DE3702897A1 - Zweischichtensystem - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein strahlungshärtbares Zweischichtensystem
sowie dessen Verwendung zur Herstellung polymerer
Beschichtungen.
Strahlungshärtbare Systeme sind begehrte und vielfältig
eingesetzte Materialien bei der Herstellung photopolymerisierter
Beschichtungen zur Oberflächenvergütung
sowie bei der photolithographischen Erzeugung von photopolymerisierten
Reliefstrukturen. Hauptanwendungsgebiet
hierbei ist die Erzeugung von Lackbeschichtungen auf den
unterschiedlichsten Substraten. Des weiteren können bei
der Herstellung mikroelektronischer und optoelektronischer
Bauelemente und Schaltungen solche Materialien
als Fotoresist bei der Erzeugung der Schaltungsstrukturen
oder in diesen als in besonderem Maße hitze- und
chemikalienbeständige Schutz- oder Passivierungsschichten,
als Isolationsschichten, Dielektrika oder bei
Flüssigkristallanzeigezellen als Orientierungsschichten
Verwendung finden. Weitere Anwendungen sind die Verwendung
als Ätz- und Galvanoresist sowie als Lötstoplack
bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen sowie
von Druckplatten und sonstigen reprographischen Materialien.
Schließlich eignen sich derartige Systeme auch
zur Herstellung anisotroper Polymerbeschichtungen zur
Anwendung auf dem Gebiet der nichtlinearen Optik.
Die vielfältigen Methoden zur Herstellung strahlungshärtbarer
Systeme können beispielsweise aus W. S. De Forest:
Photoresist Materials and Processes, MacGraw-Hill, New York,
1975, sowie den DE-PS 23 80 830, DE-PS 24 37 348,
DE-PS 27 22 264 und EP-PS 3002 entnommen werden.
Diese bisher bekannten Verfahren und Methoden weisen eine
Reihe von Nachteilen auf. So ist die Empfindlichkeit
häufig unbefriedigend, wodurch für eine ausreichende
Fotovernetzung und die dadurch bedingte Schichthärte
sowie für die Gewährleistung der in der Mikroelektronik
erforderlichen Auflösung und Kantensteilheit der Reliefstrukturen
mit den üblichen Strahlungsquellen Belichtungszeiten
von mehreren Minuten erforderlich sind.
Andererseits geben mangelndes Auflösungsvermögen und
unbefriedigende Kantensteilheit, beispielsweise bewirkt
durch Unterstrahlung der Kopierschicht oder durch Reflexion
am Substrat, Anlaß zur Kritik an den bekannten
photopolymerisierbaren Systemen.
Weiterhin problematisch bei Beschichtungen jeglicher Art
ist die Haftung des Filmes auf dem Substrat. Insbesondere
bei Substraten von unebener Formgebung oder stark
biegebeanspruchten Materialien kommt es vielfach zum
Ablösen der Beschichtung vom Untergrund.
Schließlich besteht oftmals ein Bedürfnis nach Schichten,
deren Dicke in einem weiten Bereich homogen ist,
was durch herkömmliche Beschichtungstechniken meist nur
schwierig erreichbar ist.
Es besteht somit ein Bedürfnis nach einem strahlungshärtbaren
System, welches die Herstellung dickenkonstanter,
gut haftender Beschichtungen und im Falle einer photolithographischen
Strukturierung Reliefstrukturen hoher
Auflösung und Kantensteilheit erlaubt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch das erfindungsgemäße
strahlungshärtbare Zweischichtensystem.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein strahlungshärtbares
Zweischichtensystem, bestehend aus einer auf ein
Subsrat aufgebrachten, initiatorhaltigen Schicht und
einer darüberliegenden, polymerisierbare Monomere oder
Oligomere enthaltenden Schicht, dadurch gekennzeichnet,
daß der Initiator an einer Makrostruktur immobilisiert
ist.
Durch Strahlung härtbare Zweischichtensysteme sind bekannt.
