DE3490600T1 - Verfahren zur Herstellung von Solarzellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SolarzellenInfo
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Description
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Claims (1)
- ■ aw-Patentansprüche:Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Halbleiteranordnungen, gekennzeichnet durch die Folge der nachstehend genannten Schritte:(a) Erzeugen eines Siliziumsubstrats mit gegenüberliegenden ersten und zweiten Oberflächen und mit einer Maske auf der ersten Oberfläche, die die Form einer Oberflächenschicht mit einem vorgegebenen zweidimensionalen Muster aufweist, durch das hindurch ausgewählte Teile der ersten Oberfläche freiliegen,(b) Bestrahlen der ersten Oberfläche mit einem Wasserstoffionenstrahl mit einer Intensität und mit einer Dauer, die ausreichen, um auf den ausgewählten freiliegenden Teilen der ersten Oberfläche eine Oberflächenschicht zu bilden, an der Metalle nur schlecht anhaften,(c) Entfernen der Maske, und(d) Metallplattieren der ersten Oberfläche derart, daß eine Metallschicht auf allen Teilen der ersten Oberfläche mit Ausnahme der ausgewählten freiliegenden Teile gebildet wird.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Verfahrenweiterhin den Schritt der Ausbildung einer Grenzschicht benachbart zu der ersten Oberfläche vor der Bestrahlung mit dem Wasserstoffionenstrahl einschließt.J. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Festkörper-Halbleiteranordnungen lichtelektrische Anordnungen sind.4. Verfahren nach Anspruch 3» gekennzeichnet durch den Schritt des Aufbringens eines Antireflexionsuberzugs derart, daß die erste Oberfläche bedeckt wird.5· Verfahren zur Herstellung von Pestkörper-Halbleiter anordnungen, gekennzeichnet durch die Folge der nachstehend genannten Schritte:(a) Erzeugen eines Siliziumsubstrates mit gegenüberliegenden ersten und zweiten Oberflächen,(b) Ausbilden einer Oberflächenschicht auf der ersten Oberfläche des Substrates,(c) Ausbilden einer Maske in der Oberflächenschicht durch selektives Ätzen eines vorgegebe nen zweidimensionalen Musters durch die Oberflächenschicht, wodurch selektiv Teile der ersten Oberfläche freigelegt werden,. afc.(d) Bestrahlen der ersten Oberfläche mit einem Wasserstoffionenstrahl mit einer Intensität "und mit einer Dauer, die ausreichen, um auf den freiliegenden ausgewählten Teilen der ersten Oberfläche eine Oberflächenschicht zu bilden, an der Metalle nur schlecht anhaften,(e) Entfernen der Maske, und(f) Metallisieren der ersten Oberfläche.6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflächenschicht eine Glasschicht ist, die als Folge der Diffusion einer Grenzschicht in das Substrat benachbart zur ersten Oberfläche gebildet wird.7· Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Grenzschicht durch Eindiffundieren von Phosphor in das Siliziumsubstrat gebildet wird, wodurch eine Phosphorsilikat-Glasoberflächenschicht gebildet wird.8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Maske durch Photolithographie unter Verwendung eines Photoresist-Materials gebildet wird, das die erste Oberfläche bedeckt.9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet ä χι τ c h die weiteren Schritte des-36--. a-vAufbringens eines Überzuges aus Aluminium auf die zweite Oberfläche vor der Entfernung des Photoresist-Materials und der nachfolgenden Aufheizung des Siliziumsubstrats auf eine Temperatur und für eine Zeit, die ausreichen, daß (1) das Aluminium des Überzugs mit dem Siliziumsubstrat legiert wird und (2) eine Entfernung des Photoresist-Materials durch Pyrolyse bewirkt wird.10. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch g e kennzeichnet , daß die ersten und zweiten Oberflächen beide metallisiert werden.11. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflächenschicht ein Dielektrikum ist.12. Verfahren nach Anspruch 5> gekennzeichnet durch den weiteren Schritt des Aufbringens eines Überzuges aus Aluminium auf die zweite Oberfläche vor der Metallisierung der ersten Oberfläche und der Aufheizung des Aluminiums auf eine Temperatur und für eine Zeit, die ausreichen, damit das Aluminium eine Legierung mit dem Siliziumsubstrat bildet.13· Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Halbleiteranordnungen, gekennzeichnet durch die Folge der nachstehend genannten Schritte:(a) Erzeugen eines Siliziumsubstrats mit gegenüberliegenden ersten und zweiten Oberflächen,(b) Ausbilden einer Grenzschicht in dem Substrat benachbart zur ersten Oberfläche und gleichzeitiges Ausbilden einer Glasschicht auf der ersten Oberfläche,(c) Abdecken der Glasschicht mit einer anhaftenden Beschichtung aus einem Photoresist-Material,(d) Belichten der anhaftenden Beschichtung mit einer Strahlungsenergie durch eine Maske hindurch, die ein vorgegebenes zweidimensionales Muster bildet,(e) chemisches Entwickeln der anhaftenden Beschichtung derart, daß ausgewählte Teile der anhaftenden Beschichtung entsprechend dem vorgegebenen Muster von der Glasschicht entfernt werden,(f) Entfernen der Teile der Glasschicht, die nicht durch die anhaftende Beschichtung; bodeckt nind, um auf diese Weise ausgewählte Teile der ersten Oberfläche freizulegen,(g) Aufbringen einer Beschichtung aus Aluminium auf die zweite Oberfläche,(h) Aufheizen des Siliziumsubstrats auf eine Temperatur und für eine Zeit, die ausreichen, damit (1) das Aluminium der Beschichtung aus Aluminium eine Legierung mit dem Siliziumsubstrat3A90600bildet und (2) eine Entfernung der anhaftenden Beschichtung durch Pyrolyse erreicht wird,(i) Bestrahlen der ersten Oberfläche mit einem Wasserstoffionenstrahl mit einer Intensität und für eine Dauer, die ausreichen, um auf den freigelegten ausgewählten Teilen der ersten Oberfläche eine Oberflächenschicht zu bilden, an der Metalle nur schlecht anhaften,(j) Entfernen der Glasschicht, und(k) Metallisieren der ersten und zweiten Oberflächen.14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß die erste Oberfläche mit dem Wasserstoffionenstrahl für eine Zeit und mit einer Intensität bestrahlt wird, die ausreichen, um die Minoritätsträgerverluste des Substrates zu verringern.15· Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Metallisierung unter Verwendung eines Metalls durchgeführt wird, das aus der Gruppe von Metallen ausgewählt ist, die Nickel, Palladium, Kobalt, Platin und Rhodium einschließt.1b. Vei'fahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Metallisierung das Aufplattieren von Nickel aus einem Bad umfaßt, das ein Nickelsalz und Fluoridionen enthält.
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