DE3312501A1 - Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium - Google Patents

Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium

Info

Publication number
DE3312501A1
DE3312501A1 DE19833312501 DE3312501A DE3312501A1 DE 3312501 A1 DE3312501 A1 DE 3312501A1 DE 19833312501 DE19833312501 DE 19833312501 DE 3312501 A DE3312501 A DE 3312501A DE 3312501 A1 DE3312501 A1 DE 3312501A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
gaseous
hydrogen
temperature
halide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19833312501
Other languages
English (en)
Inventor
Alan Sand Lake N.Y. Ritzer
Bakulesh Navaranglal Corpus Christie Tex. Shah
Daniel Edward Scotia N.Y. Sliva
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Priority to DE19833312501 priority Critical patent/DE3312501A1/de
Publication of DE3312501A1 publication Critical patent/DE3312501A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Verfahren zur Her stellung von Monohydrogentr ihalogensilan
  • aus dem aus der Herstellung von Organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten Direktverfahrens erhaltenen Rückstandssilicium Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung Von Rückstandssilicium-Pulver, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung von Halogensilanen aus Rückstandssilicium-Pulver.
  • Das derzeitige technische Verfahren zur Herstellung von Organohalogensilanen ist dem Fachmann als Rochow-Verfahren bekannt und in der US-PS 2 380 995 beschrieben. Diese Patentschrift beschreibt die Direktreaktion eines Organohalogenids, wie Methylchlorid, mit Siliciumteilchen zur Herstellung von Organochlorsilan. Mit diesen Siliciumteilchen sind Kupferteilchen vermischt, wodurch eine reaktive Masse oder reaktive Kontaktmasse gebildet wird. Bei der praktischen Durchführung im technischen Maßstab wird diese Reaktion gewöhnlich in einer der drei nachfolgend aufgeführten Apparaturtypen durchgeführt, nämlich in einem Rührbett-Reaktor, wie er in der US-PS 2 449 821 beschrieben wird, in dem Wirbelbett-Reaktor gemäß der US-PS 2 389 931 oder in dem Drehrohrofen.
  • Organotrichlorsilane und Diorganodichlorsilane sind die zwei Basisprodukte der Reaktion des oben beschriebenen Direktverfahrens. Derartige Verbindungen werden zur Herstellung von Organopolysiloxan-Harzen eingesetzt, wie dies in den US-PSen 2 258 21 8 bis 2 258 222 beschrieben ist. Andere Produkte schließen Organopolysiloxan-Flüssigkeiten ein, wie sie in den US-PSen 2 469 888 und 2 469 890 aufgeführt werden, als auch die Organopolysiloxan-Elastomeren, die in der US-PS 2 448 756 beschrieben sind. Derzeit wird es bevorzugt, die D iorganodichlorsilane im technischen Haß stab herzu stellen, da sie ganz allgemein zur Herstellung der linearen Polysiloxan-Flüssigkeiten und -Polymeren eingesetzt werden, die für dieHerstellung von hitzegehärteten Kautschuk-Elastomeren und bei Raumtemperatur vulkanisierbaren Siliconkautschuk-Zubereitungen verschiedener Typen verwendet werden.
  • Bei einerbestimmten Stufe der Bildung der Organochlorsilane nach dem Direktverfahren wird die Siliciumteilchen enthaltende reaktive Masse oder reaktive Kontaktmasse weniger reaktiv, und es ist erwünscht, die reaktive Kontaktmasse zu ersetzen. Daher werden die erschöpften bzw. verbrauchten oder weniger reaktiven Siliciumteilchen aus dem Reaktor entfernt und neue Siliciumteilchen eingeführt, worauf die Reaktion erneut gestartet wird. Wenn die reaktive Kontaktmasse weniger reaktiv oder verbraucht und durch einen neuen Siliciumansatz ersetzt ist, wird diese weniger reaktive oder verbrauchte Kontaktmasse ganz allgemein als Rückstandssilicium, Rückstandssilicium-Pulver, Rückstandssilicium enthaltend e Kontaktmasse oder Rückstandskontaktmasse bezeichnet, wobei diese Ausdrücke in der vorliegenden Beschreibung als untereinander austauschbar gleichwertig nebeneinander verwendet werden Eine frühere Ldsung des Problems bestand darin, die Rückstandskontaktsnasse zu verwerfen, jedoch bleibt ein erheblicher Anteil an reaktivem Silicium in der RUckstandskontaktmasse zurück, und es ist aus Gründen der Ökonomie und zur Vermeidung von Abfallbeseitigungsproblemen erwünscht, zumindest einen Teil des in der Rückstandskontaktmasse zurückbleibenden Siliciumgehaltes zu verwerten.
  • Es wurde ein erheblicher Forschungsaufwand zum Auffinden eines Verfahrens getrieben, in welchem die Rückstandssilicium-Teilchen in dem zur Durchführung der Direktsynthese von Organochlorsilanen verwendeten Reaktor vollständiger verwertet werden können, derart, daß das Gewichtsverhältnis der Organotrichlorsilane (bekannt als T) zu den Diorganodichlorsilanen (bekannt als D) während eines längeren Zeitraums auf einer gewünschten Höhe gehalten werden könnte, wodurch eine maximale Ausnutzung der Siliciumteilchen zur herstellung von Diorganodichlorsilanen erzielt werden konnte.
  • bei der herstellung von Organochlorsilanen nach dem Direktverfahren von Rochow ist das Gewichtsverhältnis von Triorganochlorsilan zu Diorganochlorsilan (T/D) wünschenswerterweise etwa 0,1 während der Produktion von Organochlorsilanen, und vorzugsweise übersteigt es den Wert von etwa 0,35 nicht.
  • Jedoch wurde gefunden, daß in den meisten technischen Herstellungsverfahren das Verhältnis einen Wert von etwa 0,15 aufweist, wenn der Reaktor mit neuem Material gestartet wird, daß jedoch das Verhältnis nach Ablauf einer Reaktionsperiode bis zu einem Wert von 0,2 steigt. Einen sprunghaften Fortschritt auf diesem Gebiet ist das in der US-PS 3 133 109 offenbarte Verfahren . Dieses Verfahren beschreibt, daß die Siliciumteilchen vollständiger ausgenutzt werden und die Menge an Diorganodichlorsilan maximiert werden kann, wenn man die verwendeten Teilchen aus einem Wirbelbett-Reaktor durch eine außenseitige Strahlmtlhle hindurchführt. Als Alternative zu der außenseitigen Strahlmühle offenbart die vorerwähnte US-PS 3 133 109 das Nindurchführen der aus dem Reaktor im Kreis zurückgeführten verwendeten Siliciumteilchen durch eine Vielzahl von an der Basis des Reaktors angeordneten Schalldüsen, um eine Feinzerkleinerung der Teilchen oder das Aufbrechen der Siliciumteilchen als Ergebnis des Aufschlagens der Teilchen aufeinander oder auf die Wände des Reaktors zu bewirken.
  • Es wurde festgestellt, daß man bei Anwendung des Verfahrens der US-PS 3 133 109 aus der gleichen Nenge an Siliciumteilchen eine größere Menge an Diorganodichlorsilan erhalten kann, derart, daß das Verhältnis in der Nähe der gewünschten 0,1 5-Grenze gehalten werden kann und ffir einen längeren Zeitraum unterhalb der 0,35-Grenze bleibt. Jedoch wurde auch festgestellt, daß das Verfahren dieser Patentschrift eine ungenügende Ausnutzung von annähernd 12 bis 15 Q des Siliciums, das in den Reaktor eingeführt worden war und welches aus dem Verfahren als Abfall-Silicium entfernt werden muß, liefert. Es wurde im allgemeinen angenomman, daß dieses Silicium verbraucht oder erschöpft und daher nicht länger in der Lage war, ausgenutzt zu werden. Es ist erwünscht, dieses Abfall-Silicium auszunutzen, um die normalerweise bei der Beseitigung von Abfällen auftretenden Probleme zu verhindern und das Verfahren ökonomischer zu machen.
  • Darüber hinaus ist es noch mehr erwünscht, neue Verfahren aufzufinden, die im wesentlichen den gesamten Siliciumgehalt in den Siliciumrückstand enthaltenden Kontaktmassen ausnutzen können, nachdem das T/D-VerhMltnis bis zu einem unerwünschten Wert angestiegen ist.
  • In der US-PS 4 281 149 wird ein Verfahren zur Behandlung von Siliciumteilchen innerhalb eines derartigen Silicium-Reaktorsystems und die dadurch erzielte verbesserte Verwendbarkeit der Siliciummetallteilchen offenbart. Dieses Verfahren umfaßt eine Methode zum Behandeln von Siliciumteilchen, die im allgemeinen einen durch schnittlichen Durchmesser von weniger als 40 µm (40 Mikron) aufweisen, wobei derartige Teilchen zur entfernung des darauf befindlichen Oberflächenüberzugs abgeschliffen werden und die abgeschliffenen Teilchen in den Reaktor für eine weitere Verwendung zurAckgeführt werden können.
  • In der US-PS 4 307 242 wird ein anderes Verfahren zur Rückgewinnung und zum im Kreis Führen von feinverteilten Siliciumteilchen in einem Organoschlorsilan-Reaktorsystem offenbart. Das Verfahren dieser Patentschrift umfaßt eine Methode zur Klassierung der Kontaktmasse des Direktverfahrens durch die Teilchengröße, wodurch die besonders stark vergifteten oder unreinen (verbrauchten) Siliciumteilchen von den relativ nicht vergifteten Siliciumteilchen abgetrennt werden und nur derartig nicht vergiftete Teilchen im Kreis zurUckgeführt werden e wodurch der Ausnutzungsgrad des Siliciums verbessert wird. Demzufolge braucht zu irgendeinem gegebenen Zeitpunkt nur eine kleine Fraktion der verbrauchten feinen Siliciumteilchen anstelle der gesamten Masse der verbrauchten feinen Siliciumteilchen aus dein Direktverfahren beseitigt zu werden In der US-PS 4 307 242 wird feines abgezogenes Pulver (Rückstandskontaktmasse oder R(1ckstandssilicium) zu einem oder mehreren mechanischen Zyklonen zur Rückgewinnung geführt. Dieses beine abgezogene Pulver ist im allgemeinen die verbrauchte Reaktionsmasse aus einem Reaktor, der Organotrichlorsilan- und Diorganodichlorsilan-Produkte produziert. Vom Oberteil der Zyklone werden rohe T- und D- Produkte gewonnen und diese Produkte können kleine Mengen an darin mitgerissenen "sehr feinen1 Teilchen enthalten.