So lehrt US 45 51 418 die Beschichtung eines Substrats
mit einem kationischen Photoinitiator, dessen
Belichtung durch eine Kopierschicht hindurch unter Erzeugung
kationischer, initiierender Molekülbruchstücke
und Kontaktieren der Initiatorschicht mit einem der
kationischen Polymerisation zugänglichen Monomer, welches
an den belichteten Stellen polymerisiert. Nach
Entfernen der nicht polymerisierten Schichtenanteile
durch Waschen wird eine Reliefstruktur erhalten. Nach
diesem Verfahren hergestellte Beschichtungen leiden jedoch
an den nämlichen, zuvor angegebenen Nachteilen.
Insbesondere Substrathaftung und Kantensteilheit des
polymerisierten Systems sind ungenügend und die Auswahl
an Monomeren ist auf die vergleichsweise geringe Anzahl
an der kationischen Polymerisation zugänglichen Verbindungen
beschränkt.
Überraschenderweise wurde nun gefunden, daß ein Zweischichtensystem
mit einem an einer Makrostruktur immobilisierten
Initiator durch Strahlungshärtung zu dickenkonstanten,
gut haftenden Beschichtungen und Reliefstrukturen
hoher Auflösung und Kantensteilheit polymerisierbar
ist.
Die Art der verwendeten Initiatoren ist frei. Es können,
den jeweiligen Monomeren oder Oligomeren angepaßt, sowohl
radikalisch als auch ionisch unter Strahlungseinwirkung
zerfallende Initiatoren eingesetzt werden.
Eine Immobilisierung des Photoinitiators läßt sich z. B.
durch physikalische Attraktion, wie durch Adsorption an
Oberflächen in Einschlußverbindungen vom Typ der Chlathrate
oder durch Einbettung in rigide, makroreticulare
Strukturen erreichen. Beispielsweise erhält man durch
Lösen eines Photoinitiators in einem Polymermaterial,
Aufbringen auf eine Oberfläche und evaporative Entfernung
des Lösungsmittels oder durch Aufbringen eines geschmolzenen,
einen Photoinitiator enthaltenden Polymermaterials
nach dessen Erstarren einen Substratüberzug,
worin die Beweglichkeit des Initiators stark eingeschränkt
ist.
Vorzugsweise ist der Initiator durch kovalente Bindung
immobilisiert. Gemäß einem bevorzugten Gegenstand der
vorliegenden Erfindung ist der Initiator kovalent an
eine Polymermatrix gebunden. Hierfür geeignete Initiatoren
ensprechen beispielsweise der Formel I,
Ar-CO-R (I)
worin
RAr-, CR²R³R⁴,
R¹H, Halogen, C₁-C₁₂ Alkyl, C₁-C₁₂ Alkoxy,
C₁-C₁₂ Alkylthio, A,
R², R³jeweils unabhängig voneinander H, C₁-C₆ Alkyl
oder Phenyl, einer der Reste auch C₁-C₆ Alkylen-O-A
und R² und R³ zusammen auch C₂-C₆
Alkylen, C₁-C₆ Alkoxy,
R⁴OR⁵, N(R⁵)₂, SR⁵, A,
R⁵H, C₁-C₆ Alkyl, C₁-C₆ Alkanoyl,
XO, NH oder (C₁-C₆ Alkyl)N,
YO, N oder S,
Zjeweils unabhängig voneinander H oder CH₃,
m0 bis 4 und
n2 bis 10⁶
bedeutet mit der Maßgabe, daß die Verbindungen der
Formel I mindestens einen Rest der Formel A aufweisen.
Derartige Verbindungen sind beispielsweise in der
EP-A-01 61 463 und DE-A-35 34 645 beschrieben.
Weiterhin bevorzugt im Rahmen der vorliegenden Erfindung
sind kovalent an eine Substratoberfläche gebundene Initiatoren.
