DE3711615A1 - Halbleiter-laseranordnung - Google Patents
Halbleiter-laseranordnungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Laser
anordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Bei der Erfindung geht es speziell um eine Halbleiter-
Laseranordnung, die Laserlichtstrahlen mit hoher Aus
gangsleistung erzeugt, zwischen denen eine Phasenver
schiebung von 0° ist.
Halbleiteranordnungen mit einer einzigen Wellenleiter
struktur können bestenfalls eine Ausgangsleistung von
50 mW bringen. Es wurden bereits Halbleiter-Laseranord
nungen untersucht, bei denen mehrere Wellenleiter paral
lel zueinander auf einem einzigen Substrat angeordnet
waren, um eine optische Kopplung zwischen benachbarten
Wellenleitern zu erhalten.
In dem Fall, bei dem mehrere Index-geführte Halbleiter-
Laseranordnungen parallel zueinander mit einer optischen
Phasenkopplung zwischen benachbarten Wellenleitern ange
ordnet waren und die einzelnen Laseranordnungen dieselbe
Verstärkung hatten, neigten sie dazu, mit Laserlicht
strahlen zu oszillieren, die eine Phasenverschiebung
von 180° zwischen sich hatten anstatt einer Phasenver
schiebung von 0°. Dies liegt daran, daß die Verteilung
des elektrischen Feldes in der Mode mit einer Phasen
verschiebung von 180° der Verteilung der Verstärkung
entspricht und nicht in der Mode von 0°; dies führt in
der Mode mit der Phasenverschiebung von 180° zu einer
kleinen Schwellwertverstärkung für die Oszillation. Um
diesen Effekt zu vermeiden, muß man die Schwellwert
verstärkung in der Mode mit der Phasenverschiebung von
180° vergrößern, wodurch die Mode mit der Phasenver
schiebung von 180° unterdrückt wird.
Zu diesem Zweck
wuden - wie in den Fig. 4(a) und 4(b) gezeigt, Halb
leiter-Laseranordnungen vorgeschlagen, die an beiden
Facetten 30 Verzweigungs- und Vereinigungswellenleiter
31 haben. Jeder Wellenleiter 31 der Halbleiter-Laser
anordnung der Fig. 4(a) hat zwei Verzweigungsabschnitte
31 a, während die Halbleiter-Laseranordnung der Fig. 4(b)
einen Verzweigungsabschnitt 31 a hat. Die grundlegende
Arbeitsweise dieser Laseranordnungen ist wie folgt:
Lichtstrahlen, die sich in den Verzweigungswellenleitern
mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen sich aus
breiten, gelangen mit derselben Phase zu den Vereini
gungswellenleitern, so daß die Lichtstrahlen inten
siviert werden. Wenn dagegen Lichtstrahlen mit einer
Phasenverschiebung von 180° zwischen sich in den Ver
zweigungswellenleitern laufen und zu den Vereinigungs
wellenleitern kommen, so treffen gegenläufige Phasen
aufeinander, wodurch die Lichtstrahlen beträchtlich
geschwächt werden. Dies führt zu einer Strahlungsmode,
bei der die Lichtstrahlen nach außerhalb des Wellen
leiter abgestrahlt werden. Dabei werden die Licht
strahlen mit der Phasenverschiebung von 180° zwischen
sich gedämpft, was zu einer Vergrößerung der Oszilla
tionsschwellwertverstärkung bei der Mode mit der Phasen
verschiebung von 180° führt.
Allerdings wird die Oszillationsschwellwertverstärkung
in einer mittleren Mode zwischen der 0° Phasenverschie
bungsmode und der 180° Phasenverschiebungsmode mit einer
Vergrößerung der Anzahl der Wellenleiter verringert, so
daß eine Oszillation in der Mode mit der Phasenver
schiebung von 0° nicht erreicht werden kann. Die Fig.