  • Der Rest der Reaktionamuse wird pneumatisch in den mechanischen Zyklonen behandelt und einem Aufnahmebehälter für anderweitige Verfügung zugeführt. Es ist erwünscht, in irgendeiner Stufe des in der US-PS 4 307 242 beschriebenen Verfahrens brauchbare Produkte zu erhalten, und insbesondere aus der relativ nicht vergifteten Fraktion der feinen Teilchen des Sekundär-Zyklons, die aus dem Klassierungsverfahren dieser US-Patentschrift herrühren. Es ist auch erwünscht, brauchbare Produkte aus Silicium und Rückstandssilicium enthaltenden Kontaktmassen, die aus irgendeiner anderen Quelle stammen, zu erhalten.
  • Ein derartiges brauchbares Produkt, das aus verschiedenartigen Reaktionen mit Silicium erhalten werden kann, ist Trichlorsilan, das hier auch als Monohydrogentrichlorsilan (HSiC13) bezeichnet wird. Eine Studie über die Wirkung von HC1 auf die Synthese von Methylchlorsilanen wird in Voorhoeve, "Organohalosilanes, Precursors to Silicones", Elsevier, Seite 138 (1967) berichtet. In dieser Literaturstelle werden Reaktionen angeführt, die mit Silicium von Hüttengualität in Gegenwart eines Kupferkatalysators mit verschiedenen molaren Verhältnissen von Methylchlorid : Chlorwasserstoff im Bereich von 6 : 1 bis 1 s 6 ausgeführt wurden. Jedoch wurden diese Reaktionen alle bei 300°C durchgeführt, und es wird in dieser Literaturstelle nichts über irgendeinen Temperaturselektivitätseffekt berichtet.
  • In der US-PS 2 488 487 werden erhöhte Ausbeuten der "wertvolleren Monoalkyisiliciumhalogenide" durch gleichzeitige Einführung eines Halogenwasserstoffs, z.B. Hoi, zusammen mit einem Alkylhalogenid beim Kontakt mit Silicium oder einer Legierung oder Mischung von Silicium mit Metall bei einer erhöhten Temperatur gefunden. Obwohl diese Patentschrift einen Temperaturbereich von 200°C bis 5500 anfährt, wird darin gefunden, daß ein Mischung von Chlorwasserstoff mit da Ausgangsmethylchlorid zu erhöhten Ausbeuten an Monomethylsiliciumchloriden führt, und es wird darin kein Hinweis auf verbesserte oder hohe Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilan oder auf irgendeinen Temperaturselektivitätseffekt gegeben.
  • In der US-PS 2 803 521 wird über ein Verfahren zur Behandlung verbrauchter metallischer Reaktionsmassen aus dem Direktverfahren zur Herstellung von Organohalogensilanen berichtet; wobei ausgeführt wird, daß die Reaktion von Methylchlorid und Silicium bei 200°C bis 500°C, gewöhnlich in Gegenwart von Kupfer oder Kupferchlorid, und oftmals unter Zusatz von HCl als Reaktionsteilnehmer, die bestbekannte und weit verbreitetste technische Anwendung des Direktverfahrens ist. Nach dieser Patentschrift liefert diese besondere Reaktion verschiedene Methylchlorsilane, wie beispielsweise CH3SlCl3, (CH3)2SiCl2, (CH3)3SiCl und CH3HSiCl2. Jedoch werden in dieser Patentschrift verbrauchte (rückständige) Silicium enthaltende Reaktionsmassen durch Dispergieren der Reaktionsmasse in Wasser oder verdünnter Salzsäure und In-Kontakt-bringen der dispergierten Masse mit einer Chloridquelle bei einer Temperatur im Bereich von 20°C bis 100°C behandelt. Die Siliciumteilchen setzen sich ab und werden von der darüberstehenden Flüssigkeit abgetrennt, und die Metallsalze in der überstehenden Lösung ausgefällt, gesammelt und als Frischkatalysator erneut verwendet. Diese Patentschrift schlägt weder die Herstellung von Monohydrogentrichlorsilan aus der verbrauchten metallischen Reaktionsmasse vor, noch gibt sie irgendeinen Hinweis auf irgendeinen Temperaturselektivitätseffekt.
  • Unter den wohlbekannten Anwendungsmöglichkeiten für Trichlorsilan ist eine Hydrosilationsreaktion von Trichlorsilan (Monohydrogentrichlorsilan) zur Herstellung von organofunktionellen Silanen und die Verwendung von Trichlorsilan als Ausgangsmaterial bei der Herstellung von hochreinem Silicium, wie dies in der U.K.-Patentanmeldung GB 2 028 289, veröffentlicht am 5. März 1980, diskutiert wird. Neueste Entwicklungen in der Halbleiterindustrie haben einen wachsenden Bedarf für preiswertes, hochreines SiLicium für elektronische Einrichtungen, lichtelektrische Solarzellen, und dergleichen, geschaffen. Die vorstehend erwähnte britische Patentanmeldung gibt ferner an, daß Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid durch Umsetzung von Silicium und Chlorwasserstoff hergestellt werden. Weiterhin wird in der US-PS 2 380 995 (Rochow-Verfahren) über die Reaktion von Chlorwasserstoff mit Silicium berichtet, wie dies von Combes in Compt. rend. 122, 531 (1896) beschrieben wird, bei welcher eine Mischung von etwa 80 * Trichlorsilan und 20 % Siliciumtetrachlorid beim Durchleiten von Chlorwasserstoff durch ein mit Silicium gefülltes und auf 3000C bis 44OOC erhitztes Eisenrohr erhalten wird. Es ist daher erwünscht, zusätzliche Quellen für Trichlorsilan, ökonomische Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und eine Synthese zur Herstellung von Trichlorsilan, in welcher die Ausbeute an Trichlorsilan verbessert ist, zu schaffen. Es ist ebenso erwünscht, verbesserte Verfahren zur Behandlung und Handhabung einer, aus der Herstellung von Organohalogensilanen nach der Reaktion des Direktverfahrens erhaltenen, Siliciumrückstand enthaltenden Kontaktmasse zu schaffen.
  • Demzufolge ist es eine primäre Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Verwendung von aus der Herstellung von Organochlorsilanen erhaltenem Siliciumrückstand zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan aus Silicium zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist darin zu sehen, ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan aus Rückstandssilicium-Kontaktmassen zu schaffen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Verbesserung der Menge an aus der Reaktion von Silicium mit Alkylhalogenid in dem metallkatalysierten Direktverfahren erhaltenen Monohydrogentrihalogensilan (Txihalogensilan) zu schaffen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Verbesserung der Ausbeute an Monohydrogentrichlorsilan (Trichlorsilan), erhalten aus der SiliciUrnruckstand enthaltenden Kontaktmasse, die bei der Herstellung von Organochlorsilanen durch die Reaktionen des metallkatalysierten Direktverfahrens anfällt, zu schaffen.
  • Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibunt.
  • Gemäß den Zielen der vorliegenden Erfindung werden Monohydrogentrihalogensilane aus dem Siliciumrückstand hergestellt, der bei der Herstellung von Organohalogensilanen nach dem metallkatalysierten Direktverfahren anfällt, wobei man das Rückstandssilicium gleichzeitig mit gasförmigem Halogenwasserstoff und gasförmigem Alkylhalogenid unter Bildung einer Rückstandssilicium-Kontaktmasse in intakt bringt und die Rückstandssilicium-Kontaktmasse auf eine niedrigere Temperatur als diejenige Temperatur, bei welcher eine wesentliche Alkylierung der Rückstandssilicium-Kontaktmasse erfolgt, erhitzt, wobei das Rückstandssilicium bei dieser Temperatur unter Bildung von Reaktionsprodukten reagiert, die Monohydrogentrihalogensilan enthalten. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Auswahl der Temperatur, auf welche die Rückstandssilicium-kontaktmasse erhitzt wird, entscheidend, und sie muß eine Temperatur sein, bei welcher eine Alkylierung der Silicium-Kontaktmasse inhibiert oder verzögert und bei welcher eine Hydrohalogenierung der Rückstandssilicium-Kontaktmasse gefördert wird. Im allgemeinen liegt die Temperatur, bei welcher die Hydrohalogenierung des Siliciums in der Rückstandssilicium-Kontaktmasse erfolgt, im Bereich von zwischen etwa 2000C und etwa 3500C. Die Temperaturselektivität kann andererseits als die Temperatur abzüglich der Temperatur, bei welcher eine wesentliche Alkylierung der RUckstandssilicium-ontaktmasse erfolgt, angegeben werden.
  • In Übereinstimmung mit zumindest einigen der Ziele der vorliegenden Erfindung wird auch ein Verfahren zur Verbesserung der aus der Reaktion von Silicium mit Alkylhalogenid in dem metallkatalysierten Direktverfahren erhaltenen Menge an Monohydrogentrihalogensilan beschrieben, das darin besteht, daß man das Silicium gleichzeitig mit gasförmigem Alkylhalogenid und gasförmigem Halogenwasserstoff unter Bildung einer Silicium-Kontaktmasse in Kontakt bringt, eine Temperatur zwischen etwa 2000C und etwa 3500C auswählt, bei welcher die Alkylierung der Silicium-Kontaktmasse inhibiert oder verzögert ist und bei welcher Hydrohalogenierung der Silicium-Kontaktmasse erfolgt oder gefördert wird und die Silicium-Kontaktmasse auf die ausgewählte Temperatur erhitzt, wobei das Silicium rit dem gasförmigen Alkylhalogenid und dem gasförmigen Halogenwasserstoff bei der ausgewählen Temperatur unter Bildung verbesserter Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilan reagiert.
