DE3218345A1

DE3218345A1 - Replikator fuer ionen-implantierte blasendomaenenvorrichtungen unter verwendung der streckwirkung einer geladenen wand

Info

Publication number: DE3218345A1
Application number: DE19823218345
Authority: DE
Inventors: Bruce Edward 92631 Fullerton Calif. MacNeal
Original assignee: Rockwell International Corp
Current assignee: Boeing North American Inc
Priority date: 1981-05-14
Filing date: 1982-05-14
Publication date: 1982-12-02
Also published as: JPS57191889A; US4423489A

Description

82-T-4958

Replikator für Ionen-implantierte Blasendomänenvorrichtungen unter Verwendung der Streckwirkung einer geladenen Wand

Die Erfindung bezieht sich auf Magnetblasendomänenvorrichtungen, und insbesondere auf Blasendomänenreplikatoren (Verdopplungsvorrichtungen) zur Duplizierung oder Verdopplung einer magnetischen Blase in einem Portpflanzungspfad.

Magnetblasendomänenvorrichtungen sind bereits bekannt. Es gibt zwei Grundtypen solcher Vorrichtungen, und zwar abhängig von dem Verfahren gemäß welchem die Blasen in den Blasenvorrichtungen fortgepflanzt werden. Das erste Verfahren ist ein Verfahren der Feldzugriffsart, während das zweite Verfahren ein Verfahren der Strom-(oder Leiter)-Zugriffsart ist. Das üblichste Betriebsverfahren für eine Magnetblasenvorrichtung wird als "Feld-Zugriffs"-Betriebsart bezeichnet. Bei dieser Betriebsart wird ein Muster aus magnetisch weichen Elementen (beispielsweise Permalloy) in einer Ebene, benachbart zu einer Materiallage ausgebildet, in der die Blasen bewegt werden. Ein anderes Verfahren verwendet die

IonenrImplantation in der Blasenlage, um ein Muster aus aneinandergrenzenden Scheiben zu bilden. Die Blasenlage ist typischerweise eine dünne magnetische Granatschicht, angeordnet auf einem geeigneten nicht-magnetischen Substrat. Ein Magnetfeld wird in der Ebene der Lage erzeugt, und das hervorgerufene Feld wird zur Reorientierung veranlaßt, um inkremental die Radialpositionen zyklisch in der Ebene zu versetzen. Jedes Element ist derart geformt, daß verschiedene Teile desselben auf das in der Ebene liegende Feld ansprechen, um Polmuster zu erzeugen, die sich beim Weiterschreiten des Feldes ändern. Die Konfiguration benachbarter Elemente baut eine Folge von laufenden Potentialquellen in der Lage auf, was die Blasenbewegung hervorruft.

Bei den Stromzugriffsvorrichtungen werden die notwendigen Potentialquellen durch einen Satz von Leitermustern vorgesehen, indem mehrphasige, normalerweise zwei- oder dreiphasige Ströme übertragen werden. Die Leiter werden typischerweise in Mehrfachlagen ausgebildet, und zwar voneinander isoliert und zweiphasig oder dreiphasig angetrieben. Ein Beispiel einer solchen Vorrichtung ist in US-PS 3 460 116 beschrieben.

Im Stand der Technik sind bereits verschiedene Arten von Magnetblasendomänenvorrichtungs —Architekturen bekannt, wobei eine der bestbekanntesten Architekturen die Hauptschleifen/ Nebenschleifen-Konfiguration (major loop/minor loop) ist. Die Hauptschleifen/Nebenschleifen-Konfiguration gemäß US-PS 3 618 054 besteht aus mehreren ersten rezirkulierenden"Neben"-Kanälen und einem zweiten "Haupt"-Kanal.