5(a) bis 5(c) zeigen die Verteilung des elektrischen
Feldes E und das Fernfeldmuster bezüglich der Mode mit
der Phasenverschiebung von 0° (a), bezüglich der Mode
mit der Phasenverschiebung von 180° (c) bzw. bezüglich
mittlerer Moden (b), bei einer Laseranordnung mit einem
Aufbau gemäß den Fig. 5(a) bis 5(c), die eine Vielzahl
von parallelen aktiven Wellenleitern haben. Aus den
Fig. 5(a) bis 5(c) kann man erkennen, daß das Fernfeld
muster bei der Mode mit der Phasenverschiebung von 0°
(a) eine Emissionsrichtung des Laserlichtes hat, die
vertikal zur emittierenden Fläche der Anordnung liegt,
während die Fernfeldmuster bei den anderen Moden (b)
und (c) Emissionsrichtungen des Laserlichtes haben, die
gegenüber der emittierenden Fläche der Anordnung eine
Neigung hat. Dies bedeutet, daß die Verteilung des elek
trischen Feldes des Laserlichtes in der Mode mit der
Phasenverschiebung von 0° einen spitzen Wert in der
Mitte hat, während die Verteilung des elektrischen
Feldes des Laserlichtes bei den beiden anderen Moden
(b) und (c) an beiden Seiten Spitzen aufweist.
Das Fernfeldmuster der Laserlichtstrahlen mit einer
Phasenverschiebung von 0° zwischen sich, das mit einer
herkömmlichen Halbleiter-Laseranordnung erzeugt wurde,
besitzt einen einzigen spitzen Wert, so daß das Laser
licht mittels optischer Linsen zu einem Lichtfleck kon
zentriert werden kann, während das Fernfeldmuster der
Laserlichtstrahlen mit einer Phasenverschiebung von
180° zwischen sich oder mit einer mittleren Mode zwischen
0° und 180° zwei Spitzen aufweist, so daß diese Laser
lichtstrahlen nicht mittels irgendwelcher optischer
Linsen zu einem Lichtfleck konzentriert werden können.
Die Halbleiter-Laseranordnungen, die Laserlicht erzeugen,
das nicht zu einem Lichtfleck konzentriert werden kann,
sind für die optische Kopplung mit anderen optischen
Systemen nicht geeignet und können auch nicht als Licht
quellen für optische Kommunikation für optische Platten
systeme etc. verwendet werden.
Folglich ist die Schaffung einer Halbleiter-Laseranord
nung, die mit Laserlichtstrahlen oszilliert, die zwischen
sich eine Phasenverschiebung von 0° haben und die daher
als Lichtquelle für optische Kommunikation verwendet
werden kann, wünschenswert. Die Phasenverschiebung von
0° bedeutet dabei auch, daß man in der Mode mit der
Phasenverschiebung von 0° eine höhere Oszillationsver
stärkung hat als in einer Mode mit einer Phasenverschie
bung von 180° oder in mittleren Moden.
Die Halbleiter-Laseranordnung nach der Erfindung, die
die oben beschriebenen Nachteile sowie weitere Nachteile
des Standes der Technik überwindet, enthält ein Substrat,
einen Bereich index-geführter Wellenleiter auf dem Sub
strat, einen Fourier-transformierenden Bereich, der dem
Wellenleiterbereich benachbart ist und in welchem die
Laserlichtstrahlen, die von dem Wellenleiterbereich mit
synchronen Phasen emittiert wurden, einer Fourier-Trans
formation unterworfen werden, wobei auch dieser Fourier-
Transformationsbereich auf dem Substrat angeordnet ist;
weiterhin ist ein reflektierender Spiegel vorgesehen,
der benachbart zu dem Fourier-transformierenden Bereich
liegt und durch den die transformierten Laserlichtstrah
len in einer Mode mit einer Phasenverschiebung von 0°
selektiv reflektiert werden, so daß sie auf den wellen
leitenden Bereich auftreffen.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht der
wellenleitende Bereich aus einer Vielzahl von Verzwei
gungs- und Vereinigungswellenleitern des index-geführten
aktiven Wellenleitertyps, wobei diese parallel zueinander
liegen.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der reflek
tierende Spiegel an einer Facette einer Seite des
Fourier-transformierenden Bereiches angeordnet und als
ein- oder mehrschichtiger Film aus Al2O3 und/oder
amorphem Si.
In einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel ist
der mittlere Bereich des reflektierenden Spiegels, wel
cher den aktiven Wellenleitern entspricht, entweder eben
oder konkav ausgebildet.
Mit der hier beschriebenen Erfindung werden folgende
Ziele erreicht:
- 1. Es wird eine Halbleiter-Laseranordnung mit mehreren index-geführten Halbleiterlasern, die parallel zu einander liegen geschaffen, bei der zwischen benach barten Laserresonanzräumen auf demselben Substrat eine optische Phasenkopplung erhalten wird, wobei eine Phasenverschiebung zwischen benachbarten Laserresonanzräumen bei 0° liegt, womit man Laser lichtstrahlen hoher Ausgangsleistung mit einem Strahlungsmuster von einem einzigen "peak" erhält; und
- 2. es wird eine Halbleiter-Laseranordnung geschaffen, bei der die von mehreren aktiven Wellenleitern emittierten Laserlichtstrahlen einer Fourier-Trans formation unterworfen werden und zwar in einer Fourier-transformierenden Wellenleiterregion und wobei die transformierten Laserlichtstrahlen mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen sich von einem Spiegel selektiv reflektiert werden, so daß sie in die mehreren aktiven Wellenleiter einge führt werden, so daß die Oszillationsschwellwert verstärkung in der Mode mit der Phasenverschiebung von 0° kleiner gemacht werden kann als die in anderen Moden; damit erhält Laserlichtstrahlen mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen sich, die stabil sind und die zu einem einzigen Licht fleck konzentriert werden können, was eine ex cellente Auflösung bei optischen Geräten, die Laserlicht verwenden, gestattet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungs
beispielen im Zusammenhang mit der Zeichnung ausführ
licher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Halbleiter-
Laseranordnung nach der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht zur Erläuterung der Herstell
schritte für die Herstellung der reflektie
renden Filme an den Facetten der Laseranord
nung der Fig. 1;
Fig. 3 eine Draufsicht einer anderen Halbleiter-
Laseranordnung nach der Erfindung;
Fig. 4(a) und 4(b) Diagramme herkömmlicher Halbleiter-Laser
anordnungen und deren Brechungsindizes an
den Facetten; und
Fig. 5(a) bis 5(c) Diagramme des Fernfeld- und des Nahfeldmusters
in Moden mit Phasenverschiebungen von 0°,
180° und dazwischenliegenden Graden bei einer
herkömmlichen Halbleiter-Laseranordnung.
Die Erfindung schafft eine Halbleiter-Laseranordnung
mit mehreren index-geführten Wellenleitern, die parallel
zueinanderliegen, wobei zwischen benachbarten Laser
resonanzräumen eine optische Phasenkopplung stattfindet,
wobei die von den mehreren aktiven Wellenleitern emittier
ten synchronen Lichtstrahlen in einem Fourier-transfor
mierenden Wellenleiterbereich einer Fourier-Transforma
tion unterzogen werden und wobei die transformierten
Laserlichtstrahlen mit einer Mode mit einer Phasenver
schiebung von 0° von einem Spiegelabschnitt selektiv
reflektiert werden, wobei dieser Spiegelabschnitt be
nachbart zu dem transformierenden Wellenleiterbereich
liegt, womit man eine synchrone Oszillation von Laser
lichtstrahlen mit einer Phasenverschiebung von 0°
zwischen sich erhält.