Unter Substrat wird in diesem Zusammenhang jedwede
beschichtbare Oberfläche wie z. B. Papier, Karton, Holz
Glas, Metall oder Polymaterialien, verstanden. Über
die an der Oberfläche dieser Materialien befindlichen
reaktiven Gruppen erfolgt eine Bindung an den ebenfalls
mit einer reaktiven Gruppe ausgestatteten Initiator. Als
reaktive Gruppe besonders geeignet stellen sich entsprechend
substituierte Silane der Formel I dar, worin Ar,
R, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, X, Y, Z, m und n die angegebene
Bedeutung besitzen und hier A einen Rest
-W-Si-R a ⁶R b ⁷R c ⁸
bedeutet, worin
R⁶, R⁷, R⁸jeweils H, F, Cl, Br, I, CN, NC, OCN, NCO, SCN, NCS oder N₃, C₁-C₁₅ Alkoxy, C₁-C₁₅ Alkanoyl, Weine direkte Bindung oder C₁-C₂₀ Alkylen, worin auch eine oder zwei nicht benachbarte CH₂-Gruppen durch O, N oder S ersetzt sein können und a, b und c0, 1, 2 oder 3
R⁶, R⁷, R⁸jeweils H, F, Cl, Br, I, CN, NC, OCN, NCO, SCN, NCS oder N₃, C₁-C₁₅ Alkoxy, C₁-C₁₅ Alkanoyl, Weine direkte Bindung oder C₁-C₂₀ Alkylen, worin auch eine oder zwei nicht benachbarte CH₂-Gruppen durch O, N oder S ersetzt sein können und a, b und c0, 1, 2 oder 3
bedeuten, mit der Maßgabe, daß a + b + c = 3 und mindestens
einer der Substituenten X, Y, Z von H verschieden
ist.
Derartige Silylgruppen enthaltende Initiatoren sind beispielsweise
aus der EP-B-30 02 bekannt oder können nach
Methoden, wie z. B. aus DE-A-35 21 201 oder DE-A-36 01 742
zu ennehmen, hergestellt werden.
Als polymerisierbare Verbindungen eignen sich sowohl zu
einer durch freie Radikale als auch durch ionische Verbindungen
initiierbaren Polymerisation befähigte mono-
oder polyfunktionell ethylenisch ungesättigte Monomere,
Oligomere oder Präpolymere oder deren Gemische. Der
Stand der Technik bietet hierfür eine große Auswahl
geeigneter Verbindungen.
Als ethylenisch ungesättigte Verbindungen eignen sich
beispielsweise Ethylen, Propylen, Buten, Isobutylen,
Butadien, Isopren, Vinylchlorid, Vinylidenchlorid,
Acrylsäure, Methacrylsäure, Acrylnitril, Methacrylnitril,
Acrylamid, Methacrylamid, Methyl-, Ethyl-, n-
oder tert. Butyl-, Cyclohexyl-, 2-Ethylhexyl-, Benzyl-,
Phenoxyethyl-, Hydroxyethyl-, Hydroxypropyl-, niederes
Alkoxyethyl-. Tetrahydrofurylacrylat oder -methacrylat,
Vinylacetat, -propionat, -acrylat, -succinat, N-Vinyl-pyrrolidon,
N-Vinylcarbazol, Styrol, Divinylbenzol,
substituierte Styrole sowie die Mischungen von solchen
ungesättigten Verbindungen. Auch mehrfach ungesättigte
Verbindungen wie beispielsweise Ethylendiacrylat, 1,6-Hexandioldiacrylat,
propoxyliertes Bisphenol-A-diacrylat
und -dimethacrylat können in den erfindungsgemäßen Verfahren
eingesetzt werden. Ethylenisch ungesättigte Verbindungen
lassen sich radikalisch oder ionisch polymerisieren.
Zur ionischen Polymerisation geeignete Monomere sind
beispielsweise Vinylether, cyclische Ester und Ether,
Olefine oder weitere Verbindungen, wie z. B. in R. W.
Lenz: Organic Chemistry of Synthetic High Polymers,
Interscience Publ., New York, 1967, angeführt.