  • Es wurde durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung gezeigt, daß durch gemeinsames Zuführen von gasförmigem Chlorwasserstoff und gasförmigem Methylchlorid zu einer Rückstandssili cium-Kontaktmasse die Alkyl ierungsreak tion zwischen dem Methylchlorid und dem Silicium unterdrückt wird, wenn die Reaktion bei ausgewählten abgesenkten Temperaturen durchgeführt wird. Obwohl durch die Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens im Vergleich zu der Siliciumausnutzung einer Reaktion zwischen Silicium von HAttenqualität und gasförmigem Chlorwasserstoff in Abwesenheit von Methylchlorid ein gewisser Verlust in der Siliciumausnutzung vorhanden ist, bleibt das Verfahren der vorliegenden Erfindung in denjenigen Fällen erwünscht, wo Methylchlorid-Quellen leicht verfügbar sind. Es wurde jedoch gezeigt, daß eine erhöhte Siliciumausnutzung nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung gegenüber der Siliciumausnutzung, wenn Methylchlorid in Abwesenheit von Chlorwasserstoff eingesetzt ist, ermöglicht wird. Es wurde ebenso festgestellt, daß Siliciumtetrachlorid als auch Monohydrogentrichlorsilan zusammen mit verschiedenen Methyltrichlorsilanen gebildet werden.
  • Jedoch wurde durch Auswahl einer abgesenkten Betriebstemperatur eine Unterdrückung der Bildung von Methylchlorsilanen durch Unterdrücken der Alkylierung erzielt, während die Hydrochlorinierungsreaktion zur Bildung von Monohydrogentri-.
  • chlorsilan gefördert wird.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung der Ausbeute an Monohydrogentrihalogensilanen (HSiX3), worin X ein Halogen bedeutet, bei welchem Silicium, und insbesondere ein bei der Herstellung von Organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten Direktverfahrens erhaltener Siliciumrückstand mit gasförmigem Alkylhalogenid in Gegenwart von gasförmigem Halogenwasserstoff umgesetzt wird.
  • Bis jetzt war die Reaktion im wesentlichen eine Alkylierungsreaktion des Siliciumrückstands, die zur Bildung von Alkylsiliciumhalogeniden führte, begleitet von lediglich einem geringen Ausmaß an Hydrohalogenierung. In Übereinstimmung mit zumindest einigen Zielen der vorliegenden Erfindung, und durch Steuerung der Temperatur, nämlich durch Ausführung der Reaktionen bei niedrigeren selektiven Temperaturen, wurde die Ausbeute an Monohydrogentrihalogensilan wesentlich verbessert und das Produkt ist bei bestimmten Ausführungsformen überwiegend Monohydrogentrihalogensilan.
  • Um die verbesserten Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilanen zu erzielen, ist die Temperaturselektivität entscheidend, und es wird das Silicium oder die RUckstandssilicium-Kontaktmasse auf eine niedrigere Temperatur als diejenige Temperatur erhitzt, bei welcher eine wesentliche Alkylierung des Siliciums oder der Rückstandssilicium-Kontaktmasse erfolgt.
  • Die überwiegenden Alkylsiliciumhalogenid-Produkte, die aus der Alkylierung des Siliciums herrühren, werden in den US-PSen 2 488 487 und 2 803 521 eindeutig erläutert. Ebenso werden die Ergebnisse von Alkylierung und Bydrohalogenierung durch In-Kontakt-bringen von Silicium mit Hüttengualität mit Methylchlorid und Chlorwasserstoff in variierenden Verhältnissen bei einer konstanten Temperatur durch die oben angegebene Literaturstelle von Voorhoeve erläutert. Es kann bei Betrachtung der Offenbarung und der Beispiele in der US-PS 2 488 487 ersehen werden, daß ohne Anwendung der Temperaturselektivität die Alkylierung des Siliciums die überwiegende Reaktion ist, wenn Methylchlorid und Chlorwasserstoff in Gegenwart eines Metallkatalysators bei erhöhten Temperaturen mit Silicium in Berührung kommen. Die US-PS 2 803 521 offenbart auch die verschiedenen Methylchlorsilane, welche durch die Reaktion von Methylchlorid und Silicium bei 200°C bis 500°C in Gegenwart von Kupfer und Chlorwasserstoff als zusätzlicher Reaktionsteilnehmer erhalten werden. Durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung wird die Alkylierungsreaktion unterdrückt, inhibiert oder verzögert, wohingegen die Hydrohalogenierungsreaktion durch sorgfältige Auswahl und Steuerung der Reaktionstemperatur gefördert wird.
  • In der oben angeführten Literaturstelle von Voorhoeve wird erläutert, daß dieses Phänomen auch durch Ändern des molaren Verhältnisses von Methylchlorid zu Chlorwasserstoff bei Aufrechterhaltung einer konstanten Temperatur von 3000C auftreten kann. So wird in dieser Literaturstelle erläutert, daß durch Erhöhen der Chlorwasserstoffmenge die Menge an Trichlorsilan in dem Produkt ansteigt, während die Menge der verschiedenen Methylchlorsilane abnimmt.
  • Sofern Methylchlorid als gasförmiges Alkylhalogenid und Chlorwasserstoff als gasförmiger Halogenwasserstoff eingesetzt werden und die Reaktion nach dem Direktverfahren unter Verwendung eines geeigneten Katalysators, wie beispielsweise Kupfer, durchgeführt wird, enthält das Produkt im allgemeinen Siliciumtetrachlorid (SiC14), Monohydrogentrichlorsilan, das ansonsten hier auch als Trichlorsilan (HSiC13) bezeichnet wird, Methylhydrogendichlorsilan (cH3H5iC12), Methyltrichlorsilan (CH3SiC13), Dimethyldichlorsilan [(CH3)25iC121, Trimethylchlorsilan (CH3)3SiClJ und einen Rückstand, der sich im allgemeinen aus mehreren Komponenten einschließend Hexachlordisilan (C13Si-SiC13) und verschiedenen Siloxanen zusammensetzt. Der Rückstand wird im allgemeinen als die hochsiedende Fraktion gekennzeichnet und enthält irgendeine Komponente mit einem Siedepunkt von größer als 70°C. Wie oben angegeben, ist gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren und in der bevorzugten Ausführungsform, bei welcher das gasförmige Alkylhalogenid Methylchlorid und der gasförmige Halogenwasserstoff Chlorwasserstoff ist, das gewünschte Produkt Monohydrogentrichlorsilan.
  • In den bevorzugten Aus führungs formen des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Silicium ein Rückstandssilicium, wie beispielsweise eine Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse, die nach der Synthese des Direktverfahrens oder der Herstellung von Organochlorsilanen, welche einen Metallkatalysator in der Reaktion verwendet, erhalten wird. In dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist das Rückstandssilicium ein solches, welches einen Metallkatalysator enthält, falls es die verbrauchte Kontaktmasse aus dem Direktverfahren, das einen Metallkatalysator verwendet, ist, oder es kann ein Metallkatalysator zu der Silicium-Kontaktmasse zugesetzt werden, falls diese keinen Metallkatalysator enthält, oder es erwünscht ist, nicht ausreichende Mengen an Metallkatalysator in der Rückstandskontaktmasse zu ergänzen. Im allgemeinen kann die Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse in Übereinstimmung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren andere Hilfsmittel und Additive enthalten, die bereits während der Reaktion des Direktverfahrens zugesetzt worden sind, oder es können Additive und Hilfsmittel, die das Verfahren der vorliegenden Erfindung nicht beeinträchtigen, zur Förderung der Hydrohalogenierungsreaktion oder für irgendeinen anderen geeigneten Zweck zugesetzt werden.
  • Die Synthese des Direktverfahrens oder der Herstellung von Organosilanen ist vorstehend und in der US-PS 2 380 995 (Rochow-Verfahren) beschrieben. Die vorliegende Erfindung kann ohne weitere Behandlung der zurückbleibenden Rückstandssilicium enthaltenden Kontaktmasse durchgeführt werden, beispielsweise nach der Synthese des Direktverfahrens von Roebow. Jedoch wird in den bevorzugten Ausführungsformen die Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse noch weiter behandelt0 um irgendwelche Teile der Rückstandskontaktmasse zu entfernen, welche die Bydrohalogenierungsreaktion vergiften oder beeinträchtigen, z.B. durch Zerkleinern, Abtrennen, Behandeln mit Mitteln zum Auflösen oder Extrahieren nicht reaktiver Substanzen, und dergleichen. In einer bevorzugten Ausführungsform kann die nach der Synthese des Direktverfahrens erhaltene Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse dem Verfahren unterworfen werden, das in der -US-PS 4 307 242 beschrieben wird. Gemäß diesem Verfahren wird eine Silicium enthaltende Kontaktmasse, die als "abgezogenes Kontaktmassen-Pulvers oder andererseits als wSilicium-Abrieb" bezeichnet wird, in einen aerodynamischen Zentrifugal-Klassierapparat geführt. Ein derartiger Klassierapparat ist eine Vorrichtung, die imstande ist, die Zyklon-Feinstoffe zu klassieren und in diskrete Fraktionen nach der Teilchengröße aufzuteilen. In dem allgemeinsten Fall werden die relativ groben Feinstoffe in den Organochlorsilan-Reaktor im Kreis zurückgeführt und die feinste Fraktion verworfen oder sonstwie beseitigt.
  • Jedoch enthält nach der US-PS 4 307 242 die sogenannte feinste Fraktion die überwiegend höchsten Prozentgehalte an Nicht-Silicium-Verunreinigungen, und es muß daher durch eine Untersuchung bestimmt werden, bis zu welcher Größenfraktion verworfen und welche Fraktion im Kreis zurückgeführt wird.
  • Daher wird in einem Verfahren zur Reinigung von Siliciummetall-Rontaktmasse aus einem Organohalogensilan-Reaktorsystem des Direktverfahrens gemäß der US-PS 4 307 242 ein Teil der Reaktor-Kontaktmasse auf die Teilchengrößenverteilung hin analysiert; die analysierte Kontaktmasse wird in eine relativ reine erste Fraktion und eine relativ unreine zweite Fraktion klassiert; und die ersten und zweiten Fraktionen werden segregiert. Die Silicium-Feinstoffe oder das abgezogene Kontaktmassen-Pulver kann in einem Sekundärzyklon gesammelt und in einen Aufnahmebehälter geleitet und danach zu einem Fördertrichter geführt werden, aus welchem die Silicium-Feinstoffe in einen mechanischen Klassierapparat gelangen, der vorzugsweise ein aerodynamischer oder Zentrifugal-Klassierapparat ist. Diese Feinstoffe werden hier als die Silicium-Feinstoffe definiert, welche aus einem, zur Abtrennung von verbrauchten Silicium-Feinstoffen aus dem Verfahren zur Herstellung von Organochlorsilan nach dem Direktverfahren verwendeten Sekundärzyklon gesammelt werden. In bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden die relativ reinen, klassierten Feinstoffe aus dem zweiten Zyklon gleichzeitig mit gasförmigem Halogenwasserstoff, wie Chlorwasserstoff, und mit gasförmigem Alkylhalogenid, wie Methylchlorid, unter Bildung einer Rückstandssilicium-Kontaktmasse in Kontakt gebracht; eine Temperatur zwischen etwa 2000C und etwa 3500C, bei welcher eine Alkylierung der Rückstandssilicium enthaltenden Kontaktmasse inhibiert oder verzögert und bei welcher eine Hydrohalogenierung der Rückstandssilicium enthaltenden Kontaktmasse gefördert wird, wird gewählt; und die Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse wird auf die ausgewählte Temperatur erhitzt, wobei das Silicium mit dem gasförmigem Alkylhalogenid und dem gasförmigem Halogenwasserstoff bei der ausgewählten Temperatur reagiert und verbesserte Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilan liefert.
