DE3420229A1 - Schaltungsanordnung zum betrieb von metalldampf-entladungslampen - Google Patents

Schaltungsanordnung zum betrieb von metalldampf-entladungslampen

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DE3420229A1 DE19843420229 DE3420229A DE3420229A1 DE 3420229 A1 DE3420229 A1 DE 3420229A1 DE 19843420229 DE19843420229 DE 19843420229 DE 3420229 A DE3420229 A DE 3420229A DE 3420229 A1 DE3420229 A1 DE 3420229A1
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    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/26Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/288Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without preheating electrodes, e.g. for high-intensity discharge lamps, high-pressure mercury or sodium lamps or low-pressure sodium lamps
    • H05B41/292Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions
    • H05B41/2921Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions
    • H05B41/2926Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions against internal abnormal circuit conditions
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    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

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  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zum Betrieb von
  • Metalldampf-Entladungslampen Metalldampf-Entladungslampen, z. B. Quecksilberdampf-und Natriumdampf-Hochdrucklampen benötigen für ihre Zündung eine Zündspannung, die wesentlich höher als die Betriebsspannung ist.
  • Um diese Zündspannung zu erzeugen, werden Vorschaltgeräte eingesetzt, die einen Schwingkreis enthalten, der beim Anlegen der Betriebsspannung in Resonanz gerät und dann die Zündspannung liefert, der aber nach dem Zünden der Lampe so stark bedämpft wird, daß er im Betrieb der Lampe außerhalb der Resonanz arbeitet.
  • Die Erfindung geht aus von einer Schaltungsanordnung zum Betrieb von Metalldampf-Entladungslampen, insbesondere von Hochdrucklampen, mit Hochfrequenzspannung, mit. einem Serien-Schwingkreis, der im Resonanzfall die Zündspannung liefert und im Betriebsfall außerhalb der Resonanz arbeitet, dessen Kapazität parallel zur Entladungslampe liegt, und dessen Induktivität mit der Entladungslampe einerseits und über die Primärwicklung eines Stromtransformators andererseits mit dem Mittelpunkt einer Halbbrücken-Anordnung verbunden ist, wobei die Halbbrücken-Anordnung zwei MOSFET-Transistoren enthält, die von den Sekundärwicklungen des Stromtransformators wechselweise angesteuert werden und über den Serien-Schwingkreis die Zündspannung und über den induktiven Ersatzwiderstand der Induktivität den Betriebsstrom für die Entladungslampe liefern, mit einer Triggerschaltung zur Einleitung des Schwingvorganges nach Anlegen der Betriebsspannung, und mit einer Schutzvorrichtung für die Transistoren.
  • Im Resonanzfall fließt ein beträchtlicher Resonanzstrom, der bei einer ausgeführten Schaltung etwa 20 Ampere beträgt. Das bedeutet, daß jeder Transistor abwechselnd 10 Ampere schalten muß. Die dabei im Transistor entstehende Verlustleistung ergibt sich aus der Gleichung P = 12 x R, wobei R der Durchschalt-Widerstand des Transistors ist.
  • Im Normalbetrieb tritt der Resonanz fall nur kurzzeitig auf, nämlich bis die Lampe gezündet hat. Hierfür würde ein Transistor mit einem Durchlaßwiderstand von 1,8 Ohm ausreichen. Bei dieser Größe des Durchlaß-Widerstandes ergäbe sich eine Verlust-Leistung von 180 Watt. Diese enorm hohe Leistung würde jedoch innerhalb kurzer Zeit die Transistoren zerstören, wenn der Resonanzfall länger andauert. Ein solcher längerer Resonanzbetrieb stellt sich immer ein, wenn der Resonanzkreis nicht genügend bedämpft wird. Dieses ist in den folgenden Betriebsarten der Fall: 1.) In die Lampenfassung ist keine Lampe eingesetzt.
  • 2.) Die angeschlossene Lampe ist defekt.
  • 3.) Die angeschlossene Lampe ist nach vorhergehendem Betrieb noch zu heiß.
  • 4.) Die angeschlossene Lampe startet nicht sofort beim ersten Zündimpuls.