Der Ausdruck "Polymerisation" ist im weitesten Sinn zu
verstehen. Darunter fällt z. B. das weitere Polymerisieren
oder das Quervernetzen von polymeren Materialien,
z. B. von Prepolymeren, die Homo-, Co- und Terpolymerisation
von einfachen Monomeren und auch die Kombination
der genannten Reaktionsarten.
Die zur Auslösung der Polymerisation benötigten Radikale
oder ionischen Bruchstücke können auf verschiedene Weise
entstehen, so z. B. durch Bestrahlung der Monomeren mit
UV-Licht, Röntgenstrahlen oder radioaktiven Strahlenquellen.
Als Strahlenquellen können Sonnenlicht oder künstliche
Strahler verwendet werden. Vorteilhaft sind z. B. Quecksilberdampf-Hochdruck-,
-Mitteldruck- oder -Niederdrucklampen,
Xenon- und Wolframlampen; Laser-Lichtquellen und
Elektronenstrahlröhren können ebenfalls eingesetzt werden.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen Zweischichtensysteme
erfolgt in einfacher Weise durch Aufbringen eines
Initiators oder Initiatorgemisches auf ein Substrat in
gelöster oder flüssiger Form durch beispielsweise Bestreichen,
Bedrucken, Tauchen oder Aufschleudern unter
Erhalt einer mit kovalent gebundenem Initiator versehenden
Makrostruktur und/oder einer an die Substratoberfläche
kovalent verankerten Schicht von Initiatormolekülen.
Auf diese Initiatorschicht wird das gewünschte Monomere,
Oligomere oder deren Gemische, ggf. in Anwesenheit von
Zusatzstoffen, mittels voranstehend angegebener Techniken
aufgebracht.
Solche Zusatzstoffe können z. B. Reaktionsbeschleuniger
sein. Als Reaktionsbeschleuniger können beispielsweise
organische Amine, Phosphine, Alkohole und/oder Thiole,
die alle mindestens eine zum Heteroatom α-ständige CH-Gruppe
aufweisen, zugesetzt werden. Geeignet sind z. B.
primäre, sekundäre und tertiäre aliphatische, aromatische,
araliphatische oder heterocyclische Amine, wie sie z. B.
in der US-PS 37 59 807 beschrieben sind. Beispiele für
solche Amine sind Butylamin, Dibutylamin, Tributylamin,
Cyclohexylamin, Benzyldimethylamin, Di-cyclohexylamin,
Triethanolamin, N-Methyldiethanolamin, Phenyl-diethanolamin,
Piperidin, Piperazin, Morpholin, Pyridin, Chinolin,
p-Dimethylaminobenzoesäureethylester, p-Dimethylaminobenzoesäurebutylester,
4,4′-Bis-dimethylamino-benzophenon
(Michlers Keton) oder 4,4′-Bis-diethylamino-benzophenon.
Besonders bevorzugt sind tertiäre Amine wie beispielsweise
Trimethylamin, Triisopropylamin, Tributylamin,
Octyl-dimethylamin, Dodecyl-dimethylamin, Triethanolamin,
N-Methyl-diethanolamin, N-Butyl-diethanolamin, Tris(hydroxypropyl)amin,
Dimethylaminobenzoesäurealkylester.
Weiterhin kommen als Reaktionsbeschleuniger beispielsweise
Trialkylphosphine, sekundäre Alkohole und Thiole in Frage.
auch können geringe Mengen von Lichtstabilisatoren,
wie beispielsweise Benzophenon-Derivate, Benztriazol-Derivate,
Tetraalkylpiperidine oder Phenylsalicylate,
zugesetzt werden.
Je nach Einsatzzweck eignen sich organische Zusatzstoffe,
wie Thixotropiemittel, Verlaufsmittel, Bindemittel,
Gleitmittel, Mattierungsmittel, Weichmacher, Netzmittel,
Silikone zur Verbesserung der Oberflächenbeschaffenheit,
Antiausschwimmittel oder geringe Mengen an Lösungsmitteln
als Zusatz zu den zu polymerisierenden Monomeren.
Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist
ein Verfahren zur Herstellung von polymeren Beschichtungen
aus den erfindungsgemäßen Zwischenschichtensystemen.