  • In einer anderen Ausführungsform besteht die Quelle des Rückstandssiliciums in den zerkleinerten Siliciumteilchen, die aus dem Verfahren und der Vorrichtung stammen, die in der US-PS 3 133 109 beschrieben werden. Bei dem Verfahren dieser Patentschrift werden die Silicium enthaltenden gebrauchten Teilchen aus einem Wirbelbett-Reaktor durch eine außenseitige Strahlmühle geleitet oder durch eine Vielzahl von an der Basis des Reaktors angeordneten Schalldüsen geführt, um eine Feinzerkleinerung der Teilchen oder das Aufbrechen der Siliciumteilchen als Ergebnis des Aufschlagens der Teilchen aufeinander oder auf die Wände des Reaktors zu bewirken. Es kann daher eine beliebige Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, die durch Brechen der einzelnen Teilchen der Silicium enthaltenden Mischung durch Verdichten, Stoß, Schleifen, Zerreiben bzw. Zerstampfen oder dergleichen, zerkleinert, pulverisiert oder zerteilt worden ist.
  • In gewissen Fällen kann es möglich sein, ein ungebrauchtes Siliciumpulver als Siliciumquelle zu verwenden, das bisher noch nicht in einem Verfahren, wie den oben beschriebenen, verwendet worden ist. So kann ein beliebiges, feinzerteiltes Silicium, das vorzugsweise frei von irgendwelchen Verunreinigungen, die eine Verunreinigung des Endproduktes bewirken können, ist, in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit einem geeigneten Katalysator, wie beispielsweise dem bekannten Katalysator des Standes der Technik, eingesetzt werden.
  • Die Größe irgendwelcher Silicium- oder RUckstandssilicium-Teilchen, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, ist nicht entscheidend, und es kann das Silicium oder das Rückstandssilicium in irgendeiner beliebigen feinzerteilten Form vorliegen, wobei zur Erzielung optimaler Ergebnisse das Silicium in dem Reaktor im allgemeinen einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser im Bereich von etwa 20 pm (20 Mikron) bis etwa 200 Um (200 Mikron) aufweist.
  • Vorzugsweise haben zumindest 25 Gewichtsprozent der Siliciumteilchen effektive Durchmesser im Bereich von etwa 20 ym (20 Mikron) bis etwa 200 pm (200 Mikron). Es kann, wie bereits oben diskutiert, eine breite Vielzahl von Siliciumlegierungen, Rückstandssilicium-Legierungen oder entsprechende Silicium-oder RUckstandssilicium- und Metallmischungen in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Beispiele von Siliciumlegierungen oder -mischungen, die verwendet werden können, schließen Calcium-Silicium-Legierungen, Calcium-Mangan-Silicium-Legierungen, Mangan-Zirkonium-Silicium-Legierungen, Eisen-Silicium-Legierungen, Titan-Silicium-Legierungen, Zirkonium-Silicium-Legierungen, Kupfer-Silicium-Legierungen, innige Mischungen von Silicium mit Kupfer, Nickel, Zinn oder Silber, und dergleichen, ein.
  • Obwohl keine Beschränkung hinsichtlich des Apparates oder der Vorrichtung besteht, worin das Verfahren der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann, muß der Apparat oder die Vorrichtung ein solcher bzw. eine solche sein, daß darin das Silicium oder das Rückstandssilicium mit dem Alkylhalogenid und dem Halogenwasserstoff in ausreichender Weise in Kontakt gebracht und auf der Temperatur oder den Temperaturen, die für die Hydrohalogenierungsreaktion ausgewählt sind, gehalten oder eingestellt werden kann. Der Reaktor oder die Reaktionskammer kann von beliebiger geeigneter Grösse oder Form sein und ist vorzugsweise aus einem Material hergestellt, das durch die Reaktionsteilnehmer nicht korrodiert wird und mit den Reaktionsteilnehmern und den Produkten und/oder Nebenprodukten nicht reagiert. Der Apparat oder die Vorrichtung muß es ermöglichen, das Silicium oder die Silicium enthaltende Kontaktmasse auf die kritische Temperatur oder auf einenkritischenTemperaturbereich, wie er oben diskutiert wurde, zu erwärmen. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung kann kontinuierlich, intermittierend oder ansatzweise durchgeführt werden. Es können beliebige geeignete Arbeitsweisen des Standes der Technik zur DurchfUhrung des Verfahrens angewandt werden.
  • Ein Verfahren zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß man das Alkylhalogenid in Mischung mit dem Halogenwasserstoff über und durch ein stationäres Bett von Rückstandssilicium leitet, das auf der selektiven Temperatur gehalten wird, bei welcher die Alkylierung verzögert oder inhibiert und die Hydrohalogenierung gefördert wird. In einer anderen Weise kann das erfindungsgemäße Verfahren durch gleichzeitiges Durchleiten von Dämpfen des Alkylhalogenids und des Halogenwasserstoffs durch eine, das Rückstandssilicium enthaltende, von außen erhitzte, rotierende Trommel durchgeführt werden, wobei die erhitzte Trommel auf den selektiven Temperaturen gehalten wird. Wiederum eine andere Weise zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht im Vorwärmen der Dampfmischung auf die selektive Temperatur, bei welcher die Hydrohalogenierung gefördert und die Alkylierung inhibiert wird, bevor sie mit dem Rückstandssilicium in Kontakt gebracht wird.
  • Die Einführung der Gase und/oder Dämpfe in die Reaktionskammer ist nicht entscheidend, und es kann das Halogenwasserstoffgas und das Alkylhalogenidgas oder der Dampf vor dem Einführen derselben in die Reaktionskammer oder in das Reaktionsgefäß vermischt werden oder die Reaktionspartner können getrennt in die Reaktionskammer oder das Reaktionsgefäß eingeführt werden. Zur Sicherstellung eines geeigneten Verhältnisses der Gase in der Reaktionskammer oder dem Reaktionsgefäß können irgendwelche herkömmliche Zähl- und/oder Meßvorrichtungen eingesetzt werden. Es ist ebenso auch noch im Rahmen der vorliegenden Erfindung, wenn die Beschickung des Reaktors mit mehreren Gasströmen erfolgt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Verfahren so durchgeführt, daß man ein Wirbelbett von Rückstandssilicium oder Silicium herstellt und das Rückstandssilicium oder Silicium mit den geeigneten Gasen oder Dämpfen in Kontakt bringt, während das Rückstandssilicium oder Silicium in dem Bett gewirbelt wird. Es können verschiedene Ausführungsformen zur Aufrechterhaltung eines Wirbelbettes von Rückstandssilicium angewandt werden, welche die Anwendung einer Gas- oder Dampfgeschwindigkeit einschließen, die ausreichend ist, das Rückstandssilicium innerhalb des Reaktors im gewirbelten Zustand zu halten. Dies kann bewerkstelligt werden, indem man das Alkylhalogenid und/oder den Halogenwasserstoff in das teilchenförmige Rückstandssilicium bei einer geeigneten Geschwindigkeit injiziert, um die Teilchenmasse in den gewirbelten Zustand zu überführen. Eine optimale Geschwindigkeit des Gases und/oder der Dämpfe kann von einem auf diesem Gebiete erfahrenen Fachmann bestimmt werden und sie hängt von verschiedenen Betriebsbedingungen ab. Falls ein Rührbett-Reaktor oder ein Drehrohrofen verwendet wird, kann die Gasgeschwindigkeit oder die Strömungsrate unterhalb der Minimalgeschwindigkeit, die für eine Fluidisierung des Siliciums in dem Reaktor erforderlich ist, liegen und kann die stöchiometrische Menge des für die Reaktion mit dem Silicium erforderlichen Halogenwasserstoffs und Alkylhalogenids genauer widerspiegeln. Selbstverständlich können andere Mittel zur Aufrechterhaltung des Bettes von Rückstandssilicium in einem gewirbelten Zustand angewandt werden, während es in Kontakt mit dem Alkylhalogenid und dem Halogenwasserstoff steht und es liegt ebenfalls im Rahmen der vorliegenden Erfindung, eine Kombination von Mitteln zu verwenden, welche das Bett des Rückstandssiliciums in einem gewirbelten Zustand halten.
  • Obwohl es im allgemeinen wegen des Erfordernisses von stabilen Entlüftungsvorrichtungen unerwünscht ist, besteht jedoch die Möglichkeit, ein Inertgas, beispielsweise Stickstoff, oder zugeführte andere Wirbelmittel zum Wirbeln der Rückstandssilicium enthaltenden Kontaktmasse einzusetzen. Ein herkömmlicher Wirbelbettreaktor wird in der US-PS 2 389 931 beschrieben. Andere Alternativvorrichtungen zum In-Berührungbringen des Rückstandssiliciums mit den gasförmigen Materialien schließen einen Reaktor vom Rührbett-Typ, wie er in der US-PS 2 449 821 beschrieben wird, oder einen herkömmlichen Drehrohrofen, ein. Mittel zur Beheizung des Bettes von Rückstandssilicium in dem Reaktor und Mittel zum Aufrechterhalten des Bettes von Rückstandssilicium auf der gewünschten Temperatur, bei welcher die Hydrohalogenierungsreaktion gefördert und die Alkylierungsreaktion inhibiert wird, können ferner auch in Form beliebiger herkömmlicher Vorrichtungen vorgesehen werden, und es können in dem erfindungsgemäßen Verfahren sowohl innenseitige als auch außenseitige Heiz-und/oder Kühlvorrichtungen, welche das Heizen der Gase und/ oder Dämpfe einschließen, eingesetzt werden. Die vorstehenden Literaturstellen enthalten Beispiele von herkömmlichen Vorrichtungen zum Beheizen der darin enthaltenen Betten.
