Lauge diente eine Lösung von 0,4 Gt NaOH in
50 Vt Wasser und 50 Vt Isopropanol.
Auf einer Offsetdruckmaschine, aus der das Feuchtwerk
entfernt worden war, lieferte die so erhaltene Platte
10 000 gute Abzüge, ehe die feinsten Rasterpunkte aus
brachen. Eine unter gleichen Bedingungen hergestellte,
nicht nacherwärmte Platte zeigte beim Druckvorgang
schon nach einigen 100 Drucken abnehmende Bildqualität.
Bei Herstellung der Platte ohne die Haftschicht wurde
das bild infolge ungenügender Haftung schon beim Ent
wickeln beschädigt.
Beispiel 1 wurde wiederholt, zur Herstellung der Sili
kongummischicht aber folgendes Gemisch aus RTV-1- und
RTV-2-Silikonkautschuk verwendet:
84 Gt Kohlenwasserstoffgemisch wie in Beispiel 1,
7,5 Gt der in Beispiel 1 genannten Dihydroxy-polydimethylsiloxan-Lösung,
0,25 Gt Vinyl-triacetoxy-silan,
0,25 Gt 3-Glycidyloxy-propyl-trimethoxy-silan,
0,15 Gt Dibutylzinndiacetat,
7,5 Gt einer 40%igen toluolischen Lösung eines füllstoffhaltigen Einkomponentensilikonkautschuks vom Essigsäuretyp mit einer Viskosität von ca. 250 mPa · s (23°C).
7,5 Gt der in Beispiel 1 genannten Dihydroxy-polydimethylsiloxan-Lösung,
0,25 Gt Vinyl-triacetoxy-silan,
0,25 Gt 3-Glycidyloxy-propyl-trimethoxy-silan,
0,15 Gt Dibutylzinndiacetat,
7,5 Gt einer 40%igen toluolischen Lösung eines füllstoffhaltigen Einkomponentensilikonkautschuks vom Essigsäuretyp mit einer Viskosität von ca. 250 mPa · s (23°C).
Auf der Offsetdruckmaschine (ohne Wasser) konnten mit
der fertigen Druckform über 10 000 Abzüge hergestellt
werden, ehe die Bildqualität abnahm.
Beispiel 2 wurde wiederholt, wobei anstelle der verwen
deten 7,5 Gt Silikonkautschuklösung die folgende
Mischung verwendet wurde:
6,25 Gt einer 80%igen toluolischen Lösung eines
füllstoffhaltigen Einkomponentensilikonkautschuks
vom Essigsäuretyp mit einer
Viskosität von ca. 65 000 bei 23°C,
3,75 Gt Kohlenwasserstoffgemisch wie in Beispiel 1.
3,75 Gt Kohlenwasserstoffgemisch wie in Beispiel 1.
Auf der Offsetdruckmaschine wurden mit der Platte über
5000 Drucke gefertigt.
Auf eine nach Beispiel 1 hergestellte, unvernetzte
Silikonkautschuks chicht wurde zur Erzeugung eines Haft
grundes folgende Lösung aufgeschleudert (160 U/Minute):
0,3 Gt 2-(4-Styryl-phenyl)-4,6-bis-trichlormethyl-
s-triazin,
0,2 Gt Fluortensid wie in Beispiel 1,
100 Vt Toluol.
0,2 Gt Fluortensid wie in Beispiel 1,
100 Vt Toluol.
Anschließend wurde das Material 1 Minute auf 110°C
erwärmt und dann in einem Röhrenbelichtungsgerät
(120 W) 3 Minuten ohne Vorlage belichtet. Das Auftragen
der lichtempfindlichen Schicht, die Ausvulkanisation
der Silikongummischicht und die Verarbeitung zur ge
brauchsfertigen Druckform erfolgte nach den Angaben von
Beispiel 1. Auf die Nachbehandlung mit wäßrig/alkoho
lischer Natronlauge wurde verzichtet.
Auf einer Offsetdruckmaschine lieferte die Platte bei
Verwendung einer Trockenoffsetdruckfarbe 40 000 gute
Drucke.
Beispiel 4 wurde wiederholt, jedoch wurde anstelle des
dort genannten Trichlormethyl-triazins das 2-(4-Ethoxy
naphth-1-yl)-4,6-bis-trichlormethyl-s-triazin verwen
det.
Auf einer Kleinoffsetdruckmaschine (ohne Feuchtwerk)
konnten mit der hergestellten Druckform mehr als 11 000
gute Abzüge gewonnen werden.