Hierzu bestrahlt man die auf der Initiatorschicht befindlichen
Monomeren oder Oligomeren mit einer der vorerwähnten
Lichtquellen, wobei eine gut haftende Polymerschicht
erhalten wird, deren Dickenverteilung nahezu
homogen ist und von der Dicke der ursprünglich aufgebrachten
Monomeren- oder Oligomerenschicht weitgehend
unabhängig ist. Nach der Bestrahlung werden über der
Polymerschicht befindliche, nicht ausgehärtete Anteile
durch Waschen mit einem geeigneten Lösungsmittel, wie
z. B. von W. S. De Forest, ibid., beschrieben, entfernt.
In einer besonderen Ausführungsform wird das mit der
Initiatorschicht versehene Substrat einfach in ein Medium,
das die Monomeren bzw. Oligomeren enthält, eingetaucht
und dann die Bestrahlung im eingetauchten Zustand
durchgeführt. Hierbei wird nur im Grenzbereich Fotoinitiatorschicht/Medium
die Fotopolymerisation ausgelöst,
nicht im weiteren, das Substrat umgebenden Medium, so daß
also nur auf dem Substrat ein Polymerverband in Form
einer homogenen, gut haftenden Beschichtung entsteht.
Ein Vorteil dieser Verfahrensvariante ist, daß auch
räumliche Gegenstände in einfacher Weise allseitig beschichtet
werden können oder auch dünnflüssige Monomermaterialien
oder Formulierungen wie beispielsweise
Acrylsäurelösungen eingesetzt werden können, die sich
nicht ohne weiteres als stabile Schicht von gleichmäßiger
Dicke insbesondere auf nichtplane Oberflächen oder
räumlich geformte Substrate aufbringen lassen.
Ebenfalls Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein
Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen durch
Bestrahlen der erfindungsgemäßen Zweischichtensysteme
durch eine Kopierschicht. Die nach Entfernen der nicht
der Bestrahlung ausgesetzten und somit nicht polymerisierten
Bereiche durch Waschen erhaltenen Reliefstrukturen
zeichnen sich durch einen hohen Auflösungsgrad und
große Kantensteilheit aus.
Schließlich ist auch Gegenstand der Erfindung ein Verfahren
zur photolithographischen Herstellung von Wellenleiterstrukturen
für die integrierte Optik. So können durch
Belichten eines erfindungsgemäßen Zweischichtensystems,
gegebenenfalls durch eine Kopierschicht hindurch, Strukturen
erzeugt werden, deren Brechungsindizes von denen
des an sich angrenzenden Materials differieren. Derartige
Strukturen eignen sich, beispielsweise nach Anbringung
von Elektroden, als Wellenleiter und optische Schalter.
Als vorteilhaft erweist sich in diesem Zusammenhang die
Verwendung von Substraten, initiatorhaltigen Schichten
oder Monomeren mit nichtlinearen optischen Eigenschaften.
Die Eigenschaften der erhaltenen Polymermaterialien
lassen sich in an sich bekannter Weise durch Copolymerisation
oder Vermischen mit weiteren Komponenten, durch
Variation der Molekulargewichte, durch Zusätze der verschiedensten
anorganischen oder organischen Additive und
Metalle und durch viele weitere, dem Polymerfachmann geläufige
Behandlungen modifizieren.
Die erfindungsgemäßen Zweischichtensysteme lassen sich
vorteilhaft für die Beschichtung von z. B. Papier-, Glas-,
Kunststoff und Metall mit strahlungshärtbaren Lackformulierungen
einsetzen.
Mit ihrer Hilfe lassen sich auf photolithographischem
Weg Reliefstrukturen erzeugen, die als Druckplatten,
Fotoresists und elektronische Schaltelemente Verwendung
finden.
Weitere Anwendungsmöglichkeiten erschließen sich auf dem
Gebiet der integrierten Optik. Insbesondere eignen sich
die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen zur Herstellung
von Wellenleitern, optischen Schaltanordnungen und optischen
Datenspeichern.