Die Blasenverdoppelung wird in Permalloy-FeId-Zugriffs-Blasenvorrichtungen erreicht, und zwar durch Strecken der Blase, darauffolgendes Zerschneiden in zwei Teile, wobei der

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eine Teil in der Primärspur zurückgelassen wird, und der zweite in die Sekundärspuren übertragen wird. Die Blasenstreckung erfolgt entweder dadurch, daß man einen hohen Stromimpuls an den gleichen Leiter anlegt, wie er für das Blasenschneiden verwendet wird, oder aber dadurch, daß man gewisse große Permalloy-Fortpflanzungselemente, wie beispielsweise das Spitzehacken-Element, verwendet. Ionen-implantierte Feld-Zugriffs-Vorrichtungen ermangeln jedoch der starken breiten Polverteilung, die zum Strecken der Blasen für eine erfolgreiche Replikation (Verdoppelung) über einen angemessenen Vorspannungsbereich erforderlich ist. Bevor die vorliegende Erfindung gemacht wurde, gab es eine Replikations- oder Verdoppelungskonstruktion, basierend auf der Streckwirkung eines Leiters zusammen mit einer Schneidwirkung der geladenen Wand. Eine solche Konfiguration ist aus der Publikation von Nelson und anderen mit dem Titel "Ion-implanted Buble Circuit Design", 1980 Intermag, Boston, Paper 22-2, bekannt.

Bei solchen Konfigurationen sind die verbleibenden Stirnflächenbereiche für die Verdpppelung verhältnismäßig schmal und die Langzeitzuverlässigkeit der passiv geladenen Wand kann in gewissen Anwendungsfällen nachteilig sein. Bislang gibt es noch keinen einfachen und zuverlässigen Verdoppler zur Verwendung bei Ionen-implantierten Vorrichtungen, der nicht auf die Streckwirkung eines Leiters vertraut.

Zusammenfassung der Erfindung. Kurz gesagt bezieht sich die Erfindung allgemein auf einen Verdoppler für Magnetblasendomänenvorrichtungen,, und zwar einschließlich folgender Elemente: erste und zweite Ionen-implantierte Spuren zur Aufnahme und Fortpflanzung einer Magnetblasendomäne, eine Ausdehnungszone, in der eine Blasendomäne aus der ersten Spur zwischen den ersten und zweiten Spuren gestreckt wird, und

eine Replikations- oder Verdoppelungsvorrichtung, die die Ausdehnungszone schneidet und die Funktion hat, die gestreckte Blase in zwei Magnetblasendomänen derart zu zerschneiden, daß die verdoppelte oder replizierte Blasendomaine längs des zweiten Ionen-implantierten Pfades läuft.

Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich insbesondere aus den Ansprüchen.

Weitere Vorteile, Ziele und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich insbesondere aus den Ansprüchen sowie aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Blasen-

domänenvorrichtung mit einer verdoppelten Konstruktion unter Verwendung einer Haarnadelschleifenstreifen-Herausführung und einer gealdenen Wand, geschnitten gemäß dem Stand der Technik;

Fig. 2a eine Draufsicht auf eine Blasen-

domänenvorrichtung, wobei hier ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Verdoppelungsvorrichtung dargestellt ist;

Fig. 2b · ein Zeitsteuerdiagramm des in der

Ebene liegenden Magnettreiberfelds und des Stroms in dem Leiter, verwendet gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;

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Fig. 3a eine Draufsicht auf eine Blasen-

domainenvorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel einer Verdoppelungsvorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 3b ein Zeitsteuerdiagramm des in der

Ebene liegenden Magnettreiberfelds und des Stroms im Leiter gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Im folgenden seien die bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Erfindung bezieht sich auf Replikatoren (Verdoppelungsvorrichtungen) für Magnetblasendomänenvorrichtungen der Bauart mit Ionen-implantiertem Feld-Zugriff. Die Arbeitsweise der Verdoppelungsvorrichtung gemäß der Erfindung basiert auf der Verwendung der geladenen Wände von BIasendomainen, die für die Blasenfortpflanzung verantwortlich sind, um so eine Blasendomänenstreckung vorzusehen, und ferner basiert die Erfindung auf der Verwendung eines Leiters zur Durchführung der Schneidfunktion.

Die Erfindung beschreibt zwei Ausführungsbeispiele von Blasenverdoppelungsvorrichtungen, bei denen die Streckung durch die Wirkung der geladenen Wand ausgeübt wird, und der Schneidvorgang erfolgt mit Unterstützung des mit einem Leiter in Verbindung stehenden Feldes.

