DE3419552A1 - Process for manufacturing electrolyte capacitors - Google Patents
Process for manufacturing electrolyte capacitorsInfo
- Publication number
- DE3419552A1 DE3419552A1 DE19843419552 DE3419552A DE3419552A1 DE 3419552 A1 DE3419552 A1 DE 3419552A1 DE 19843419552 DE19843419552 DE 19843419552 DE 3419552 A DE3419552 A DE 3419552A DE 3419552 A1 DE3419552 A1 DE 3419552A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- silver
- graphite
- citrate
- produced
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 9
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 title abstract 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229940071575 silver citrate Drugs 0.000 claims abstract description 13
- QUTYHQJYVDNJJA-UHFFFAOYSA-K trisilver;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QUTYHQJYVDNJJA-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 13
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren Process for the production of electrolytic capacitors
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit festem Elektrolyten, bei dem auf einem Ventilmetallkörper eine dielektrische Oxidschicht erzeugt, auf dieser eine halbleitende Schicht erzeugt wird und die halbleitende Schicht mit einer Graphitschicht überzogen wird, auf die schließlich eine silberhaltige Kontaktschicht aufgebracht wird.The invention relates to a method for manufacturing electrolytic capacitors with solid electrolyte, in which a dielectric Oxide layer is generated, on which a semiconducting layer is produced and the semiconducting one Layer is covered with a graphite layer, on which finally a silver-containing Contact layer is applied.
Ein solches Verfahren ist aus der DE-AS 22 43 503 bekannt.Such a method is known from DE-AS 22 43 503.
Als silberhaltige Kontaktschicht wird in der Regel sog.The so-called silver-containing contact layer is usually used.
Leitsilber aufgebracht, das ist ein in einem härtbaren Kunstharz verteiltes Silberpulver. Diese Leitsilberschicht wird in der Weise auf den mit den o.g. Schichten bedeckten Ventilmetallkörper aufgebracht, daß dieser in die Leitsilberschicht eingetaucht und einer Trocknung oder Härtung 0 bei Temperaturen von etwa 100 C unterworfen wird.Conductive silver applied, which is distributed in a hardenable synthetic resin Silver powder. This conductive silver layer is applied in the same way as the layers mentioned above covered valve metal body applied that this is immersed in the conductive silver layer and is subjected to drying or curing at temperatures of about 100.degree.
Es hat sich nun gezeigt, daß bei solchen Kondensatoren mit der Zeit eine Verschlechterung des Verlustfaktors tan eintritt, insbesondere bei Feuchteeinwirkung auf den Kondensator. Diese Verschlechterung des Verlustfaktors kann verschiedene Ursachen haben. Man hat versucht, diese Ursachen zu beseitigen, konnte aber bisher nicht erreichen, daß sich die Verschlechterung des Verlustfaktors ganz beseitigen ließ. Offenbar waren bisher nicht alle Ursachen, die zu einer solchen Verschlechterung führen bekannt.It has now been shown that with such capacitors over time a deterioration in the loss factor tan occurs, especially when exposed to moisture on the capacitor. This deterioration in the loss factor can be various Have causes. Attempts have been made to eliminate these causes, but so far they have been able to do so do not achieve that the deterioration in the loss factor completely eliminate let. Apparently were not so far all causes leading to such Known to lead to deterioration.
Es wurde nun gefunden, daß die Verschlechterung des Verlustfaktors, insbesondere bei Feuchteeinwirkung, wesentlich auf einer Verschlechterung des Kontaktes zwischen der Graphitschicht und der Silberschicht zurückzuführen ist.It has now been found that the deterioration in the loss factor, especially when exposed to moisture, essentially a deterioration in the contact between the graphite layer and the silver layer.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die Verschlechterung des Verlustfaktors eines Kondensators der eingangs genannten Art, insbesondere bei Feuchteeinwirkung, zu vermindern bzw. zu beseitigen.The invention is therefore based on the object of the deterioration the loss factor of a capacitor of the type mentioned above, in particular at To reduce or eliminate the effects of moisture.
Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 genannten Maßnahmen gelöst.This task is achieved by the characterizing part of claim 1 mentioned measures solved.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung können den Unteransprüchen entnommen werden.Advantageous further developments of the invention can be found in the subclaims can be removed.
Gemäß der Erfindung wird mindestens der an die Graphitschicht angrenzende Teil der Kontaktschicht durch Aufbringen und Zersetzen von Silbercitrat erzeugt.According to the invention, at least the one adjoining the graphite layer is Part of the contact layer produced by the application and decomposition of silver citrate.