Zur Erläuterung der Erfindung dienen folgende Beispiele:
30 g [4-(2-Acryloyloxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-propylketon,
200 ml Tetrahydrofuran und 0,30 g Dibenzoylperoxid
werden bei Raumtemperatur zusammengegeben und
15-20 Stunden am Rückfluß erhitzt. Das Lösungsmittel
wird dann am Rotationsverdampfer entfernt und der
Rückstand mit 0,5 g Aktivkohle versetzt, verrührt,
filtriert und das Filtrat wird dann mit 300 ml n-Hexan
versetzt. Die überstehende Lösung wird vom abgeschiedenen
Produkt abdekantiert und dieser Umfällungsprozeß
wird noch zweimal wiederholt. Das Produkt ergibt nach
dem Trocknen bei Raumtemperatur eine amorphe, feste
Masse, die in den üblichen organischen Lösungsmitteln
(Aceton, Dichlormethan, Essigsäureethylester) leicht
löslich ist; mittlere Molmasse: ca. 4000 (gelpermeationschromatographisch
bestimmt); Glasübergangstemperatur Tg: 45-50°C.
Eine Lösung von Poly-[4-2-acryloyloxyethoxy)-phenyl]-
2-hydroxy-2-propylketon in Aceton wird so auf eine
Glasfläche aufgetragen, daß nach dem Abdunsten des
Lösungsmittels eine dünne Schicht verbleibt. Auf diese
wird Trimethylolpropantriacrylat aufgetragen. Diese
Beschichtung wird an bestimmten Stellen abgedeckt und
dann nach ca. 30 Sekunden mit einem Hg-Mitteldruck-Brenner
bestrahlt. Danach wird die Schicht mehrmals
mit Aceton gewaschen, wobei sie an den abgedeckten
Bereichen in Lösung geht und an den belichteten Stellen
in scharfen Konturen als harte unlösliche Schicht auf
der Glasfläche haftet.
7,0 g [4-(2-Methacryloyloxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-propylketon,
100 ml Essigsäureethylester und 0,15 g
Dibenzoylperoxid werden bei Raumtemperatur zusammen
gegeben und am Rückfluß gekocht. Nach 2 und 6 Stunden
werden jeweils noch 0,15 g Dibenzoylperoxid zugesetzt
und die Lösung wird insgesamt 15-20 Stunden am Rückfluß
gekocht. Danach wird am Rotationsverdampfer das Lösungsmittel
entfernt und der Rückstand in 100 ml Aceton unter
Rühren gelöst und filtriert. Das Einengen des Filtrats
und Trocknen des Rückstandes bei Raumtemperatur ergibt
einen amorphen Feststoff; mittlere Molmasse: ca. 12 000;
Tg: ca. 55°.
Eine 10%ige Lösung von Poly-[4-(2-methacryloyloxyethoxy)-
phenyl]-2-hydroxy-2-propylketon in Aceton wird 30 sec bei
4500 Upm auf Aluminiumblech aufgeschleudert. Das mit dem
polymeren Initiator beschichtete Substrat wird anschließend
15 Minuten bei 90° getrocknet. Hernach schleudert
man 5 sec bei 2000 Upm Trimethylolpropantriacrylat auf.
Zur Belichtung werden die mit dem Zweischichtensystem
versehenen Aluminiumbleche auf einem Transportband mit
einer Geschwindigkeit von 2,5 m/min unter zwei Quecksilbermitteldrucklampen
(Strahlungsleistung 2×80 Watt/cm)
vorbeigeführt und dabei ausgehärtet.
Man erhält eine gut haftende Beschichtung, die auch nach
mehrmaligem Biegen des Substrates keinerlei Neigung zu
Bruch oder Abblättern zeigt. Die mit Hilfe eines Dickenmeßgeräts
ermittelten Werte für die Schichtstärke liegen
über den gesamten Bereich der Beschichtung bei 0,635±0,015 µm.