Beim Stand der Technik war die zuverlässige Verdoppelung bei Ionen-implantierten Magnetblasenvorrichtungen schwer zu erreichen. Fig. 1 zeigt eine Konstruktion gemäß dem Stand der Technik mit einem topologischen Herausübertragungsschalter,

der unter bestimmten Bedingungen als eine Verdoppelungsvorrichtung -wirkt. Insbesondere zeigt Pig. 1 die Orientierung der Ionen-implantierten Spur bezüglich der vier Magnetisierungsrichtungen des implantierten Feldes und auch die kristallographischen Achsen oder die leichte Richtung der Magnetisierung der ebenen Lage aus Magnetmaterial. Die spezielle dargestellte Pührungsstruktur wird durch Ionen-Implantation von magnetischem Granatfilm oder einer magnetischen Granatschicht ausgebildet, und zwar zur Bildung eines Musters von überlappenden kolinearen, aneinandergrenzenden Scheibenelementen. Obwohl eine solche Führungsstruktur in den beiden Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Verdoppelungsvorrichtung dargestellt ist, so sind die Merkmale der Erfindung doch nicht auf irgendeine besondere Art von Führungsstruktur oder Geometrie desselben beschränkt.

Ein darüberliegender Leiter ist dargestellt, der eine Anzahl von Haarnadelschleifen 10 und 11 bildet, die dann, wenn sie mit einem StromPuls versehen werden, um die Blasendomäne von einer ersten Fortpflanzung der Spur zu einer zweiten Fortpflanzungsspur zu strecken. Im vorliegenden Beispiel umfaßt die erste Fortpflanzungsspur die Nebenschleifen 12 und 13, während die zweite Fortpflanzungsspur die Hauptschleife 14 ist. Die Blasen pflanzen sich um die Außenkanten der Ionen-implantierten Zonen herum fort, wie dies durch die Blasenpositionen 1,2,3 und 4 dargestellt ist. Die Arbeitsweise der Verdoppelungsvorrichtung gemäß dem Stand der Technik wird unter Bezugnahme auf die Blasenpositionen der Fig. 1 im folgenden beschrieben.

Normalerweise werden die Blasen durch die entgegen dem Uhrzeigersinn erfolgende Drehung des in der Ebene liegenden Feldes nach oben in den Nebenschleifen (Position 1) gebracht, und ein Stromimpuls wird ausgegeben, um die Blase über die untere Kuppe ungefähr bei Phase 0° zu strecken. Wenn

der Streckimpuls freigegeben wird, so zieht sich die Blase auf Position 2 zusammen. Bei einer etwas späteren Phase, 90° bis 154°, wird ein zweiter "Invertier"-Impuls angelegt, um die Blase herüber zum oberen Ende der Hauptschleife hin, Position 3> zu strecken. Wenn dieser Puls entfernt wird, so zieht sich die Blase zur oberen Seite der Hauptschleife zusammen. Für große "Invertier"-Impulsamplituden hat sich herausgestellt, daß sich die Blase zurück zur Position 4 und auch zur Position 3 erstreckt. Wenn der Streifen in dieser

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Position lange genug gehalten wird, so bildet sich eine/negativ geladene Wand an der Position 2 und zerschneidet den Streifen. Wenn der "Invertier"-Impuls entfernt wird, so findet sich ein Replikat (ein Doppel) der Blase an Position 3 an der Position 4. Die Vorspann- und Phasen-Toleranzen sind für die Verdoppelung gemäß dem Stand der Technik recht eng, und die Langzeitzuverlässigkeit der passiv geladenen Wandarbeitsweise ist ebenfalls fraglich.

Der erfindungsgemäße Verdoppelungsprozeß verwendet eine passiv geladene Wandstreckung und einen aktiven Stromschneidimpuls. Ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Mechanismus ist die Serienverdoppelungsvorrichtung gemäß Fig. 2a.