Vorzugsweise wird das feingemahlene Silbercitrat als Suspension auf die Graphitschicht aufgebracht.The finely ground silver citrate is preferably used as a suspension applied the graphite layer.
Die Zersetzung erfolgt vorzugsweise durch Erhitzen auf 0 eine Temperatur von 170 bis 240°C.The decomposition is preferably carried out by heating to a temperature from 170 to 240 ° C.
Auf die so erhaltene Silberschicht wird zur Verstärkung vorzugsweise eine Leitsilberschicht aufgebracht.The silver layer thus obtained is preferred for reinforcement a conductive silver layer is applied.
Bei der Zersetzung des Silbercitrats und der dabei erforderlichen Erwärmung laufen verschiede Vorgänge ab, die offenbar den elektrischen Kontakt zwischen der Graphitschicht und der darauf entstehenden Silberschicht so stabil machen, daß später keine Verschlechterung dieses Kontakts, insbesondere bei Feuchteei nwi rkung, eintritt und somit auch keine Verschlechterung des Verlustwinkels.In the decomposition of the silver citrate and the necessary Different processes take place during heating, apparently the electric Contact between the graphite layer and the silver layer formed on it like this make stable that later no deterioration of this contact, especially with Moisture effect occurs and therefore no deterioration in the loss angle.
Bei der Erwärmung wird zunächst in der Oberflächenschicht des Graphits das im Graphit unvermeidlich enthaltene Bindemittel mindestens teilweise zu Kohlenstoff zersetzt.When heated, the graphite is first in the surface layer the inevitable binder contained in graphite at least partially to carbon decomposed.
Bei der Zersetzung des Silbercitrats scheidet sich das Silber auf der obersten Graphitschicht als katalytisch fenes Silber nieder und die bei der Zersetzung abgespaltene Citronensäure dringt in die Oberflächenschicht des Graphits ein, wodurch die elektrische Leitfähigkeit des Graphits positiv beeinflußt wird. Offenbar wird durch die gleichzeitige Veränderung der Oberflächenschicht des Graphits bei der thermischen Zersetzung des Silbercitrats und der gleichzeitigen Abschaltung von katalytisch feinem Silber ein sehr niedriger übergangswiderstand zwischen beiden Schichten erzielt, der sich als sehr stabil erweist.When the silver citrate decomposes, the silver separates the top graphite layer as catalytically fenes silver and the Citric acid split off by decomposition penetrates the surface layer of the graphite a, whereby the electrical conductivity of the graphite is positively influenced. It becomes apparent through the simultaneous change in the surface layer of the graphite during the thermal decomposition of the silver citrate and the simultaneous shutdown catalytically fine silver has a very low contact resistance between the two Layers achieved, which proves to be very stable.
An sich könnte die ganze Kontaktsilberschicht durch Zersetzen von Silbercitrat hergestellt werden. Dies ist eine r seit s unwirtschaftlich, andererseits ist nur e rfo rde rlich, daß die an die Graphitschicht anschließende Silberschicht in der erfindungsgemäßen Weise erzeugt wird. Deshalb wird in der Regel die Verstärkung der dünnen durch Zersetzen von Silbernitrat erhaltenen Schicht durch Aufbringen einer weiteren silberhaltigen Schicht, beispielsweise aus dem bekannten Leitsilber, vorgenommen.In itself, the entire contact silver layer could by decomposing Silver citrate can be produced. This is one of the reasons why it is uneconomical, on the other hand it is only necessary that the silver layer adjoining the graphite layer is generated in the manner according to the invention. Therefore, usually the gain the thin layer obtained by decomposing silver nitrate by application another silver-containing layer, for example made of the known conductive silver, performed.
Es soll noch darauf hingewiesen werden, d-aß es bei der Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit festem Elektrolyten an sich bekannt ist, als kathodische Kontaktschicht eine Silberschicht aufzubringen, die durch Zersetzen eines Silbersalzes einer Carbonsäure erhalten wird.It should also be pointed out that it was used in its manufacture of electrolytic capacitors with solid electrolyte per se is known as cathodic Contact layer to apply a layer of silver by decomposing a silver salt of a carboxylic acid is obtained.
