DE3633926C2 - - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Mikrowellen-Streifenleitung mit einer PIN-Diode, die als veränderbarer Widerstand in einem Signalweg eingesetzt ist, der als eine auf einem Substrat angeordnete planare Leitung ausgeführt ist, wobei die Signalleitung mit der darin in einer Unterbrechung eingefügten, mit einem Masseanschluß versehenen PIN-Diode auf einer Seite des Substrats und eine Masseleitung auf der gegenüberliegenden Substratseite aufgebracht ist.The present invention relates to a microwave strip line with a PIN diode that acts as a variable resistor a signal path that is used as one on one Substrate arranged planar line is executed, wherein the signal line with the one in one break inserted, with a ground connection PIN diode on one side of the substrate and one Ground line on the opposite side of the substrate is applied.
PIN-Dioden können wegen ihrer kleinen Kapazität und ihrer kurzen Erholungszeit als sehr schnelle Schalter oder Dämpfungsglieder für Mikrowellensignale verwendet werden.PIN diodes can because of their small capacity and their short recovery time as a very fast switch or Attenuators for microwave signals are used.
Aus der DE-OS 26 42 274 ist eine gattungsgemäße Mikrowellenschaltung bekannt, bei der auf einem Substrat in einer Unterbrechung einer auf der Substratoberseite verlaufenden planaren Leitung eine Diode angeordnet ist und bei der eine zu einer Masseleitung auf der Substratunterseite durchverbundene Streifenleitung der Diode eine Gleichspannung zuführt.DE-OS 26 42 274 is a generic microwave circuit known when on a substrate in an interruption a planar running on the top of the substrate Line a diode is arranged and one to one Ground line connected on the underside of the substrate Strip line supplies the diode with a DC voltage.
In der DE-AS 29 29 612 geht es darum, den Emitteranschluß eines Transistors möglichst induktionsarm mit einer Massefläche eines Substrats zu kontaktieren. Dazu ist das Substrat mit einer Aussparung versehen, worin ein mit dem Emitteranschluß verbundener Kühlkörper eingesetzt ist. Durch diese Aussparung hindurch gelangt der Kühlkörper in Kontakt mit der Massefläche auf der Rückseite des Substrats. Zusätzlich sind in die Aussparung noch Federelemente eingesetzt, um die Kontaktgabe zu verbessern. Es handelt sich hierbei um eine sehr aufwendige Massekontaktierung.DE-AS 29 29 612 is about the emitter connection of a transistor with as little induction as possible Contact ground surface of a substrate. That’s it Provide substrate with a recess, in which one with the Emitter connection connected heat sink is used. By the heat sink comes into contact through this recess with the ground plane on the back of the substrate. In addition there are spring elements in the recess used to improve contact. It deals is a very complex ground contact.
Aus der DE-OS 32 07 818 ist eine mit Durchkontaktierungen zur Masseleitung eines Substrats versehene Streifenleitung bekannt, welche zwischen zwei Signalleitungen angeordnet ist, um diese gegeneinander zu entkoppeln. From DE-OS 32 07 818 one with plated-through holes for Ground line of a substrate provided strip line known, which is arranged between two signal lines to these against each other to decouple.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine mit geringem Aufwand realisierbare Massekontaktierung für eine in einer planaren Leitung eingefügte PIN-Diode anzugeben, welche eine möglichst breitbandige und störungsfreie Ankopplung eines auf der Leitung geführten Hochfrequenzsignals an die PIN-Diode gewährleistet.The invention has for its object one with little Effortable ground contact for one in one planar line inserted PIN diode indicate which one broadband and interference-free coupling of a high-frequency signal on the line to the Guaranteed PIN diode.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.According to the invention, this object is achieved through the features of Claim 1 solved.
Eine zweckmäßige Ausführung der Erfindung geht aus dem Unteranspruch hervor. An expedient embodiment of the invention is based on the Subclaim.
An Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbei spiels wird nachfolgend die Erfindung erläutert. In der Zeichnung ist inOn the basis of an embodiment shown in the drawing The invention is explained below. In the Drawing is in
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Substrat mit einer in einer planaren Leitung eingefügten PIN-Diode und in Fig. 1 is a plan view of a substrate with a PIN diode inserted in a planar line and in
Fig. 2 ein Querschnitt A-A durch diese An ordnung dargestellt. Fig. 2 shows a cross section AA through this order.
Die Fig. 1 zeigt ein Substrat 1, auf dessen Oberseite eine planare, ein Hochfrequenzsignal führende Leitung 2 aufge bracht ist. Eine zugehörige Masseleitung 3 ist auf der Sub stratunterseite, welche in der Querschnittsansicht in Fig. 2 zu sehen ist, angeordnet. Die planare Leitung 2 weist an einer Stelle eine Unterbrechung 4 auf, in die eine PIN-Diode 5 eingesetzt ist. Diese PIN-Diode 5 soll beispielsweise als Dämpfungsglied auf das über die Leitung 2 laufende Hochfre quenzsignal wirken. Um einen möglichst breitbandigen Wir kungsbereich der PIN-Diode zu erreichen, ist die hochfre quenzmäßige Kontaktierung des PIN-Dioden Masseanschlusses mit der Masseleitung 3 von besonderer Bedeutung. Fig. 1 shows a substrate 1 , on the top of which a planar, a high-frequency signal line 2 is brought up. An associated ground line 3 is arranged on the underside of the substrate, which can be seen in the cross-sectional view in FIG. 2. The planar line 2 has an interruption 4 at one point, into which a PIN diode 5 is inserted. This PIN diode 5 should act, for example, as an attenuator on the Hochfre frequency signal running on line 2 . In order to achieve the widest possible range of action for the PIN diode, the high-frequency contacting of the PIN diode ground connection with the ground line 3 is of particular importance.
Diese Massekontaktierung erfolgt mit Hilfe einer durch die Unterbrechung 4 der Leitung 2 verlaufenden Leiterbahn 6, auf der die PIN-Diode 5 mit ihrem als Masseanschluß dienenden Gehäuse durch Löten oder Kleben elektrisch leitend fixiert ist. An beiden Enden der quer zur Leitung 2 verlaufenden Leiterbahn 6 ist je eine Durchkontaktierung 7, 8 zur Masse fläche 3 auf der Substratunterseite vorhanden. Die Durchkon taktierungen 7 und 8 sind an den Innenwänden metallisierte Löcher, die selbst in ein hartes Keramiksubstrat problemlos, ohne Rißbildungen befürchten zu müssen, eingebohrt werden können. This ground contact is made with the aid of a conductor 6 running through the interruption 4 of the line 2 , on which the PIN diode 5, with its housing serving as the ground connection, is fixed in an electrically conductive manner by soldering or gluing. At both ends of the conductor 6 extending transversely to the line 2 , a via 7, 8 to the ground surface 3 is provided on the underside of the substrate. The through contacts 7 and 8 are metallized holes on the inner walls, which can be easily drilled into a hard ceramic substrate without fear of cracks.
Die Masseverbindung der PIN-Diode 5 über zwei neben ihr an geordnete Durchkontaktierungen 7 und 8 stellt für das Hoch frequenzsignal einen sehr geringen Blindwiderstand dar, wes halb die Ankopplung des Hochfrequenzsignals an die PIN-Diode sehr breitbandig ist. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Leiterbahn 6 mit den zwei Durchkontaktierungen 7 und 8 wie die Parallelschaltung zweier Induktivitäten wirkt, wo durch sich die Gesamtinduktivität der Massekontaktierung verringert. Es ist auch möglich, mehr als nur zwei Durchkon taktierungen vorzusehen.The ground connection of the PIN diode 5 over two next to it to ordered vias 7 and 8 represents a very low reactance for the high frequency signal, which is why the coupling of the high frequency signal to the PIN diode is very broadband. This is due to the fact that the conductor track 6 with the two plated-through holes 7 and 8 acts like the parallel connection of two inductors, which reduces the overall inductance of the ground contact. It is also possible to provide more than just two contacts.
Claims (2)
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Applications Claiming Priority (1)
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DE19863633926 DE3633926A1 (en) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | Earth contact for a p-i-n diode |
Publications (2)
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Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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IT1137411B (en) * | 1981-03-05 | 1986-09-10 | Italtel Spa | CIRCUIT FOR VERY HIGH FREQUENCY SIGNALS INCLUDING AT LEAST ONE MICROSTRIP |
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Also Published As
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