DE3615168A1 - Schaltnetzteil, insbesondere sperrwandler, mit elektronischer strombegrenzung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Schaltnetzteil, insbesondere einen Sperrwandler, mit elektronischer Strombegrenzung nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.

Schaltnetzteile zeichnen sich durch einen hohen Wirkungs­ grad aus und finden daher immer mehr technische Anwen­ dungen, darunter auch solche, in denen ausgangsseitige Überlastungen und Kurzschlüsse nicht ausgeschlossen wer­ den können. Für solche Fälle ist zum Schutz des Stromver­ brauchers wie des Schaltnetzteils selbst eine sicher und rasch reagierende automatische Begrenzung des Netzteil­ stromes vorzusehen. Zwei bekannte Grundschaltungen zur elektronsichen Strombegrenzung sind in den Schaltbildern der Sperrwandler nach Fig. 1 und 2 enthalten.

In der Schaltung nach Fig. 1 wird der Primärstrom des Netzteiltransformators als Spannungsabfall an einem ohm­ schen Widerstand (R 1) erfaßt. Wenn dieser Spannungsabfall im Überlast- oder Kurzschlußfall größer wird als ein zum Vergleich vorgegebener Grenzwert (UG 1), wird der den Primärstrom schaltende Halbleiterschalter über einen Komparator und eine Ansteuereinheit in den Sperrzustand gesteuert. In der Schaltung nach Fig. 2 wird der Sekun­ därstrom des Netzteiltransformators als Spannungsabfall an einem ohmschen Widerstand (R 10) erfaßt. Der Span­ nungsabfall wird von einem Differenzverstärker verstärkt, aus Potentialtrennungsgründen über einen Optokoppler von einem Komparator mit einem vorgegebenen Grenzwert (UG 2) verglichen und der Ansteuereinheit des Halbleiterschal­ ters aufgegeben, um diesen im Fall eines Überstroms in den Sperrzustand zu steuern und die Energieübertragung von der Primär- auf die Sekundärseite des Transformators zu drosseln. Nachteilig an diesen Schaltungen sind der re­ lativ große Hardwareaufwand, das Erfordernis zusätzlicher Referenz- und Hilfsspannungen neben der Versorgungsspan­ nung und, hinsichtlich eingesetzter Optokoppler, deren Alterungsanfälligkeit und damit eine Unzuverlässigkeit der Gesamtschaltung. Darüber hinaus verursachen die Strom­ meßwiderstände (R 1; R 10) auch im störungsfreien Betrieb laufende Verlustleistungen.

Als solche bekannt sind weiterhin Anordnungen zur Umwand­ lung von (kleinen Meß-) Gleichspannungen in eine Wechsel­ spannung mit magnetisch steuerbaren Halbleiterwiderstän­ den, über die die umzuwandelnde Gleichspannung einem Transformator zugeführt wird (DE-AS 12 86 208), sowie Anordnungen, bei denen zur Stabilisierung der Eigenschaf­ ten eines Transistorverstärkers mittels einer Gegenkopp­ lungsschaltung mit magnetisch steuerbaren Widerständen ein Teil der Ausgangsgröße auf den Eingang zurückgeführt wird (DE-PS 12 17 447). Soweit der dortige Einsatz ma­ gnetfeldabhängiger Widerstände überhaupt auf Schaltnetz­ teile übertragbar ist, weisen die zitierten Anordnungen noch den Nachteil auf, daß in ihnen zur Ausnutzung des magnetischen Steuerungseffektes zusätzliche, unhandli­ che Bauelemente, nämlich Induktivitäten, eigens für die Erzeugung der steuernden Magnetfelder bereitgestellt werden müssen.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, für gat­ tungsgemäße Schaltnetzteile aufwandsarme und dabei zu­ verlässige Strombegrenzungsschaltungen zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die kenn­ zeichnenden Merkmale des Hauptanspruches. Vorteilhafte Wei­ terbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegen­ stand der Unteransprüche.