Fig. 2a veranschaulicht das erste AusführungsbeiBpiel der Erfindung, wo die geladene Wand für das Strecken der Blase verantwortlich ist, und wobei eine Domänen— und Leiterschleife für das Schneiden der Domäne verantwortlich ist. Fig. 2a ist eine Draufsicht einer Blasendomänenvorrichtung, die eine Planarlage aus Magnetmaterial, wie beispielsweise eine magnetische Granatschicht, aufweist, in der bzw. dem Magnetblasendomänen fortgepflanzt werden können. Eine erste Blasendomänenführungsstruktur, die in der Figur mit "vom Speicher" und "zum Speicher" bezeichnet ist, wird mit der Lage ge-

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koppelt und definiert einen ersten Blasendoämenfortpflanzungspfad zur Führung der Blasendomäenbewegung in der Lage infolge einer zyklischen Änderung der Orientierung eines sich reorientierenden Magnetfeldes in der Ebene der Lage.

Eine zweite Blasendomänenführungsstruktur, die in Fig. 2a mit "zum Detektor" bezeichnet ist, ist mit der planaren oder ebenen Lage aus Magnetmaterial gekoppelt und definiert einen zweiten Fortpflanzungspfad, um die Bewegung anderer Blasendomänen in der Lage zu führen, und zwar infolge der zyklischen Änderung der Orientierung des sich reorientierenden Magnetfeldes in der Ebene der Lage. Kristallographische Achsen oder die leichte Magnetisierungsrichtung der Planarlage aus Magnetmaterial sind durch das schematische Diagramm im rechten Teil der Figur gezeigt. Bei der vorliegenden Erfindung werden die Blasendomänenführungsstrukturen durch Ionen-Implantation des magnetischen Granatfilms oder der magnetischen Granatschicht gebildet. Die spezielle gezeigte Führungsstruktur ist ein überlappendes Muster aus kolinearen, aneinandergrenzenden Scheiben, obwohl die Erfindung nicht auf irgendeine spezielle Struktur beschränkt ist.

Die Fortpflanzungsspur ist, wie gezeigt, in einer begünstigten Richtung orientiert, welche eine "Super"-Fortpflanzungsspur unter rechten Winkela schneidet, und zwar mit einer Haarnadelleiterschleife , positioniert an der Schnittstelle.

Die Arbeitsweise der Verdoppelungsvorrichtung sei nunmehr unter Bezugnahme auf Fig. 2b, das Zeitsteuerdiagramm des in der Ebene liegenden Feldes sowie des Stroms im Leiter beschrieben. Blasen werden vom Speicher zur Spitze der Fortpflanzungsspur durch die entgegen dem Uhrzeigersinn erfolgende Rotation des in der Ebene liegenden Feldes gebracht. Die Blase wird zwischen zwei mit Abstand angeordneten anziehen-

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Kuppenpositionen gebildet infolge der Bewegung der geladenen Wand gestreckt. Die Spitze der oberen Spur wird so dicht wie möglich zur unteren "Super"-Kuppe (ausgebildet am Konkavteil der unteren Spur) angeordnet, so daß dann, wenn das Drehfeld sich im dritten Quadranten befindet, eine überbrückende geladene Wand gebildet wird, die hier durch die Plus-Zeichen innerhalb einer langgestreckten Ellipse angedeutet ist. Die Bildung dieser geladenen Wand wurde in Verbindung mit Ladungswand-unterstützten Übertragungsschaltern der folgenden Literaturstelle beschrieben: Lin et al, IEEE Trans. MAG-15t 1642 (1979). Wenn der Spitzen-Kuppen-Abstand kurz genug ist, so streift eine Blase an der Spitze spontan heraus zur unteren Kuppe . Ein großer, kurzer Schneidimpuls, typischerweise von einer Dauer von 200 ns., wie in Fig. 2b gezeigt, wird an den Leiter angelegt, so daß das sich ergebende Feld in der Mitte der Schleife sich zu dem externen Vorspannfeld hinzuaddiert, und die Streifendomäne wird in die Hälfte geschnitten. Wenn der Schneidimpuls beendet wird, so rekombinieren oder vereinigen sich die beiden Hälften nicht wieder. Wenn sich die Drehung oder Rotation fortsetzt, so trennt sich die überbrückende geladene Wand, und eine geladene Wand wird an der Spitze und eine separate geladene Wand in der Kuppe zurückgelassen. Die obere Blase setzt ihre Bewegung um die Spitze der oberen Spur zurück zum Speichergebiet, während die untere Blase, die Verdoppelungsblase, sich nach links zum Detektor bewegt.