  • Um diesen Betriebszuständen mit länger andauernder Resonanz Rechnung zu tragen, würde ein Transistor notwendig sein, dessen Durchschaltwiderstand kleiner als 0,5 Ohm ist. Ein solcher Transistor ist teuer, und auch bei ihm entsteht dann noch eine Verlust-Leistung von ca. 50 Watt, die einen entsprechend hohen Kühlaufwand erforderlich macht.
  • In jedem Falle ist es zweckmäßig oder auch erforderlich, für die Transistoren eine Schutzvorrichtung vorzusehen. Bei der erwähnten bekannten Schaltung ist als Schutzvorrichtung eine Sicherung vorgesehen. Eine Sicherung ist verhältnismäßig träge, so daß vorsorglich die Transistoren stärker dimensioniert werden müssen, als sie für Normalbetrieb sein müßten, und außerdem hat die Sicherung den Nachteil, daß sie nach einem Ansprechen ausgewechselt werden muß.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungs-Anordnung der oben genannten Art so auszubilden, daß die in der Halbbrücken-Anordnung vorhandenen Transistoren zuverlässig vor zu hoher Leistungsaufnahme bzw. Zerstörung geschützt sind.
  • Die gestellte Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß an eine der Sekundärwicklungen des Stromtransformators eine Schwellwert-Schaltung angeschlossen ist, die nach Anlegen der Betriebsspannung bei nicht eingesetzter oder nicht betriebsfähiger Lampe bei Überschreiten einer vorgegebenen Größe der in der Sekundärwicklung induzierten Spannung nach einer vorgegebenen Zeit den zugehörigen Transistor so lange abschaltet, bis die Resonanzschwingung aussetzt.
  • Die erfindungsgemäße Schutzschaltung spricht außerordentlich schnell an, z. B. nach ca. 50 us, so daß unzulässig hohe Belastungen der Transistoren nicht entstehen können. Hierdurch wird es möglich, in der Halbbrücken-Anordnung Transistoren zu verwenden, die nur den Bedingungen im Normalbetrieb angepaßt werden müssen. Dadurch können die Bauteile-Kosten erheblich gesenkt werden, was wiederum zu einer äußerst wirtschaftlichen Gesamtlösung führt. Die gesamte Schaltungsanordnung läßt sich so klein ausbilden, daß bereits vorhandene Scheinwerfer-Gehäuse mit Hochdrucklampen ausgerüstet werden können, die bislang nur den Glühfadenlampen vorbehalten waren.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In der Zeichnung bedeuten: Fig. 1 eine Schaltung zum Betrieb einer Metalldampf-Hochdrucklampe; Fig. 2 den Stromverlauf für den Resonanz- und den Betriebsfall und Fig. 3 die Spannung am Kondensator der Meßwert-Aufnahme-Schaltung.
  • Bei der Schaltung in Fig. 1 ist an die Netzanschluß-Klemmen SL, R, MP über Entstör-Kondensatoren C1 und C2 ein aus vier Dioden V1 bis V4 bestehender Brücken-Gleichrichter mit Siebkondensatoren C3 und CLt angeschlossen. Die Ausgangsleitung 1A des Brücken-Gleichrichters ist über einen Kondensator C10 mit dem einen Pol einer Metalldampf-Entladungslampe ME verbunden. Die andere Ausgangsleitung iB des Brücken-Gleichrichters ist über eine Diode V6, die Primärwicklung nl eines Stromtransformators L1 und eine Induktivität L2 mit dem anderen Pol der Metalldampf-Entladungslampe ME verbunden. Parallel zur Lampe ME liegen drei Kondensatoren C7, C8 und C9, die mit der Induktivität L2 einen Serien-Schwingkreis bilden. Der Verbindungspunkt 1C zwischen der Diode V6 und der Primärwicklung ni stellt den Mittelpunkt einer Halbbrücken-Schaltung dar, die aus den Dioden V5, V6, V7 und V8 gebildet wird. Zu dem Halbbrücken-Gleichrichter gehören ferner zwei MOSFET-Transistoren V19 und V20. Die Source-Elektrode des Transistors V19 ist mit der Diode V8 verbunden, die Drain-Elektrode liegt an der Leitung 1A, und die Gate-Elektrode ist über eine Serienschaltung aus einem Strombegrenzungs-Widerstand R3 und einer Sekundärwicklung n2 des Stromtransformators L1 ebenfalls mit der Diode V8 verbunden. Parallel zur Reihenschaltung R3, n2 liegen zwei antiseriell geschaltete Dioden V9 und V10.
