DE3715717A1 - Gasversorgungseinrichtung fuer eine molekularstrahlepitaxieanlage - Google Patents

Gasversorgungseinrichtung fuer eine molekularstrahlepitaxieanlage

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DE3715717A1 DE19873715717 DE3715717A DE3715717A1 DE 3715717 A1 DE3715717 A1 DE 3715717A1 DE 19873715717 DE19873715717 DE 19873715717 DE 3715717 A DE3715717 A DE 3715717A DE 3715717 A1 DE3715717 A1 DE 3715717A1
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Karl-Heinz Dipl Ing Dr Bachem
Peter Hofmann
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/002—Controlling or regulating

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0458077A1 (de) * 1990-05-16 1991-11-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Eichen oder Nacheichen einer Strahldruck-Messeinrichtung einer Molekularstrahlexpitaxieeinrichtung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

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Title
J. of Vac. Soc. a. Techn. B, Vol. 3, (1986) No. 2, p. 657-665 *

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