Eine elektrolytisch aufgerauhte und anodisierte Alumi
niumplatte wurde nach den Angaben in Beispiel 1
nacheinander mit einer Silikonkautschukschicht und
einer Kieselsäurehaftschicht beschichtet. Danach wurde
folgende Lösung aufgeschleudert:
0,25 Gt des in Beispiel 5 angegebenen Trichlormethyltriazins,
0,2 Gt Fluortensid wie in Beispiel 1,
100 Vt Toluol.
0,2 Gt Fluortensid wie in Beispiel 1,
100 Vt Toluol.
Das Material wurde 1 Minute auf 110°C erwärmt und 3
Minuten ohne Vorlage in einem Röhrenbelichtungsgerät
(120 W) belichtet, dann nach den Angaben in Beispiel 1
mit einer lichtempfindlichen Schicht versehen und
ausvulkanisiert.
Die Umwandlung der vorsensibilisierten Druckplatte in
eine fertige Druckform erfolgte ebenfalls nach den
Angaben von beispiel 1.
Auf einer Kleinoffsetdruckmaschine ohne Feuchtwerk
lieferte die Platte 8000 gute Drucke.
Durch Zugabe von 0,5% eines handelsüblichen Copoly
merisats aus Vinylchlorid, Vinylacetat und 1% Malein
säure zu der Beschichtungslösung konnte die Auflage
noch weiter gesteigert werden.
In der in Beispiel 1 beschriebenen Silikonkautschuk
lösung wurde das verwendete Kohlenwasserstoffgemisch
ausgetauscht gegen Toluol, das vorher mit unpolarem
Polyethylenwachs (Tropfpunkt 118-123°C) gesättigt
worden war. Die Lösung wurde auf eine elektrolytisch
aufgerauhte und anodisierte Aluminiumfolie aufge
schleudert. Die getrocknete Schicht wurde mit folgender
Lösung überschichtet:
0,3 Gt des in Beispiel 5 angegebenen Triazins,
0,2 Gt Fluortensid wie in Beispiel 1,
100 Vt Toluol.
0,2 Gt Fluortensid wie in Beispiel 1,
100 Vt Toluol.
Nach 1 Minute Erwärmen auf 110°C und 3 Minuten
Belichten in einem Röhrenbelichtungsgerät (120 W) wurde
das Material nach den Angaben in Beispiel 1 mit einer
lichtempfindlichen Schicht versehen und zu einer ge
brauchsfertigen Druckform weiterverarbeitet. Die nicht
nacherwärmte Druckform lieferte in einer Kleinoffset
druckmaschine (ohne Feuchtwerk) 2000 gute Drucke.
Eine anodisierte Aluminiumfolie wurde nach Beispiel 1
mit einer Silikonkautschukschicht und nach Beispiel 4
mit einer Haftschicht versehen. Danach wurde folgende
Lösung aufgeschleudert und getrocknet:
1,2 Gt des Veresterungsproduktes aus 1 mol 2,3,4-
Trihydroxy-benzophenon und 2 mol 1,2-Naphthochinon-2-diazid-5-sulfonsäurechlorid,
0,7 Gt des Veresterungsproduktes aus 1 mol 2,2′- Dihydroxy-dinaphthyl-(1,1′)-methan und 2 mol 1,2-Naphthochinon-2-diazid-5-sulfonsäurechlorid,
6,5 Gt des in Beispiel 1 angegebenen Novolaks und
0,05 Gt Sudangelb GGN (C.I. 11021)
0,7 Gt des Veresterungsproduktes aus 1 mol 2,2′- Dihydroxy-dinaphthyl-(1,1′)-methan und 2 mol 1,2-Naphthochinon-2-diazid-5-sulfonsäurechlorid,
6,5 Gt des in Beispiel 1 angegebenen Novolaks und
0,05 Gt Sudangelb GGN (C.I. 11021)
in einem Lösungsmittelgemisch aus
40 Gt 2-Methoxy-ethanol,
50 Gt Tetrahydrofuran und
8 Gt Butylacetat.
50 Gt Tetrahydrofuran und
8 Gt Butylacetat.
Das Material wurde 3 Minuten auf 110°C erwärmt und
dann in einem 120 W-Röhrenbelichtungsgerät unter einer
positiven Filmvorlage (60er Raster) 2,5 Minuten lang
belichtet und anschließend mit dem in Beispiel 1 ange
gebenen Entwickler entwickelt.
Auf einer Kleinoffsetmaschine wurden mit der gefer
tigten Druckform 1500 gute Drucke erhalten. Wurde die
Druckform vor ihrer Verwendung 5 Minuten auf 230°C
erwärmt, so lieferte sie ca. 5000 Drucke. Eine
Vergleichsplatte ohne Haftschicht ließ sich nicht feh
lerfrei entwickeln.
Eine elektrolytisch aufgerauhte Aluminiumfolie wurde
auf einer Plattenschleuder (160 U/Minute) mit folgender
Silikonkauts chuklösung beschichtet:
84 Gt Kohlenwasserstoffgemisch wie im Beispiel 1,
15 Gt der im Beispiel 1 genannten Dihydroxypolydimethylsiloxan-Lösung,
1 Gt Vinyl-triacetoxy-silan,
0,3 Gt Dibutylzinndiacetat.
15 Gt der im Beispiel 1 genannten Dihydroxypolydimethylsiloxan-Lösung,
1 Gt Vinyl-triacetoxy-silan,
0,3 Gt Dibutylzinndiacetat.
Nach dem Abtrocknen mit Warmluft wurde nachstehende
Haftschichtlösung aufgeschleudert:
57 Vt entsalztes Wasser,
38 Vt Isopropanol,
Vt einer 40%igen, zinksalzhaltigen, wäßrigen Lösung eines Acrylsäure-Copolymeren mit einem pH-Wert von ca. 7,5-8,0 (Primal B-505),
Vt des in Beispiel 1 genannten Kieselsäuresols.
38 Vt Isopropanol,
Vt einer 40%igen, zinksalzhaltigen, wäßrigen Lösung eines Acrylsäure-Copolymeren mit einem pH-Wert von ca. 7,5-8,0 (Primal B-505),
Vt des in Beispiel 1 genannten Kieselsäuresols.
Anschließend wurde die Silikonschicht durch 4 Minuten
Erwärmen auf 110°C vernetzt und dann folgende Kopier
lösung aufgeschleudert:
1,59 Gt des Polykondensationsprodukts aus 1 mol
3-Methoxy-diphenylamin-4-diazoniumsalz und 1
mol 4,4′-Bis-methoxymethyl-diphenylether,
ausgefällt als Mesitylensulfonat,
0,17 Gt Phosphorsäure (85%),
0,31 Gt Viktoriareinbau FGA (C.I. 42 595),
0,2 Gt des in Beispiel 1 angegebenen Fluortensids,
70 Vt Butanon,
30 Vt 2-Methoxyethanol.
0,17 Gt Phosphorsäure (85%),
0,31 Gt Viktoriareinbau FGA (C.I. 42 595),
0,2 Gt des in Beispiel 1 angegebenen Fluortensids,
70 Vt Butanon,
30 Vt 2-Methoxyethanol.
Nach 1 Minute Trocknen bei 110°C wurde das Material
unter einer Negativfilmvorlage (60er Raster) nach den
Angaben in Beispiel 1 belichtet und dann mit einer
Lösung von
5 Gt Natriumundecanoat,
3 Gt eines Block-Copolymerisats aus 80% Propylenoxid und 20% Ethylenoxid und
3 Gt Tetranatriumdiphosphat in
89 Gt entsalztem Wasser
3 Gt eines Block-Copolymerisats aus 80% Propylenoxid und 20% Ethylenoxid und
3 Gt Tetranatriumdiphosphat in
89 Gt entsalztem Wasser
entwickelt. Die Platte wurde 5 Minuten auf 230°C
erhitzt und schließlich mit 1%iger, wäßriger Alkali
lauge abgewischt.
In einer Offsetdruckmaschine ohne Feuchtwerk wurden mit
der Platte 2000 Drucke erhalten, ehe die feinsten
Rasterpunkte auszubrechen begannen. Bei Verzicht auf
die Nacherwärmung lag die Druckauflage ähnlich hoch,
die Platte zeigte jedoch deutliche Neigung zum Tonen.
Beim Versuch, die Platte ohne Haftschicht herzustellen,
konnten keine fehlerfreien Bilder entwickelt werden.
Eine elektrolytisch aufgerauhte Aluminiumfolie wurde
wie in Beispiel 9 mit einer unvernetzten Silikongum
mischicht überzogen und dann mit nachstehender
Haftlösung beschichtet:
76,1 Vt entsalztes Wasser,
20 Vt Isopropanol,
2,4 Vt 50%iges wäßriges Kieselsäuresol mit einem Na₂O-Gehalt von 0,2% und einer mittleren Teilchengröße von 125 nm,
1,5 Vt 1%ige Lösung von Nonylphenolpolyglykolether in entsalztem Wasser.