  • Die Source-Elektrode des Transistors V20 liegt an der Leitung 1B, die Drain-Elektrode ist mit der Diode V7 verbunden, und die Gate-Elektrode liegt ebenfalls über zwei antiseriell geschalteten Dioden Vii und V12 an der Leitung 1B.
  • Die Diode V7 ist ferner über eine Parallel-Schaltung aus einem Widerstand R2 und einer Diode V14 mit dem Kollektor eines Schalter-Transistors V17 verbunden. Die Gate-Elektrode des MOSFET-Transistors V20 ist über einen Widerstand RLt an eine zweite Sekundärwicklung n3 des Stromtransformators angeschlossen, deren anderes Ende mit der Leitung 1B verbunden ist. Parallel zur Sekundärwicklung n3 liegt eine Meßwert-Aufnahme-Schaltung, die aus einer Reihenschaltung einer Zener-Diode V13, einer weiteren Diode V15, einem Widerstand R5 und einem Kondensator Cii besteht.
  • Der Schalter-Transistor V17 bildet Teil einer Schwellwert-Schaltung, wobei die Basis-Emitter-Strecke über einen Widerstand R8 parallel zum Kondensator C11 der Reihenschaltung liegt.
  • Seine Kollektor-Emitter-Strecke liegt parallel zu einem Kondensator C6. Die Schwellwert-Schaltung enthält ferner einen Thyristor V18, dessen Gate-Kathoden-Strecke über einen Spannungsteiler R6, R7, C12 parallel zu dem Kondensator Cii der Serienschaltung liegt, und dessen Anoden-Kathoden-Strecke über eine Diode V21 parallel zur Gate-Source-Strecke des Transistors V20 liegt. Die Gate-Elektrode des Transistors V20 ist ferner über eine Trigger-Diode 16 (DIAC) mit dem Kollektor des Transistors Vi7 -verbunden.
  • Parallel zur Diode V5 liegen ein Kondensator C5 und ein Widerstand Ri.
  • Die Funktion dieser Schaltung ist folgendermaßen: Nach Anlegen der Netzspannung an die Klemmen SL, R, MP wird dem Gerät über den Brücken-Gleichrichter V1 bis V4 und die Siebkondensatoren C3 und CLt eine geglättete Gleichspannung von etwa 300 Volt angeboten. Über den Widerstand R1, die Diode V7 und den Widerstand R2 wird der Kondensator C6 aufgeladen. Wenn die Spannung an C6 die Durchbruchsspannung des DIACs V16 erreicht, so zündet dieser und gibt die in C6 gespeicherte Energie an die Gate-Elektrode des Transistors V20 weiter. Der Transistor V20 schaltet daraufhin durch, und es fließt ein Strom über V7, die Primärwicklung ni des Stromtransformators L1 und die Induktivität L2, der die Kondensatoren C7 bis Ci0 auflädt. Gleichzeitig wird in L2 Energie gespeichert.
  • Der durch die Primärwicklung ni des Stroeltransformâtors L1 fließende Strom induziert dabei eine Spannung in der Sekundärwicklung n3 des Stromtransformators L1, die so gerichtet ist, daß die Gate-Elektrode des MOSFET-Transistors V20 über den Widerstand R4 weiterhin eine positive Spannung erhält. Die Sekundärwicklung n2 des Stromtransformators L1 steuert den auf der positiven Seite der Halbbrücke gelegenen MOSFET-Transistor V19 so an, daß die Spannung an der Gate-Elektrode von V19 negativ ist, wenn die Spannung von n3 für die Gate-Elektrode von V20 positiv ist.