Fig. 1 zeigt eine GaAs-GaAlAs-Halbleiter-Laseranord
nung mit einer ebenen Aktivschicht gemäß der Erfindung,
die wie folgt hergestellt wird: Auf einem n-GaAs-Sub
strat 1 werden aufeinanderfolgend folgende Schichten
durch eine Epitaxie-Wachstumstechnik (wobei x y) auf
gewachsen, was zu einem Doppel-Heterostruktur-Mehr
schicht-Kristall für Laseroszillation führt: eine
n-Al x Ga1-x As-Abdeckschicht 2, eine p- oder n-Al y Ga1-y As-
Aktivschicht 3, eine p-Al x Ga1-x As-Abdeckschicht 4 und
eine p-GaAs-Deckschicht 5. Sodann werden Abschnitte
der p-Deckschicht 5 und der p-Abdeckschicht 4, die den
Wellenleitern entsprechen, durch Photolitographie durch
ein chemisches oder trochenes Ätzen entfernt, womit
mehrere index-geführte aktive Wellenleiter 9 geschaffen
werden. Die Ätztechniken sind dabei im Stand der Technik
bekannt. Der Brechungsindex der aktiven Wellenleiter
wird in Abhängigkeit von der Dicke sowohl der p-Abdeck
schicht 4, die der Ätzbehandlung unterzogen wurde als
auch der Aktivschicht 3 bestimmt. Bei Laseranordnungen,
die Laserlichtstrahlen mit synchronisierten Phasen er
zeugen, liegt der Brechungsindex üblicherweise im Be
reich von 5 × 10-3 bis 3 × 10-2.
Darauf wird über den gesamten Bereich der p-Deckschicht
5 und den erwähnten geätzten Abschnitt ein Si3N4-Film 6
durch plasmaunterstütztes chemisches Dampfabscheiden
ausgebildet; der Teil des Si3N4 -Filmes 6, der den
Wellenleitern 9 entspricht wird dann durch Photolitho
graphie entfernt, worauf die Ausbildung eines p-ohm
schen Kontaktes 7 auf dem Si3N4-Film 6 auf den genann
ten entfernten Teilen desselben erfolgt. Auf der Rück
seite des n-Substrates wird ein n-ohmscher Kontakt 8
ausgebildet. Darauf wird der Wafer unter rechtem Winkel
zu den Wellenleitern 9 abgespalten zur Bildung einer
Lasereinheit mit einer Hohlraumlänge von 200 bis 400 µm.
Bei dem oben beschriebenen Herstellverfahren werden
ein index-geführter Wellenleiterbereich 16 und ein
Fourier-transformierender Bereich 17 gebildet. Der index-
geführte Wellenleiterbereich besteht aus mehreren Ver
zweigungs- und Vereinigungswellenleitern 9 des index-
geführten Aktivtyps, die parallel zueinander liegen;
der Fourier-transformierende Bereich 17 liegt benach
bart zu dem index-geführten Bereich 16. In dem Fourier-
transformierenden Bereich 17 werden Laserlichtstrahlen,
die mit synchronen Phasen von den aktiven Wellenleitern
9 emittiert werden, einer Fourier-Transformation unter
worfen.
Beim Herstellverfahren werden sodann beide Facetten mit
einem ein- oder mehrschichtigen Film aus Al2O3 und/oder
amorphem Si mittels Elektronenstrahldampfabscheiden be
schichtet, womit Laserreflektoren an beiden Facetten
gebildet werden. Die Dicke dieser Schichten des reflek
tierenden Filmes, der ein einschichtiger Film aus
Al2O3 oder ein mehrschichtiger Film aus Al2O3 und
amorphem Silicium ist, wird auf einen vorgegebenen
Wert festgesetzt, der so gewählt ist, daß der Reflek
tionsindex des reflektierenden Filmes in einem Bereich
von ca. 2% bis 95% liegt. Bei dem vorliegenden Beispiel
hat der einschichtige reflektierende Film aus Al2O3
eine Dicke von λ/4 (λ ist die Oszillationswellenlänge);
der Reflektionsindex ist dann ca. 2%, der andere reflek
tierende Film ist ein zweischichtiger Al2O3-Film mit
einer Dicke von 2λ/4 (λ ist die Oszillationswellen
länge); der Reflektionsindex ist dann ca. 32%. Diese
reflektierenden Filme werden wie folgt dargestellt. Wie
in Fig. 2 gezeigt, wird ein Al2O3-Film mit einer Dicke
von λ/2 auf der Facette 11 der Wellenleiterseite
mittels Elektronenstrahldampfabscheiden ausgebildet,
womit man einen Reflektor 12 erhält. Sodann wird auf
der anderen Facette 13 ein Al2O3-Film 14 mit einer Dicke
von λ/4 ausgebildet. Anschließend wird ein Resistfilm
auf dem Teil des Al2O3-Filmes 14 auf der Facette 13,
der dem äußeren Bereich des Wellenleiters 16 entspricht;
sodann wird auf dem Al2O3-Film 14 ein Al2O3-Film 15 mit
einer Dicke von λ/4 aufgebracht. Sodann wird der Resist
film durch ein Abtragsmittel entfernt, wie in Fig. 2
gezeigt, womit man einen zweischichtigen Al2O3-Film mit
einer Dicke von 2 λ/4 im mittleren Bereich 13 a der
Facette 13, der den aktiven Wellenleitern 9 entspricht,
erhält (der Reflektionsindex liegt bei ca. 32%) sowie
einen einschichtigen Al2O3-Film mit einer Dicke von
λ/4 (mit Brechungsindex von ca. 2%) im äußeren Be
reich 13 b der Facette 13. Die beiden zwei- bzw. ein
schichtigen Al2O3-Filme bilden einen Resonatorreflek
tor an der Facette 13.
In diesem Beispiel wurden die Al2O3-Filme mit einer
Dicke von λ/4 (Reflektionsfaktor ca. 2%) und mit einer
Dicke von λ/2 (Reflektionsfaktor ca. 32%) verwendet;
stattdessen kann natürlich auch ein mehrschichtiger
Film aus Al2O3 und amorphem Si verwendet werden. Es
sei darauf hingewiesen, daß die fertige Laseranordnung
deutlich bessere Charakteristiken hat, wenn der Reflek
tionsfaktor im mittleren Bereich des Reflektors an der
Facette möglichst hoch, beispielsweise ca. 95%, gewählt
wird.
Wie oben erwähnt, wird durch die Ausbildung der beiden
unterschiedlichen dielektrischen Filme auf der Facette
13 der Reflektionsfaktor im Zentrum- bzw. Mittenbereich
der Facette 13, der dem Wellenleiterbereich 16, welcher
eine Vielzahl von aktiven Wellenleitern enthält, ent
spricht, groß, während der des äußeren Bereiches der
Facette 13 niedrig wird. Dementsprechend wird eine
Dämpfung des Lichtes in der Mode mit der Phasenver
schiebung von 0° aufgrund des Resonatorreflektors 18
unterdrückt, da Laserlichtstrahlen in vertikaler Rich
tung von einer Vielzahl aktiver Wellenleiter emittiert
wird, wie in Fig. 5(a) gezeigt, während die Dämpfung
bzw. der Verlust von Licht in anderen Moden aufgrund
des Resonatorreflektors 18 groß ist, da die Laserlicht
strahlen unter einer Neigung von den mehreren aktiven
Wellenleitern emittiert werden. Im Ergebnis wird die
Dämpfung des Lichtes mit der Mode mit der 0°-Phasen
verschiebung kleiner als die des Lichtes in anderen
Moden; auch wird die Oszillationsschwellwertverstärkung
in der Mode mit der Phasenverschiebung von 0° klein, so
daß - wie in Fig. 5(a) gezeigt - die Laseranordnung
stabil schwingen kann mit synchronen Laserlichtstrahlen,
zwischen denen eine Phasenverschiebung von 0° ist.