Der Hauptvorteil der erfindungsgemäßen Lösung liegt in der ermöglichten Ersparnis an Hardware bei gleichzeitiger Sicherstellung eines hohen Zuverlässigkeitsstandards. Im Extremfall besteht die Strombegrenzungsschaltung für das Schaltnetzteil aus nur einem zusätzlichen Bauelement, dem magnetfeldabhängigen Widerstand, und benötigt dabei keine Extra-Bauelemente zur Erzeugung des steuernden Ma­ gnetfeldes. Die Anordnung arbeitet trägheitslos und ver­ schleißfrei. Sie benötigt auch keine Hilfs-, Betriebs- oder Referenzspannungen für Verstärker, Komparator u. ä. Da der magnetfeldabhängige Widerstand erst mit zunehmen­ dem Strom wächst, sind auch die laufenden Verlustlei­ stungen, die an ihm gegebenenfalls entstehen können, geringer als in herkömmlichen Schaltungen. Das Anwachsen des Widerstandes mit dem Strom bietet darüber hinaus be­ reits an sich einen inhärenten Stabilisierungs- und Be­ grenzungseffekt auf den Strom, wenn der magnetfeldab­ hängige Widerstand im gesteuerten Stromkreis liegt.

Wird der magnetfeldabhängige Widerstand in einer einstell­ baren Spannungsteiler- oder Brückenschaltung betrieben, gemäß Anspruch 4 bzw. 7, läßt sich vorteilhaft der Ein­ satzpunkt der Strombegrenzung anwendungsspezifisch vari­ ieren. Liegt ein Spannungsteiler mit magnetfeldabhängigem Widerstand elektrisch an der Versorgungsspannung des Schaltnetzteils, ergibt sich der Vorteil, daß die Strom­ begrenzungsschaltung auch etwa auftretende Spannungs­ schwankungen der Versorgung ausregeln kann. Die Brücken­ schaltung zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit gegen­ über Widerstandsänderungen und durch einen trennscharfen Einsatzpunkt der Strombegrenzung aus.

Der gerichtete Einbau gut leitender Materialeinschlüsse in den Werkstoff des magnetfeldabhängigen Widerstandes, nach Anspruch 10, sorgt für eine vorteilhaft große Emp­ findlichkeit des Widerstandes gegenüber Änderungen des Magnetfeldes, d. h. für eine hohe Widerstandsänderung bei gegebener Änderung der magnetischen Flußdichte.

Anhand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispie­ le wird die Erfindung nachstehend näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 und Fig. 2 Schaltbilder von Schaltnetzteilen mit herkömmlichen Strombegrenzungseinrichtungen;

Fig. 3 bis Fig. 6 Schaltbilder erfindungsgemäßer Schalt­ netzteile;

Fig. 7 ein Diagramm mit der Kennlinie eines magnetfeldab­ hängigen Widerstandes;

Fig. 8 ein Schnittbild eines Transformators mit in einem Luftspalt angeordnetem magnetfeldabhängigem Wider­ stand.