  • In der bevorzugten Aus führungs form der vorliegenden Erfindung ist das Alkylhalogenid Methylchlorid (CH3C1). Im allgemeinen umfassen die Alkylhalogenide, die in dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt werden können, solche Verbindungen, welche die allgemeine Formel RnE2n+1X aufweisen, in welcher X Halogen und der Index n eine ganzeZahl mit einem Wert von 1 bis 4 bedeuten. Die Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen kann geradkettig oder verzweigtkettig und das Halogen kann Chlor, Brom, Jod oder Fluor sein. In dem erfindungsgemäßen Verfahren kann ein einziges Alkylhalogenid oder eine Mischung von Alkylhalogeniden in der Reaktion eingesetzt werden.
  • Der bevorzugte Halogenwasserstoff, der in dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden kann, ist Chlorwasserstoff.
  • Jedoch können als Halogenwasserstoff in verschiedenen Ausführungsformen Bromwasserstoff, Jodwasserstoff oder Fluorwasserstoff verwendet werden. Es ist ebenso auch möglich, in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung Mischungen von Halogenwasserstoffen einzusetzen.
  • Die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung angewandte Menge oder die Verhältnisse von Halogenwasserstoff und Alkylhalogenid sind nicht entscheidend. Üblicherweise werden 0,5 bis 20 Volumteile Halogenwasserstoff pro Teil verdampftem Alkylhalogenid verwendet, jedoch kann der Halogenwasserstoff, falls gewünscht, in größeren oder kleineren Verhältnissen eingesetzt werden. In gewissen Ausführungsformen liegt das molare Verhältnis von Alkylhalogenid zu Halogenwasserstoff im Bereich von etwa 6 : 1 bis etwa 1 : 6. Jedoch ist in gewissen bevorzugten Ausführungsformen das molare Verhältnis von Alkylhalogenid zu Halogenwasserstoff im Bereich von etwa 3 : 1 bis etwa 1 : 3. In einer bevorzugten AusfUhrungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher das Alkylhalogenid Methylchlorid und der Halogenwasserstoff Chlorwasserstoff ist, beträgt das molare Verhältnis von Methylchlorid : Chlorwasserstoff etwa 3 : 1. Es wurde, wie bereits oben diskutiert, von Voorhoeve berichtet, daß bei ansteigender Menge an Chlorwasserstoff die Menge an Trichlorsilan in der Reaktion von Chlorwasserstoff und Methylchlorid mit Silicium bei einer Temperatur von 3000C in Anwesenheit eines Kupferkatalysators ansteigt.
  • Die Strömungsgeschwindigkeit von Gas oder Dampf ist in dem erfindungsgemäßen Verfahren nicht entscheidend, jedoch wird sie in bevorzugten Ausführungsformen so eingestellt, daß in einem einzigen Durchgang durch das Bett von Rtskstandssilicium ein Verbrauch von etwa 0,5 oder mehr an Alkylhalogenid bewirkt wird. Da es manchmal schwierig ist, in einem einzigen Durchgang einen hohem Umwandlungsgrad zu erzielen, kann in einem solchen Fall ein beträchtlicher Teil, beispielsweivon etwa 0,5 bis etwa 0,8, der aus dem Bett herausströmenden Dämpfe in dasselbe zurückgeführt werden, um einen weiteren Verbrauch an Alkylhalogenid zu bewirken. Eine derartige Rückführung der Dämpfe ist insofern von weiterem Vorteil, als sie die Temperatur über die Reaktionszone hinweg besser ausgleicht und dazu führt, daß die Reaktion anstelle in örtlichen Bereichen des Bettes stattzufinden innerhalb eines großen Teiles des Rückstandssilicium enthaltenden Bettes erfolgt. Während man auf diese Weise arbeitet, kann ein Teil der aus dem Rückstandssilicium-Bett, das heißt aus dem Reaktor ausströmenden Dämpfe aus dem Reaktionssystem abgezogen und zur Kondensation von irgendwelchem Produkt darin gekühlt werden. Der Betrieb kann solange fortgesetzt werden, bis das Silicium in dem Rückstandssilicium bis zum gewünschten Punkt verbraucht ist. Wie oben bereits angegeben, ist auch ein chargenweises Verfahren möglich, und es kann in gewissen Fällen der-Reaktor anfänglich mit dem gasförmigen Alkylhalogenid und Halogenwasserstoff beschickt und auf der gewünschten selektiven Temperatur gehalten werden, bis die Reaktion beendet ist. Die Beendigung der Reaktion oder die nahezu erfolgte Beendigung der Reaktion kann leicht durch die weiter unten im einzelnen angegebene Produktanalyse bestimmt werden.
  • Wie bereits oben erläutert, ist die Temperatur der Reaktion des Alkylhalogenids und des Halogenwasserstoffs mit dem Rückstandssilicium entscheidend und muß selektiv eingestellt werden, um die gewünschte Hydrohalogenierung des Siliciums zu erzielen. Die Rückstandssilicium-Rontaktmasse, das heißt das Rückstandssilicium in Anwesenheit des Halogenwasserstoffs und des Alkylhalogenids, wird selektiv auf eine Temperatur im Bereich von etwa 2000C bis etwa 35O0C in Abhängigkeit von den Variablen des Verfahrens erhitzt. Demzufolge wird, um die verbesserten Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilanen gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung zu erzielen, die Rückstandssilicium-Kontaktmasse in Anwesenheit des gasförmigen Halogenwasserstoffs und des gasförmigen Alkylhalogenids auf eine Temperatur erhitzt, die niedriger ist als die Temperatur, bei welcher eine wesentliche Alkylierung des Siliciums erfolgt oder gefördert wird. Im allgemeinen.
  • wird das Rückstandssilicium bei der Herstellung von Monohydrogentrichlorsilan in Gegenwart von Methylchlorid und Chlorwasserstoff auf eine Temperatur zwischen etwa 200°C und etwa 350°C erhitzt, wobei die Temperatur niedriger ist als die Temperatur, bei welcher eine wesentliche Alkylierung des Rückstandssiliciums erfolgt und bei einer Temperatur, bei welcher eine wesentliche Hydrohalogenierung des Siliciums eintritt. Im allgemeinen ist anzuneheen, daß eine wesentliche Hydrohalogenierung erreicht ist, wenn etwa 15 Gewichtsprozent, bestimmt durch Gaschromatographie, des Produktes Monohydrogentrihalogensilan ist. Im allgemeinen ist anzunehmen, daß die Alkylierung im wesentlichen Maße erfolgt, wenn die Verteilung der Organohalogensilane in dem Gesamtprodukt, bestimmt durch Gaschromatographie, etwa 70 Gewichtsprozent oder mehr beträgt. Demzufolge muß zur Verbesserung der Monohydrogentrihalogensilanmenge in dem Reaktionsprodukt von Silicium in der Rückstandssilicium-Kontaktmasse, und Alkylhalogenid und Halogenwasserstoff eine Temperatur zwischen etwa 2000C und etwa 3500C ausgewählt werden, bei welcher die Alkylierung der Silicium-Kontaktmasse inhibiert ist und bei welcher eine Hydrohalogenierung der Silicium-Kontaktmasse erfolgt, und es wird die Silicium-Kontaktmasse auf die ausgewählte Temperatur erhitzt, wobei das Silicium mit dem gasförmigen Alkylhalogenid und dem gasförmigen Halogenwasserstoff bei der ausgewählten Temperatur unter Bildung verbesserter Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilan reagiert.
  • Die Temperaturselektivität kann leicht durch eine Produktanalyse bestixmnt werden, indem man entweder den Produktstroms den rückgeführten Gasstrom, das Gas in der Reaktionskammer und dergleichen, mittels Gaschromatographie oder irgendeiner äquivalenten Analyse zur Messung der Zusammensetzung der Gase überwacht. Dieses Überwachen des geeignete ten Stroms oder der Kammer kann intermittierend oder kontinuierlich erfolgen, und es kann mittels herkömmlicher Einrichtungen, Geräte und dem Fachmann bekannten Arbeitsweisen durchgeführt werden. Wenn die Alkylierungsreaktion erfolgt und die Organohalogensilane in unerwünschten Mengen, d.h.
  • in wesentlichen Mengen in dem überwachten Strom oder der Kammer auftreten, wird die Temperatur zur Unterdrückung von Alkylierung und zur Förderung der Hydrohalogenierung des Siliciums in der Rückstandssilicium-Masse abgesenkt. Darüber hinaus kann es in gewissen Fällen erforderlich sein, die Temperatur innterhalb eines Bereiches zu steuern, in welchem Alkylierung unterdrückt und Hydrohalogenierung gefördert wird.
  • Wenn beispielsweise die Reaktion nach der Initiierung exotherm wird, kann es erwünscht sein, die Temperatur innerhalb eines Bereiches zu steuern, der die Alkylierung des Siliciums unterdrückt und die Hydrohalogenierung des Siliciums fördert.
  • Dies kann auch bestimmt werden, indem man die Gase in den Strömen und/oder der Kammer, wie oben beschrieben, überwacht und geeignete Maßnahmen trifft, um das Aufheizen zu beenden und/oder für eine herkömmliche Kühlung zu sorgen, um die selektive Temperatur aufrechtzuerhalten. Aus der vorstehenden Diskussion ist es ersichtlich, daß die selektive Temperatur auch einen Temperaturbereich umfassen kann, innerhalb dessen die Alkylierungsreaktion unterdrückt und die Hydrohalogenierungsreaktion gefördert wird.
  • Gewisse Variable, welche die Reaktion zwischen dem Silicium in der Rückstandssilicium-Kontaktmasse mit dem Alkylhalogenid und dem Halogenwasserstoff bewirken werden, umfassen das als Ausgangsmaterial verwendete besondere Alkylhalogenid und den Halogenwasserstoff, und die Bedingungen, unter welchen die Reaktion durchgeführt wird, wie beispielsweise die Kontaktzeit der Reaktionsteilnehmer, die Qualität und die Teilchengröße des Siliciums, und dergleichen. Darüber hinaus differiert die Geschwindigkeitskonstante, K, für jede Reaktion und unter variierenden Bedingungen, und dies hat eine Wirkung auf die Temperaturselektivitat zur Folge, obwohl in der Praxis die Temperaturselektivität sehr leicht für irgendeine Reihe von Reaktionsbedingungen, Reaktionsteilnehmern, Reaktoreinrichtung, und dergleichen, durch Überwachen der Produktgase wie oben beschrieben, bestimmt werden kann.