Bei einer herkömmlichen Wellenleiterstruktur mit mehreren
aktiven Wellenleitern, die keine Verzweigungs- und Ver
einigungsabschnitte haben, sondern lediglich parallele
Abschnitte, müssen die aktiven Wellenleiter untereinander
optisch gekoppelt sein und zwar mittels einer Dämpfungs
welle (evanescent wave), die zwischen benachbarten
aktiven Wellenleitern auftritt. Andererseits kann man
mit der Wellenleiterstruktur nach der vorliegenden Er
findung, die mehrere Verzweigungs- und Vereinigungs
wellenleiter hat, eine stabilere Mode mit einer Phasen
verschiebung von 0° erhalten, wenn die aktiven Wellen
leiter untereinander optisch mit einer Dämpfungswelle
gekoppelt sind; sofern jedoch diese aktiven Wellenleiter
gleichförmig ausgebildet sind, ist eine optische Kopp
lung zwischen ihnen unter Verwendung solch einer Dämpfungs
welle nicht unbedingt erforderlich.
Die synchron arbeitende Halbleiter-Laseranordnung der
Fig. 2 ist so aufgebaut, daß die Breite W jedes aktiven
Wellenleiters 9 bei 4 µm liegt, der Abstand Ws zwischen
benachbarten Wellenleitern 9 bei 1 µm, die Länge l 1 des
indexgeführten Wellenleiterbereiches 16 bei 250 µm, die
Länge l 2 des Fourier-transformierenden Bereiches 17 bei
50 µm. Der Reflektionsfaktor an der Facette 11 auf der
Seite des aktiven Wellenleiters lag bei 32%; der Reflek
tionsfaktor im Mittelbereich der Facette 13 auf der
Fourier-transformierenden Seite lag bei 32%; der Reflek
tionsfaktor im Außenbereich der Facette 13 lag bei 2%.
Diese Laseranordnung oszillierte in der Mode mit einer
Phasenverschiebung von 0° bis zu einer Ausgangsleistung
von 100 mW, wobei der Oszillationsschwellwertstrom im
Bereich zwischen 130 und 160 mA lag und eine Laser
oszillation mit anderen Moden unterdrückt war.
Die Mehrzahl aktiver Wellenleiter der Halbleiter-Laser
anordnung nach der vorliegenden Erfindung ist natürlich
nicht nur bei der oben beschriebenen index-geführten
Struktur anwendbar sondern auch bei anderen index-ge
führten Strukturen einschließlich dem sog. "Buried-Typ",
bei verlustbehafteten Wellenleitern etc. Die Erfindung
ist weiterhin nicht nur auf Halbleiter-Laseranordnung
anwendbar, die ein GaAlAs-GaAs-System verwenden sondern
auch auf solche, die InP-InGaAsP-Systeme etc. verwenden.
Eine andere Halbleiter-Laseranordnung wird in gleicher
Weise hergestellt, wie die des Beispieles 1 mit Aus
nahme, daß ein Resonatorreflektor mit einem gleich
förmigen Reflektionsfaktor über seinen gesamten Bereich
auf der Facette 13 der Fourier-transformierenden Seite
aufgebracht wird. Bei dieser Laseranordnung läßt sich
das Phänomen beobachten, daß Laserlichtstrahlen in der
Mode mit der Phasenverschiebung von 0° selektiv in
mehrere aktive Wellenleiter eingeführt werden und zwar
aufgrund des Resonatorreflektors. Dies liegt daran, daß
- wie aus dem Fernfeldmuster aller Moden der Fig. 5(a)
bis 5(c) zu erkennen - die Laserlichtstrahlen in den
von der Mode von 0°-Phasenverschiebung verschiedenen
Moden unter einer Neigung von den aktiven Wellenleitern
9 emittiert werden, so daß die von dem Resonatorreflek
tor reflektierten Laserlichtstrahlen nicht auf die
aktiven Wellenleiter 9 auftreffen können.
Fig. 3 zeigt eine weitere Halbleiter-Laseranordnung nach
der Erfindung, die in gleicher Weise hergestellt wurde
wie die des Beispieles 1 mit Ausnahme, daß der mittlere
Bereich der Facette 23 auf der Fourier-transformierenden
Seite, die der Facette 21 auf der index-geführten Wellen
leiterseite gegenüberliegt, die Form eines konvexen
Spiegels hat und dann ein reflektierender Spiegel 24
auf der Facette 23 erzeugt wird, womit man einen Resona
torreflektor erhält, dessen mittlerer Bereich 25 als
konvexer Spiegel bezüglich Laserlichtstrahlen wirkt,
so daß Laserlichtstrahlen in der Mode mit der Phasen
verschiebung von 0° wirksam und selektiv in die paral
lel zueinander angeordneten aktiven Wellenleiter 29
geleitet werden können.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ist
eine Strominjektion in die Wellenleiter 17 a (Fig. 2)
und 27 a (Fig. 3) in den Fourier-transformierenden Be
reichen 17 (Fig. 2) und 27 (Fig. 3) nicht erforderlich,
wenn die Lichtverluste in diesen Bereichen ausreichend
unterdrückt sind. Die Fourier-transformierenden Be
reiche 17 und 27 können natürlich aus Materialien auf
gebaut sein, die sich von denen der wellenleitenden
Bereiche 16 (Fig. 2) und 26 (Fig. 3) unterscheiden.
Es sei darauf hingewiesen, daß verschiedene Modifika
tionen von einem Fachmann durchgeführt werden können,
ohne daß der Schutzumfang und das Wesen der Erfindung
verlassen werden. Entsprechend sei darauf hingewiesen,
daß der Schutzumfang der Phasenansprüche nicht durch
die obige Beschreibung eingeschränkt wird und daß die
Patentansprüche alle patentfähigen Merkmale der vorlie
genden Erfindung enthalten, einschließlich all der
jenigen Merkmale, die von dem Fachmann des vorliegen
den Gebietes als Äquivalente angesehen werden.
Claims (4)
1. Halbleiter-Laseranordnung gekennzeichnet durch ein
Substrat (1), einen index-geführten Wellenleiter
bereich (16) auf dem Substrat (1), einen Fourier
transformierenden Bereich (17) auf dem Substrat
(1), der benachbart zu dem Wellenleiterbereich (16)
liegt und in welchem Laserlichtstrahlen, die mit
synchronen Phasen von dem Wellenleiterbereich (16)
emittiert werden, einer Fourier-Transformation
unterworfen werden, einen reflektierenden Film
(18) angrenzend an den Fourier-transformierenden
Bereich (17), durch welchen transformierte Laser
lichtstrahlen in einer Mode mit einer Phasenver
schiebung von 0° selektiv reflektiert werden, so
daß sie auf den Wellenleiterbereich (16) auftref
fen.
2. Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Wellenleiterbereich (16)
aus mehreren Verzweigungs- und Vereinigungswellen
leitern des index-geführten Aktivtyps aufgebaut
ist, die parallel zueinander liegen.
3. Halbleiter-Laseranodnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der reflektierende
Film auf einer Factte (13) an den Fourier-trans
formierenden Bereich (17) aufgebracht ist und als
ein- oder mehrschichtiger Film (14, 15) aus Al2O3
und/oder amorphem Si besteht.
4. Halbleiter-Laseranordnung nach einem der Ansprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Mitten
bereich (13 a) des reflektierenden Spiegels, der
den aktiven Wellenleitern entspricht, entweder eben
oder konkav (25) ist.
Applications Claiming Priority (1)
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