Bei den Schaltnetzteilen nach den Fig. 1 und 2 handelt es sich um Sperrwandler mit konventionellen Strombegren­ zungseinrichtungen. Die Sperrwandler als solche funktio­ nieren so, daß der Halbleiterschalter S - z. B. ein bipola­ rer Transistor oder ein Feldeffekttransistor - die Primär­ wicklung W 1 des Transformators T mit einem Transformator­ strom I aus der Versorgungsspannung U 1 erregt, dadurch in der Sekundärwicklung W 2 einen Sekundärstrom induziert, über die Diode D die Kapazität C 2 auflädt und am Last­ widerstand R 2 die Ausgangsspannung U 2 entstehen läßt. Der Halbleiterschalter S, angesteuert von der einen Pulsmodu­ lator PM und eine Treiberstufe TS umfassenden Ansteuer­ einheit A, schaltet zyklisch den Transformatorstrom I, um die pro Zeiteinheit von der Primärwicklung W 1 des Trans­ formators T auf die Sekundärwicklung W 2 übertragene Ener­ gie zu kontrollieren, wobei insbesondere die Konstanthal­ tung der der Ausgangsspannung U 2 ein Ziel sein kann. Die Re­ gelungsaufgabe, die Ausgangsspannung U 2 auf dem vorgeb­ baren Sollwert U 20 zu halten, wird z. B. dadurch gelöst, daß der Pulsmodulator PM in der Ansteuereinheit A in Ab­ hängigkeit von einem Soll-Ist-Vergleich die Breite und/ oder Höhe und/oder Frequenz der von ihm an die Treiber­ stufe TS ausgegebenen und den Halbleiterschalter S an­ steuernden Pulse variiert. Auf diese Weise wird stets nur soviel Energie zum Lastwiderstand R 2 übertragen, wie dort verbraucht und zur Konstanthaltung der Ausgangsspan­ nung U 2 benötigt wird - im Gegensatz zu konventionellen Längsregelungen, die auf einer bewußten Energieverhei­ zung basieren und entsprechend geringere Wirkungsgrade aufweisen.

Angemerkt sei noch die alternative Ausführungsform von Schaltnetzteilen, die darin besteht, daß der sekundäre Strom des Transformators T von einem Halbleiterschalter zyklisch geschaltet wird, wiederum um weitgehend ohne Wärmeverluste, nämlich nur mit Schaltverlusten, die pro Zeiteinheit durch den Lastwiderstand R 2 - allgemein: durch den Verbraucher - aufgenommene Ladungsmenge auf die Kapazität C 2 nachzuladen. Die Zwischenschaltung ei­ nes Transformators ist aber auch hier in aller Regel notwendig, sei es aus physikalischen Gründen, z. B. wenn die Ausgangsspannung U 2 höher als die Versorgungsspan­ nung U 1 sein soll, oder aus Sicherheitsgründen, nämlich zur Potentialtrennung.

Funktion und Nachteile der in den Schaltbildern nach Fig. 1 und 2 enthaltenen konventionellen Strombegrenzungs­ einrichtungen wurden in der Beschreibungseinleitung be­ reits kurz besprochen. Bei der ersten Einrichtung wird als Maß für den primären Transformatorstrom I der Spannungsabfall am Widerstand R 1 erfaßt, über den aus dem Widerstand R 3 und der Kapazität C 1 bestehenden Tief­ paß geglättet und am Komparator K 1 mit einem Grenzwert UG 1 verglichen. Bei Überlast oder Kurzschluß im Sekundär­ kreis nimmt auch der primäre Transformatorstrom I unzu­ lässig hohe Werte an, wodurch die Spannung am Widerstand R 1 den Grenzwert UG 1 übersteigt und der Komparator K 1 die Breite und/oder Amplitude und/oder Frequenz der vom Pulsmodulator PM an die Treiberstufe TS ausgegebenen Pulse reduziert, im einfachsten Falle sperrt, und damit den Halbleiterschalter S desaktiviert. Bei der Einrich­ tung nach Fig. 2 wird der Sekundärstrom gemessen, als Spannungsabfall am Widerstand R 10. Dieser Spannungsab­ fall wird im Differenzverstärker V verstärkt und regt die Leuchtdiode LED eines Optokopplers OPT zur Aussen­ dung von Licht an, das seinerseits die Leitfähigkeit des Phototransistors PH beeinflußt. Wird der Strom durch den Widerstand R 10 unzulässig groß, steuert die Leucht­ diode LED den Phototransistor PH so weit durch, daß die von der Hilfsspannung UH am Widerstand R 9 erzeugte Span­ nung größer als der zugehörige Grenzwert UG 2 ist, und der Komparator K 2 veranlaßt die Ansteuereinheit A zur Drosselung des primären Transformatorstroms I.