  • Die Reaktion wird gewöhnlich bei atmosphärischem Druck durchgeführt, jedoch können niedrigere oder viel höhere Drucke, beispielsweise Drucke bis zu 137,9 bar (2000 lbs per square inch), angewandt werden. Verdünnungsmittel, wie Kohlendioxid, Kohlenmonoxid, Siliciumtetrachlorid, Stickstoff und verschiedene andere Inertgase können ebenfalls, falls gewünscht, zugesetzt werden.
  • Die durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellten Produkte können gesammelt und mit Hilfe herkömmlicher Einrichtungen und Verfahren getrennt werden. So kann das Produkt aus der Reaktion der vorliegenden Erfindung geeigneterweise gesammelt und das Monohydrogentrichlorsilan daraus durch irgendeine geeignete Arbeitsweise abgetrennt werden. Eine Methode des Sammelns besteht in der Kondensation in einem herkömmlichen Kondensator, der mit einem geeigneten Kühlmittel, beispielsweise einem Kühlmittel auf Methanolbasis, auf etwa -2O0C gekühlt wird. Dies führt zur Kondensation von Monohydrogentrichlorsilan, Siliciumtetrahalogenid, Organohalogensilanen und anderen Nebenprodukten und Rückstand. Sie werden in geeigneter Weise gesammelt und können anschließend mittels irgendeines geeigneten Trennverfahrens, das fraktionierte Destillation einschließt, getrennt werden.
  • Im allgemeinen ist es erwünscht, das Verfahren der vorliegenden Erfindung unter wasserfreien Bedingungen durchzuführen, um die Bildung von Bydrolyse-Nebenprodukten und anderen unerwünschten Nebenprodukten zu verhindern, welche die Ausbeute der Monohydrogentrihalogensilane erniedrigen. Demzufolge können in bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung Schritte unternommen werden, um Feuchtigkeit aus dem System und aus den Reaktionsteilnehmern auszuschließen.
  • Auf alle in der vorliegenden Beschreibung angeführten Patentschriften und Veröffentlichungen wird ausdrücklich Bezug genommen und der Offenbarungsgehalt aller dieser Veröffentlichungen durch diese Bezugnahme in vollem Umfang in die vorliegende Anmeldung integriert.
  • Beispiele Die nachfolgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung, sollen diese jedoch nicht beschränken.
  • Als Reaktor wurde ein elektrisch beheizter Rührbett-Reaktor, bestehend aus einem Rohr aus rostfreiem Stahl mit einem Durchmesser von 2,54 cm (1 inch) und einer Länge von 45,7 cm (18 inch), versehen mit spezifisch geflanschten Endverschlüssen und einem, durch einen Elektromotor angetriebenen diskontinuierlichen Schneckenbandrührer zum Rühren des Bettes,verwendet. Der Rohrabschnitt wurde in eine obere und eine untere Reaktionszone unterteilt, wobei jede Reaktionszone mit einer unabhängigen Heizvorrichtung zum Halten der Zonen auf den gewünschten Temperatureinstellungen versehen war. Der Reaktorkörper oder das Reaktorrohr waren ausreichend isoliert, um Wärmeverluste und Wärmeschwankungen zu verhindern. Am Boden des Rohrs war ein Eingang für die Gase und/oder Dämpfe vorgesehen, d.h. für das Alkylhalogenid und den Halogenwasserstoff. Am Oberteil des Rohrs war ein Ausgang vorgesehen, der mit einem geeigneten Kühler versehen war, um die Kondensation des flüssigen Trichlorsilan-Produkts und irgendwelcher Nebenprodukte sicherzustellen, sowie ein geeigneter Entlüfter für die Entlüftung von Gasen. Es wurden geeignete Glas- und Kunststoffverbindungsstücke und -rohre verwendet, um die korrosive Einwirkung der Reaktionsgase so gering wie möglich zu halten. Für diese Beispiele wurden die Reaktionen in einem Chargenverfahren durchgeführt.
  • Die in den folgenden Beispielen verwendete Rückstandssilicium enthaltende Kontaktmasse bestand aus SekundArzyklon-Feinstoffen, wie sie in der US-PS 4 307 242 offenbart und beansprucht werden. Die Rückstandssilicium-SekundArzyklon-Feinstoffe wurden analysiert und enthielten angenähert 2,1 Gewichtsprozent Kohlenstoff, 3,8 Gewichtsprozent Kupfer, 2,7 Gewichtsprozent Eisen, 1,7 Gewichtsprozent Aluminium, 1,0 Gewichtsprozent Zink, 69,0 Gewichtsprozent Silicium und einen Rest von Chlor, Wasserstoff und Spurenmengen anderer Elemente. Die ausersehene Menge an Sekundärzyklon-Feinstoffen wurden in das oben beschriebene Rührbett-Reaktorsystem eingebracht. Die Temperatur der Reaktionszone wurde während der Versuchsdauer auf der ausgewählten Temperatur gehalten. Methylchlorid und/oder wasserfreier Chlorwasserstoff wurden in den für jedes Beispiel angegebenen Raten in die Reaktionszone über einen linearen Durchflußmesser gemessen eingespeist. Die Reaktionen wurden bei drei Temperaturen, nämlich bei 3000C, 2500C und 2000C, durchgeführt. Vor der Reaktionsstudie wurde das innere Temperaturprofil des Reaktors unter einem Stickstoffstrom unter Verwendung eines Thermoelement-Fühlers festgelegt. Auf diese Weise wurden die Temperaturregeleinstellungen bestimmt. Unter Reaktionsbedingungen wurden die Reaktoraußentemperaturen (sowohl die Reaktions- als auch die oberen Zonen) kontinuierlich überwacht.
  • Der Strom des Methylchlorid-Reaktionsteilnehmers wurde unter Verwendung eines serienmäßigen Rotamessers als linearem Durchflußmesser standardisiert. Die Chlorwasserstoff-Co-Beschickungen wurden unter Verwendung eines linearen Durchflußmessers mit geeignetem Korrektionsfaktor bewerkstelligt.
  • Die Reaktionsraten wurden durch die Gewinnung des Rohprodukts pro Zeiteinheit bestimmt. Methylchlorsilan-Rohprodukte (Rohfraktionen) wurden auf Basis von Gaschromatographieanalysen korrigiert, das heißt hinsichtlich nichtumgesetztem Methylchlorid normalisiert. Die Siliciumausnutzung wurde durch Subtraktion des zur Bildung des Produktes verbrauchten Siliciums von dem anfänglichen Siliciumgehalt, wie er durch Alkalischmelze einer Probe der Kontaktmasse bestimmt wurde, von dem Anfangs-Siliciumgehalt berechnet. Für diesen Zweck kann irgendeine geeignete Siliciumanalyse angewandt werden.
  • Die Rohprodukt-Verteilungen wurden durch Gaschromatographie bestimmt. Der Gehalt des Rückstands oder der hochsiedenden Fraktion wurde ebenfalls durch Gaschromatographie bestimmt.
  • Für die Fälle von vergleichenden Gesamtmaterial-Ausbeuten mit Methylchlorid, Chlorwasserstoff oder gemischten Methylchlorid/Chlorwasserstoff-Beschickungen bei variierten Temperaturen wurden die Kontaktmassen bis zur Erschöpfung umgesetzt, d.h. bis keine weitere Rohproduktbidung mehr erfolgte.
  • Beispiel 1 Eine Probe der oben beschriebenen Sekundärzyklon-Feinstoffe im Gewicht von 50,0 g wurden in den oben beschriebenen Reaktor eingebracht und wasserfreier Chlorwasserstoff in den Reaktor in einer Rate von 100 SCCM eingespeist. Der Reaktor wurde auf normalem Druck gehalten und auf 3000C aufgeheizt.
  • Das Produkt wurde, wie oben beschrieben, analysiert, und es wurden etwa 76 % des in den Sekundärzyklon-Feinstoffen enthaltenden Siliciums zu Produkt umgewandelt, von dem etwa 94,4 % aus Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid bestand.
  • Etwa 4,6 Gewichtsprozent des abgezogenen Produkts wurde als hochsiedender Rückstand angesehen, d.h. es hatte einen Siedepunkt von höher als 70°C, wobei von diesem Produkt etwa die Hälfte Hexachlordisilan war. Die Ergebnisse werden zu Vergleichszwecken in den nachstehenden Tabellen I und II gezeigt.
  • Beispiel 2 Alle Reaktionsbedingungen und -mengen waren in diesen Beispielen die gleichen, wie in Beispiel 1, mit der Ausnahme, daß der Rthrbett-Reaktor bei normalem Druck auf einer Temperatur von 250°C gehalten wurde. Die analytischen Daten dieses Beispiels sind in den nachstehenden Tabellen I und II angegeben.
  • B e i s p i e l 3 Die Reaktionsbedingungen und -mengen waren in diesem Beispiel die gleichen wie in Beispiel 1, mit der Ausnahme, daß der Rührbett-Reaktor bei Normaldruck auf einer Temperatur von 200°C 200°C gehalten wurde. Die erhaltenen Ergebnisse dieses Beispiels sind in den nachstehenden Tabellen I und II angegeben.
  • B e i s p i e l 4 Rückstandssilicium-Sekundärzyklon-Feinstoffe, die aus dem gleichen Ansatz wie bei den vorhergehenden Beispielen stammten, wurden in dem gleichen Rührbett-Reaktorsystem, wie es für die Beispiele 1 bis 3 beschrieben wurde, unter Verwendung einer Beschickung von gasförmigem Methylchlorid bei 300°C C und Normaldruck wie in Beispiel 1 umgesetzt. In diesem Beispiel wurde kein wasserfreier Chlorwasserstoff verwendet.
  • Es wurde eine Ausnutzung von etwa 36 % Silicium erzielt, wobei etwa 92 % des Produktes aus Methyltrichlorsilan und Dimethyldichlorsilan bestanden; 2,6 Gewichtsprozent des Produktes war ein hochsiedender Rückstand, von welchem etwa 85 Gewichtsprozent 1,1,2-Trichlortrimethyldisilan und 1,1,2,2-Tetrachlordimethyldisilan waren. Die Ergebnisse dieses Beispiels sind in den nachfolgenden Tabellen I und II angegeben.