20 Vt Isopropanol,
2,4 Vt 50%iges wäßriges Kieselsäuresol mit einem Na₂O-Gehalt von 0,2% und einer mittleren Teilchengröße von 125 nm,
1,5 Vt 1%ige Lösung von Nonylphenolpolyglykolether in entsalztem Wasser.
Auf die getrocknete Schicht wurde die folgende Lösung
aufgeschleudert und getrocknet:
62 Gt eines Umsetzungsprodukt aus 50 Gt eines
Polyvinylbutyrals mit 71% Vinylbutyral-,
2% Vinylacetat- und 27% Vinylalkoholeinheiten
und 4 Gt Maleinsäureanhydrid,
21 t des in Beispiel 9 angegebenen Diazoniumsalz-Polykondensationsprodukts,
2,5 Gt Phosphorsäure (85%),
3 Gt Victoriareinblau FGA,
0,7 Gt Phenylazodiphenylamin und
17 Gt einer 50%igen Lösung eines lackverträglichen Siloxancopolymeren in Xylol/Isobutanol 4:1 in
2570 Gt 2-Methoxy-ethanol und
780 Gt Tetrahydrofuran.
21 t des in Beispiel 9 angegebenen Diazoniumsalz-Polykondensationsprodukts,
2,5 Gt Phosphorsäure (85%),
3 Gt Victoriareinblau FGA,
0,7 Gt Phenylazodiphenylamin und
17 Gt einer 50%igen Lösung eines lackverträglichen Siloxancopolymeren in Xylol/Isobutanol 4:1 in
2570 Gt 2-Methoxy-ethanol und
780 Gt Tetrahydrofuran.
Nach Vulkanisation der Silikonschicht durch 4 Minuten
Erwärmen auf 110°C wurde das Material unter einer
Negativfilmvorlage (60er Raster) in einem 120 W-
Röhrenbelichtungsgerät 1 Minute belichtet und die unbe
lichteten Stellen dann mit dem folgenden Entwickler
abgelöst:
3 Gt 2-Phenoxy-ethanol,
2 Gt Graham'sches Salz,
2 Gt Polyvinylmethylacetamid,
4 Gt Pelargonsäure,
1 Gt KOH,
3 Gt Triethanolamin,
77 Gt entsalztes Wasser.
2 Gt Graham'sches Salz,
2 Gt Polyvinylmethylacetamid,
4 Gt Pelargonsäure,
1 Gt KOH,
3 Gt Triethanolamin,
77 Gt entsalztes Wasser.
Die hergestellte Druckform zeigte in einer Kleinoff
setdruckmaschine ohne Feuchtwerk erst nach 2000
Drucken abnehmende Bildqualität. Wurde die Druckform
vor ihrer Verwendung 5 Minuten auf 150°C erwärmt, dann
stieg die Druckauflage auf ca. 7000.
Eine Vergleichsplatte ohne Haftschicht ließ sich nicht
ohne Schädigung des Rasterbildes entwickeln. Bei Ver
wendung einer Strichvorlage war die Bildentwicklung
zwar möglich, beim Druckvorgang lief das Bild aber nach
einigen 100 Drucken ab.
Claims (14)
1. Vorsensibilisierte Druckplatte für den wasserlosen
Flachdruck mit einem Schichtträger, einer darauf auflie
genden Druckfarbe abweisenden vernetzten Silikonkaut
schukschicht, einer Zwischenschicht und einer strah
lungsempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß
die Zwischenschicht aus amorpher Kieselsäure oder aus
einer belichteten Schicht einer lichtempfindlichen orga
nischen Halogenverbindung besteht.
2. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Zwischenschicht durch Auftragen und
Trocknen eines wäßrigen, anionischen Kieselsäuresols
erhalten worden ist.
3. Druckplatte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß das Kieselsäuresol ein wasserlösliches Netz
mittel enthält.
4. Druckplatte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß das Kieselsäuresol eine Teilchengröße von mehr
als 20 nm hat.
5. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die organische Halogenverbindung eine Trihalo
genmethylgruppe enthält.
6. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die organische Halogenverbindung eine heterocy
clische Verbindung mit mindestens einem Trichlormethyl
substituenten ist.
7. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Zwischenschicht ein Flächengewicht von 0,01
bis 1 g/m2 hat.
8. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß sie je eine Zwischenschicht aus amorpher Kie
selsäure und aus einer belichteten lichtempfindlichen
organischen Halogenverbindung enthält.
9. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß der Silikonkautschuk ein bei Raumtemperatur
vernetzbarer Zweikomponentenkautschuk ist.
10. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Silikonkautschukschicht ein Flächengewicht
von 1 bis 50 g/m2 hat.
11. Druckplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die strahlungsempfindliche Schicht ein Polysi
loxan oder ein Netzmittel enthält.
12. Verfahren zur Herstellung einer vorsensibilisierten
Druckplatte für den wasserlosen Flachdruck, dadurch ge
kennzeichnet, daß man auf einen Schichtträger eine Sili
konkautschuklösung aufbringt und trocknet, auf die un
vernetzte Silikonkautschukschicht nacheinander eine
Zwischenschicht aus amorpher Kieselsäure und eine
strahlungsempfindliche Schicht aufbringt und danach die
Silikonkautschukschicht zu Silikongummi vernetzt.
13. Verfahren zur Herstellung einer vorsensibilisier
ten Druckplatte für den wasserlosen Flachdruck, dadurch
gekennzeichnet, daß man auf einen Schichtträger eine
Silikonkautschuklösung aufbringt und trocknet, auf die
unvernetzte Silikonkautschukschicht eine Zwischen
schicht aus einer lichtempfindlichen organischen Halo
genverbindung aufbringt, die Zwischenschicht mit
aktinischem Licht ohne Vorlage belichtet, dann eine
strahlungsempfindliche Schicht aufbringt und danach
die Silikonkautschukschicht zu Silikongummi vernetzt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 und 13,
dadurch gekennzeichnet, daß man die Silikonkautschuk
schicht nach dem Aufbringen der Zwischenschicht und
vor dem Aufbringen der lichtempfindlichen Schicht
unvollständig vernetzt.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873730213 DE3730213A1 (de) | 1987-09-09 | 1987-09-09 | Vorsensibilisierte druckplatte fuer den wasserlosen flachdruck und verfahren zu ihrer herstellung |
EP88114002A EP0306784A3 (de) | 1987-09-09 | 1988-08-27 | Vorsensibilisierte Druckplatte für den wasserlosen Flachdruck und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US07/239,468 US5017457A (en) | 1987-09-09 | 1988-09-01 | Presensitized printing plate for waterless lithographic printing and process for production thereof |
JP63224844A JPH01100551A (ja) | 1987-09-09 | 1988-09-09 | 水なし平版印刷用のプレセンシタイズド印刷版およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873730213 DE3730213A1 (de) | 1987-09-09 | 1987-09-09 | Vorsensibilisierte druckplatte fuer den wasserlosen flachdruck und verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3730213A1 true DE3730213A1 (de) | 1989-03-30 |
Family
ID=6335581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873730213 Withdrawn DE3730213A1 (de) | 1987-09-09 | 1987-09-09 | Vorsensibilisierte druckplatte fuer den wasserlosen flachdruck und verfahren zu ihrer herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5017457A (de) |
EP (1) | EP0306784A3 (de) |
JP (1) | JPH01100551A (de) |
DE (1) | DE3730213A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9303364U1 (de) * | 1993-02-18 | 1994-06-16 | Amoena Med Orthopaedie Tech | Verbindungselement |
DE19515804A1 (de) * | 1995-05-04 | 1996-11-07 | Hoechst Ag | Mit Wasser entschichtbares Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung von Wasserlos-Offsetdruckplatten |
US6022668A (en) * | 1998-01-19 | 2000-02-08 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Positive-working direct write waterless lithographic printing members and methods of imaging and printing using same |
US6387591B1 (en) * | 1998-10-15 | 2002-05-14 | Agfa-Gevaert | Heat-mode driographic printing plate precursor |
ES2204223B1 (es) * | 2001-03-29 | 2005-03-01 | Fenixprint, S.L. | Perfeccionamientos en maquinas para decorar baldosas ceramicas. |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE3628720A1 (de) * | 1986-08-23 | 1988-02-25 | Hoechst Ag | Vorsensibilisierte druckplatte und verfahren zur herstellung einer druckform fuer den wasserlosen flachdruck |
DE3628719A1 (de) * | 1986-08-23 | 1988-02-25 | Hoechst Ag | Vorsensibilisierte druckplatte und verfahren zur herstellung einer druckform fuer den wasserlosen flachdruck |
-
1987
- 1987-09-09 DE DE19873730213 patent/DE3730213A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-08-27 EP EP88114002A patent/EP0306784A3/de not_active Ceased
- 1988-09-01 US US07/239,468 patent/US5017457A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-09 JP JP63224844A patent/JPH01100551A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0306784A2 (de) | 1989-03-15 |
US5017457A (en) | 1991-05-21 |
JPH01100551A (ja) | 1989-04-18 |
EP0306784A3 (de) | 1990-07-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |