DE3719983C2 - Verfahren zur Kennzeichnung von Halbleiteroberflächen - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kennzeichnung von
Halbleiteroberflächen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei einem derartigen aus der US-PS 4 585 931 bekannten Verfahren
wird auf der Oberfläche eines Wafers durch Laserbeschuß eine
Strichkodierung erzeugt, deren einzelne Striche eine Tiefe von
etwa 8 bis 10 µm aufweisen. Bei der auch als Barcode bezeichne
ten Strichkodierung handelt es sich um eine Kombination aus
schmalen Strichen, schmalen Lücken, breiten Strichen und
breiten Lücken.
Bei einem aus der EP 134 469 A1 bekannten Verfahren zur Kenn
zeichnung von Halbleiteroberflächen werden Buchstaben, Ziffern
und andere Symbole durch im Abstand zueinander angeordnete
kreisförmige Schmelzpunkte gebildet, die beim Laserbeschuß
durch Aufschmelzen und partielles Verdampfen des Halbleiterma
terials erzeugt werden. Die kreisförmigen Schmelzpunkte weisen
Tiefen zwischen 1 und 5 µm und Durchmesser zwischen 70 und 75
µm auf.
Das maschinelle Lesen von OCR-Klarschrift (OCR = Opitcal Cha
racter Recognition) erfordert im Vergleich zu einer Strichko
dierung aufwendige Einrichtungen. Außerdem ist das Verhältnis
von fehlerhaften Dekodierergebnissen zu korrekten Dekodierer
gebnissen bei einer Strichkodierung wesentlich kleiner als bei
Klarschrift. So ist beispielsweise die typische Substitionsfeh
lerrate bei dem bekannten Barcode "Code 39" 1 : 3 × 10⁶, bei
Klarschrift hingegen 1 : 10⁴. Schließlich ist der für Klarschrift
erforderliche Platzbedarf im Hinblick auf die Zeichenhöhe und
die Zeichendichte verhältnismäßig groß. Die beispielsweise nach
dem aus der EP-A-0 134 469 bekannten Verfahren mittels Laser
erstellte Klarschrift kann in sogenannter Softmark-Beschriftung
erstellt werden. Unter einer solchen Softmark-Beschriftung ist
ein Anschmelzen bzw. Umschmelzen der Oberfläche der Halbleiter
scheibe in geringer Tiefe von ca. 1 µm zu verstehen, bei dem in
nächster Umgebung der Beschriftung weder Materialspritzer er
zeugt werden, noch Kristalldefekte entstehen. Vorteilhaft ist
die Softmark-Beschriftung von Halbleiterscheiben insbesondere
deshalb, weil diese Beschriftungsmethode zu einem beliebigen
Zeitpunkt während der laufenden Chipfertigung angewandt werden
kann.
Nach dem Stand der Technik wäre die Laserbeschriftung von Halb
leiteroberflächen mit Strichkodierungen in Softmark-Technik
zwar beherrschbar, jedoch nicht deren maschinelle Lesbarkeit
mit handelsüblichen Barcode-Lesegeräten. Der Grund dafür ist,
daß sich die Lesesignale bei der Detektion von Barcodesymbolen
nicht mit der geforderten Sicherheit unterscheiden. Die Ober
flächenreflexion und der Streulichtanteil von breiten und
schmalen Strichen sind bei Strichkodierungen in
Softmark-Technik nicht reproduzierbar. Eine den
Barcode-Anforderungen gerechte Lesesicherheit von
beispielsweise 0,003 Promille bei dem bekannten "Code 39" ist
bei der Laserschriftung in Softmark-Technik nicht
gewährleistet.
Demgegenüber ist die beispielsweise aus der US-A-4 585 931
bekannte Hardmark-Beschriftung von Halbleiteroberflächen mit
Strichkodierungen mit optischen Abtasteinrichtungen dekodierbar.
Der Laserbeschuß erzeugt hier eine Tiefenbeschriftung mit
breiten Gräben zur Darstellung der einzelnen Striche. Die Kenn
zeichnung von Halbleiteroberflächen durch Laserbeschuß in Hard
mark-Technik ist aber wegen möglicher Kristallversetzungen
und/oder Verschmutzungen der Oberfläche der Halbleiterscheiben
nur beim Scheibenhersteller anwendbar. Der Scheibenhersteller
hat nämlich noch die Möglichkeit, nach dem Aufbringen der
Strichkodierung die Defekte durch mechanische oder chemische
Nachbearbeitung zu beseitigen. Dies ist aber beim
Chiphersteller nicht möglich. Außerdem ist bei der Kennzeich
nung durch Hardmark-Beschriftung der erforderliche Platzbedarf
im Hinblick auf Zeichenhöhe und Zeichendichte verhältnismäßig
groß.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Kennzeichnung von Halbleiteroberflächen mit einer durch Laser
beschuß in Softmark-Technik erzeugten Strichkodierung zu schaf
fen, welches einerseits bei sehr kleiner Zeichenhöhe eine hohe
Zeichendichte zuläßt und andererseits mit geringem Aufwand ein
sicheres Lesen und Dekodieren der Strichkodierung ermöglicht.
Diese Aufgabe wird bei einem gattungsgemäßen Verfahren durch
die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß durch eine
Reihe sich überlappender Softmark-Schmelzpunkte raupenartige
und streulichtintensive Strichelemente gebildet werden können
und daß aus derartigen Strichelementen gleicher Breite
kristalldefektfreie Strichkodierungen mit schmalen Strichen,
schmalen Lücken, breiten Strichen und breiten Lücken erzeugt
werden können. Vorzugsweise werden dabei die breiten Striche
durch m parallele Strichelemente und die schmalen Striche durch
n parallele Strichelemente gebildet, wobei m und n ganze
Zahlen sind und m größer als n ist. Eine besonders einfache Aufbringung
der Strichkodierungen und eine äußerst hohe Zeichendichte
werden insbesondere dann erzielt, wenn breite Striche der
Strichkodierung durch zwei parallele Strichelemente und schmale
Striche durch ein Strichelement gebildet werden. Werden die
Strichelemente der breiten Striche mit einem geringen Abstand
zueinander aufgebracht, so erfolgt eine besonders zuverlässige
Detektion der beiden Striche durch Ausmessen des extrem
schmalen Abstandes und durch Abzählen der zu diesem Strich
gehörenden Strichelemente.
Im Hinblick auf eine möglichst hohe Zeichendichte und eine
sichere Detektion der kristalldefektfrei aufgebrachten Strich
kodierung hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn
die Strichelemente der breiten Striche mit einem Abstand von
weniger als 15 µm zueinander aufgebracht werden, wenn die
Strichelemente mit einer Breite von weniger als 15 µm aufge
bracht werden und wenn die Strichelemente mit einer Tiefe von
weniger als 2 µm aufgebracht werden.
Weiterhin hat es sich im Hinblick auf die Qualität
kristalldefektfreier Kennzeichnungen als besonders günstig
herausgestellt, wenn die Softmark-Schmelzpunkte mit einem ge
pulsten Nd-YAG-Laser, insbesondere einem leistungstabilisierten
frequenzverdoppelten Nd-YAG-Laser, erzeugt werden.
Schließlich werden im Hinblick auf unerwünschte Versetzungen im
Kristallgitter die besten Ergebnisse dann erzielt, wenn der
Laserbeschuß zeitlich derart gesteuert wird, daß beim
Aufbringen eines Softmark-Schmelzpunktes der zuvor aufgebrachte
Softmark-Schmelzpunkt zumindest teilweise wieder erstarrt ist
und seine Kontur erhalten bleibt.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dar
gestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Es zeigen
Fig. 1 einen grundsätzlichen Vergleich zwischen dem bekannten
"Code 39" und einer nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren erzeugten Strichkodierung,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren auf die polierte Seite
einer Halbleiterscheibe aufgebrachten Strichkodierung
und
Fig. 3 das Blockschaltbild einer zum Aufbringen der Strich
kodierungen geeigneten Beschriftungseinrichtung.
Fig. 1 zeigt im oberen Teil einen Ausschnitt einer üblichen
Strichkodierung nach dem mit C 39 bezeichneten "Code 39". Der
Ausschnitt umfaßt von links nach rechts gesehen einen breiten
Strich bSt der Breite S, eine schmale Lücke sL der Breite l,
einen schmalen Strich sSt der Breite s, eine breite Lücke bL
der Breite L, einen schmalen Strich sSt, eine schmale Lücke sL,
einen schmalen Strich sSt, eine schmale Lücke sL und einen
breiten Strich bSt. Diese Konfiguration entspricht der Ziffer
1.