Wesentlich weniger Hardwareaufwand, keine alterungsan­ fälligen Optokoppler, keine Hilfs- und Referenzspannungen sowie erheblich geringere laufende Verlustleistungen be­ nötigen die Strombegrenzungsschaltungen nach den Fig. 3 bis 6, in denen jeweils ein magnetfeldabhängiger, in einem Luftspalt G des Transformators T angeordneter Wi­ derstand RM Teil des Regelungsmechanismus ist. (Mit dem Luftspalt G im magnetisierbaren Kernmaterial dient der Transformator T zugleich als verstetigender Energiespei­ cher des Sperrwandlers.)

Vor allem Halbleiter-Werkstoffe mit hoher Elektronenbe­ weglichkeit eignen sich als magnetfeldabhängiges Wider­ standsmaterial, z. B. Indiumantimonid, Indiumarsenid, Galliumantimonid, Galliumarsenid. Vorteilhaft ist bei diesen Materialien der Einbau eutektischer Nadeln mit höherer Leitfähigkeit als jener des Grundmaterials, z. B. Nickelantimonid in Indiumantimonid. Bei Ausrichtung der Nadeln senkrecht zum Magnetfeld und zum Strompfad ergibt sich eine hohe Widerstandszunahme im Magnetfeld. Eine Kennlinie der Abhängigkeit eines (normierten) Wider­ standswerts RM(B)/RM(O) von der magnetischen Flußdichte B ist im Diagramm der Fig. 7 aufgetragen: Der Widerstand nimmt mit dem Betrag der Flußdichte B monoton zu.

Fig. 8 zeigt in einem Schnittbild die Anordnung eines magnetfeldabhängigen Widerstandes RM im Luftspalt G des Kerns K eines Transformators T. Dort ist der magnetfeld­ abhängige Widerstand RM, umgeben von der Primärwicklung W 1 und der Sekundärwicklung W 2, elektrisch isoliert auf einem Trägerplättchen P montiert, das aus weichmagneti­ schem oder aus nichtmagnetischem Material, z. B. Aluminium­ oxid, bestehen kann. Als Tranformatorenkerne K können die bekannten weichmagnetischen Werkstoffe und Ferrite verwendet werden.

Ein magnetfeldabhängiger Widerstand RM mit den oben be­ schriebenen materiellen und in Fig. 7 dargestellten elek­ trischen Eigenschaften sowie mit der räumlichen Anordnung im Luftspalt G des Transformators T, etwa nach Fig. 8, ist jeweils Bestandteil der Strombegrenzungseinrichtungen nach den Fig. 3 bis 6, wobei dort das Lagemerkmal - die räumliche Anordnung im Transformator T - nur in Fig. 3 unmittelbar dargestellt und in den Fig. 4 bis 6 aus zeichnerischen Gründen nicht wiederholt ist. Aber auch die Fig. 4 bis 6 sind so zu verstehen, daß der magnet­ feldabhängige Widerstand RM jeweils im Transformator T untergebracht ist.

Im Sperrwandler nach Fig. 3 liegt der magnetfeldabhängi­ ge, räumlich im Transformator T angeordnete Widerstand RM elektrisch im Stromkreis des primären Transformator­ stroms I und setzt diesem nur einen geringen Widerstand entgegen - das heißt auch: erzeugt nur geringe Verlust­ leistung -, solange der Transformatorstrom I in der zu­ lässigen Größenordnung liegt und demzufolge die magne­ tische Flußdichte B im Luftspalt G des Transformators T gering ist. Der dadurch bedingte niedrige Spannungsabfall am Widerstand RM beeinflußt die auf Konstanthaltung der Ausgangsspannung U 2 gerichtete, zyklische Arbeitsweise des Halbleiterschalters S nicht.

Wenn jedoch infolge einer Überlastung oder eines Kurz­ schlusses auf der Sekundärseite der Transformatorstrom I unzulässig hohe Werte aufnimmt, bewirkt die damit verbun­ dene Zunahme der magnetischen Flußdichte im Luftspalt G des Transformators T ein entsprechendes Anwachsen des Wi­ derstandswertes des magnetfeldabhängigen Widerstands RM. Abgesehen davon, daß dieses Verhalten schon an sich ei­ nen stabilisierenden, begrenzenden Einfluß auf den Trans­ formatorstrom I hat, führt der ebenfalls anwachsende Spannungsabfall am Widerstand RM - bei gegebener Höhe der Steuerspannung US der den Halbleiterschalter S steuern­ den Pulse aus der Ansteuereinheit A - in einem weiteren Gegenkopplungseffekt zur Sperrung des Halbleiterschalters S, da dessen Basis-Emitter-Spannung (bzw. Gate-Source- Spannung) nicht mehr zur Durchsteuerung der Kollektor- Emitter-Strecke (bzw. Drain-Source-Strecke) ausreicht. Wenn die Ursache der Überlastung oder des Kurzschlusses beseitigt ist, fährt die Regelung selbsttätig wieder aus der Strombegrenzung heraus, d. h., geht wieder auf Normal­ betrieb zurück.

In der Schaltung nach Fig. 4 bildet der magnetfeldab­ hängige Widerstand RM zusammen mit dem Widerstand R 11 einen Spannungsteiler innerhalb der Ansteuereinheit A, hier zwischen dem Pulsmodulator PM und der Treiberstufe TS. Dadurch, daß der Widerstand RM nicht im Stromkreis des geschalteten Transformatorstroms I, sondern im An­ steuerstromkreis liegt, fällt an ihm nicht einmal im Störfall eine erwähnenswerte Verlustleistung an.

Steigt der Widerstandswert des magnetfeldabhängigen Wi­ derstandes RM infolge Überhöhung des Transformatorstroms I an, wird die Spannungshöhe der vom Pulsmodulator PM an die Treiberstufe TS ausgegebenen Pulse immer mehr ge­ teilt und reicht unterhalb eines bestimmten Minimalwerts nicht mehr zur Durchsteuerung des Halbleiterschalters S aus, wodurch der Transformatorstrom I unterbrochen wird. Die Einstellung des variablen Widerstandes R 11 bestimmt dabei den Einsatzpunkt der Strombegrenzung, das heißt, diese ist anwendungsspezifisch anpassungsfähig und kann als einstellbare elektronische Sicherung dienen.

In der Schaltung nach Fig. 5 liegt ein von einem Wider­ stand R 12 und dem magnetfeldabhängigen Widerstand RM gebildeter Spannungsteiler an der Versorgungsspannung U 1 und beeinflußt den Pulsmodulator PM der Ansteuerein­ heit A so, daß mit zunehmender Knotenspannung UK die Breite und/oder Höhe und/oder Frequenz der an die Trei­ berstufe TS ausgegebenen Pulse sinkt. Die Knotenspannung UK nimmt unter zwei Umständen zu: wenn der Widerstands­ wert des magnetfeldabhängigen Widerstands RM in Abhängig­ keit von Transformatorstrom I steigt und/oder wenn die Höhe der Versorgungsspannung U 1 sich nach oben verändert. Im ersten Fall reagiert die Strombegrenzungsschaltung auf einen schon vorhandenen, kritischen Stromwert, im zweiten Fall nimmt sie die spannungsbedingt zu erwartende Strom­ erhöhung vorweg und drosselt sofort die Aktivität des Halbleiterschalters S entsprechend.

Damit können Spannungsausreißer der Versorgungsspannung U 1 schon ausgeregelt werden, bevor sie sich auf die Aus­ gangsspannung U 2 auswirken. Dies gilt für beide mögliche Richtungen einer Schwankung der Versorgungsspannung U 1. Befindet sich nämlich die Strombegrenzungsregelung an­ satzweise im Eingriff, weil sich der Transformatorstrom I nahe an der Grenze des Zulässigen bewegt, würde ein Absinken der Versorgungsspannung U 1 ein zu diesem Zeit­ punkt ungerechtfertigtes Absinken des Transformator­ stroms I zur Folge haben, auf das die Sperrwandlerrege­ lung erst reagieren könnte, wenn es sich bereits auf die Ausgangsspannung U 2 ausgewirkt hätte. So aber führt ein Absinken der Versorgungsspannung U 1 dazu, daß die Knotenspannung UK aus dem strombegrenzenden Bereich zu­ rückfährt, wodurch es gar nicht erst zu einem unerwünsch­ ten Absinken des Transformatorstroms I kommt.

Durch Variation des Widerstandes R 12 läßt sich wieder der Einsatzpunkt der Strombegrenzung einstellen, indem das Spannungsteilungsverhältnis und damit die Knotenspan­ nung UK verschoben werden.

Wenn es auf eine hohe Trennschärfe des Strombegrenzungs­ einsatzes ankommt, das heißt, wenn bis möglichst nahe am zulässigen Grenzwert des Transformatorstroms I die Strom­ begrenzungsschaltung noch nicht in die Sperrwandlerrege­ lung eingreifen soll, bietet die Widerstandsbrücke RM, R 13, R 14, R 15 nach Fig. 6 aufgrund der großen Empfind­ lichkeit ihrer Diagonalspannung U 3 gegenüber Widerstands­ änderungen eine entsprechende Lösung.

Die Schaltungsteiler R 13, RM bzw. R 14, R 15 liegen an der Versorgungsspannung U 1 und liefern im störungsfreien Be­ trieb, d. h. bei zulässiger Höhe des Transformatorstroms I und damit bei kleinem Widerstandswert des magnetfeldab­ hängigen Widerstands RM, eine positive Diagonalspannung U 3.

Die Widerstände RM, R 13, R 14, R 15 sind so gewählt, daß gerade bei Erreichen des Grenzwertes des Transformator­ stroms I die Diagonalspannung U 3 zu Null wird. Der Vor­ zeichenwechsel der Diagonalspannung U 3 bei Überschreiten des Grenzwertes wird vom Komparator K 3 erkannt, und die­ ser sperrt über die Ansteuereinheit A den Halbleiterschal­ ter S. Der Vorzeichenwechsel der Diagonalspannung U 3 be­ stimmt einen genau definierten, sehr trennscharfen Ein­ satzpunkt der Strombegrenzung. Dieser kann durch Varia­ tion des Widerstandes R 15 vorzugsweise stetig eingestellt werden, indem das Brückengleichgewicht - der Nullpunkt der Diagonalspannung U 3 - verschoben wird.

In der in Fig. 6 dargestellten Schaltung liegen beide Spannungsteiler R 13, RM bzw. R 14, R 15 der Widerstands­ brücke an der Versorgungsspannung U 1. Deren Höhe beein­ flußt nur den Betrag, nicht aber das Vorzeichen der Dia­ gonalspannung U 3, so daß Schwankungen der Versorgungs­ spannung U 1 den soeben beschriebenen Regelungsmechanis­ mus nicht beeinflussen. Sollen auch solche Schwankungen ausgeregelt werden können - analog zu dem Regelungsmecha­ nismus, der im Zusammenhang mit Fig. 5 bereits beschrie­ ben ist -, wird der Spannungsteiler R 14, R 15 an eine Spannung in Höhe des Sollwerts U 10 der Versorgungsspan­ nung U 1 gelegt, wie durch die Umschaltmöglichkeit am Wi­ derstand R 14 in Fig. 6 anschaulich gemacht ist. Durch diese Maßnahme wird der Einsatzpunkt der Strombegrenzung - der Wechsel des Vorzeichens der Diagonalspannung U 3 von Plus auf Minus - gegenüber dem Einsatzpunkt der Grundaus­ führung vorverlegt, wenn die Versorgungsspannung U 1 über ihren Sollwert U 10 steigt, und im umgekehrten Fall nach­ verlegt. Dadurch trägt die Strombegrenzungsschaltung auch zur Sperrwandlerregelung, d. h. zur Regelung der Ausgangs­ spannungs U 2, bei.

Claims (11)

1. Schaltnetzteil, insbesondere Sperrwandler, mit elek­ tronischer Strombegrenzung, folgende Merkmale aufweisend:

• a) einen Transformator mit einer Primärwicklung und einer Sekundärwicklung;
• b) einen steuerbaren Halbleiterschalter, der den Transfor­ matorstrom zyklisch schaltet;
• c) eine Ansteuereinheit für die Ansteuerung des steuerba­ ren Halbleiterschalters;
• d) eine Regelungseinrichtung, insbesondere Gegenkopplungs­ einrichtung, zum Vergleich des Istwertes des Transfor­ matorstroms mit einem Grenzwert und zum Auslösen einer Sperrung des steuerbaren Halbleiterschalters bei Er­ reichen oder Überschreiten des Grenzwertes;
• e) einen Widerstand als Bestandteil der Regelungseinrich­ tung, von dem eine vom Transformatorstrom abhängige elektrische Betriebsgröße den Istwert des Transforma­ torstroms repräsentiert;

dadurch gekennzeichnet, daß

• e1) der Widerstand (RM) einen magnetfeldabhängigen Wider­ standsverlauf (RM(B)) besitzt und
• e2) räumlich in einem Luftspalt (G) des Transformators (T) angeordnet ist.

2. Schaltnetzteil nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der magnetfeldabhängige Widerstand (RM) elektrisch in Reihe mit dem steuerbaren Halbleiterschalter (S) und der Primärwicklung (W 1) oder der Sekundärwicklung (W 2) des Transformators (T) liegt.

3. Schaltnetzteil nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der magnetfeldabhängige Widerstand (RM) zusammen mit einem weiteren Widerstand (R 11; R 12) eine in der oder auf die Ansteuereinheit (A) wirkende Spannungsteilerschaltung (RM, R 11; R 12, RM) bildet.

4. Schaltnetzteil nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Widerstandswert des weiteren Widerstandes (R 11; R 12) einstellbar ist.

5. Schaltnetzteil nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsteiler­ schaltung (R 12, RM) elektrisch an der Versorgungsspannung (U 1) des Schaltnetzteils liegt.

6. Schaltnetzteil nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der magnetabhängige Wi­ derstand (RM) zusammen mit weiteren Widerständen (R 13, R 14, R 15) eine Widerstandsbrückenschaltung bildet, de­ ren Diagonalspannung (U 3) der Ansteuereinheit (A) di­ rekt oder über einen Komparator (K 3) aufgebbar ist.

7. Schaltnetzteil nach Anspruch 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Widerstandswert ei­ nes (R 15) der weiteren Widerstände (R 13, R 14, R 15) ein­ stellbar ist.

8. Schaltnetzteil nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da­ durch gekennzeichnet, daß die An­ steuereinheit (A) einen Pulsbreiten- und/oder Pulshöhen- und/oder Pulsfrequenz-Modulator (PM) umfaßt und daß bei Annäherung des Istwertes des Transformatorstroms (I) an den Grenzwert die Breite und/oder Höhe und/oder Frequenz der vom Pulsmodulator (PM) modulierten Pulse durch die Regelungseinrichtung (RM, R 11; RM, R 12; RM, R 13 . . . R 15, K 3) reduzierbar ist.

9. Schaltnetzteil nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß der ma­ gnetfeldabhängige Widerstand (RM) aus einem Halbleiter­ werkstoff mit hoher Elektronenbeweglichkeit, insbeson­ dere aus Indiumantimonid, Indiumarsenid, Galliumantimo­ nid oder Galliumarsenid, besteht.

10. Schaltnetzteil nach Anspruch 9, gekennzeich­ net durch gerichtet eingebaute, gut leitende Materialeinschlüsse, insbesondere aus Nickelantimonid, im Werkstoff des magnetfeldabhängigen Widerstandes (RM).