  • Der Stromtransformator geht, nachdem genügend lange ein Strom durch die Primärwicklung geflossen ist, in die Sättigung.
  • Durch die Sättigung fällt die in den Sekundärwicklungen n2 und n3 induzierte Spannung schnell bis auf Null ab, wodurch der entsprechend gerade eingeschaltete Transistor wieder abgeschaltet wird.
  • War zum Beispiel gerade der Transistor V20 eingeschaltet, so springt die Mittelpunkt-Spannung der Halbbrücken-Anordnung durch die in der Induktivität L2 gespeicherte Energie von dem Potential der Leitung 1B auf das Potential der Leitung 1A. Die überschüssige Energie aus der Induktivität des Stromtransformators L1 und von L2 entlädt sich dabei über die Diode V5. Die bei der Entladung in den Sekundärwicklungen n2 und n3 induzierten Spannungen haben gegenüber dem Aufladevorgang umgekehrte Richtung. Durch die vertauschte Polarität ist nun der Transistor V19 eingeschaltet, und es beginnt wiederum ein Strom durch nl und L2 zu fließen, allerdings nun in umgekehrter Richtung, bis der Stromtransformator wieder in die Sättigung geht. Durch die Sättigung des Stromtransformators wird der Transistor V19 wieder abgeschaltet, die Mittelpunkt-Spannung der Halbbrücken-Anordnung springt durch die in der Induktivität L2 gespeicherte Energie vom Potential der Leitung 1A auf das Potential der Leitung 1B. Die überschüssige Energie der Induktivität gelangt dabei über die Diode V6 zurück in die Versorgungsleitung.
  • Die zuvor beschriebenen Vorgänge wiederholen sich abwechselnd, so daß ein selbstschwingender Betrieb vorliegt. Die antiseriell geschalteten Dioden V9, V10 und V11, V12 dienen der Begrenzung der Gate-Steuerspannung, ohne daß in den Widerständen R3 und R4 unnötige Verlust-Leistung auftritt, wie das mit jeweils nur einer Diode der Fall wäre. Die Dioden V7 und V8 dienen dazu, die Rückströme aus der Induktivität L2 von den internen Body-Drain-Dioden der Transistoren V19 und V20 abzukoppeln und über die Dioden V5 und V6 zu führen. Der Kondensator C5 dient der Verringerung der Anstiegsgeschwindigkeiten, um die Schaltverlust-Leistung der Transistoren V19 und V20 zu reduzieren. Der Kondensator Ci0 entkoppelt die Last vom Gleichspannungsanteil der Versorgungsspannung.
  • Wenn die Schaltung in den selbstschwingenden Betrieb gekommen ist, wird die aus dem Kondensator C6, der Trigger-Diode V16 und den Widerständen R1 und R2 bestehende Trigger-Schaltung ausgeschaltet, weil die Diode V14 mit ihrer Kathode über den Transistor V20 nun permanent auf dem Potential der Leitung 1B liegt und der Kondensator C6 im entladenen Zustand gehalten wird.
  • Dadurch wird die Durchbruchsspannung der Trigger-Diode V16 nicht mehr erreicht, so daß auch keine Trigger-Impulse mehr erzeugt werden.
  • In Normalfall ist eine Lampe vorhanden, die - nachdem der selbstschwingende Betrieb eingetreten ist - als Last den Schwingkreis so stark belastet, daß der Resonanzbetrieb nicht aufrechterhalten werden kann. In diesem Falle baut sich zunächst die im Resonanzfall auftretende hohe Spannung über den Kondensatoren C7 bis C9 auf, damit die Lampe gezündet wird. Nach dem Zünden dämpft die dann brennende Lampe den Schwingkreis so stark, daß das Gerät vom Resonanz in den Normalbetrieb übergeht. Der Strom, den die Transistoren V19 und V20 schalten müssen, ist der Betriebsstrom und beträgt nur 10 bis 20 % des Resonanz-Stromes, da hierbei nur der induktive Ersatzwiderstand der Induktivität L2 mit der Betriebsfrequenz zum Tragen kommt. Hierbei werden die Transistoren V19 und V20 also nicht unzulässig überlastet, da der Resonanzfall nur als kurzer Übergangszustand auftritt.
  • Anders ist es jedoch, wenn der Resonanzbetrieb auftritt und einer der oben genannten vier Fälle vorliegt. Der aus den Komponenten L2 und C7 bis C9 bestehende Serien-Schwingkreis wird im Resonanzbetrieb niederohmig. Daher müssen die beiden Transistoren V19 und V20 einen sehr hohen Strom schalten, der - wenn er nicht sehr rasch durch eine Schutzvorrichtung unterbrochen wird -zu einer starken Erhitzung oder aber zur Zerstörung der beiden MOSFET-Tansistoren V19 und V20 führen würde.
  • Die Erfindung sieht nun eine Schutzschaltung vor, die einen sicheren und verlustleistungslosen Betrieb für alle in der Praxis vorkommenden Betriebsarten ermöglicht und die Verwendung von Transistoren zuläßt, die nur den Dauerbelastungen des Normalbetriebs angepaßt zu werden brauchen.
  • Im Resonanzfall wird die in der Sekundärwicklung n3 des Stromtransformators L1 induzierte Spannung der aus dem Kondensator C11, dem Widerstand R5, der Diode V15 und der Zener-Diode V13 bestehenden Meßwert-Aufnahme-Schaltung zugeführt. Die Unterscheidung zwischen dem Resonanzbetrieb und dem Normalbetrieb erfolgt durch die Zener-Diode V13. Da durch die Primärwicklung des Stromtransformators L1 im Resonanz fall ein sehr viel größerer Strom fließt als im Normalbetrieb, ist auch die in den Sekundärwicklungen n2 und n3 induzierte Spannung sehr viel größer als im Normalbetrieb. Im Resonanzbetrieb übersteigt die induzierte Spannung in der Wicklung n3 die Zener-Spannung der Diode V13, so daß der Kondensator C11 über V15 und R5 mit einer Zeitverzögerung t = R5 x C11 aufgeladen wird. Wie schon zuvor erwähnt wurde, ist im Normalbetrieb der Kondensator C11 entladen. Die nach der Zeit t am Kondensator C11 stehende Spannung U1 gelangt über den Spannungsteiler R7, R6, C12 an die Gate-Elektrode des Thyristors V18 und zündet diesen bei Erreichen seiner Trigger-Spannung, wobei über die Diode V21 die Ansteuerung des Transistors V20 durch den Stromtransformator L1 unterbrochen wird. Dadurch setzt der selbstschwingende Betrieb der Halbbrücken-Anordnung aus. Gleichzeitig wird der Transistor V17 über den Widerstand R8 von der an C11 liegenden Spannung durchgesteuert und hält den Kondensator C6 auf so niedrigem Spannungsniveau, daß die Durchbruchsspannung der Trigger-Diode V16 nicht erreicht wird.
  • Erst nach Ablauf der Zeit T = R7 x C11, wenn die Spannung an C11 einen unteren Wert U2 erreicht hat, wird der Transistor V17 wieder gesperrt und gibt die Trigger-Schaltung frei, die ihrerseits einen Trigger-Impuls erzeugt, der die Halbbrücken-Schaltung wieder in den selbstschwingenden Zustand bringt. Zündet die Lampe innerhalb der Zeit.t nicht durch, so beginnt der soeben beschriebene Funktionsablauf wieder von vorn.
  • Es ist ersichtlich, daß durch die erfindungsgemäße Schutzschaltung der Resonanzfall bei einem der obengenannten vier Fälle also immer nur so kurzzeitig eintreten kann, daß eine überlastung der Transistoren V19 und V20 in jedem Fall vermieden wird.
  • Die Dimensionierung der Schutzschaltung sollte so bemessen sein, daß ein Verhältnis t/T = D ( = 0,001 erreicht wird.
  • Bei dieser Einstellung ist es möglich, die Grenzdaten der Transistoren V19 und V20 bei sehr sicherer Arbeitsweise im Resonanzbetrieb voll auszunutzen.
  • Fig. 2 zeigt den Strom durch die Primärwicklung ni des Resonanz-Transformators L1 und durch die Induktivität L2 über der Zeit, und es ist ersichtlich, daß der Strom in einem der obengenannten vier Fälle jeweils nach sehr kurzer Zeit auf Null zurückgeht oder aber im Normalfalle auf die Größe des Betriebsstroms absinkt.
  • Fig. 3 zeigt die Spannung über dem Kondensator Cii, wobei - wie in Fig. 2 ersichtlich ist - die Spannung nach zwei vergeblichen Zündversuchen beim Durchzünden der Lampe auf Null zurückgeht.
  • Die erfindungsgemäße Schaltung ist für Hochdrucklampen im Leistungsbereich zwischen 35 Watt bis 150 Watt geeignet. Das beschriebene Ausführungsbeispiel bezieht sich auf eine Quecksilber-Hochdrucklampe mit einer Leistung von 70 Watt. Die Arbeitsfrequenz beträgt dabei vorzugsweise etwa 170 kHz.
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Claims (5)

  1. Patentansprüche Schaltungsanordnung zum Betrieb von Metalldampf-Entladungslampen, insbesondere von Hochdrucklampen, mit Hochfrequenz-Spannung, mit einem Serien-Schwingkreis, der im Resonanzfall die Zündspannung liefert und im Betriebsfall außerhalb der Resonanz arbeitet, dessen Kapazität parallel zur Entladungslampe liegt und dessen Induktivität mit der Entladungslampe einerseits und über die Primärwicklung eines Stromtransformators andererseits mit dem Mittelpunkt einer Halbbrücken-Anordnung verbunden ist, wobei die Halbbrücken-Anordnung zwei MOSFET-Transistoren enthält, die von den Sekundärwicklungen des Stromtransformators wechselweise angesteuert werden und über den Serien-Schwingkreis die Zündspannung und über den induktiven Ersatzwiderstand der Induktivität den Betriebsstrom für die Entladungslampe liefern, mit einer Trigger-Schaltung zur Einleitung des Schwingvorganges nach Anlegen der Betriebsspannung, und mit einer Schutzvorrichtung für die Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß an eine der Sekundärwicklungen (n2, n3) des Stromtransformators (L1) eine Schwellwert-Schaltung angeschlossen ist, die nach Anlegen der Betriebsspannung bei nicht eingesetzter oder nicht betriebsfähiger Lampe (ME) bei Überschreiten einer vorgegebenen Größe der in der Sekundärwieklung induzierten Spannung nach einer vorgegebenen Zeit den zugehörigen Transistor (V19 bzw. V20) so lange abschaltet, bis die Resonanzschwingung aussetzt.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Sekundärwicklung (n3) des Resonanz-Transformators (L1) eine Meßwert-Aufnahme-Schaltung liegt, die aus einer Reihenschaltung einer Zener-Diode (V13), einer weiteren Diode (V15), einem Widerstand (R5) und einem Kondensator (C11) besteht, die im Resonanzfall die Auslösespannung für die Schwellwert-Schaltung liefert.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schwellwert-Schaltung einen Schalter-Transistor (V17) enthält, dessen Basis-Emitter-Strecke über einen Widerstand (R8) parallel zum Kondensator (C11) der Reihenschaltung liegt, und dessen Kollektor-Emitter-Strecke parallel zu einem Kondensator (C6) liegt.
  4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schwellwert-Schaltung ferner einen Thyristor (V18) enthält, dessen Gate-Kathoden-Strecke über einen Spannungs-Teiler (R6, R7, C12) parallel zu dem Kondensator (C11) der Serienschaltung liegt, und dessen Anoden-Kathoden-Strecke über eine Diode (V21) parallel zur Gate-Source-Strecke des zugehörigen MOSFET-Transistors (V19, V20) liegt.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Spannungsbegrenzung an der Gate-Elektrode der MOSFET-Transistoren (Vi9 und V20) jeweils zwei antiseriell geschaltete Zener-Dioden (V9, V10 bzw. Vii, V12) dienen.
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