Ein mit Methyl-N-(2,4-dinitrophenyl)-alaninat (MAP) dotiertes
Vinylidenpolymerisat nach EP-A-01 86 999 wird mit
einer 10%igen Lösung von a-(3-Triethoxysilyl-propyl)-benzoin
(DE-A-36 24 898) in Ethanol bestrichen. Nach Verdampfen
des Lösungsmittels bei 40° wird auf die Initiatorschicht
mittels einer Spiralrakel eine 5 µm dicke
Schicht von Trimethylolpropantriacrylat aufgebracht. Man
bestrahlt das System durch eine Kopierschicht 5 Min. mit
einer Quecksilberdampflampe. Nach Entfernen von ungehärtetem
Monomeren durch Spülen mit Aceton wird eine Wellenleitstruktur
mit unterschiedlichen Brechungsindizes erhalten.
Ein Stück Aluminiumfolie wird mit einer ca. 20%igen
Lösung des polymeren Fotoinitiators aus Beispiel 1 in
Aceton bestrichen und dann 10 Minuten bei 100°C getrocknet.
Hernach wird die beschichtete Folie in eine
50%ige wäßrige Acrylsäurelösung eingelegt und durch
die Lösung hindurch 1 Minute mit einem Quecksilber-Hochdruckbrenner
bestrahlt. Nach Entnahme aus der Lösung
und Waschen mit Wasser findet sich auf der Folie eine
gut haftende Polyacrylsäureschicht, die in Wasser quellfähig
ist. In der Monomerlösung hat keine beobachtbare
Polymerisation stattgefunden.
Eine Aluminiumfolie wird mit einer acetonischen Lösung
des nichtpolymeren Fotoinitiators Phenyl-2-hydroxy-2-propylketon
bestrichen und dann analog zu Beispiel 6
weiterbehandelt. Bei der Bestrahlung tritt ein Gelieren
durch Polymerisation praktisch der gesamten flüssigen
Phase ein. Eine brauchbare Beschichtung wird nicht
erhalten.
Eine wie in Beispiel 6 vorbehandelte Aluminiumfolie
wird in 2-Hydroxyethylacrylat eingelegt und in analoger
Weise bestrahlt. Man erhält eine gut haftende gelartige
Beschichtung. In der flüssigen Monomerphase tritt keine
Veränderung ein.
Ein Tonscherben wird mit einer ca. 20%igen acetonischen
Lösung des polymeren Fotoinitiators aus Beispiel 1 getränkt
und dann 10 Minuten bei 100°C getrocknet. Hernach
wird dieser in eine 50%ige wäßrige Acrylsäurelösung
eingehängt und durch die Lösung hindurch allseitig bestrahlt.
Nach Herausnahme aus der ansonsten unverändert
gebliebenen Monomerlösung und Waschen mit Wasser zeigt
sich der Scherben allseitig von einer gleichmäßigen
Polymerschicht umhüllt.
Von einer 20%igen acetonischen Lösung des polymeren Fotoinitiators
aus Beispiel 1 wurde etwa 1 ml auf eine Glasplatte
(5 cm×5 cm) aufgetragen und dann im Schleuderverfahren
(1 Sekunde bei 2000 Upm) in homogener Schicht aufgebracht.
Zur Entfernung des Lösungsmittel wurde die
beschichtete Glasplatte in einem Trockenschrank 15 Minuten
bei 90°C erwärmt. Anschließend wurde die Dicke der aufgebrachten
Schicht mit einem Schichtdickenmeßgerät
("Alpha-Step 200", Fa. Tencor Instruments) zu 1,9-2,1 µm
gemessen.
Die Glasplatte wurde dann in ein als Reaktionsgefäß dienendes
Tauchrohr aus Quarz gestellt und mit einer Lösung
bestehend aus 97 Gew.-Teilen Hexan, 5 Gew.-Teilen 2-Propanol,
und 3 Gew.-Teilen Trimethylolpropantriacrylat bedeckt. Auf
dem Reaktionsgefäß wurde ein Rückflußkühler angebracht.