Abwandlungen dieser Konstruktion liegen im Rahmen der Erfindung. Der Spitze-Kuppe-Abstand sollte so kurz wie möglich sein, jedoch groß genug, um die Leitergeometrie zu enthalten. Wenn dieser Abstand zu kurz ist, so nimmt die negative, zum Schneiden verwendete Potentialquelle den gesamten Spitzen-Kuppen-Spalt ein, und der gesamte Streifen fällt zusammen. Die "Super"-Kuppenorientierung wird bevorzugt, da dies die

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längste und stärkste Uberbrückungswand zur Folge hat, es sind aber auch andere Orientierungen möglich.

Die Verwendung von kompakteren Leitergeometrien kann einen kürzeren Spitzen-Kuppen-Abstand gestatten, und dieses Replikations- oder Verdoppelungsverfahren für eine Blockverdoppelungsfunktion geeignet machen. Ein derartiges Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 3a gezeigt, -wobei in Fig. 3b das zugehörige Zeitsteuerdiagramm dargestellt ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein Haarnadelschleifenleiter nicht verwendet, sondern stattdessen ein meandrierender Leiter, angeordnet zwischen den Ionen-implantierten Mustern.

Die Arbeitsweise ist dabei die folgende. Die Blasen erreichen die Nebenschleifenspitzen durch die entgegen dem Uhrzeigersinn erfolgende Rotation des in der Ebene liegenden Feldes. Zwischen den zweiten und dritten Quadranten des in der Ebene liegenden Feldes, gezeigt in Fig. 3d, wird ein Streckimpuls an die implantierte Hauptschleifenmaske angelegt, um das Strecken längs der überbrückenden Ladungswand zu unterstützen. Die Blase wird durch einen kurzen Impuls in der Leiterlage im dritten Quadranten geschnitten, was wiederum in Fig. 3b gezeigt ist. Die obere Hälfte der Blase wird zur Nebenschleifenspitze hin angezogen, und zwar sowohl durch die geladene W^nd als auch durch die Oberseite des Leiters, wohingegen die untere Hälfte zur Kuppe hin angezogen wird, und zwar durch die geladene Wand und das Feld vom Streckstrom. Die obere Blase verbleibt in der Nebenschleife, wohingegen die verdoppelte Blase zum Detektor längs der Hauptschleife übertragen wird. Dieses Ausführungsbeispiel verwendet noch immer nur eine Leiterlage, da die Strecklinie Teil der implantierten Maske ist und keinen gesonderten lithographischen Schritt erforderlich macht.

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Weil der Leiter die Implantationsmaske nicht kreuzt, bildet die Schrittabdeckung über der 0,5 bis 0,8 μΐη dicken Maske kein Herstellungsproblem.

Das erfindungsgemäße Verdoppelungskonzept hat einen signifikanten Zuverlässigkeitsvorteil gegenüber dem passiven Schneidverdppler gemäß der oben erwähnten Nelson-Literaturstelle. Erfindungsgemäß wird das Schneiden mit einem aktiven Stromimpuls erreicht, d.h. einem Verfahren, welches sich bei den Verdopplungsvorrichtungen in der üblichen Permalloy-Technik als zuverlässig herausgestellt hat. Die geladenen, die Streifenenden haltenden Wände sind nicht so stark wie die Übergröße besitzenden Permalloy-Elemente in üblichen Verdopplungsvorrichtungen, wobei aber jedwedes mögliche Problem dadurch korrigiert werden kann, daß man zusätzliche Stromelemente, wie in der Blockverdoppelungskonstruktion, verwendet.

Zusammenfassend sieht die Erfindung folgendes vor:

Eine Verdoppelungsvorrichtung für eine Ionen-implantierte Magnetblasendomänenvorrichtung mit einem Einzelniveauleiter-Blasenschneidelement, angeordnet zwischen ersten und zweiten, mit Abstand angeordneten Blasendomänenführungsstrukturen. Die Bewegung der geladenen Wand infolge der Drehung des in der Ebene liegenden Feldes bewirkt das Strecken einer Blasendomäne, die längs des ersten Blasenfortpflanzungspfads läuft, auf den zweiten Blasenfortpflanzungspfad, und das Leitelement, welches die gestreckte Domäne kreuzt, bewirkt infolge eines Aktivierungssignals auf dem Leiter das Schneiden der Blase. Statt des Ausdrucks Kuppe kannte auch der Ausdruck Scheitel verwendet werden.