  • B e i s p i e l 5 Eine andere identische Probe der Sekundärzyklon-Feinstoefe wurde gemäß dem Verfahren von Beispiel 4 behandelt, mit der Ausnahme, daß die Reaktion bei 2500C bei Normaldruck durchgefUhrt.wurde. Die Ergebnisse dieses Beispiels sind in den nachfOlgenden Tabellen I und II angegeben.
  • Beispiel 6 Rückstandssilicium-Sekundärzyklon-Feinstoffe im Gewicht von 50,0 g, die aus dem gleichen Ansatz wie bei den vorstehenden Beispielen stammten, wurden in dem gleichen Reaktorsystem bei 3000C und Normaldruck umgesetzt, wobei sowohl Methylchlorid-Gas und wasserfreies Chlorwasserstoff-Gas verwendet wurden, derart, daß der gesamte molare Durchsatz von Gas pro Zeiteinheit identisch mit dem der vorhergehenden Beispiele war. Die Gase wurden gemessen, um ein 3 : 1 molares Verhältnis der Methylchlorid : Chlorwasserstoff-Verteilung zu erhalten. Insgesamt wurde eine Siliciumausnutzung von etwa 64 % erzielt. Etwa 22 Gewichtsprozent des abgezogenen Produktes war eine Mischung von Siliciumtetrachlorid und Trichlorsilan; etwa 59 Gewichtsprozent des abgezogenen Produktes war eine Mischung von Methyltrichlorsilan und Dimethyldichlorsilan; und der Rest bestand überwiegend aus etwa 12 Gewichtsprozent Methylmonohydrogendichlorsilan, etwa 2,5 Gewichtsprozent Trimethylchlorsilan und etwa 3,1 Gewichtsprozent Rückstand und Dimethylmonohydrogenchlorsilan. Die Ergebnisse dieses Beispiels sind in den nachstehenden Tabellen I und II angegeben.
  • Beispiel 7 Die Reaktionsbedingungen und -mengen waren identisch mit denjenigen des vorstehenden Beispiels 6, mit der Ausnahme, daß die Reaktionstemperatur 250°C bei Normaldruck betrug. Die Gesamtausnutzung des Siliciums war 50 %. Die in den nachstehenden Tabellen I und II angegebenen Ergebnisse dieses Beispiels zeigen, daß die Ausnutzung von Silicium zu erwünschten Produkten, Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid, annähernd doppelt mit Hilfe der Herabsetzung der Reaktionstemperatur war, d.h. 13,2 % bei 3000C und 25,5 % bei 2500C.
  • B e i s p i e l 8 Die Reaktionsbedingungen und Mengen waren identisch mit denjenigen der vorstehenden Beispiele 6 und 7, mit der Ausnahme, daß in diesem Beispiel eine Reaktionstemperatur von 2000C angewandt wurde. Die Gesamtausnutzung von Silicium betrug 31 %. Die Ergebnisse dieses Beispiels sind in den nachstehenden Tabellen 1 und II niedergelegt.
  • T a b e l l e I Zusammenstellung der Produkte bei verschiedenen ausgewählten Temperaturen
    P r o d u k t v e r t e i l u n g
    Reaktions-
    Beispiel Beschickungs- temperatur
    2A 3B 4C 5D 6E 7F
    Nr. gas (°C)
    1 HCl 300 68,08 26,38 0,10 Spuren 0,58 0,11
    2 HCl 250 69,82 25,63 0,04 Spuren 0,28 0,10
    Nicht
    3 HCl 200 74,20 16,39 0,01 0,06 0,09
    bestimmt
    4 ¹MeCl 300 Spuren Spuren 1,07 3,73 19,66 71,88
    5 ¹MeCl 250 Spuren Spuren 0,15 3,49 10,83 80,14
    (3:1)
    6 300 16,27 5,39 12,39 2,48 36,37 22,85
    ¹MeCl:HCl
    (3:1)
    7 250 38,13 10,89 8,32 0,67 20,57 14,33
    ¹MeCl:HCl
    (3:1)
    8 200 64,17 13,97 2,81 Spuren 9,21 1,36
    ¹MeCl:HCl
    ¹MeCl = Methylchlorid ²A = Trichlorsilan (HSiCl3) ³B = Siliciumtetrachlorid (SiCl4) 4C = Methyldichlorsilan 5D = Trimethylchlorsilan 6E = Methyltrichlorsilan 7F = Dimethyldichlorsilan T a b e l l e II Zusammenstellung der Reaktionsbedingungen und Produktverhältnisse
    Reaktions- Insgesamt % Si % Si
    Beispiel Beschickungs- temperatur verwendete verwendet für verwendet
    Nr. gas (°C) % Si Produkt A+²B für MCS* ²B/A ²E/F % R**
    1 HCl 300 76,5 72,3 0,60 0,39 - 4,60
    2 HCl 250 77,7 74,2 0,33 0,37 - 4,05
    3 HCl 200 64,2 58,0 0,10 0,22 - 9,16
    4 ¹MeCl 300 38,2 - 36,8 - 0,27 2,94
    5 ¹MeCl 250 38,4 - 36,3 - 0,14 5,39
    (3:1)
    6 300 78,1 16,9 57,8 0,33 1,59 3,08
    ¹MeCl:HCl
    (3:1)
    7 250 58,6 28,7 25,7 0,29 1,44 6,45
    ¹MeCl:HCl
    (3:1)
    8 200 33,6 26,3 4,5 0,22 6,77 8,06
    ¹MeCl:HCl
    * MCS = Methylchlorsilan **R = Rest (Fraktion mit Siedepunkt höher als 70°C) ¹MeCl = Methylchlorid ²A, ²B, ²E und ²F haben die gleiche Bedeutung wie in Tabelle I Aus den vorstehenden Ergebnissen ist zu ersehen, daß Rückstandssilicium-Sekundärzyklon-Feinstoffe und Chlorwasserstoff leicht bei 300°C, 250°C und 200°C unter Bildung von überwiegend Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid reagieren.
  • Bei vergleichbaren Temperaturen führt die Reaktion mit Chlorwasserstoff zu einer beträchtlich höheren Siliciumausnutzung im Gegensatz zu einer Reaktion mit Methylchlorid (sogar bei 2000C). Während die Temperaturabnahme von 3000C auf 2500C zu keinem Effekt auf die Gesamtausnutzung des Siliciums durch Reaktion mit Methylchlorid oder Chlorwasserstoff ausschließlich führt, waren deutliche Selektivitätsunterschiede bei der Methylchlorid-Reaktion bei niedrigerer Temperatur, nämlich ein scharfer niedrigerer Gesamtansatz E/F, eine verringerte Methylmonohydrogendichlorsilan-Bildung und eine erhöhte Rückstandsbildung. Eine gemeinsame Reaktionsteilnehmer-Beschickung, wie dies durch das molare Verhältnis von Methylchlorid : Chlorwasserstoff (3 : 1) beispielhaft belegt ist, verschob die Ergebnisse wie folgt: (a) Bei 250°C, wenn auch die Gesamtausnutzung von Silicium niedriger als die 100 % Chlorwasserstoff-Methode war, war sie höher als die 100 % Methylchlorid-Methode.
  • (b) Bei 300°C war die Gesamtausnutzung von Silicium vergleichbar der 100 % Chlorwasserstoffbeschickung-Reaktion.
  • (c) Bei 3000C führte die gemischte Beschickung von Methylchlorid : Chlorwasserstoff zu einer höheren Siliciumausnutzung unter Bildung von Methylchlorsilanen als die 100 %-Methylchlorid-Reaktion bei der gleichen Temperatur.
  • (d) Die Reaktion bei 2000C unterdrückte scharf die Alkylierungsreaktion, d.h. Methylchlorid und Silicium, führte jedoch zu einem Verlust hinsichtlich der Gesamtausnutzung von Silicium.
  • (e) Der Einschluß von Chlorwasserstoff führte zu deutlichen Erhöhungen in E/F von Methylchlorsilan-Produkt.
  • (f) Die Rückstandsbildung wird erhöht, wenn die Temperatur erniedrigt wird.
  • Aus den vorstehenden Ergebnissen ist ersichtlich, daß Chlorwasserstoff und Methylchlorid mit Silicium-Kupfer-Mischungen unter Bildung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid bei ausgewählten niedrigeren Temperaturen reagieren.
  • In Übereinstimmung mit zumindest einigen der Zielen der vorliegenden Erfindung wurde ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan in wesentlichen Mengen mit Hilfe einer Hydrochlorinierungsreaktion, ausgeführt unter ausgewählten Temperaturbedingungen, welche die Alkylierungsreaktion zwischen Methylchlorid und Silicium unterdrücken, gezeigt. Durch Modifizierung der Reaktionstemperatur und durch sorgfältige Steuerung der Temperatur werden erhöhte Ausbeuten an Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid erzielt. Darüber hinaus zeigt eine Reaktion mit gemeinsamer Beschickung, d.h. unter Zuführung von sowohl Chlorwasserstoff und Methylchlorid in Gegenwart von Silicium bei niedrigen Temperaturen im Bereich von etwa 2000C bis etwa 3000C die Fähigkeit der selektiven Unterdsückung der Methylchlorsilan-Reaktion, d.h. einer Alkylierungsreaktion, während die Hydrochlorinierung des Siliciums weiterläuft.
  • Obwohl das Verfahren nicht unter Verwendung von frischem oder vorher nicht benutztem Silicium durchgeführt wurde, kann das erfindungsgemäße Verfahren ganz allgemein auf die Verwendung derartiger Sorten bezogen werden, und frisches oder unbenutztes Silicium kann mit gasförmigem Alkylhalogenid und gasförmigem Halogenwasserstoff bei einer ausgewählten Temperatur zwischen etwa 2000C und etwa 3500C umgesetzt werden, bei welchen Temperaturen die Alkylierung des Siliciums inhibiert wird und wobei die Hydrohalogenierung des Siliciums erfolgt, wodurch das Silicium mit gasförmigem Alkylhalogenid und gasförmigem Halogenwasserstoff bei der ausgewählten Temperatur unter Bildung verbesserter Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilanen reagiert.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung im Detail unter besonderer Bezugnahme auf gewisse bevorzugte Ausführungsformen beschrieben worden ist, ist es selbstverständlich, daß verschiedene Variationen und Modifikationen durchgeführt werden können, die jedoch noch im Rahmen der vorliegenden Erfindung liegen.

Claims (23)

  1. Patentansprüche Verfahren zur Herstellung von Monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der Herstellung von Organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten Direktverfahrens erhaltenen Rückstandssilicium, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß man das Rückstandssilicium gleichzeitig mit gasförmigem Halogenwasserstoff und gasförmigem Alkylhalogenid unter Bildung einer Rückstandssilicium-Kontaktmasse in Kontakt bringt und die Rückstandssilicium-Kontaktmasse auf eine niedrigere Temperatur als diejenige Temperatur, bei welcher eine wesentliche Alkylierung der Rückstandssilicium-Kontaktmasse erfolgt, erhitzt, wobei das Rückstandssilicium bei dieser Temperatur unter Bildung von Reaktionsprodukten reagiert, die Monohydrogentrihalogensilan enthalten.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß der gasförmige Halogenwasserstoff und das gasförmige Alkylhalogenid in Kontakt mit einem Wirbelbett des Rückstandssiliciums sind.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß das gasförmige Alkylhalogenid aus der Gruppe bestehend aus dem Chlorid, Bromid, Jodid oder Fluorid einer Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ausgewählt ist.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß der gasförmige Halogenwasserstoff aus der Gruppe bestehend aus Chlorwasserstoff, Bromwasserstoff, Jodwasserstoff und Fluorwasserstoff ausgewählt ist.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der gasförmige Halogenwasserstoff Chlorwasserstoff, das gasförmige Alkylhalogenid Methylchlorid und das Monohydrogentrihalogensilan Monohydrogentrichlorsilan ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß das molare Verhältnis von Alkylhalogenid zu Halogenwasserstoff im Bereich von etwa 6 : 1 bis etwa 1 : 6 liegt.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Rückstandssilicium-Kontaktmasse selektiv auf eine Temperatur im Bereich von etwa 200°C bis etwa 35O0C erhitzt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß man die Reaktionsprodukte sammelt und das Monohydrogentrihalogensilan daraus abtrennt.
  9. 9. Verfahren zur Herstellung von Monohydrogentrichlorsilan aus dem aus der Herstellung von Organochlorsilanen mittels des Direktverfahrens erhaltenen Rückstandssilicium, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß man gasförmiges Methylchlorid und gasförmigen Chlorwasserstoff einem Wirbelbett des Rückstandssiliciums in einem molaren Verhältnis von Methylchlorid : Chlorwasserstoff im Bereich von etwa 6 : 1 bis etwa 1 : 6 zuführt und das Wirbelbett des Rückstandssiliciums auf eine Temperatur zwischen etwa 200° C und 300°C erhitzt, wobei die Temperatur niedriger als diejenige Temperatur ist, bei welcher eine wesentliche Alkylierung des Rückstandssiliciums erfolgt, unter Bildung eines Produkts, das wesentliche Mengen an Monohydrogentrihalogensilan und Siliciumtetrachlorid enthält.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß das molare Verhältnis von Methylchlorid : Chlorwasserstoff zwischen etwa 3 : 1 und etwa 1 : 3 liegt.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 9, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß das Rückstandssilicium feine Siliciumteilchen, gesammelt aus einem, zur Abtrennung von aus dem Direktverfahren zur Herstellung von Organochlorsilanen stammenden, erschöpften feinen Siliciumteilchen eingesetzten Sekundärzyklon, enthält.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 9, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß es das Sammeln des Produktes und das Abtrennen des Monohydrogentrichlorsilans daraus umfaßt.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 9, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß das molare Verhältnis von Methylchlorid : Chlorwasserstoff etwa 3 : 1 beträgt, die Temperatur im Bereich von etwa 2000C bis etwa 2500C liegt und das überwiegende Produkt Monohydrogentrichlorsilan ist.
  14. 14. Verfahren zur Verbesserung der aus der Reaktion von Silicium mit Alkylhalogenid in dem metallkatalysierten Direktverfahren erhaltenen Menge an Monohydrogentrihalogensilan, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß man das Silicium gleichzeitig mit gasförmigem Alkylhalogenid und gasförmigem Halogenwasserstoff unter Bildung einer Silicium-Kontaktmasse in'Kontakt bringt, eine Temperatur 0 zwischen etwa 2000C und etwa 350 C auswählt, bei welcher die Alkylierung der Silicium-Kontaktmasse inhibiert ist und bei welcher Hydrohalogenierung der Silicium-Kontaktmasse erfolgt und die Silicium-Kontaktmasse auf die ausgewählte Temperatur erhitzt, wobei das Silicium mit dem gasförmigen Alkylhalogenid und dem gasförmigen Halogenwasserstoff bei der ausgewählten Temperatur unter Bildung verbesserter Ausbeuten an Monohydrogentrihalogensilan reagiert.
  15. 15. Verfahren zur Verbesserung der Menge an aus der Reaktion von Rückstandssilicium, erhalten aus der Herstellung von Organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten Direktverfahrens, erhaltenem Monohydrogentrihalogensilan, d a d u r c h g e k e n- n z e i c h n e t, daß man das Rückstandssilicium gleichzeitig mit gasförmigem Alkylhalogenid und gasförmigem Halogenwasserstoff unter Bildung einer Rückstandssilicium-Kontaktmasse in Kontakt bringt, eine Temperatur zwischen etwa 2000C und etwa 3500C auswählt, bei welcher eine Alkylierung der Rückstandssilicium-Kontaktmasse inhibiert ist und bei welcher Hydrohalogenierung der Rückstandssilicium-Kontaktmasse erfolgt und die Rückstandssilicium-Kontaktmasse auf die ausgewählte Temperatur erhitzt, wobei das Silicium in der Rückstandssilicium-Kontaktmasse mit dem gasförmigen Alkylhalogenid und dem gasförmigen Halogenwasserstoff bei der ausgewählten Temperatur unter Bildung verbesserter Ausbeute an Monohydrogentrihalogensilan reagiert.
  16. 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e 1 c h n e t, daß das gasförmige Alkylhalogenid und der gasförmige Halogenwasserstoff in Kontakt mit einem Wirbelbett des Siliciums oder RUckstandssiliciums sind.
  17. 17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h 9 e k e n n z e i c h n e t, daß das gasförmige Alkylhalogenid aus der Gruppe bestehend aus dem Chlorid, Bromid, Jodid oder Fluorid einer Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ausgewählt ist.
  18. 18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e i zu c h n e t, daß der gasförmige Halogenwasserstoff aus der Gruppe bestehend aus Chlorwasserstoff, Bromwasserstoff, Jodwasserstoff und Fluorwasserstoff ausgewählt ist.
  19. 19. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der gasförmige Halogenwasserstoff Chlorwasserstoff, das gasförmige Alkylhalogenid Methylchlorid und das Monohydrogentrihalogensilan Monohydrogentrichlorsilan ist.
  20. 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das molare Verhältnis von Alkylhalogenid zu Halogenwasserstoff im Bereich von etwa 6 : 1 bis etwa 1 : 6 liegt.
  21. 21. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das molare Verhältnis von Alkylhalogenid zu Halogenwasserstoff im Bereich von etwa 3 1 bis etwa 1 : 3 liegt.
  22. 22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der gasförmige Halogenwasserstoff Chlorwasserstoff, das gasförmige Alkylhalogenid Methylchlorid ist, das molare Verhältnis von Alkylhalogenid : Halogenwasserstoff im Bereich von etwa 3 : 1 liegt und die ausgewählte Temperatur etwa 2000C bis etwa 2500C ist, wobei das Silicium mit dem Methylchlorid und dem Chlorwasserstoff unter Bildung eines Produktes reagiert, das im wesentlichen Monohydrogentrichlorsilan enthält.
  23. 23. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 15, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß man ein Reaktionsprodukt sammelt und das Monohydrogentrihalogensilan daraus abtrennt.
DE19833312501 1983-04-07 1983-04-07 Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium Withdrawn DE3312501A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833312501 DE3312501A1 (de) 1983-04-07 1983-04-07 Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833312501 DE3312501A1 (de) 1983-04-07 1983-04-07 Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3312501A1 true DE3312501A1 (de) 1984-10-04

Family

ID=6195677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833312501 Withdrawn DE3312501A1 (de) 1983-04-07 1983-04-07 Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3312501A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1749797A1 (de) * 2004-05-19 2007-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur herstellung von halogensilan und verfahren zur reinigung einer festen komponente

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1749797A1 (de) * 2004-05-19 2007-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur herstellung von halogensilan und verfahren zur reinigung einer festen komponente
EP1749797A4 (de) * 2004-05-19 2009-10-21 Sharp Kk Verfahren zur herstellung von halogensilan und verfahren zur reinigung einer festen komponente

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DD232278A5 (de) Verfahren zur herstellung von alkylhalogensilanen
EP0155626B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dimethyldichlorsilan
EP1370490B1 (de) Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
EP1341722B1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
EP1179534B1 (de) Verfahren zum Aufarbeiten von Rückständen der Direktsynthese von Organochlorsilanen
US4390510A (en) Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes
DE60002784T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
WO2012062526A1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE69631944T2 (de) Verfahren zur Überwachung der Verteilung der Reaktionsprodukte bei der Alkylhalogensilanherstellung
EP0519181B1 (de) Verfahren zur Herstellung von 3-Chlorpropylsilanen
DE3501085A1 (de) Katalysatorzusammensetzung und verfahren zu deren verwendung
DE10336545B3 (de) Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen
DE60013971T2 (de) Umsetzung von hochsiedenden Rückständen der Direktsynthese in Monosilane
WO2002022500A1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
EP0869129B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylchlorsilanen aus den Rückständen der Direktsynthese von Alkylchlorsilanen
DE3425424C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
DE69813402T2 (de) Herstellung von Alkylhalogensilanen
EP1903048B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
EP0416406B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
DE3312775C2 (de)
DE3312501A1 (de) Verfahren zur herstellung von monohydrogentrihalogensilan aus dem aus der herstellung von organohalogensilanen mittels eines metallkatalysierten direktverfahrens erhaltenen rueckstandssilicium
DE60003667T2 (de) Förderung der bildung von dialkyldihalosilanen in der direktsynthese
DE3303903A1 (de) Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium
DE69907295T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
DE10126558C1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silanen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8130 Withdrawal