Ein solches Verfahren ist in der DE-OS 24 45 169 beschrieben. Dort ist jedoch Silbercitrat als Ausgangsmaterial zur Erzeugung der Silberschicht nicht genannt und außerdem wird nach dem dort beschriebenen Verfahren die Silberschicht direkt auf die Halbleiterschicht, beispielsweise eine Mangandioxidschicht, aufgebracht. Hierdurch lassen sich jedoch die mit der Erfindung erzielten Vorteile nicht erreichen, da die oben beschriebenen Vorgänge bei der Herstellung der Silberschicht nach dem Verfahren gemäß der Erfindung bei der Bildung der Silberschicht auf der Halbleiterschicht nicht ablaufen.Such a method is described in DE-OS 24 45 169. there however, silver citrate is not the starting material for producing the silver layer and also the silver layer is made according to the method described there applied directly to the semiconductor layer, for example a manganese dioxide layer. However, this does not allow the advantages achieved with the invention to be achieved, since the above-described processes in the production of the silver layer after Method according to the invention in the formation of the silver layer on the semiconductor layer not expire.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843419552 DE3419552A1 (en) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | Process for manufacturing electrolyte capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843419552 DE3419552A1 (en) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | Process for manufacturing electrolyte capacitors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3419552A1 true DE3419552A1 (en) | 1985-11-28 |
Family
ID=6236855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19843419552 Withdrawn DE3419552A1 (en) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | Process for manufacturing electrolyte capacitors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3419552A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803596A (en) * | 1986-10-23 | 1989-02-07 | Basf Aktiengesellschaft | Solid-state capacitor with an electroconductive polymer as constituent of the solid electrolyte |
| US4929316A (en) * | 1988-09-02 | 1990-05-29 | Niksuko Corporation | Method of manufacturing organic semi-conductor solid electrolytic capacitor |
| US4934033A (en) * | 1987-01-23 | 1990-06-19 | Nitsuko Corporation | Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
-
1984
- 1984-05-25 DE DE19843419552 patent/DE3419552A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803596A (en) * | 1986-10-23 | 1989-02-07 | Basf Aktiengesellschaft | Solid-state capacitor with an electroconductive polymer as constituent of the solid electrolyte |
| US4934033A (en) * | 1987-01-23 | 1990-06-19 | Nitsuko Corporation | Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| US4929316A (en) * | 1988-09-02 | 1990-05-29 | Niksuko Corporation | Method of manufacturing organic semi-conductor solid electrolytic capacitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2052424C3 (en) | Process for making electrical line connections | |
| DE1214786B (en) | Electrical capacitor and process for its manufacture | |
| DE69106467T2 (en) | Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor. | |
| DE3631632C2 (en) | ||
| DE2252832A1 (en) | SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH ELECTRODES AND THE METHOD OF ITS MANUFACTURING | |
| DE3419552A1 (en) | Process for manufacturing electrolyte capacitors | |
| DE1220937B (en) | Method for producing an electrolytic capacitor with a sintered body made of titanium | |
| DE1298629B (en) | Electric capacitor and process for its manufacture | |
| DE2359431C2 (en) | Process for the production of a dielectric tape provided with a metal layer for electrical capacitors | |
| DE69410216T2 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing process | |
| US4097914A (en) | Solid electrolyte capacitor | |
| DE2532971C3 (en) | Method of manufacturing a dry electrolytic capacitor | |
| DE3780031T2 (en) | FIXED ELECTROLYTE CAPACITOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME. | |
| EP0024302A2 (en) | Solid electrolyte capacitor | |
| DE1813537C3 (en) | Process for the production of stable electrical thin-film resistance elements from valve metal | |
| DE2257063C3 (en) | Method for manufacturing a tantalum dry electrolytic capacitor | |
| DE2210728C3 (en) | ||
| AT249194B (en) | Process for the production of very thin electrically highly insulating layers on lacquer substrates, in particular for capacitors with high capacitance | |
| DE1962294C3 (en) | Tantalum electrolytic capacitor and process for its manufacture | |
| DE1133469B (en) | Electrical capacitor with metal oxide dielectric and process for its manufacture | |
| DE1216434B (en) | Method for manufacturing an electrolytic capacitor with solid electrolyte | |
| AT263171B (en) | Process for the production of electrical capacitors with an oxide layer as a dielectric and a semiconductor as a counter electrode | |
| DE1157707B (en) | Process for the production of electrolytic capacitors | |
| DE1589799C (en) | Process for the production of solid electrolytic capacitors | |
| DE7506930U (en) | Dry electrolytic capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |