DE3118347A1 - Thyristor mit gategesteuerten mis-fet-strukturen des verarmungstyps und verfahren zu seinem betrieb - Google Patents

Thyristor mit gategesteuerten mis-fet-strukturen des verarmungstyps und verfahren zu seinem betrieb

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3230741A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor
FR2568724A1 (fr) * 1984-08-03 1986-02-07 Centre Nat Rech Scient Composant semi-conducteur de puissance a tension de claquage elevee
US4635086A (en) * 1984-10-08 1987-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Self turnoff type semiconductor switching device
EP0280536A3 (en) * 1987-02-26 1990-10-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Turn-on driving technique for insulated gate thyristor

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3447220A1 (de) * 1983-12-30 1985-07-11 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Thyristor mit abschaltvermoegen mit verbessertem emitter-bereich und verfahren zu seiner herstellung
JPS61125173A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Meidensha Electric Mfg Co Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
US6330388B1 (en) 1999-01-27 2001-12-11 Northstar Photonics, Inc. Method and apparatus for waveguide optics and devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211334B (de) * 1962-06-11 1966-02-24 Fairchild Camera Instr Co Halbleiterbauelement mit eingelassenen Zonen
DE2625917A1 (de) * 1975-06-19 1976-12-30 Asea Ab Halbleiteranordnung
DE2825794A1 (de) * 1978-06-13 1979-12-20 Licentia Gmbh Abschaltbarer thyristor mit mindestens vier schichten unterschiedlichen leitfaehigkeittyps, bei dem die abschaltung durch kurzschliessen der der steuerbasisschicht benachbarten kontaktierten aeusseren emitterschicht mit der anliegenden, nach aussen gefuehrten und kontaktierten steuerbasisschicht erfolgt
DE2945324A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit verbessertem schaltverhalten

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5933986B2 (ja) * 1975-09-12 1984-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211334B (de) * 1962-06-11 1966-02-24 Fairchild Camera Instr Co Halbleiterbauelement mit eingelassenen Zonen
US3243669A (en) * 1962-06-11 1966-03-29 Fairchild Camera Instr Co Surface-potential controlled semiconductor device
DE2625917A1 (de) * 1975-06-19 1976-12-30 Asea Ab Halbleiteranordnung
DE2825794A1 (de) * 1978-06-13 1979-12-20 Licentia Gmbh Abschaltbarer thyristor mit mindestens vier schichten unterschiedlichen leitfaehigkeittyps, bei dem die abschaltung durch kurzschliessen der der steuerbasisschicht benachbarten kontaktierten aeusseren emitterschicht mit der anliegenden, nach aussen gefuehrten und kontaktierten steuerbasisschicht erfolgt
DE2945324A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit verbessertem schaltverhalten

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3230741A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor
FR2568724A1 (fr) * 1984-08-03 1986-02-07 Centre Nat Rech Scient Composant semi-conducteur de puissance a tension de claquage elevee
US4635086A (en) * 1984-10-08 1987-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Self turnoff type semiconductor switching device
EP0280536A3 (en) * 1987-02-26 1990-10-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Turn-on driving technique for insulated gate thyristor

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