Im unteren Teil der Fig. 1 ist eine entsprechende Konfiguration
aufgezeigt, die durch Laserbeschuß auf die polierte Oberfläche
einer Halbleiterscheibe aus Silizium, Germanium oder
dergleichen aufgebracht werden kann. Es ist zu erkennen, daß
die gesamte Strichkodierung Sk durch einzelne Softmark-Schmelz
punkte SSp gebildet wird, wobei jeweils eine Reihe sich über
lappender Softmark-Schmelzpunkte SSp ein Strichelement Se der
Breite b bildet. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel
bildet dann eines dieser Strichelemente Se einen schmalen
Strich sSt, während zwei im Abstand a zueinander aufgebrachte
Strichelemente Se einen breiten Strich bSt bilden. Der Abstand
a ist dabei deutlich geringer als die Breite l einer schmalen
Lücke sL.
Bei der schematischen Darstellung der Ziffer 1 in Fig. 1 ist
jeder Softmark-Schmelzpunkt SSp durch eine vollständige Kreis
kontur aufgezeigt. In Wirklichkeit besitzen jedoch nur die
jeweils zuletzt aufgebrachten Softmark-Schmelzpunkte SSp eines
Strichelementes Se eine derartige vollständige Kreiskontur,
während alle anderen Softmark-Schmelzpunkte SSp eine sichel
förmige Kontur aufweisen.
Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt einer Halbleiterscheibe 1 aus
Silizium, bei welcher es sich beispielsweise um einen Wafer
für die Herstellung von Megabit-Speichern handelt. Auf die
polierte Oberfläche dieser Halbleiterscheibe 1 ist mittels
eines Laserstrahls eine Strichkodierung Sk eingeschrieben, die
durch gleich breite Strichelemente Se verwirklicht ist. Die
Strichelemente Se sind durch Softmark-Schmelzpunkte SSp mit
großer Überlappung entstanden und weisen daher eine raupenar
tige und streulichtintensive Struktur auf. Ein weiterer Vorteil
der Softmark-Schmelzpunkte SSp ist, daß nach Erzeugung der
Strichkodierung Sk keine mechanischen und/oder chemischen
Nachbehandlungen zur Entfernung von Defekten auf der Scheiben
oberfläche erforderlich sind.
Auch bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel
basiert die Strichkodierung Sk auf der Codeart "Code 39". Sie
besteht aus dem Startzeichen 2, den sieben Datenzeichen Dz1 bis
Dz7 und dem Stopzeichen 3. Jedes dieser Datenzeichen Dz1 bis
Dz7 bzw. Startzeichen 2 oder Stopzeichen 3 umfaßt jeweils 7
Strichelemente Se mit gleicher Breite b. Die dargestellte
Strichkodierung Sk unterscheidet sich von dem "Code 39" da
durch, daß die breiten Striche bSt durch zwei Strichelemente
Se realisiert sind, während die schmalen Striche sSt jeweils
durch ein Strichelement Se realisiert sind. Die Detektion der
breiten Striche bSt erfolgt durch Ausmessen der durch den Ab
stand a gebildeten extrem schmalen Lücke sowie durch Abzählen
der zugehörigen Strichelemente Se.
Alle übrigen Informationsmerkmale der dargestellten Strichko
dierung Sk, wie schmale Lücken sL und breiten Lücken bL stimmen
mit der Codeart "Code 39" überein.
Das Startzeichen 2, das Datenzeichen Dz4 und das Stopzeichen 3
sind in Fig. 2 vergrößert dargestellt. Es ist zu erkennen, daß
die gleich ausgebildeten Start- und Stopzeichen 2 bzw. 3
jeweils von links nach rechts gesehen einen schmalen Strich
sSt, eine breite Lücke bL, einen schmalen Strich sSt, eine
schmale Lücke sL, einen breiten Strich bSt, eine schmale Lücke
sL, einen breiten Strich bSt, eine schmale Lücke sL und einen
schmalen Strich sSt umfassen, wobei die drei schmalen Striche
sSt jeweils durch eine Strichelement Se und die beiden breiten
Striche bSt jeweils durch zwei im Abstand a angeordnete Strich
elemente Se gebildet sind. Das Datenzeichen Dz4, das dem Buch
staben "D" entspricht, umfaßt von links nach rechts gesehen
einen schmalen Strich sSt, eine schmale Lücke sL, einen
schmalen Strich sSt, eine schmale Lücke sL, einen breiten
Strich bSt, eine breite Lücke bL, einen schmalen Strich sSt,
eine schmale Lücke sL und einen breiten Strich bSt, wobei auch
hier wieder die drei schmalen Striche sSt jeweils durch ein
Strichelement Se und die beiden breiten Striche bSt jeweils
durch zwei im Abstand a zueinander angeordnete Strichelemente
Se gebildet sind.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Strichkodierung Sk wurden fol
gende Abmessungen realisiert:
h = 1 mm
b = 10 µm
a = 10 µm
L = 50 µm
1 = 20 µm.
b = 10 µm
a = 10 µm
L = 50 µm
1 = 20 µm.
Mit h ist dabei die Höhe der Strichelemente Se bzw. die Höhe
der gesamten Strichkodierung Sk bezeichnet. Mit den angegebenen
Abmessungen wurde eine Zeichendichte von 108 Zeichen/Inch
erzielt.
Fig. 3 zeigt das Blockschaltbild einer typischen Beschriftungs
einrichtung, wobei die eingesetzte Lasereinheit aus den Kompo
nenten Nd-YAG-Laserstab 7, Pumplichtquelle 8, Q-Switch 9, Reso
natorspiegel 10, Frequenzverdoppler 11 und Strahlungsteiler 12
besteht. Für die Fokussierung und Strahlaufweitung sind Linsen
systeme 21 bzw. 22 vorgesehen. Die Scaneinheit beinhaltet die
Scanspiegel 19, 20 und die Galvanmeterantriebe 17, 18 wobei die
± y-Scaneinrichtung mit Antrieb 17 und die ± x-Scaneinrichtung
mit Antrieb 18 realisiert ist. Die zentrale Steuereinheit setzt
sich zusammen aus dem Rechnersystem 16 eines Referenzempfängers
15 sowie den Steuereingängen 23 des Rechnersystems 16.
Beim Aufbringen einer Strichkodierung auf eine Halbleiterober
fläche wird durch Steuerung mittels Q-Switch 9 ein Laserpuls
25 abgestrahlt, der nach Passieren des Frequenzverdopplers 11
auf den Strahlungsteiler 12 fällt und in diesem Teiler in den
Hauptstrahl 13 sowie in dem Referenzstrahl 14 geteilt wird. Der
mit dem Fotoempfänger 15 detektierte Referenzstrahl 14 dient
zur Ausgangsleistungsregelung mittels der Pumplichtquelle 8.
Nach Strahlaufweitung mit der Linse 22 und anschließender
Fokussierung mit der Linse 21 durchläuft das Strahlenbündel die
Scanspiegel 20, 19 und trifft danach als eng gebündelter Laser
spot 24 auf die Siliziumscheibe 1. Durch definierte Steuerung
des Q-Switch 9, der Galvanometerantriebe 17, 18 und der Pump
lichtquelle 8 mittels Rechnersystem 16 wird nun die beispiels
weise in Fig. 2 dargestellte Strichkodierung Sk aufgebracht.
Dabei wird der Laserstrahl kontinuierlich über die jeweilige
während des Beschießens ruhende Halbleiterscheibe geführt. Es
ist ohne weiteres auch möglich, die Halbleiterscheibe zum
Zwecke des Einbringens der Strichkodierung zu bewegen und den
Laser in Ruhe zu belassen oder sowohl den Laser als auch die
Halbleiterscheibe abgestimmt zueinander zu bewegen.
Bei der vorstehend beschriebenen Kennzeichnung von Halbleiter
scheiben aus einkristallinem Silizium wurde mit dem Q-Switch 9
eine Pulsfrequenz von 9 KHz eingestellt. Bei einer effektiven
Laserleistung von ca. 200 mWatt betrug die Scan-Geschwindig
keit ca. 30 mm/s. Dabei ergab sich eine Aufschmelztiefe von
etwa 1 µm.
Der Frequenzverdoppler 11 ändert die Wellenlänge des Nd-YAG-
Laserstabes 7 von ursprunglich λ = 1064 nm in λ = 532 nm. Durch
diese Frequenzverdopplung ergibt sich eine stärkere Fokussie
rung des Laserspots 24 und hierdurch eine größere Eindringtiefe
mit einer ausgeprägten rampenartigen Struktur der Strichele
mente Se (vgl. Fig. 1 und 2).
Eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte, ledig
lich durch leichtes Anschmelzen der entsprechenden Zonen auf
der Oberfläche der polierten Halbleiterscheibe gewonnene Soft
mark-Beschriftung kann beispielsweise die Identifikationsnum
mer, den Lieferanten der Halbleiterscheibe, die Dotierung, die
Kristallorientierung sowie Prüfzeichen usw. umfassen. Die Tiefe
der Softmark-Beschriftung liegt dabei zweckmäßigerweise in der
Größenordnung von 1 µm.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist sinngemäß bei allen
Standardcodearten anwendbar, die breite und schmale Striche
beinhalten. Die codierte Information eines breiten Striches
wird jeweils durch Strichelemente gleicher Breite mit der An
zahl größer 1 gebildet. Winkelversetzte Strichelemente, wie sie
bei einer Ringbeschriftung am äußeren Rand der Halbleiter
scheibe entstehen, haben im Hinblick auf die geringe Zeichen
höhe und die hohe Zeichendichte ebenfalls Informationscha
rakter. Bei der Decodierung werden üblicherweise jedoch
parallel angeordnete Strichvertiefungen erfaßt.
Claims (10)
1. Verfahren zur Kennzeichnung von Halbleiteroberflächen mit
einer durch Laserbeschuß erzeugten Strichkodierung,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strichkodierung (Sk) durch Strichelemente (Se) gleicher
Breite (b) erzeugt wird und daß jedes Strichelement (Se) durch
eine Reihe sich überlappender Softmark-Schmelzpunkte (SSp),
d. h. an- oder ungeschmolzene Halbleiteroberflächenbereiche
geringer Tiefe, in deren nächster Umgebung weder Materialspritzer noch
Kristalldefekte erzeugt werden, gebildet
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß breite Striche (bSt) der Strichkodierung (Sk) durch m pa
rallele Strichelemente (Se) und schmale Striche (sSt) der
Strichkodierung durch n parallele Strichelemente (Se) gebildet
werden, wobei m und n ganze Zahlen sind und m größer als n ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß breite Striche (LrSt) der Strichkodierung (Sk) durch zwei
parallele Strichelemente (Se) und schmale Striche (sSt) durch
ein Strichelement (Se) gebildet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strichelemente (Se) der breiten Striche (bSt) mit einem
geringen Abstand (a) zueinander aufgebracht werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strichelemente (Se) der breiten Striche (bSt) mit einem
Abstand (a) von weniger als 15 µm zueinander aufgebracht
werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strichelemente (Se) mit einer Breite (b) von weniger
als 15 µm aufgebracht werden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strichelemente (Se) mit einer Tiefe von weniger als
2 µm aufgebracht werden.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Softmark-Schmelzpunkte (SSp) mit einem gepulsten
Nd-YAG-Laser erzeugt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein leistungsstabilisierter, frequenzverdoppelter Nd-YAG-
Laser verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Laserbeschuß zeitlich derart gesteuert wird, daß beim
Aufbringen eines Softmark-Schmelzpunktes (Ssp) der zuvor aufge
brachte Softmark-Schmelzpunkt (SSp) zumindest teilweise wieder
erstarrt ist und seine Kontur erhalten bleibt.
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1988
- 1988-06-14 EP EP88904927A patent/EP0317604B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-14 WO PCT/DE1988/000357 patent/WO1988010475A1/de active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005017807B4 (de) * | 2005-04-18 | 2007-07-26 | Siemens Ag | Stellantrieb zur Betätigung eines Kraftstoffeinspritzventils, umfassend einen Deckel zur Abdeckung einer Kontaktierungs- und/oder Abdichtungsanordnung |
DE102005017808B4 (de) * | 2005-04-18 | 2007-09-20 | Siemens Ag | Stellantrieb zur Betätigung eines Kraftstoffeinspritzventils, umfassend einen Deckel zur Abdeckung einer Kontaktierungs-und/oder Abdichtungsanordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0317604B1 (de) | 1992-08-26 |
EP0317604A1 (de) | 1989-05-31 |
DE3719983A1 (de) | 1988-12-29 |
WO1988010475A1 (en) | 1988-12-29 |
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