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Claims

ANSPRÜCHE:

Magnetblasendomänenvorrichtung,
welche folgendes aufweist:

eine Planarlage aus Magnetmaterial,in der Magnetblasendomänen fortgepflanzt werden können, eine erste Blasendomänenführungsstruktur, gekoppelt mit der Lage und einen ersten Blasendomänenfortpflanzungspfad definierend zur Führung der Bewegung der Blasendomänen in der Lage infolge einer zyklischen Änderung der Orientierung eines reorientierenden Magnetfeldes innerhalt der Ebene der Lage,

eine zweite Blasendomänenführungsstruktur, gekoppelt mit der Lage und einen zweiten Portpflanzungspfad definierend für die Führung der Bewegung der Blasendomänen in der Lage infolge der zyklischen Änderung der Orientierung des sich reorientierenden Magnetfeldes in der Ebene der Lage, und

eine Verdoppelungsblasendomänen-Führungsstruktur, gekoppelt mit der Lage und die Verdoppelung einer Blasendomäne bewirkend, welche längs des ersten Blasenfortpflanzungspfads läuft, und zwar erfolgt die Verdoppelung auf den zweiten Blasenfortpflanzungspfad infolge eines Aktivierungssignals,

dadurch gekennzeichnet, daß die Verdopplungsführungsstruktur zwei mit Abstand angeordnete anziehende Kuppenpositionen aufweist, um die Blasendomäne infolge der Bewegung der geladenen Wand zu strecken, und ferner gekennzeichnet durch Leitermittel, angeordnet zwischen der Kuppenposition zum Zwecke des Trennens der gestreckten Blasendomäne infol-

ge des Aktivierungssignals.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,

daß der erste Fortpflanzungspfad Ionen-implantierte, aneinandergrenzende Scheiben aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,

daß die Ionen-implantierten, aneinandergrenzenden Scheiben ein Muster aus überlappenden, kolinearen, aneinandergrenzenden Scheiben aufweisen.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß eine der Kuppenpositionen definiert wird als ein konkaver Teil eines Ionen-implantierten Fortpflanzungspfadelements der Vorrichtung.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß die Leitermittel eine Haarnadelschleife aufweisen.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß die Haarnadelschleife eine lange Zugriffsachse im wesentlichen senkrecht zur langen Achse der gestreckten Blasendomäne aufweist.
7. Magnetblasendomänenvorrichtung,
gekennzeichnet durch:

eine Lage aus Material, in der Magnetblasen längs min-

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destens erster und zweiter Pfade infolge eines zyklischen Magnetfeldes bewegt werden können, wobei die Lage ein Muster aus abwechselnd ersten und zweiten Ionen-implantierten Merkmalen aufweist, um jeden der ersten und zweiten Pfade zu definieren, wobei ein Teil der Pfade benachbart zueinander angeordnet ist und die gleiche magnetische Polarität für das Feld, orientiert in einer ersten Richtung, zeigt, einen elektrischen Leiter, sich zwischen dem erwähnten Teil der ersten und zweiten Pfade erstreckend, und Mittel zum Pulsen des Leiters zu einem Zeitpunkt, wo das Feld sich in der erwähnten ersten Richtung befindet, um eine Blasendomäne, gestreckt zwischen den ersten und zweiten Impulsen, zu trennen«
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,

daß der Leiter vollständig zwischen den ersten und zweiten Pfaden angeordnet ist.
9. Magnetblasendomänenvorrichtung,
gekennzeichnet durch:

eine Lage aus Material,in der Magnetblasen infolge eines zyklischen Magnetfeldes bewegt werden können, wobei die Lage Ionen-implantierte Zonen aufweist, die abwechselnd Beulen und Kuppen aufweisen, um eine Vielzahl von rezirkulierenden Schleifen für Blasen darum herum zu definieren,

eine Hauptschleife, angeordnet benachbart zu einem Teil jeder der rezirkulierenden Schleifen, und einen Leiter, der sich vollständig zwischen den rezirku kulierenden Schleifen und der Hauptschleife erstreckt.