In einem Abstand von 7 cm wurde parallel zu dem Tauchrohr
eine UV-Lampe (Typ TQ 180, Fa. Heraeus Original Hanau) so
montiert, daß die in dem Tauchrohr befindliche, mit dem
polymeren Fotoinitiator beschichtete Glasplatte optimal
mit UV-Licht bestrahlt werden konnte. Nach einer Bestrahlungsdauer
von 20 Minuten wurde die bestrahlte Glasplatte
aus dem Reaktionsgefäß geholt, mit Aceton abgespült und
dann 10 Minuten bei 90°C getrocknet. Anschließend wurde
die Dicke der Schicht gemessen. Sie betrug 2,5-2,6 µm.
Die Schicht ist demnach während der Bestrahlung mit UV-Licht
durch Aufpolymerisation des Trimethylolpropantriacrylates
aus der Lösung um etwa 0,5 µm dicker geworden.
In einem folgenden Versuch, der in entsprechender Weise
durchgeführt wurde, wurde der Belichtungsabstand auf 5 cm
verkürzt und die Belichtungszeit auf 40 Minuten verlängert.
Die Dicke der dabei erhaltenen Schicht betrug
4,7-4,8 µm. Sie ist demnach während der UV-Bestrahlung
um etwa 2,75 µm dicker geworden.
Claims (7)
1. Strahlungshärtbares Zweischichtensystem, bestehend
aus einer auf ein Substrat aufgebrachten, initiatorhaltigen
Schicht und einer darüberliegenden, polymerisierbare
Monomere oder Oligomere enthaltenden
Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß der Initiator
an einer Makrostruktur immobilisiert ist.
2. Strahlungshärtbares Zweischichtensystem nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß der Initiator
durch kovalente Bindung immobilisiert ist.
3. Strahlungshärtbares Zweischichtensystem nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Initiator kovalent an
eine Polymermatrix gebunden ist.
4. Strahlungshärtbares Zweischichtensystem nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Initiator kovalent an
die Substratoberfläche gebunden ist.
5. Verfahren zur Herstellung von polymeren Beschichtungen
aus einem Zweischichtensystem nach Anspruch 1,
indem durch Belichtung eine an die initiatorhaltige
Schicht angrenzende, von der Dicke der Monomeren-
oder Oligomerenschicht weitgehend unabhängige und
nahezu homogene photopolymerisierte Schicht erzeugt
wird und die darüberliegende, nicht polymerisierte
Schicht durch Waschen entfernt wird.
6. Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen aus
einem Zweischichtensystem nach Anspruch 1, indem
durch Belichtung durch eine Kopierschicht hindurch
eine an die initiatorhaltige Schicht angrenzende,
von der Dicke der Monomeren- oder Oligomerenschicht
weitgehend unabhängige und nahezu homogene photopolymerisierte
Schicht erzeugt wird und die darüberliegende
Schicht sowie die nicht der Bestrahlung
ausgesetzten und somit nicht polymerisierten Bereiche
durch Waschen entfernt werden.
7. Verfahren zur Herstellung von Wellenleiterstrukturen
für die integrierte Optik aus einem Zweischichtensystem
nach Anspruch 1, indem durch Belichtung, gegebenenfalls
durch eine Kopierschicht hindurch,
einer Monomeren- oder Oligomerenschicht, eine an
die gegebenenfalls nicht lineare optische Eigenschaften
aufweisende und/oder auf einem nichtlinear
optischen Substrat befindliche, initiatorhaltige
Schicht angrenzende, gegenüber den sie umgebenden
Materialien einen unterschiedlichen Brechungsindex
aufweisende Schicht erzeugt wird und die darüberliegende
Schicht sowie die nicht der Bestrahlung
ausgesetzten und somit nicht polymerisierten Bereiche
durch Waschen entfernt.
Priority Applications (10)
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2004063817A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-07-29 | Commissariat A L'energie Atomique | Microstructure comportant une couche d'adherence et procede de fabrication d'une telle microstructure |
-
1987
- 1987-01-31 DE DE19873702897 patent/DE3702897A1/de not_active Withdrawn
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